一种高效P型IBC电池及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种高效p型ibc电池，包括p型单晶硅层，所述p型单晶硅层的背面交替设置有正极区和负极区，其特征在于，所述p型单晶硅层的正面设置有n型单晶硅层，n型单晶硅层和p型单晶硅层相接处形成浮动结；所述n型单晶硅层的正面设置有钝化减反膜层；所述p型单晶硅层的背面位于负极区的位置设置有第一隧穿层，所述第一隧穿层的背面设置有n型多晶硅层，所述n型多晶硅层的背面以及p型单晶硅层的背面位于正极区的位置设置有第二隧穿层；所述第二隧穿层的背面设置有复合膜层；所述正极区内设置有正电极，负极区内设置有负电极。2.根据权利要求1所述的高效p型ibc电池，其特征在于，所述钝化减反膜层为sinx层。3.根据权利要求1或2所述的高效p型ibc电池，其特征在于，所述钝化减反膜层的厚度为65-80nm，折射率为2.05-2.2。4.根据权利要求1所述的高效p型ibc电池，其特征在于，所述第一隧穿层和第二隧穿层为siox隧穿层。5.根据权利要求1所述的高效p型ibc电池，其特征在于，所述复合膜层为alox/sinx复合膜；alox厚度为5-20nm，sinx厚度为70-100nm。6.根据权利要求1所述的高效p型ibc电池，其特征在于，所述p型单晶硅层的厚度小于175μm，少子寿命大于400μs。7.一种基于权利要求1至6任意一项的高效p型ibc电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：s1，制绒，p型单晶硅层的正面形成表面陷光结构；s2，磷扩散，p型单晶硅层的正面形成n型单晶硅层；所述单晶硅层与p型单晶硅层形成浮动结；s3，湿法刻蚀，对p型单晶硅层的背面进行抛光；s4，高温氧化，在p型单晶硅层的背面形成第一隧穿层；s5，非晶硅沉积，在第一隧穿层的背面形成磷掺杂的n型非晶硅层；s6，图形化激光消融，根据在设定好的正极区进行图形化激光消融，使正极区的p性单晶硅层露出；s7，碱液清洗，去除s5中非晶硅沉积产生的绕镀层和s6中图形化激光消融形成的损伤层；s8，高温退火，将n型非晶硅层晶化为n型多晶硅层；s9，复合膜沉积，在n型多晶硅层的背面形成复合膜；s10，钝化减反膜沉积，在n型单晶硅层的正面形成钝化减反膜层；s11，激光开槽，在p型单晶硅层的背面对应正极区和负极区的局部位置分别开设有用于安装正电极和负电极的开槽；s12，制备电极，在p型单晶硅层的背面烧结制备正电极和负电极。8.根据权利要求7所述的高效p型ibc电池的制备方法，其特征在于，所述s8中，在高温退火的同时充入氧气，在n型多晶硅层的背面形成第二隧穿层。9.根据权利要求7所述的高效p型ibc电池的制备方法，其特征在于，所述n型非晶硅层采用pecvd或者lpcvd的方法，通过sih4和ph3反应制备而成。
10.根据权利要求7所述的高效p型ibc电池的制备方法，其特征在于，所述s7中，采用浓度1-5％的koh或naoh进行碱洗，反应温度20-50℃，碱洗时间为20-100s。

技术总结
本发明公开了一种高效P型IBC电池，涉及太阳能电池技术领域。包括P型单晶硅层，P型单晶硅层的背面交替设置有正极区和负极区；P型单晶硅层的正面设置有N型单晶硅层，N型单晶硅层和P型单晶硅层相接处形成浮动结；N型单晶硅层的正面设置有钝化减反膜层；P型单晶硅层的背面设置有贯穿正极区和负极区的第一隧穿层，第一隧穿层的背面位于负极区内的部位设置有N型多晶硅层，N型多晶硅层的背面设置有第二隧穿层；第一隧穿层的背面位于正极区内的部位与第二隧穿层的背面设置有复合膜层；本发明还公开一种高效P型IBC电池的制备方法。本发明解决了P型IBC电池载流子复合多的问题，提高了电池的转换效率，降低了制造成本。降低了制造成本。降低了制造成本。


技术研发人员：石强 林纲正 陈刚
受保护的技术使用者：浙江爱旭太阳能科技有限公司
技术研发日：2021.01.06
技术公布日：2022/7/9