多层陶瓷电子组件的制作方法

多层陶瓷电子组件
1.本技术要求于2020年12月31日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0189537号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
2.本公开涉及一种多层陶瓷电子组件。


背景技术：

3.根据近来电子产品小型化的趋势，还要求多层陶瓷电子组件小型化并具有高电容。多层陶瓷电子组件的介电层也变得更薄，以满足多层陶瓷电子组件的小型化和高电容的需求。
4.这些多层陶瓷电子组件的内电极包括导电金属，但是当执行烧结时，包括金属的内电极和介电层之间的收缩行为存在差异。内电极和介电层之间的收缩行为的差异使得在内电极和介电层之间产生应力，从而使内电极的连通性劣化。特别地，当应用减薄的内电极时，该问题可能必然具有更大的影响。
5.为了缓解这个问题，已经使用了以下方法：通过向内电极膏中添加普通陶瓷材料来调节收缩开始温度从而延迟内电极的收缩。然而，添加普通陶瓷材料的方法通过普通陶瓷材料保留在内电极中直到二次烧结为止而具有延迟收缩的效果，但是在温度达到700℃之后，由于普通陶瓷材料被挤出到介电层，因此存在降低内电极的密度的问题。另外，随着温度升高，内电极中的颗粒可能局部成球从而降低表面能，并且内电极的连通性可能由于这种电极成球而降低，并且当普通陶瓷材料成分被挤出到介电层时，普通陶瓷材料可能促进介电晶粒生长，这可能导致晶粒的尺寸和分散度增大。


技术实现要素：

6.本公开的一方面可提供一种内电极的连通性得到改善的多层陶瓷电子组件。
7.本公开的另一方面可提供一种晶粒的尺寸和分散度被均衡地调节的多层陶瓷电子组件。
8.本公开的另一方面可提供一种绝缘电阻特性得到改善的多层陶瓷电子组件。
9.本公开的另一方面可提供一种可靠性得到改善的多层陶瓷电子组件。
10.根据本公开的一方面，一种多层陶瓷电子组件可包括：陶瓷主体，包括介电层以及第一内电极和第二内电极，所述介电层包含锶(sr)，第一内电极和第二内电极交替地堆叠，且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间；第一外电极，连接到所述第一内电极；以及第二外电极，连接到所述第二内电极，其中，所述介电层包括：至少一个第一区域，与所述第一内电极或所述第二内电极平行且相邻，并且厚度为50nm或更小；以及至少一个第二区域，与所述第一区域平行且相邻，所述第一区域的锶(sr)的平均含量大于0.1mol％且小于或等于30mol％，并且所述第二区域的锶(sr)的平均含量比所述第一区域的锶的平均含量低，其中，所述第一区域的锶的平均含量基于包括在所述第一区域中的化
合物的总含量，所述第二区域的锶的平均含量基于包括在所述第二区域中的化合物的总含量。
附图说明
11.通过以下结合附图的具体实施方式，将更清楚地理解本公开的上述和其他方面、特征和优点，在附图中：
12.图1是示意性地示出根据本公开中的示例性实施例的多层陶瓷电子组件的立体图；
13.图2是示出图1的陶瓷主体的示意性立体图；
14.图3是沿图1的线i-i'截取的截面图；
15.图4是图3的区域a的放大图；
16.图5是图4的区域b的放大图；以及
17.图6是通过sem捕获的根据发明示例的多层陶瓷电子组件的截面的图像。
具体实施方式
18.在下文中，现在将参照附图详细描述本公开的示例性实施例。
19.在附图中，x方向是指第一方向、l方向或长度方向，y方向是指第二方向、w方向或宽度方向，z方向是指第三方向、t方向或厚度方向。
20.图1是示意性地示出根据本公开中的示例性实施例的多层陶瓷电子组件的立体图，图2是示出图1的多层陶瓷电子组件的陶瓷主体的立体图，并且图3是沿着图1的线i-i'截取的截面图。图4是图3的区域a的放大图，并且图5是图4的区域b的放大图。
21.在下文中，将参照图1至图5描述根据本公开中的示例性实施例的多层陶瓷电子组件。
