用于处理基板的方法与设备与流程

1.本公开内容的实施方式一般涉及半导体基板处理设备，并且更具体地，涉及提供原位腔室清洁能力的方法和设备。


背景技术：

2.在基板的物理气相沉积(pvd)处理期间，pvd腔室沉积溅射的材料，该溅射的材料可能会在围绕等离子体的所有部件上形成膜。随着时间过去，可能会在通常设置在pvd腔室中的处理套件屏蔽件上形成不必要的沉积材料。尽管将溅射材料沉积在处理套件屏蔽件上是一种公认的做法，但这种溅射材料可能会脱落颗粒，这些脱落的颗粒可能会损坏pvd期间使用的溅射靶和/或可能会污染正在处理的基板。
3.维护处理套件屏蔽件通常包括以下步骤：从pvd腔室中移除处理套件屏蔽件(其包括多个部件)，将处理套件屏蔽件化学蚀刻到原始状态，以及重新安装处理套件屏蔽件，使得可以再使用处理套件屏蔽件。然而，发明人已经观察到这样的工艺可能是费时、费力和昂贵的，以及不必要地增加了腔室的停机时间。
4.因此，发明人提供了提供原位腔室清洁能力的方法和设备。


技术实现要素：

5.本案提供了用于提供原位腔室清洁能力的方法和设备的方法和设备。在一些实施方式中，一种用于处理基板的处理腔室，包括：腔室壁，该腔室壁至少部分地界定该处理腔室内的内部空间；溅射靶，该溅射靶设置在该内部空间的上部中；基座，该基座包含基板支撑件，该基板支撑件具有支撑表面以支撑在该溅射靶下方的基板；功率源，经配置激发(energize)溅射气体以用于在该内部空间中形成等离子体；处理套件，该处理套件围绕该溅射靶和该基板支撑件；和有源电容器调谐器(active capacitor tuner，act)和控制器，该act连接到该基座，该控制器经配置使用该act来调谐该基座以维持该内部空间中的该等离子体与该处理套件之间的预定电势差，其中该预定电势差是基于该act的总电容的百分比(a percentage)和与该处理腔室的接地路径相关的杂散电容。
6.在至少一些实施方式中，一种用于清洁经配置用于处理基板的处理套件的方法包括以下步骤：激发设置在该处理腔室的该内部空间中的清洁气体以产生等离子体；和调谐有源电容器调谐器(act)，使得维持该内部空间中的该等离子体与处理套件之间的预定电势差以用于去除沉积在该处理套件上的材料，该act连接到基座，该基座包含基板支撑件，其中该预定电势差是基于该act的总电容的百分比和与该处理腔室的接地路径相关的杂散电容。
7.在至少一些实施方式中，一种非暂时性计算机可读存储介质，具有存储在上面的指令，当处理器执行所述指令时，所述指令施行用于清洁针对处理基板配置的处理套件的方法。该方法例如包括以下步骤：激发设置在该处理腔室的该内部空间中的清洁气体以产生等离子体；和调谐有源电容器调谐器(act)，使得维持该内部空间中的该等离子体与处理
套件之间的预定电势差以用于去除沉积在该处理套件上的材料，该act连接到基座，该基座包含基板支撑件，其中该预定电势差是基于该act的总电容的百分比和与该处理腔室的接地路径相关的杂散电容。
8.本公开内容的其他和进一步的实施方式描述如下。
附图说明
9.本公开内容的实施方式已简要概述于前，并在以下有更详尽的讨论，可以通过参考所附附图中绘示的本公开内容的示例性实施方式以作了解。然而，所附附图仅绘示了本公开内容的典型实施方式，而由于本公开内容可允许其他等效的实施方式，因此所附附图并不会视为本公开内容范围的限制。
10.图1绘示根据本公开内容的一些实施方式的处理腔室的示意性侧视图。
11.图2绘示根据本公开内容的一些实施方式的处理套件的示意性截面图。
12.图3是根据本公开内容的一些实施方式的用于清洁经配置用于处理基板的处理套件的方法的流程图。
13.为便于理解，在可能的情况下，使用相同的附图标记代表附图中相同的元件。为求清楚，附图未依比例绘示且可能被简化。一个实施方式中的元件与特征可有利地用于其他实施方式中而无需赘述。
具体实施方式
