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Cu-W含石墨烯复合材料的制备方法

2022-07-10 03:08:09 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.cu-w含石墨烯复合材料的制备方法,其特征在于,具体按照以下步骤实施:步骤1,制备w@cu&石墨烯核-壳粉体;步骤2,将步骤1制备的w@cu&石墨烯核-壳粉体进行烧结,得到cu-w&石墨烯复合材料。2.根据权利要求1所述的cu-w含石墨烯复合材料的制备方法,其特征在于,步骤1的具体过程为:步骤1.1,将w粉均匀的放置在电沉积装置的阴极板上,向电沉积装置中装满电镀液;步骤1.2,将氧化石墨烯置于去离子水中分散均匀,得到均匀分散液,将均匀分散液加入电镀液中,得到复合电镀液;步骤1.3,导通脉冲电源进行间歇式电沉积,电沉积结束后将产物用去离子水和酒精清洗干净,放入真空干燥箱烘干,得到w@cu&石墨烯核-壳粉体。3.根据权利要求2所述的cu-w含石墨烯复合材料的制备方法,其特征在于,步骤1.1中,电镀液通过cuso4的浓度为30~40g/ml、h2so4的浓度为70~90ml/l,在去离子水中均匀混合得到。4.根据权利要求2所述的cu-w含石墨烯复合材料的制备方法,其特征在于,步骤1.2中,w粉与氧化石墨烯的质量比为1:0.02~0.2,氧化石墨烯与去离子水的质量体积比为0.1~1mg/ml。5.根据权利要求2所述的cu-w含石墨烯复合材料的制备方法,其特征在于,步骤1.3中,间歇式电沉积的参数为:电流密度为1~7a/dm2,电沉积时间为10~45min,脉冲宽度为60~200s。6.根据权利要求1所述的cu-w含石墨烯复合材料的制备方法,其特征在于,步骤2的具体过程为:步骤2.1,将步骤1制备的w@cu&石墨烯核-壳粉体进行冷压预成型,得到w@cu&石墨烯生坯;步骤2.2,对步骤2.1中得到w@cu&石墨烯生坯进行烧结,得到cu-w&石墨烯复合材料。7.根据权利要求6所述的cu-w含石墨烯复合材料的制备方法,其特征在于,步骤2.1中,冷压压力为100~500mpa;步骤2.2中,烧结采用气氛管式炉,烧结温度为1300~1400℃,烧结时间为100~120min。8.根据权利要求1所述的cu-w含石墨烯复合材料的制备方法,其特征在于,步骤2的具体过程为:将步骤1制备的w@cu&石墨烯核-壳粉体进行热压烧结,得到cu-w&石墨烯复合材料。9.根据权利要求8所述的cu-w含石墨烯复合材料的制备方法,其特征在于,步骤2中,热压烧结采用的设备为真空热压炉或放电等离子烧结设备,烧结参数为:烧结温度为900~1300℃,烧结压力为40~80mpa,烧结时间为10~100min。

技术总结
本发明公开了Cu-W含石墨烯复合材料的制备方法,具体过程为:采用间歇式电沉积法制备W@Cu&石墨烯核-壳粉体,再将W@Cu&石墨烯核-壳粉体进行冷压成型、烧结,得到Cu-W&石墨烯复合材料,或者将W@Cu&石墨烯核-壳粉体进行热压烧结,得到Cu-W&石墨烯复合材料。本发明方法有望解决石墨烯的加入对Cu-W复合材料的钨骨架强度和导电性能之间产生此消彼长影响,且该方法制备复合材料的成本低,复合材料抗电弧烧蚀性能好。能好。


技术研发人员:邓楠 张乔 陈铮 肖鹏 邹军涛 梁淑华 祝志祥 丁一
受保护的技术使用者:西安理工大学
技术研发日:2022.01.12
技术公布日:2022/7/8
再多了解一些

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