22.参照图1至图5，根据本公开中的示例性实施例的多层陶瓷电子组件100可包括：陶瓷主体110，包括包含锶(sr)的介电层111以及彼此面对设置的第一内电极121和第二内电极122，且介电层111设置在第一内电极121和第二内电极122之间；第一外电极131，连接到第一内电极121；以及第二外电极132，连接到第二内电极122，其中，介电层111可包括：至少一个第一区域111a，与第一内电极121或第二内电极122平行且相邻并且具有50nm或更小的厚度ta或tb；以及至少一个第二区域111b，与第一区域111a平行且相邻，其中，第一区域111a的锶(sr)的平均含量可大于0.1mol％且小于或等于30mol％，并且第二区域111b的锶(sr)的平均含量可比第一区域111a的锶(sr)的平均含量低，其中，第一区域111a的锶的平均含量基于包括在第一区域111a中的化合物的总含量，第二区域111b的锶的平均含量基于包括在第二区域111b中的化合物的总含量。
23.通常，当形成具有薄厚度的内电极时，可添加普通陶瓷材料。这是为了抑制烧结过程中因为形成内电极的导电金属具有与形成介电层的陶瓷材料不同的收缩开始温度导致的破裂的发生。由于内电极的金属的收缩，普通陶瓷材料被排放到外部，并且在烧结过程期间被介电层吸收。
24.在大多数多层陶瓷电子组件中，作为介电层的主成分的钛酸钡(batio3)用作普通陶瓷材料。然而，随着多层陶瓷电子组件的内电极和介电层的厚度减小，普通陶瓷材料的尺
寸也减小，以便有效地防止金属颗粒之间的接触。然而，小尺寸的钛酸钡(batio3)颗粒的结晶度可比介电物质的结晶度低，因此由于从内电极排放的陶瓷材料成分，可能在内电极的界面附近产生大量的氧空位，这可能不利地影响介电物质的特性和可靠性。此外，可能促进介电物质中的钛酸钡(batio3)颗粒的烧结，因此在介电层和内电极之间的界面附近晶粒的尺寸可能增加，并且分散度可能劣化，从而降低可靠性。
25.根据本公开的多层陶瓷电子组件100可解决上述问题。在根据本公开的多层陶瓷电子组件100中，介电层111可包含锶(sr)，介电层111中具有最高锶(sr)含量的第一区域111a可与第一内电极121和/或第二内电极122平行且相邻，并且具有50nm或更小的厚度，并且平均锶(sr)含量比第一区域111a低的第二区域111b可与第一区域111a平行且相邻，从而减少了普通陶瓷材料的排放并抑制了氧空位的产生。在本说明书中，“氧空位”是指由于氧从氧应该以某种形式的化合物存在的位置逸出而产生的空位。例如，当在还原气氛中烧结具有钙钛矿结构(abo3)的钛酸钡(batio3)时，包含在钛酸钡(batio3)中的一些氧原子被还原，因此，氧从钛酸钡(batio3)中逸出。在这种情况下，氧逸出的空位成为具有离子导电性的氧空位。由于这种氧空位是电特性降低(诸如绝缘性降低)的原因，因此在具有薄厚度的多层陶瓷电子组件中抑制氧空位的产生是重要的。在根据本公开的多层陶瓷电子组件100中，介电层111的第一区域111a与第一内电极121和/或第二内电极122平行且相邻，因此可有效地抑制氧空位的产生。
26.根据本公开中的示例性实施例的多层陶瓷电子组件100可包括陶瓷主体110，陶瓷主体110包括介电层111以及第一内电极121和第二内电极122，第一内电极121和第二内电极122交替堆叠，且介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间。
27.陶瓷主体110具有第一表面s1和第二表面s2、第三表面s3和第四表面s4以及第五表面s5和第六表面s6，第一表面s1和第二表面s2在第一方向(x方向)上彼此面对，第三表面s3和第四表面s4在第二方向(y方向)上彼此面对，第五表面s5和第六表面s6在第三方向(z方向)上彼此面对。