14.本案提供了用于提供原位腔室清洁能力的方法和设备的实施方式。更具体言之，在至少一些实施方式中，本文描述的方法和设备使用有源电容器调谐器(act)和顶部射频(rf)功率源，act和顶部射频功率源与加热器一起工作以选择性地去除(如蚀刻)沉积在处理腔室中的处理套件上的材料。当与通过增加pvd腔室的内部处理空间(腔(cavity))中的等离子体电势的传统方法和设备相比时，本文所述的方法和设备可以提供增加的蚀刻速率(如在某些情况下高达50％)。更具体言之，在腔中的等离子体与处理套件(如接地的处理套件)之间提供相对较高的等离子体电势差增加蚀刻速率，增加的蚀刻速率允许以相对快速且有效率的方式完成原位腔室清洁。此外，本文所述的方法和设备在处理腔室中施行原位清洁工艺和/或较短的清洁配方(recipe)之后，提供较高的清洁间平均晶片(mean wafer between clean，mwbc)、更快的膜恢复(film recovery)。此外，与使用底部rf功率源来施行原位清洁工艺的传统方法和/或设备相比，使用顶部rf功率源可减少(如果不能消除)在原位清洁工艺期间可能发生的靶污染(如来自基座/光阀(shutter))。
15.图1绘示根据本公开内容的一些实施方式的处理腔室100(如pvd腔室)的示意性侧视图。根据本公开内容的一些实施方式。适合与本公开内容的处理套件屏蔽件一起使用的pvd腔室的实例包括plus、sipapplied endura和applied endura以及可从美国加利福尼亚州圣克拉拉市的应用材料公司(applied materials,inc.)商购的其他pvd处理腔室。来自应用材料公司或其他制造商的其他处理腔室也可受益于本文公开的发明设备。
16.处理腔室100包括腔室壁106，腔室壁106包围内部空间108(处理空间/腔)。腔室壁106包括侧壁116、底壁120和底壁124。处理腔室100可以是一个独立的腔室或者是多腔室平
台(未图示)的一部分，该多腔室平台具有由将基板104于各式腔室之间传送的基板传送机构连接的互连腔室的群集。处理腔室100可以是能够将材料溅射沉积到基板104上的pvd腔室。用于溅射沉积的合适材料的非限制性实例包括以各者中的一个：碳、氮化碳、铝、铜、钽、氮化钽、钛、氮化钛、钨、氮化钨或类似物。
17.处理腔室100包括基板支撑件130，基板支撑件130包含支撑基板104的基座134。基座134的基板支撑表面138在处理期间接收及支撑基板104。基座134可包括静电夹盘或加热器(如电阻加热器、热交换器或其它合适的加热装置)。基板104可以通过处理腔室100的侧壁116中的基板装载入口143被引入到处理腔室100中，并且被放置在基板支撑件130上。基板支撑件130可以由支撑升降机构被上升或降低，及在由机械臂将基板104放置在基板支撑件130上期间，升降指组件可以用来上升和降低基板104于基板支撑件130上。在等离子体操作期间，基座134是可偏置的(biasable)并且可以保持在电浮动电位或接地。例如，在一些实施方式中，基座134可被偏置(biase)到给定电势，使得在处理套件的清洁工艺期间，rf功率源170可以用于点燃一个或多个气体(如清洁气体)以产生包括离子和自由基的等离子体，该等离子和自由基可以用于与沉积在处理套件上的一个或多个材料反应，这将在下面更详细地描述。
