多层陶瓷电子组件的制作方法

技术特征：
1.一种多层陶瓷电子组件，包括：陶瓷主体，包括介电层以及第一内电极和第二内电极，所述介电层包含锶，所述第一内电极和所述第二内电极交替地堆叠，且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间；第一外电极，连接到所述第一内电极；以及第二外电极，连接到所述第二内电极，其中，所述介电层包括：至少一个第一区域，与所述第一内电极或所述第二内电极平行且相邻，并且厚度为50nm或更小；以及第二区域，与所述第一区域平行且相邻，所述第一区域的锶的平均含量大于0.1mol％且小于或等于30mol％，并且所述第二区域的锶的平均含量比所述第一区域的锶的平均含量低，其中，所述第一区域的锶的平均含量基于包括在所述第一区域中的化合物的总含量，所述第二区域的锶的平均含量基于包括在所述第二区域中的化合物的总含量。2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述介电层中的锶的平均含量随着距所述介电层与所述第一内电极和/或所述第二内电极之间的界面的距离增加而减小。3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一区域中的锶的平均含量大于0.1mol％且小于30mol％。4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一区域包含ba
1-z
sr
z
tio3，其中，0.001≤z≤0.3。5.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述介电层包括第三区域，所述第三区域与所述第二区域平行并相邻，并且相对于包括在所述第三区域中的化合物的总含量，所述第三区域的锶的平均含量为0mol％。6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述介电层包括晶粒，并且所述晶粒的平均粒径大于或等于150nm且小于或等于400nm。7.根据权利要求6所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述晶粒的粒径的分散度大于或等于50nm且小于或等于150nm。8.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一内电极和所述第二内电极包括包含锶的至少一个束缚区域。9.根据权利要求8所述的多层陶瓷电子组件，其中，相对于包括在所述束缚区域中的化合物的总含量，所述束缚区域中的锶的平均含量大于0.5mol％且小于30mol％。10.根据权利要求8所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述束缚区域不连续地设置在所述第一内电极和/或所述第二内电极中。11.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述介电层的平均厚度在大于或等于0.01μm且小于或等于0.4μm的范围内。12.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一内电极的平均厚度和/或所述第二内电极的平均厚度在大于或等于0.01μm且小于或等于0.4μm的范围内。13.根据权利要求8所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述束缚区域还包括普通陶瓷材料，所述普通陶瓷材料为与包括在所述介电层中的材料相同的材料。

技术总结
本公开提供了一种多层陶瓷电子组件。多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层以及交替堆叠的第一内电极和第二内电极，介电层包含锶(Sr)；以及第一外电极和第二外电极，分别连接到第一内电极和第二内电极，其中，介电层包括：第一区域，与第一内电极或第二内电极平行且相邻，并且厚度为50nm或更小；以及第二区域，与第一区域平行且相邻，第一区域的锶(Sr)的平均含量大于0.1mol％且小于或等于30mol％，并且第二区域的锶(Sr)的平均含量比第一区域的锶的平均含量低，其中，第一区域的锶的平均含量基于包括在第一区域中的化合物的总含量，第二区域的锶的平均含量基于包括在第二区域中的化合物的总含量。第二区域中的化合物的总含量。第二区域中的化合物的总含量。


技术研发人员：姜秀智 金东鎭 朴辰琼
受保护的技术使用者：三星电机株式会社
技术研发日：2021.09.03
技术公布日：2022/7/1