28.陶瓷主体110的形状没有特别限制，但是可以是如图所示的六面体形状或类似于六面体形状的形状。尽管由于在烧结过程中包括在陶瓷主体110中的陶瓷粉末颗粒的收缩，陶瓷主体110不具有包含完美直线的六面体形状，但是陶瓷主体110可基本上具有六面体形状。如果需要，陶瓷主体110可以是圆角的，使得边缘不是成角度的。倒圆处理可使用例如滚筒抛光(barrel polishing)等，但不限于此。
29.介电层111、第一内电极121和第二内电极122可交替堆叠在陶瓷主体110中。介电层111、第一内电极121和第二内电极122可在第三方向(z方向)上堆叠。介电层111可处于烧结状态，并且相邻的介电层111可彼此成为一体，使得在不使用扫描电子显微镜(sem)的情况下它们之间的边界不容易显而易见。
30.根据本公开的多层陶瓷电子组件100的介电层111可包括由(ba
1-x
ca
x
)(ti
1-y
(zr,sn,hf)y)o3(其中，0≤x≤1，0≤y≤0.5)表示的成分。该成分可包括例如其中ca、zr、sn和/或hf部分溶在batio3中的化合物。在上述化学式中，x可在大于或等于0且小于或等于1的范围内，y可在大于或等于0且小于或等于0.5的范围内，但不限于此。例如，在上述化学式中，当x为0且y为0时，该成分可以是batio3。此外，根据本公开的目的，可将各种陶瓷添加剂、有机溶剂、增塑剂、粘合剂、分散剂等添加到该成分中。
31.在本公开的示例中，本公开的多层陶瓷电子组件100的介电层111可包括锶(sr)。介电层111中的锶(sr)的平均含量在第一区域111a中可以是最高的，并且介电层111的除了第一区域111a之外的区域也可包含锶(sr)。在本公开中，介电层111中的锶(sr)的“平均含量”可意指从10个位置收集的介电层111中的锶(sr)含量的算术平均值，并且可以是从xz切割平面(穿过根据本公开的多层陶瓷电子组件100的陶瓷主体110的中央)中在第三方向上以相等间隔的10个位置处测量的值的算术平均值。
32.在本公开的一个示例中，多层陶瓷电子组件100的介电层111中的锶(sr)的平均含量可随着距介电层111与第一内电极121和/或第二内电极122之间的界面的距离的增加而减小。在本说明书中，介电层111与第一内电极121和/或第二内电极122之间的“界面”可表示介电层和内电极接触的表面，并且可表示可通过sem图像等观察到的表面。例如，如图6所示，内电极可以以单层结构形成，并且介电层可以以包括多个晶粒的结构形成。在图6中，设置在晶粒之间的晶界未连接并断开(截止)处的白色区域可以是介电层和内电极之间的界面。介电层111中的锶(sr)的平均含量可在介电层111与第一内电极121和/或第二内电极122之间的界面处具有最大值。锶(sr)的平均含量的减小可意指在和介电层111与第一内电极121和/或第二内电极122之间的界面间隔开预定距离的位置处的锶(sr)的平均含量低于在界面处的锶(sr)的平均含量。间隔开预定距离的距离可以是第一内电极121和相邻的第二内电极122之间在第三方向上的距离的一半，即介电层111的厚度的一半，并且当介电层111与第一内电极121和/或第二内电极122之间的界面的测量点处的锶(sr)含量与和测量点间隔开介电层111的厚度的一半处的介电层111中的锶(sr)含量相比较时，如果内电极与介电层111之间的界面处的锶(sr)含量高于与测量点间隔开介电层111的厚度的一半处的介电层111中的锶(sr)含量，则可确定锶(sr)含量随着距介电层111与第一内电极121和/或第二内电极122之间的界面的距离的增加而减小。
33.根据本公开中的示例性实施例，相对于第一区域111a中包括的化合物的总含量，多层陶瓷电子组件100的第一区域111a中的锶(sr)的平均含量可大于0.1mol％且小于或等于30mol％。第一区域111a中的锶(sr)的平均含量可意指从10个位置收集的第一区域111a中的锶(sr)含量的算术平均值，例如，可以是从最靠近xy切割平面(穿过根据本公开的多层陶瓷电子组件100的陶瓷主体110的中央)的中央的第一区域111a中在第一方向上以相等间隔的10个位置处测量的值的算术平均值。当根据本公开的多层陶瓷电子组件100的第一区域111a中的锶(sr)的平均含量满足上述范围时，可一起实现具有优异连通性的内电极和具有优异电可靠性的介电层111。