18.基座134具有基板支撑表面138，基板支撑表面138具有与溅射靶140的溅射表面139实质平行的平面。溅射靶140包括安装于背板142的溅射板141，可以使用一个或多个合适的安装装置(如焊料结合)将溅射板141安装于背板142，背板142可以是导热性的。溅射板141包括待溅射到基板104上的材料。背板142由金属制成，如不锈钢、铝、铜铬或铜锌。背板142可以由具有足够高以将溅射靶140中产生的热消散(dissipate)的导热率的材料制成，该热在溅射板141和背板142两者中形成。该热是由在溅射板141和背板142中引起的涡流产生的，也由从等离子体中高能离子轰击到溅射靶140的溅射表面139上产生的。背板142允许将溅射靶140中产生的热消散到周围的结构或热交换器，该热交换器可安装在背板142后面或设置在背板142内。例如，背板142可以包括通道(未图标)以在其中循环传热流体。背板142的适当高的导热率是至少约200w/mk，例如，从约220至约400w/mk。这样的导热率水平通过更有效率地消散溅射靶140中产生的热来允许溅射靶140操作更长的处理时间周期，并且如当处理套件上及其周围的区域需要清洁时，还允许相对快速地冷却溅射板141。
19.或者或额外地，与由具有高导热率和低电阻率的材料制成的背板142以及设置在其上的通道组合，背板142可包括具有一个或多个槽(未图示)的背面。例如，背板142可具有用于冷却溅射靶140的背面的槽，如环形槽或脊。槽和脊也可以具有其他图案，例如，矩形网格图案、螺旋图案、鸡爪形(chicken feet)图案或仅走过背面表面上的直线。槽可以用于促进从背板散热。
20.在一些实施方式中，处理腔室100可包括磁场产生器150以形成溅射靶140周围的磁场，以改善溅射靶140的溅射。可由磁场产生器150提升电容产生的等离子体，在磁场产生器150中，例如多个磁铁151(如永久磁铁或电磁线圈)可提供磁场于处理腔室100中，处理腔室100具有旋转磁场，该旋转磁场具有垂直于基板104平面的旋转轴。处理腔室100可额外地或替代地包括磁场产生器150，磁场产生器150产生处理腔室100的溅射靶140附近的磁场，以增加溅射靶140附近的高密度等离子体区域中的离子密度，以改善溅射材料的溅射。
21.溅射气体通过气体输送系统160被引入处理腔室100中，该气体输送系统160经由
具有气体流量控制阀(未图示，如质量流量控制器)的导管163从气体供应源161提供气体，以使设定流率的气体通过其中。处理气体可包括非反应性气体(如氩或氙)，其能够以能量的方式撞击(impinging)在溅射靶材140上并使材料从溅射靶材140溅射出来。处理气体还可包括反应性气体(如含氧气体和含氮气体中的一个或多个)，该反应性气体可以与溅射的材料反应以在基板104上形成一层。然后，气体由rf功率源170激发，以形成或产生等离子体以溅射溅射靶140。例如，处理气体被高能电子离子化，且经离子化的气体被吸引到溅射材料，该溅射材料以负电压(如-300至-1500伏)偏压。阴极的电势对经离子化的气体(如现在带正电的气体原子)施加的能量引起溅射。在一些实施方式中，反应性气体可以直接与溅射靶140反应以产生化合物，然后随后从溅射靶140溅射出。例如，阴极可以由dc功率源190和rf功率源两者供电。在一些实施方式中，dc功率源190可以经配置提供脉冲dc以向阴极供电。用过的处理气体和副产物通过排气装置162从处理腔室100排出。排气装置162包括排气口(未图示)，该排气口接收用过的处理气体并将这些用过的气体传递到具有节流阀179的排气导管164，以控制处理腔室100中的气体压力。排气导管164连接到一个或多个排气泵(未图示)。
22.另外，气体输送系统160经配置引入一个或多个气体(例如，取决于用于溅射靶140的材料)，该一个或多个气体可以被激发以产生反应性清洁气体(如离子化的等离子体或自由基)注入到处理腔室100的内部空间108中，以用于施行处理套件的屏蔽件的清洁工艺，这将在下面更详细地描述。或者或甚者，气体输送系统160可以耦接至远程等离子体源(rps)165，该远程等离子体源(rps)165经配置向处理腔室100的内部空间108中提供自由基(或等离子体，其取决于rps的配置)。溅射靶140连接至dc功率源190和/或rf功率源70之一或两者。dc功率源190可以相对于处理套件的屏蔽件将偏压施加至溅射靶140，该屏蔽件可在溅射工艺和/或清洁工艺期间电浮动。例如，当施行屏蔽件的清洁工艺时，dc功率源190或不同的dc功率源190a也可以用于将偏压施加至处理套件的盖环部分或配接器部分的加热器。
