半导体晶圆搭载用基材、切割带及切割芯片接合薄膜的制作方法

1.本发明涉及半导体晶圆搭载用基材、切割带及切割芯片接合薄膜。


背景技术：

2.以往，已知：在半导体装置的制造中，为了得到芯片接合用的半导体芯 片，使用切割带、切割芯片接合薄膜。
3.前述切割带具备基材(半导体晶圆搭载用基材)和层叠于前述基材上的 粘合剂层，前述切割芯片接合薄膜具备以可剥离的方式层叠于前述切割带的 粘合剂层上的芯片接合层(芯片接合薄膜)。
4.作为使用前述切割芯片接合薄膜来得到芯片接合用的半导体芯片(小片， die)的方法，已知在下述专利文献1中采用下述方法，该方法具有：半切割 工序，为了通过割断处理将半导体晶圆加工成芯片(小片)而在半导体晶圆 上形成槽；背面研磨工序，对半切割工序后的半导体晶圆进行磨削从而减薄 厚度；安装工序，将背面研磨工序后的半导体晶圆的一面(与电路面处于相 反侧的面)贴附于芯片接合层从而将半导体晶圆固定于切割带；使经半切割 加工的半导体芯片彼此的间隔扩大的扩展工序；维持半导体芯片彼此的间隔 的切缝维持工序；和拾取工序，将芯片接合层与粘合剂层间剥离，在贴附有 芯片接合层的状态下取出半导体芯片。
5.需要说明的是，前述扩展工序中，前述芯片接合层被割断为与经单片化 的多个半导体芯片的尺寸相当的大小。
6.对于使用如前所述的切割带、切割芯片接合薄膜来获得芯片接合用的半 导体芯片的方法，下述专利文献2中公开了：通过使用具有特定物性的切割 带(在-10℃下的初始弹性模量为200mpa以上且380mpa以下，且在-10℃下 的tanδ(损耗模量/储能模量)为0.080以上且0.3以下的切割带)，并且在-15～5℃ 的低温条件下进行前述扩展工序，从而在前述扩展工序中能够提高从前述半 导体晶圆向多个半导体芯片的割断性(例如，割断的容易性、均匀性)及向 与贴附于前述半导体晶圆的前述芯片接合层的前述多个半导体芯片的尺寸 相当的大小的割断性。
7.现有技术文献
8.专利文献
9.专利文献1：日本特开2019-9203号公报
10.专利文献2：日本特开2015-185591号公报


技术实现要素：

11.发明要解决的问题
12.但是，即使在如上述专利文献1记载那样构成切割带的情况下，在前述 扩展工序中，有时也无法将前述芯片接合层充分割断成与前述多个半导体芯 片的尺寸相当的大小。
13.另外，近年，为了实现要求越来越高的半导体装置的小型化，采用了下 述方式：被
称为fod(芯片上膜，film on die)的搭载方式，其中，在将具 备割断的芯片接合层的多个半导体芯片借助前述芯片接合层搭载于布线基 板时，将多个半导体芯片中的一半导体芯片借助前述芯片接合层搭载于前述 布线基板，然后将多个另一半导体芯片以俯视下与前述一半导体芯片重叠、 并且处于比前述一半导体芯片更高位置的方式进行搭载，同时用前述多个另 一半导体芯片中位于最低位置的半导体芯片所具备的前述芯片接合层覆盖 前述一半导体芯片；被称为fow(线上膜，film on wire)的安装方式，其 中，对于借助一芯片接合层安装于布线基板、并且通过前述布线基板和接合 引线进行引线接合的一半导体芯片，以将前述一半导体芯片的全部和前述接 合引线的一部分或全部埋入其他芯片接合层的状态(用其他芯片接合层包埋 的状态)借助前述其他芯片接合层将另一半导体芯片安装于前述布线基板。
14.此处，fod中，覆盖搭载于前述布线基板的一半导体芯片的芯片接合层 的厚度为100μm～140μm左右而比较厚，另外，fow中，将搭载于前述半导 体基板的前述一半导体芯片的全部和前述接合引线的一部分或全部覆盖的 前述其他芯片接合层的厚度也为40μm～80μm左右而比较厚，因此认为前述扩 展工序中的前述芯片接合层的割断性的问题变得更大。
15.根据如上所述的情况，前述扩展工序中，期望显示更充分的割断性的芯 片接合层，但针对此的研究尚不能说是充分的。
16.另外，前述扩展工序中，也有基材产生破损的担心。
17.需要说明的是，如上所述的问题在使用前述切割芯片接合薄膜来获得芯 片接合用的半导体芯片的方法中在采用如上所述的扩展工序的全部情况下 会同样地产生。