34.根据本公开中的示例性实施例，多层陶瓷电子组件100的介电层111的第一区域111a可包括由ba
1-z
srztio3(0.001≤z≤0.3)表示的成分。该成分可以是锶(sr)与钛酸钡(batio3)组合的形式。由于锶(sr)的离子半径小于钡(ba)的离子半径，因此锶(sr)被掺杂，结果，单个晶格的尺寸减小并且氧离子的结合力增大，从而抑制氧空位的产生。另外，由于锶(sr)与钛酸钡(batio3)结合，因此普通陶瓷材料本身的扩散系数降低，从而减少了挤出到介电层111的普通陶瓷材料的量。
35.在一个示例中，本公开的多层陶瓷电子组件100的介电层111可包括第三区域111c，相对于包括在第三区域111c中的化合物的总含量，第三区域111c的锶(sr)的平均含量为0mol％，其中，第三区域111c与介电层111的第二区域111b平行且相邻。根据本公开的
多层陶瓷电子组件100可在介电层111的制造步骤中不使用锶(sr)。锶(sr)可包括在内电极中，并且可扩散到介电层111中，如稍后所述。即使锶(sr)从内电极扩散到介电层111，锶(sr)也可能在靠近内电极的区域中集中溶在介电层111的钛酸钡基成分中，结果，随着距介电层111和内电极之间的界面的距离增加，锶(sr)的浓度可能降低，并且在介电层111中可能存在锶(sr)未扩散到其中的第三区域111c。第三区域111c也可以是检测不到锶(sr)的区域。由于在介电层111中存在第三区域111c，因此可提供具有期望的电特性而不受从内电极泄漏的普通陶瓷材料影响的多层陶瓷电子组件100。
36.根据本公开的示例性实施例，本公开的介电层111可包括晶粒和晶界。介电层111可包括多个晶粒和设置在两个或更多个晶粒之间的晶界。晶粒可通过晶界划分。
37.在本公开中的示例性实施例中，包括在本公开的多层陶瓷电子组件100的介电层111中的晶粒的平均粒径可在大于或等于150nm且小于或等于400nm的范围内。在本说明书中，“平均粒径”可意指在穿过多层陶瓷电子组件100的中央的xz切割平面的10个位置处测量的粒径的算术平均值。这10个位置可以是沿着最靠近切割平面的中央的介电层111的中央在第一方向上以相等间隔划分的10个位置，每个位置的晶粒的测量粒径可意指d50颗粒直径。在使用扫描电子显微镜(sem，来自jeol ltd.的jsm-7400f)捕获介电层111的切割平面的图像之后，可通过图像分析程序(来自media cybernetics co.的image pro plus ver 4.5)计算晶粒的测量粒径。
38.如上所述，常规多层陶瓷电子组件100的问题在于，难以将晶粒尺寸减小到一定水平或更小，这是因为由于普通陶瓷材料的扩散等而导致晶粒异常生长。另一方面，在根据本公开的多层陶瓷电子组件100中，介电层111中具有最高平均锶(sr)含量的第一区域可存在于距介电层111和内电极之间的界面的预定距离处，因此，可使普通陶瓷材料的泄漏最小化，从而形成具有较小平均粒径的晶粒。结果，晶界的分数可增加，因此，可极大地改善势垒并且可改善诸如绝缘电阻的电特性。
39.根据本公开中的示例性实施例，包括在多层陶瓷电子组件100的介电层111中的晶粒的粒径的分散度可在大于或等于50nm且小于或等于150nm的范围内。在本说明书中，“晶粒的粒径的分散度”可意指在多层陶瓷电子组件100的截面中在10个测量位置处的包括在0.1μm
×
0.1μm区域中的介电层111的晶粒的平均粒径的标准偏差，其是基于上述晶粒的平均粒径计算的。晶粒的粒径的分散度可指晶粒尺寸的分布均匀的程度，并且尺寸越小，晶粒尺寸变得越均匀。根据本公开的多层陶瓷电子组件100可将包括在介电层111中的晶粒的粒径的分散度调节到有效地防止电场的集中被施加到介电层111的特定部分的范围，从而提高可靠性。