23.当dc功率源190向溅射靶140和连接到dc功率源190的其他腔室部件供电时，rf功率源170激发溅射气体以形成溅射气体的等离子体。形成的等离子体碰撞溅射靶140的溅射表面139上且撞击溅射靶140的溅射表面139，以将材料自溅射表面139溅射掉而溅射于基板104上。在一些实施方式中，rf功率源170供应的rf能量的频率范围可以在约2mhz至约60mhz，或可以使用例如非限制的频率，如2mhz、13.56mhz、27.12mhz或60mhz。在一些实施方式中，可提供多个rf功率源(即，两个或两个以上)，以提供在多个上述频率的rf能量。例如，当在处理套件上及其周围的区域施行清洁工艺时，额外的rf功率源也可以用于向基座134和/或盖环部分供应偏压。例如，在一些实施方式中，可以使用额外的rf功率源170a来向可偏置电极137通电，该可偏置电极137可以嵌入在基座134(或基板支撑件130的基板支撑表面138)中。可偏置电极可以用于向屏蔽件和/或基板支撑件130供电。此外，在一些实施方式中，rf功率源170可以经配置激发可偏置电极137。例如，可以提供一个或多个额外部件(如切换电路(switching circuit))，以将电路径从盖或盖件124切换到可偏置电极137。
24.rf滤波器191可以连接在dc功率源190(或dc功率源190a)和rf功率源170(或rf功率源170a)之间。例如，在至少一些实施方式中，rf滤波器可以是dc功率源190的电路的部件，以在rf功率源170运行时(例如，在施行清洁工艺时)阻止rf信号进入dc功率源190的dc电路。
25.处理腔室100的各种部件可由控制器180(处理器)控制。控制器180包括(如存储在非暂时性计算机可读存储介质(存储器)中的)程序代码，该程序代码具有用于操作部件以处理基板104的指令。例如，控制器180可以包括程序代码，该程序代码包含：基板定位指令集，该基板定位指令集操作基板支撑件130和基板传送机构；加热器的一个或多个加热部件(如灯、辐射加热和/或嵌入式电阻加热器)的温度控制；清洁工艺指令集，该清洁工艺指令集处理套件上及其周围的区域；微波功率源181的功率控制；气体流量控制指令集，该气体流量控制指令集操作气体流量控制阀以设定往处理腔室100的溅射气体的流量；气压控制指令集，该气压控制指令集操作排气节流阀以维持处理腔室100中的压力(如约120sccm)；气体激发器控制指令集，该气体激发器控制指令集操作rf功率源170以设定气体激发功率水平；温度控制指令集，该温度控制指令集控制基板支撑件130中的温度控制系统或传热介质供应，以控制传热介质往环形传热通道的流率；和工艺监控指令集，该工艺监控指令集监控处理腔室100中的工艺，例如监控/调整有源电容器调谐器(act)192。例如，在至少一些实施方式中，act 192可以用于在清洁工艺期间调谐基座134，如下面更详细地描述的。
26.图2绘示根据本公开内容的一些实施方式的处理套件200的示意性截面图。处理套件200包括各种部件，其包含配接器部分226和屏蔽件201，配接器部分226和屏蔽件201可以容易地从处理腔室100中移除，例如，以更换或修理被侵蚀的部件，或使处理腔室100适应于其他工艺。另外，不像传统处理套件，传统处理套件需要被移除以清洁部件表面(如屏蔽件201)掉落的溅射沉积物，发明人设计了用于原位清洁的处理套件200，以去除屏蔽件201上的材料的被溅射的沉积物，如将在下面更详细地描述的。