18.因此，本发明的课题在于，提供在扩展工序中比较不易破损、并且能够 较充分地将芯片接合层割断的半导体晶圆搭载用基材、以及具备该半导体晶 圆搭载用基材的切割带及切割芯片接合薄膜。
19.用于解决问题的方案
20.本发明的半导体晶圆搭载用基材在-15℃下的断裂伸长率为300％以上、 并且在-15℃下的断裂强度为20n以上。
21.前述半导体晶圆搭载用基材优选具有至少一层含有弹性体树脂的层。
22.前述半导体晶圆搭载用基材中，优选前述弹性体树脂为烯烃系弹性体树 脂。
23.前述半导体晶圆搭载用基材中，优选厚度为90μm以上且130μm以下。
24.本发明的切割带具备：基材、和层叠于前述基材上的粘合剂层，
25.前述基材为上述中任一项所述的半导体晶圆搭载用基材。
26.本发明的切割芯片接合薄膜具备：切割带，其在基材上层叠有粘合剂层； 和芯片接合层，其层叠于前述切割带的前述粘合剂层，
27.前述基材为上述中任一项所述的半导体晶圆搭载用基材。
附图说明
28.图1为示出本发明的一实施方式的切割带的构成的截面图。
29.图2为示出本发明的一实施方式的切割芯片接合薄膜的构成的截面图。
30.图3a为示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的半切割加工的情 况的截面图。
31.图3b为示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的半切割加工的情 况的截面图。
32.图3c为示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的背面研磨加工的 情况的截面图。
33.图3d为示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的背面研磨加工的 情况的截面图。
34.图4a为示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的安装工序的情况 的截面图。
35.图4b为示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的安装工序的情况 的截面图。
36.图5a为示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的低温下的扩展工 序的情况的截面图。
37.图5b为示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的低温下的扩展工 序的情况的截面图。
38.图5c为示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的低温下的扩展工 序的情况的截面图。
39.图6a为示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的常温下的扩展工 序的情况的截面图。
40.图6b为示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的常温下的扩展工 序的情况的截面图。
41.图7为示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的切缝维持工序的情 况的截面图。
42.图8为示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的拾取工序的情况的 截面图。
43.附图标记说明
44.1 基材
45.2 粘合剂层
46.3 芯片接合层
47.10 切割带
48.20 切割芯片接合薄膜
49.g 背面研磨带
50.h 保持具
51.j 吸附治具
52.p 销构件
53.r 切割环
54.t 晶圆加工用带
55.u 顶起构件
56.w 半导体晶圆
具体实施方式
57.以下，对本发明的一实施方式进行说明。
58.[半导体晶圆搭载用基材]
[0059]
本实施方式的半导体晶圆搭载用基材在-15℃下的断裂伸长率为300％以 上、并且在-15℃下的断裂强度为20n以上。