40.在一个示例中，介电层111的平均厚度可以是0.4μm或更小。介电层111的平均厚度可以是在与介电层111中锶(sr)的平均含量的测量点相同的点处测量的在第三方向上的厚度值的算术平均值。介电层111的平均厚度的下限没有特别限制，但是可以是例如0.01μm或更大。
41.介电层111可通过以下方式来形成：将所需的添加剂添加到包括上述材料的浆料中并将浆料涂覆到载体膜上并干燥浆料以制备多个陶瓷片。陶瓷片可通过刮刀法将浆料制造成具有几微米厚度的片状而形成，但不限于此。
42.陶瓷主体110可通过以下方式来形成：在第三方向(z方向)上交替堆叠其上印刷有
第一内电极121的陶瓷生片和其上印刷有第二内电极122的陶瓷生片并进行烧结。印刷第一内电极121和第二内电极122的方法可以是丝网印刷法、凹版印刷法等，但不限于此。
43.第一内电极121和第二内电极122可堆叠，使得其端表面分别暴露于陶瓷主体110的彼此相对的相对部分。具体地，第一内电极121和第二内电极122可分别暴露于陶瓷主体110的在第一方向(x方向)上的两个表面，并且第一内电极121可在陶瓷主体110的第一表面s1方向上暴露，并且第二内电极122可在第二表面s2方向上暴露。
44.第一内电极121和第二内电极122可包括导电金属。导电金属的示例可包括镍(ni)、铜(cu)、锡(sn)、钯(pd)、铂(pt)、铁(fe)、金(au)、银(ag)、钨(w)、钛(ti)、铅(pb)和它们的合金中的一种或更多种。第一内电极121和第二内电极122可使用包括导电金属的导电膏形成。
45.根据本公开中的示例性实施例，本公开的多层陶瓷电子组件100的第一内电极121和/或第二内电极122可包括包含锶(sr)的普通陶瓷材料的至少一个束缚区域(trap region)。束缚区域可意指在制造工艺中添加到内电极的普通陶瓷材料的成分保留而不会由于内电极的金属成分的收缩而被挤出的区域。当束缚区域包含锶(sr)时，类似于上述介电层111，可通过降低普通陶瓷材料的扩散系数来改善内电极的连通性，并且可均匀地形成束缚普通陶瓷材料的区域。此外，束缚区域还可包括普通陶瓷材料，该普通陶瓷材料为与包括在介电层中的材料相同的材料。
46.在一个示例中，本公开的多层陶瓷电子组件100的第一内电极121和/或第二内电极122中包括的包括普通陶瓷材料的束缚区域123中的锶(sr)的平均含量可大于0.5mol％且小于30mol％(相对于包括在束缚区域123中的化合物的总含量)。包括普通陶瓷材料的束缚区域123中的锶(sr)的平均含量可以是在最靠近xz切割平面(穿过多层陶瓷电子组件100的中央)的中央的内电极中包括的包括普通陶瓷材料的10个束缚区域中测量的值的算术平均值。这10个位置可以是从最靠近xz切割平面的中央的内电极的中央、沿在第一方向上的两个方向顺序布置的包括普通陶瓷材料的五个束缚区域123，并且锶(sr)的平均含量可以是在包括普通陶瓷材料的束缚区域的中央部分处测量的值的平均值。当根据本公开的多层陶瓷电子组件100的包括普通陶瓷材料的束缚区域123中的锶(sr)的平均含量满足上述范围时，普通陶瓷材料的扩散系数减小，因此，包括普通陶瓷材料的束缚区域123均匀地减小，从而改善内电极的连通性。
47.在上述示例中，多层陶瓷电子组件100的第一内电极121和/或第二内电极122的包括普通陶瓷材料的束缚区域123可包含由ba
1-z
srztio3(0.005≤z≤0.3)表示的成分。该成分可以是锶(sr)与钛酸钡(batio3)组合的形式。由于锶(sr)的离子半径小于钡(ba)的离子半径，因此可在烧结过程期间首先掺杂锶(sr)，从而防止普通陶瓷材料被挤出到介电层111。结果，可防止由于普通陶瓷材料的过度泄漏而导致的介电层111的晶粒的过度生长，并且可抑制氧空位的产生以进一步提高可靠性。