27.屏蔽件201包括圆柱体214，圆柱体214的直径的尺寸经调整而围绕溅射靶140的溅射表面139和基板支撑件130(如，直径大于溅射表面139且大于基板支撑件130的支撑表面)。圆柱体214具有上部216，当上部216被安装在腔室中时，上部216经配置围绕溅射靶140的溅射表面139的外边缘。屏蔽件201进一步包括下部217，当下部217被安装在腔室中时，下部217经配置围绕基板支撑件130的基板支撑表面138。下部217包括用于绕基板支撑件130的周壁131放置的盖环部分212。盖环部分212环绕并至少部分地覆盖设置在基板支撑件130周围的沉积环208，以接收沉积环208，以及从而遮蔽(shadow)沉积环208免受大部分溅射沉积物的影响。如上所述，在一些实施方式中，例如当需要清洁处理套件200之上和周围的区域时，可以使用dc功率源190a和/或rf功率源170a对盖环部分212施加偏压(bias)。在一些实施方式中，rf功率源170或dc功率源190也可以经配置对盖环部分212施加偏压。例如，可以如上述使用切换电路。
28.沉积环208设置在盖环部分212的下方。盖环部分212的底表面与沉积环208介接以形成迂曲路径202，且盖环部分212从圆柱体214的下部217径向向内延伸，如图2所示。在一些实施方式中，盖环部分212与沉积环208介接但不接触，使得迂曲路径202是设置在盖环部分212和沉积环208之间的间隙。例如，盖环部分212的底表面可包括环形腿(leg)240，环形腿240延伸到在沉积环208中形成的环形沟槽241中。迂曲路径202有利地限制或防止等离子体泄漏到处理套件200外部的区域。此外，迂曲路径202的受限制的流动路径限制了低能量溅射沉积物在沉积环208和盖环部分212的匹配表面上的积聚(build-up)，否则这将导致它们彼此粘附或粘附到基板104的悬垂(overhanging)边缘206。另外，在一些实施方式中，气体输送系统160与迂曲路径202流体连通，以用于当需要清洁处理套件200上的区域及其周
围的区域时，提供一个或多个合适的气体(如处理气体和/或清洁气体)到处理腔室100的内部空间108中。
29.盖环部分212的径向向内延伸的唇部230至少部分地覆盖沉积环208。唇部230包括下表面231和上表面232。沉积环208和盖环部分212彼此协作以减少在基板支撑件130的周壁131和基板104的悬垂边缘上形成溅射沉积物。盖环部分212的唇部230与悬垂边缘206间隔开一水平距离，该水平距离可以在约0.5英寸和约1英寸之间，以减小基板104附近的破坏性(disruptive)电场(即，唇部230的内直径比待处理的基板的给定直径大约1英寸至约2英寸)。
30.沉积环208包括环形带215，该环形带215在基板支撑件130的周壁131周围延伸并围绕基板支撑件130的周壁131，如图2所示。环形带215包括内唇部250，内唇部250从环形带215横向延伸并实质平行于基板支撑件130的周壁204。内唇部250在基板104的悬垂边缘206的正下方(immediately below)终止。内唇部250界定沉积环208的内周边，沉积环208的内周边围绕基板104和基板支撑件130的周边，以保护在处理期间基板支撑件130的未被基板104覆盖的区域。例如，内唇部250围绕并至少部分地覆盖基板支撑件130的周壁204(否则基板支撑件130的周壁204将暴露于处理环境)，以减少或甚至完全排除溅射沉积物在周壁204上的沉积。沉积环208可以用于保护基板支撑件130的暴露的侧表面，以减少它们被激发的等离子体物质侵蚀。
31.屏蔽件201环绕溅射靶140的溅射表面139，该溅射表面139面向基板支撑件130和基板支撑件130的外周。屏蔽件201覆盖并遮蔽处理腔室100的侧壁116，以减少源自溅射靶140的溅射表面139的溅射沉积物沉积到屏蔽件201后面的部件和表面上。例如，屏蔽件201可以保护基板支撑件130的表面、基板104的悬垂边缘206、处理腔室100的侧壁116和底壁120。