[0060]
本实施方式的半导体晶圆搭载用基材如后所述，作为切割带及切割芯片 接合薄膜的基材使用，所述切割带及切割芯片接合薄膜被用作用于制造半导 体集成电路的制造辅助用具。
[0061]
关于本实施方式的半导体晶圆通过具有如上所述的构成从而在扩展工 序(使用切割带及切割芯片接合薄膜作为制造辅助用具来制造半导体时的扩 展工序)中前述半导体晶圆搭载用基材比较不易破损、并且能够较充分地将 芯片接合层(配置于前述半导体晶圆搭载用基材上的芯片接合层)割断的理 由，本发明人等认为如下。
[0062]
将半导体晶圆及贴附于该半导体晶圆的芯片接合层割断从而得到多个 半导体芯片及单片化为与该多个半导体芯片的尺寸相当的大小的芯片接合 层的情况下，为了使相邻的半导体芯片间及经单片化的芯片接合层间的间隔 足够大，优选在扩展工序(例如，低温(例如，-15℃)下的扩展)中，切 割带中的半导体晶圆搭载用基材被充分拉长(拉伸)。
[0063]
另一方面，如上所述，扩展工序中，使前述半导体晶圆搭载用基材拉长 时，需要抑制前述半导体晶圆搭载用基材的破损，并且需要充分割断配置于 前述半导体晶圆搭载用基材上的芯片接合层。
[0064]
从这样的观点出发，认为前述半导体晶圆搭载用基材除了需要具有适度 的弹性，还需要具有适度的硬度，并且需要容易适度地施加应力。
[0065]
而且，本发明人等认为：本实施方式的半导体晶圆搭载用基材在-15℃ 下的断裂伸长率为300％以上、并且在-15℃下的断裂强度为20n以上，即， 作为在-15℃下的断裂伸长率的值及在-15℃下的断裂强度的值，兼具了适度 的值，因此除了具有适度的弹性，还具有适度的硬度，并且容易适度地施加 应力，从而能够抑制前述半导体晶圆搭载用基材的破损，并且能够将配置于 前述半导体晶圆搭载用基材上的芯片接合层充分割断。
[0066]
需要说明的是，通过适宜设定构成半导体晶圆搭载用基材的材料、半导 体晶圆搭载用基材的层构成、及半导体晶圆搭载用基材的厚度等，或者使用 多种构成半导体晶圆搭载用基材的材料的情况下通过适当地调整它们的比 率，能够使半导体晶圆搭载用基材在-15℃下的断裂伸长率为300％以上、并 且在-15℃下的断裂强度为20n以上。
[0067]
在-15℃下的断裂伸长率及在-15℃下的断裂强度可以如下来求出。
[0068]
关于断裂伸长率，详细而言，将长度120mm(测定长度。l0)、宽度10mm 的切割带作为试验片，使用拉伸试验机(autograph ag-is、岛津制作所制)， 在温度-15℃、卡盘间距离50mm、及拉伸速度1000mm/分钟的条件下，将上 述试验片沿长度方向进行拉伸，测定上述试验片断裂时的长度(l1)。
[0069]
然后，基于下式，算出在-15℃下的断裂伸长率e。
[0070]
断裂伸长率e＝(l
1-l0)/l0×
100
[0071]
另外，关于断裂强度，测定使用上述试验片及上述拉伸试验机在与上述 相同条件下进行拉伸试验时上述试验片断裂时施加的力，由此可以求出。
[0072]
本实施方式的半导体晶圆搭载用基材包含树脂。作为前述半导体晶圆搭 载用基材中所含的树脂，可列举出聚烯烃树脂、聚酯树脂、聚氨酯树脂、聚 碳酸酯树脂、聚醚醚酮树脂、聚酰亚胺树脂、聚醚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、 全芳香族聚酰胺树脂、聚氯乙烯树脂、聚偏氯乙烯、聚苯基硫醚、氟树脂、 纤维素系树脂、及有机硅树脂、eva树脂(乙烯乙酸乙烯酯共聚树脂)、离 子键树脂、弹性体等。
[0073]
本实施方式的半导体晶圆搭载用基材可以包含1种前述树脂，也可以包 含2种以上。
[0074]
需要说明的是，如后所述，层叠于前述半导体晶圆搭载用基材的粘合剂 层包含紫外线固化粘合剂的情况下，前述半导体晶圆搭载用基材优选构成为 具有紫外线透过性。
[0075]
本实施方式的半导体晶圆搭载用基材优选包含上述的树脂中的eva树 脂或弹性体，更优选包含弹性体。
[0076]