48.在本公开的一个示例中，包括在根据本公开的多层陶瓷电子组件100的第一内电极121和/或第二内电极122中的包括普通陶瓷材料的束缚区域123可不连续地设置在整个内电极121和/或第二内电极122中。包括普通陶瓷材料的束缚区域123不连续设置的事实可意指包括在束缚区域123中的任何材料不渗透通过第一内电极121和/或第二内电极122中的束缚区域123外部的区域。由于包括普通陶瓷材料的束缚区域123不连续地设置在第一内
电极121和/或第二内电极122中，因此包括普通陶瓷材料的束缚区域123可均匀地分布，从而可改善第一内电极121和/或第二内电极122的连通性。
49.在一个示例中，第一内电极121和/或第二内电极122的平均厚度可以是0.4μm或更小。第一内电极121和/或第二内电极122的平均厚度可以是在与第一内电极121和/或第二内电极122的包括普通陶瓷材料的束缚区域123中的锶的平均含量的测量点相同的点处测量的在第三方向上的厚度值的算术平均值。第一内电极121和/或第二内电极122的平均厚度的下限没有特别限制，但是可以是例如0.01μm或更大。
50.在根据本公开的多层陶瓷电子组件中，第一外电极131和第二外电极132可设置在陶瓷主体110的外表面上。在根据本公开的多层陶瓷电子组件100中，第一外电极131可设置在陶瓷主体110的第一表面s1上，并且第二外电极132可设置在陶瓷主体110的第二表面s2上。
51.在一个示例中，根据本公开的多层陶瓷电子组件100的第一外电极131的至少一部分可延伸到陶瓷主体110的第三表面s3、第四表面s4、第五表面s5和第六表面s6。此外，第二外电极132的至少一部分可延伸到陶瓷主体110的第三表面s3、第四表面s4、第五表面s5和第六表面s6。在这种情况下，第一外电极131和第二外电极132可以以彼此间隔开的方式设置。当第一外电极131和/或第二外电极132的至少一部分分别延伸到陶瓷主体110的第三表面s3、第四表面s4、第五表面s5和第六表面s6时，延伸部分可用作所谓的带部，并且可通过防止水分渗透来进一步改善根据本公开的多层陶瓷电子组件100的可靠性。
52.根据本公开中的示例性实施例，多层陶瓷电子组件100的第一外电极131和第二外电极132可以是包括导电金属的烧结电极。导电金属的示例可包括镍(ni)、铜(cu)、锡(sn)、钯(pd)、铂(pt)、铁(fe)、金(au)、银(ag)、钨(w)、钛(ti)、铅(pb)和它们的合金中的一种或更多种。
53.另外，第一外电极131和第二外电极132可包括玻璃成分。玻璃成分可以是其中混合有氧化物的组合物，并且没有特别限制，但是其可以是从由二氧化硅、氧化硼、氧化铝、过渡金属氧化物、碱金属氧化物和碱土金属氧化物组成的组中选择的至少一种。过渡金属可选自由锌(zn)、钛(ti)、铜(cu)、钒(v)、锰(mn)、铁(fe)和镍(ni)组成的组，碱金属可选自由锂(li)、钠(na)和钾(k)组成的组，碱土金属可以是从由镁(mg)、钙(ca)、锶(sr)和钡(ba)组成的组中选择的至少一种。
54.作为形成第一外电极131和第二外电极132的方法的示例，可存在以下方法：通过将陶瓷主体110浸渍在包含导电金属的导电膏中之后烧制陶瓷主体110来形成第一外电极131和第二外电极132的方法，或者通过丝网印刷法、凹版印刷法等在陶瓷主体110的表面上印刷导电膏并烧结来形成第一外电极131和第二外电极132的方法。另外，第一外电极131和第二外电极132可通过以下方法来形成：通过将导电膏涂覆到陶瓷主体110的表面来形成第一外电极131和第二外电极132的方法、将通过干燥导电膏获得的干燥膜转印到陶瓷主体110上之后烧结干燥膜的方法等，但是形成第一外电极131和第二外电极132的方法不限于此。例如，第一外电极131和第二外电极132可通过以下方式来形成：通过除上述方法之外的各种方法在陶瓷主体110上形成导电膏之后烧结导电膏。
55.根据本公开中的另一实施例，多层陶瓷电子组件100的第一外电极131和第二外电极132可以是包含导电性赋予剂和基体树脂的树脂基电极。树脂基电极可具有其中导电性