32.继续参考图2，配接器部分226从上部216邻近径向向外延伸。配接器部分226包括密封表面233和与密封表面233相对的静置表面234。密封表面233含有用于接收o形环223以形成真空密封的o形环槽222，以及静置表面234静置在处理腔室100的侧壁116上(或由其支撑)；也可以在与静置表面234相对的侧壁116中设置o形环槽222和o形环223。
33.配接器部分226经配置被支撑在处理腔室100的壁上。更具体地，配接器部分226包括向内延伸的凸耳(ledge)227，该凸耳227与邻近上部216的对应的向外延伸的凸耳228接合，以用于支撑屏蔽件201。配接器部分226包括下部235，该下部235在盖环部分212下方朝着基座134向内延伸。下部235与盖环部分212间隔开，使得在下部235和盖环部分212之间形成一腔229。腔229由下部235的顶表面237和盖环部分212的底表面238界定。下部235的顶表面237和底表面238之间的距离使得在清洁处理套件200期间的预定时间内可以实现从加热器203到屏蔽件201的最大热传递。腔229与迂曲路径202流体连通，当需要清洁处理套件200上的区域及其周围的区域时，该迂曲路径202允许气体例如经由气体输送系统160引入流入处理腔室100的内部空间108。
34.下部235经配置容纳加热器203。更具体地，在下部235内界定具有合适构造的环形槽236，且该环形槽236经配置支撑一个或多个合适的加热部件，该加热部件包括但不限于灯、辐射加热或加热器203的嵌入式电阻加热器。在所示的实施方式中，表示辐射环形线圈205(该辐射环形线圈205被灯壳207(如玻璃、石英或其他合适的材料)包围)被支撑在环形
槽236中。可以使用例如控制器180控制的dc功率源190或dc功率源190a来为辐射环形线圈205通电或供电，以当需要清洁处理套件200上的区域和其周围的区域时达到约250℃至约300℃的温度。
35.配接器部分226还可以用作绕处理腔室100的侧壁116的热交换器。或者或甚者，可以在配接器部分226或屏蔽件201(如上部216)的一或二者中设置环形热传递通道225，以流动传热介质(如水或类似物)。传热介质可以用于例如在一旦完成清洁处理套件200时或在一旦处理腔室100中施行的一个或多个其他工艺完成时冷却配接器部分226和/或屏蔽件201。
36.图3是根据本公开内容的一些实施方式的用于清洁经配置用于处理基板的处理套件的方法300的流程图。溅射板141可以由一个或多个合适的材料制成以沉积在基板上。例如，溅射板141可以由碳(c)、硅(si)、氮化硅(sin)、铝(al)、钨(w)、碳化钨(wc)、铜(cu)、钛(ti)、氮化钛(tin)、碳化钛(tic)、氮化碳(cn)或类似物。可以制成溅射板141的特定材料可以取决于期望沉积在处理腔室中的基板上的材料。制成溅射板141的特定材料(或靶材料)可能会影响与腔室配置和清洁工艺有关的一个或多个因素，例如，用于清洁处理套件的活化的(activated)清洁气体的类型、在清洁处理套件时遮件(shutter)(或遮件组件)是否用于保护溅射板141等。
37.在一些实施方式中，可以使用一个或多个活化的清洁气体在处理套件200上和其周围清洁。活化的清洁气体例如可以被引入到处理腔室100中并且随后被激发以形成等离子体以产生可以被引导向处理套件200的自由基(如活化的清洁气体)。替代地或组合地，自由基(如活化的清洁气体)可以从远程等离子体源被引入处理腔室中，然后被引导向处理套件200。使用等离子体激发以形成清洁气体自由基的清洁气体可以是例如氧气(o2)或其他含氧气体(如臭氧(o3)、氢氧化物(oh)、过氧化物(h2o2)或类似物)、氯(cl2)或其他含氯气体或类似物、硼(b)、氟(f)、氮(n)、铌(nb)、硫(s)或以上各者的组合。所用清洁气体的类型可以取决于例如靶材料的类型、腔室的类型(如pvd等)、制造商的偏好等。例如，如果靶材料是al，则可以使用cl2或bcl3产生等离子体，且屏蔽件201可以由al之外的材料制成，如果靶材料是ti，则可以使用sf6或cl2产生等离子体，如果靶材料是w，则可以使用cl2或其他基于氯或氟的气体产生等离子体；如果靶材料是cu，则可以使用nbcl3产生等离子体；如果靶材料是si，则可以使用nf3产生等离子体。