作为弹性体树脂，可列举出苯乙烯系弹性体树脂、烯烃系弹性体树脂、 聚酯系弹性体树脂、聚氨酯系弹性体树脂等各种公知的弹性体树脂。
[0077]
这些之中，优选使用烯烃系弹性体树脂，烯烃系弹性体树脂中，优选使 用丙烯系弹性体树脂。
[0078]
作为丙烯系弹性体树脂的市售品，可列举出exxonmobil chemical公司制 的vistamaxx 3980。
[0079]
本实施方式的半导体晶圆搭载用基材可以为单层结构，也可以为层叠结 构，为层叠结构的情况下，优选具有包含弹性体树脂的层(以下，称为弹性 体层)或包含乙酸乙烯酯含量为20质量％以上的eva树脂(以下，称为第 1eva树脂)的层，这些之中，更优选具有弹性体层。
[0080]
需要说明的是，本实施方式的半导体晶圆搭载用基材为单层结构的情况 下，前述半导体晶圆搭载用基材优选包含eva树脂，eva树脂中，优选包含 乙酸乙烯酯含量为10质量％的eva树脂。
[0081]
eva树脂的乙酸乙烯酯含量可以依据jis k7192：1999进行测定。
[0082]
作为前述第1eva树脂，可列举出dow-mitsui polychemicals co., ltd.制的evaflex(注册商标)ev250等。
[0083]
前述半导体晶圆搭载用基材可以通过无拉伸成形得到，也可以通过拉伸 成形得到，但优选通过拉伸成形得到。
[0084]
前述弹性体层包含弹性体树脂。前述弹性体层优选除了包含弹性体树脂 以外还包含乙酸乙烯酯含量超过10质量％且为30质量％以下的eva树脂(以 下，称为第2eva树脂)。
[0085]
通过使前述弹性体层包含弹性体树脂和第2eva树脂，从而前述弹性体 层的热收缩性比较高，因此在后述的切缝维持工序中，能够较好地维持切缝， 并且强度较高，能够良好地进行半导体晶圆的割断。
[0086]
前述弹性体层包含弹性体树脂和第2eva树脂的情况下，对于弹性体树 脂，优选包含50质量％以上且90质量％以下、更优选包含60质量％以上且80 质量％以下。
[0087]
另外，对于第2eva树脂，优选包含10质量％以上且50质量％以下、更优 选包含20质量％以上且40质量％以下。
[0088]
进而，弹性体树脂的质量与第2eva树脂的质量的比(第2eva树脂/弹 性体树脂)w1优选为0.1以上、更优选为0.25以上。另外，w1优选为1.0以下、 更优选为0.67以下。
[0089]
作为第2eva树脂的市售品，可列举出dow-mitsuipolychemicals co.,ltd.制的evaflex(注册商标)p1007等。
[0090]
前述半导体晶圆搭载用基材为层叠结构的情况下，前述半导体晶圆搭载 用基材可以是多个弹性体层层叠而构成，也可以以包含弹性体层且包含不含 弹性体树脂的层(以下，称为非弹性体层)的方式构成。
[0091]
需要说明的是，本说明书中，弹性体层是指室温(23℃)下的拉伸储能 模量比非弹性体层低的低弹性模量层。作为弹性体层，可列举出室温下的拉 伸储能模量为10mpa以上且100mpa以下者，作为非弹性体层，可列举出室温 下的拉伸储能模量为200mpa以上且500mpa以下者。
[0092]
室温下的拉伸储能模量是指如下操作而测定的值。
[0093]
详细而言，可以将长度40mm、宽度10mm的薄膜作为试验片，使用固体 粘弹性测定装置(例如，型号rsaiii、rheometric scientific公司制)，在频 率1hz、应变量0.1％、升温速度10℃/分钟、卡盘间距离22.5mm的条件下、 在-50℃～100℃的温度范围内测定前述试验片的拉伸储能模量。此时，读取 室温(23℃)下的值，由此可以求出室温下的拉伸储能模量。
[0094]
需要说明的是，前述测定通过对前述试验片沿md方向(树脂流动方向) 进行拉伸来进行。
[0095]
在层叠有多个前述弹性体层的构成中，前述弹性体层优选层叠有2层以 上，特别优选层叠有3层。
[0096]
层叠有2层前述弹性体层的构成中，卷取保管的状态下成为外侧的层(以 下，称为第1层)的层厚度与卷取保管的状态下成为内侧的层(以下，称为 第2层)的层厚度的比(第2层/第1层)t1优选为5以上、更优选为10以上。另 外，t1优选为30以下、更优选为20以下。