赋予剂分散在基体树脂中的结构，并且可在比烧结电极更低的温度环境中制造，因此导电性赋予剂可以以颗粒的形式存在于基体树脂中。当第一外电极131及第二外电极132是树脂基电极时，可阻挡诸如外部冲击的物理应力。
56.导电性赋予剂可包括导电金属和/或导电聚合物。导电金属的非限制性示例可包括从由钙(ca)、钛(ti)、钼(mo)、钨(w)、铁(fe)、钴(co)、镍(ni)、钯(pd)、铂(pt)、铜(cu)、银(ag)、金(au)、锌(zn)、铝(al)、锡(sn)、铅(pb)以及它们的合金组成的组中选择的一种或更多种，但不限于此。
57.此外，导电聚合物的非限制性示例可包括：含硫(s)和/或氮(n)的化合物，诸如聚(噻吩)(pt)、聚(亚乙二氧基)噻吩(pedo)、聚(对苯硫醚)(pps)、聚苯胺(pani)、聚(3-己基噻吩-2,5-二基)(p3ht)、聚(4-丁基苯基二苯胺)(聚tpd)、聚(苯乙烯磺酸钠)(pss)、聚(9-乙烯基咔唑)(pvk)、聚(4,4'-二甲氧基二噻吩)(pdbt)、聚苯胺或聚吡咯；以及不含杂原子的化合物，诸如聚(氟)、聚苯、聚芘、聚薁、聚萘、聚(乙炔)(pac)或聚(对苯撑乙烯)(ppv)，但不限于此。
58.如果需要，第一外电极131和第二外电极132可包括但不限于碳填料(诸如碳纳米管、石墨烯和富勒烯)和/或合金填料(诸如球形、椭圆形、片状、纤维状或树枝型(树突型))。
59.第一外电极131和第二外电极132中包括的基体树脂可以是例如热固性树脂。热固性树脂的具体示例可包括酚醛树脂、脲树脂、邻苯二甲酸二烯丙酯树脂、黑色素树脂、胍胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂、氨基醇酸树脂、三聚氰胺-脲共缩合树脂、硅树脂、聚硅氧烷树脂等，但不限于此。当使用热固性树脂时，如果需要，可进一步添加和使用交联剂、诸如聚合引发剂的固化剂、聚合促进剂、溶剂、粘度调节剂等。
60.在下文中，将通过实验示例更详细地描述本公开。然而，它们是为了帮助详细理解本公开，并且本公开的范围不受实验示例的限制。
61.《实验示例》
62.使用来自三星电机株式会社的0603尺寸(长度
×
宽度
×
厚度：0.6mm
×
0.3mm
×
0.3mm)批量生产的片(其中外电极形成在陶瓷主体的长度方向上的侧部上)(温度特性x7r并且容量2.2μf)测量击穿电压(bdv)和平均失效时间(mttf)。
63.除了将不同含量的锶(sr)添加到用于内电极膏的普通陶瓷材料中之外，以相同的方式制备所使用的片，并且使用40个片中的每个片的测量值的平均值。下面的表1使用在普通陶瓷材料中根本不使用锶(sr)的片作为基准片，并且描述了测量值比基准片增加的程度的相对值。
64.[表1]
[0065][0066]
在上表1中，使用keithley测量器测量击穿电压(bdv)，并且在从0v以扫描方式施加1.00000v的电压的同时，测量电流值变为20ma的时刻的电压值作为bdv值，并与基准值进行比较。在mttf的情况下，在105℃和1.5vr的高温负载下进行评估，并比较平均mttf值。
[0067]
参照表1，可看出，mttf迅速增加，这是因为锶(sr)含量超过0.1mol％，并且可看出，当锶(sr)含量小于30mol％时，击穿电压和mttf两者高于基准值。结果，可看出，当锶(sr)含量大于0.1mol％且小于或等于30mol％时，可提供具有优异可靠性的多层陶瓷电子组件。
[0068]
如上面所阐述的，根据本公开中的示例性实施例，可改善多层陶瓷电子组件的电极连通性。
[0069]
可均衡地改善多层陶瓷电子组件的晶粒的尺寸和分散度。
[0070]
此外，可改善多层陶瓷电子组件的绝缘电阻特性。
[0071]
此外，可提高多层陶瓷电子组件的可靠性。
[0072]
本公开的各种有益的优点和效果不限于上述内容，并且可在描述本公开的示例性实施例的过程中更容易地理解。
[0073]
尽管上面已经示出和描述了示例性实施例，但是对于本领域技术人员将易于理解的是，可在不脱离本发明的由所附权利要求限定的范围的情况下进行修改和改变。