38.根据本公开内容，可以根据处理腔室100的日常维护来施行处理套件200上和其周围的清洁。例如，可以周期性地施行方法300以减少沉积在处理套件200上和其周围的沉积物。例如，当使用碳作为溅射板141时，方法300可以用于去除碳积聚。任何时候只要在处理套件200上积聚了足够的材料，就可以周期性运行清洁工艺。例如，可以在沉积约5μm的碳之后施行清洁工艺，这可以等于针对每个基板上沉积1000a膜有约50个左右的基板(或晶片)沉积。
39.在处理套件200上和其周围清洁之前，可以将虚拟晶片(dummy wafer)122a装载入处理腔室100的内部空间108中，并放置在基板支撑件130上，以保护基板支撑件130的部件(如基座134)、基板支撑表面138等。或者或甚者，可以将遮件盘122b放置在基板支撑件130上或上方，以保护基板支撑件130的部件。相反地，不需要使用虚拟晶片122a和遮件盘122b。
40.另外，在一些实施方式中，遮件盘122b可以定位于溅射靶140的前面，并且用于在
去除处理套件200上的累积沉积物时防止反应性气体到达溅射靶140。
41.虚拟晶片122a和/或遮件盘122b可以被存储在例如周边固持区域123中，并且可以在处理套件200上和其周围清洁之前被移动到处理腔室100中。
42.发明人已经发现，为了利于去除处理套件200上的沉积材料，必须主动地(actively)加热处理套件200上及其周围的区域(如加热到高于用于处理基板的温度)。例如，当溅射靶140是碳时，为了促进碳和氧自由基反应(如形成二氧化碳)、为了选择性地(如为了将清洁集中到处理腔室100的内部空间108内的特定区域)在处理套件200上和其周围清洁、以及为了最大化处理套件200上和其周围的清洁，需要维持溅射板141与处理套件200上和其周围的区域之间的温度差。因此，为了主动地实现这种温度差，可以将溅射板141维持在相对较低的温度，例如，约25℃至约100℃的温度。可以使用例如如上所述的传热流体的溅射板141的背面冷却来达到这样的温度。当在施行pvd之后不久清洁处理套件200上的区域及其周围的区域时(如当溅射板141的温度相对较高时)，主动地冷却溅射板141可能是有用的。或者或甚者，可以允许溅射板141随时间被动地(passively)冷却而不使用任何冷却装置。因此，在一些实施方式中，在清洁工艺期间，溅射板141可以维持在约25℃和约100℃的温度。或者或甚者，在清洁工艺期间，可以主动地冷却溅射板141，使得溅射靶140不发生蚀刻反应，从而保护溅射靶140的完整性(如维持靶材料)。
43.接着，为了确保实现/维持上述温度差，可以将处理套件200上的区域和周围的区域主动地加热到约250℃至约300℃的温度，例如，加热屏蔽件。如上所述，可以使用dc功率源190(或该或dc功率源190a)向加热器203的辐射环形线圈205通电，以达到这样的温度，以及可以由控制器180控制从dc功率源190提供到辐射环形线圈205的能量的量。
44.此后，可以使用一个或多个工艺来产生等离子体以形成相应的离子和自由基，这些离子和自由基可以用来与处理套件200上和其周围的累积的沉积材料反应。例如，在302，可以激发设置在处理腔室的内部空间中的清洁气体以产生等离子体。例如，在一些实施方式中，当在处理套件200周围累积的沉积材料是碳时，可以使用例如气体输送系统160将氧引入处理腔室100的内部空间108中。一旦被引入，可以通过使用例如rf功率源170和基座134(或盖环部分212)激发氧气来产生包括离子和自由基的氧等离子体，可以使用rf功率源170a或dc功率源190a中的任一个或两者对上述每一个施加偏压到电压电势。