[0097]
另外，层叠有3层前述弹性体层的构成中，将卷取保管的状态下成为最 内侧的层(与前述第2层的层叠有第1层的一侧处于相反侧的层)设为第3层 时，第3层的层厚度与第2层的层厚度的比(第2层/第3层)t3优选为5以上、 更优选为7以上。另外，t3优选为20以下、更优选为15以下。
[0098]
进而，这样的三层结构中，第1层的层厚度与第2层的层厚度的比(第2 层/第1层)t2优选为5以上、更优选为7以上。另外，t2优选为20以下、更优 选为15以下。
[0099]
另外，层叠有2层以上的前述弹性体层的构成中，卷取保管的状态下成 为最外侧的最外层(前述第1层)优选包含抗静电剂。通过使最外层包含抗 静电剂，能够抑制前述最外层带静电。
[0100]
另外，卷取保管的状态下成为最内侧的最内层(三层结构的情况下，前 述第3层)可以包含抗静电剂。
[0101]
前述最外层中，相对于前述最外层中所含的树脂的总质量，优选包含前 述抗静电剂10质量％以上、更优选包含20质量％以上。
[0102]
另外，前述最外层中，相对于前述最外层中所含的树脂的总质量，优选 包含前述抗静电剂40质量％以下、更优选包含30质量％以下。
[0103]
进而，前述最内层包含抗静电剂的情况下，优选以与上述同样的质量比 率包含抗静电剂。
[0104]
包含前述弹性体层和前述非弹性体层的构成中，前述非弹性体层优选包 含作为基于茂金属催化剂的聚合产品的聚丙烯树脂(以下，称为茂金属pp 树脂)。作为茂金属pp树脂，可列举出作为茂金属催化剂的聚合产品的丙烯 /α-烯烃共聚物。
[0105]
作为茂金属pp树脂的市售品，例如，可列举出japan polypropylenecorporation制的wintec wxk1223。
[0106]
前述非弹性体层可以包含离子键树脂。通过使前述非弹性体层包含离子 键树脂，从而前述非弹性体层的低温区域下的弹性、柔软性提高。
[0107]
前述非弹性体层包含茂金属pp树脂和离子键树脂的情况下，对于茂金属 pp树脂，优选包含50质量％以上且90质量％以下，更优选包含60质量％以上 且80质量％以下。
[0108]
另外，对于前述离子键树脂，优选包含10质量％以上且50质量％以下、 更优选包含20质量％以上且40质量％以下。
[0109]
进而，茂金属pp树脂的质量与离子键树脂的质量的比(离子键树脂/茂 金属pp树脂)w2优选为0.1以上、更优选为0.25以上。
[0110]
另外，w2优选为1.0以下、更优选为0.67以下。
[0111]
此处，茂金属催化剂是包含如下物质的催化剂：包含具有环戊二烯骨架 的配体的周期表第4族的过渡金属化合物(所谓茂金属化合物)、和与茂金 属化合物发生反应从而可将该茂金属化合物活化为稳定的离子状态的助催 化剂，根据需要，包含有机铝化合物。茂金属化合物为可实现丙烯的立构规 整性聚合的交联型的茂金属化合物。
[0112]
作为前述茂金属催化剂的聚合产品的丙烯/α-烯烃共聚物中，优选作为茂 金属催化剂的聚合产品的丙烯/α-烯烃无规共聚物，作为前述茂金属催化剂的 聚合产品的丙烯/α-烯烃无规共聚物中，优选从作为茂金属催化剂的聚合产品 的丙烯/碳数为2的α-烯烃无规共聚物、作为茂金属催化剂的聚合产品的丙烯/ 碳数为4的α-烯烃无规共聚物及作为茂金属催化剂的聚合产品的丙烯/碳数为 5的α-烯烃无规共聚物中选择，这些之中，作为茂金属催化剂的聚合产品的 丙烯/乙烯无规共聚物是最适合的。
[0113]
另外，前述半导体晶圆搭载用基材为弹性体层与非弹性体层的层叠结构 的情况下，前述半导体晶圆搭载用基材优选通过对构成弹性体层的树脂和作 为非弹性体层的树脂进行共挤出从而制成弹性体层与非弹性体层的层叠结 构的共挤出成形来得到。
[0114]
作为共挤出成形，可以采用薄膜、片等的制造中通常进行的任意适当的 共挤出成形。共挤出成形中，从能够效率良好地得到前述半导体晶圆搭载用 基材的方面出发，优选采用吹塑法、共挤出t模法。
[0115]