45.接着，在304，可以调谐连接到基座134的有源电容器调谐器(如act192)，使得内部空间108中的等离子体和处理套件200之间的电势差维持在预定值(如预定的电势差)，例如维持在最大值以利于去除沉积在处理套件200上和其周围的材料。例如，连接至基座134的act 192用于使内部空间108中的等离子体与屏蔽件201之间的电压电势差维持在最大值。更具体地，在rf功率源170点燃氧气之后，rf功率源170用于将等离子体维持在处理腔室100内(如从约100w到约2500w)，以及控制器180控制act 192，以确保等离子体的电压电势大于屏蔽件210(在清洁工艺期间屏蔽件210通常通过处理腔室100接地)的电压电势。
46.处理腔室的杂散电容取决于处理腔室的接地路径。因此，可以将act 192配置/设置为补偿通过处理腔室100的接地路径损失的杂散电容。例如，最大电势差是基于act 192的总电容的的百分比(percentage)和与处理腔室的接地路径125相关联的杂散电容。因此，在至少一些实施方式中，可以配置/设置act192，使得当act 192约为总电容的80％时(其允许因流经处理腔室100的接地路径125的杂散电容而导致电容损失约20％)，等离子体和接
地处理套件200之间的最大电压电势差(如10-200v)为最高。在至少一些实施方式中，可以配置act 192，使得当act 192小于或大于总电容的80％时，等离子体和接地处理套件200之间的最大电压电势差为最高。
47.或者或甚者，可以使用例如气体输送系统160将氧引入处理腔室100的内部空间108中，以及可以使用微波功率源181产生氧等离子体以形成氧离子和自由基。
48.或者或甚者，可以使用例如rps 165来远程地产生氧等离子体。例如，可以通过rps 165产生氧等离子体，并且将来自氧等离子体的氧离子和自由基引导至处理腔室。
49.一旦向激发氧以形成氧等离子体，则氧自由基与沉积在处理套件200上和其周围的碳反应，并将沉积的碳转换为二氧化碳(例如，以选择性地蚀刻或去除碳)，此后可以接着经由例如排气装置162从处理腔室100的内部空间108中泵送出。或者或甚者，来自氧等离子体的一些氧离子(例如，除了氧自由基之外)还可以用于与沉积在处理套件200上和其周围的碳反应，以将沉积的碳转换为二氧化碳，这取决于氧等离子体中氧自由基与氧离子的比率。例如，可以控制氧离子与氧自由基的比率，使得在等离子体中产生更多(或更少)的离子化氧，并产生更少(或更多)的氧自由基。
50.控制器180可以控制排气装置162以开始在例如二氧化碳产生的端点处排放二氧化碳，这可以使用设置在处理腔室100的内部空间108中的一个或多个传感器193来检测。例如，在一些实施方式中，控制器180可以使用一个或多个传感器193基于排出气体的成分来决定清洁时间的端点。控制器180还可以使用一个或多个传感器193来决定处理腔室100的内部空间108内的基座134或等离子体的电压，例如，以维持内部空间中的等离子体和处理套件200之间的最大电势差。
51.或者或甚者，控制器180可以经配置控制排气装置162在例如预定时间开始排放二氧化碳，该预定时间可以经由经验数据来计算。
52.在至少一些实施方式中，在清洁工艺完成之后，控制器180可以运行一个或多个附加工艺，例如，在清洁工艺期间需要陈化(seasoning)以去除沉积在溅射靶140上的一些残余物(薄片(flake))。例如，可以在将虚拟晶片122a和/或遮件盘设置在基板支撑件130上的情况下运行脉冲dc等离子体的陈化/施加(如10-20次(run))，直到达到溅射靶140的条件充分恢复为止。
53.虽然前面所述涉及本公开内容的实施方式，但在不背离本公开内容基本范围下，可设计本公开内容的其他与进一步的实施方式。