通过共挤出成形得到形成层叠结构的前述半导体晶圆搭载用基材的情 况下，前述弹性体层及前述非弹性体层以被加热而熔融的状态相接，因此， 优选前述弹性体层中所含的树脂及前述非弹性体层中所含的树脂的熔点差 较小。
[0116]
如上所述，通过使前述弹性体层中所含的树脂及前述非弹性体层中所含 的树脂的熔点差小，从而可抑制这些树脂中的低熔点的树脂被过度加热，因 此能够抑制低熔点的树脂发生热劣化从而生成副产物的情况。另外，也能够 抑制因低熔点的树脂的粘度过度地降低从而在前述弹性体层与前述非弹性 体层间发生层叠不良的情况。前述弹性体层中所
含的树脂及前述非弹性体层 中所含的树脂的熔点差优选为0℃以上且70℃以下、更优选为0℃以上且55℃ 以下。
[0117]
前述弹性体层中所含的树脂及前述非弹性体中所含的树脂的熔点可以 通过差示扫描量热(dsc)分析进行测定。例如，可以使用差示扫描量热计 装置(ta instruments inc.制、型号dsc q2000)，在氮气气流下、以 升温速度5℃/分钟升温至200℃，求出吸热峰的峰温度，从而测定。
[0118]
需要说明的是，前述弹性体层、前述非弹性体层中包含多种树脂的情况 下，使用差示扫描量热计装置测定前述弹性体层中所含的树脂的熔点或前述 非弹性体层中所含的树脂的熔点时，检测到与各树脂对应的多个峰。这样的 情况下，具有最大熔点差的2个树脂的峰温度视为前述熔点差。
[0119]
本实施方式的半导体晶圆搭载用基材的厚度优选为55μm以上且195μm 以下、更优选为70μm以上且150μm以下、特别优选为90μm以上且130μm以下。
[0120]
通过使前述半导体晶圆搭载用基材的厚度为90μm以上且130μm以下，从 而在将前述半导体晶圆搭载用基材拉长的工序(使用切割带及切割芯片接合 薄膜作为制造辅助用具来制造半导体时的扩展工序及拾取工序)中，前述半 导体晶圆搭载用基材变得更不容易破损，并且能够更充分地将芯片接合层 (配置于前述半导体晶圆搭载用基材上的芯片接合层)割断。
[0121]
前述半导体晶圆搭载用基材的厚度例如可以通过使用千分表(dial gauge) (peacock公司制、型号r-205)测定随机选择的任意5点的厚度并对这些 厚度进行算术平均来求出。
[0122]
[切割带]
[0123]
接着，参照图1对本实施方式的切割带10进行说明。需要说明的是，切 割带10的说明中，对于与上述的半导体晶圆搭载用基材重复的部分，不重复 其说明。
[0124]
如图1所示，本实施方式的切割带10具备基材1和层叠于基材1上的粘合 剂层2。
[0125]
即，本实施方式的切割带10中，基材1支撑粘合剂层2。
[0126]
本实施方式的切割带10中，基材1为本实施方式的半导体晶圆搭载用基 材。
[0127]
本实施方式的半导体晶圆搭载用基材如上所述，在-15℃下的断裂伸长 率为300％以上、并且在-15℃下的断裂强度为20n以上。
[0128]
前述半导体晶圆搭载用基材优选具有至少一层含有弹性体树脂的层。
[0129]
另外，前述半导体晶圆搭载用基材中，前述弹性体树脂优选为烯烃系弹 性体树脂。
[0130]
进而，前述半导体晶圆搭载用基材的厚度优选为90μm以上且130μm以下。
[0131]
粘合剂层2含有粘合剂。粘合剂层2通过粘合用于单片化为半导体芯片的 半导体晶圆来保持。
[0132]
作为前述粘合剂，可列举出在切割带10的使用过程中可因来自外部的作 用而降低粘合力者(以下，称为粘合降低型粘合剂)。
[0133]
使用粘合降低型粘合剂作为粘合剂的情况下，在切割带10的使用过程中， 可以区分使用粘合剂层2显示较高的粘合力的状态(以下，称为高粘合状态) 和显示较低的粘合力的状态(以下，称为低粘合状态)。例如，贴附于切割 带10的半导体晶圆被供于割断时，为了
抑制通过半导体晶圆的割断进行了单 片化的多个半导体芯片自粘合剂层2浮起或剥离，利用高粘合状态。与此相 对，在半导体晶圆的割断后，为了拾取经单片化的多个半导体芯片，为了容 易从粘合剂层2拾取多个半导体芯片，利用低粘合状态。
[0134]
作为前述粘合降低型粘合剂，例如，可列举出在切割带10的使用过程中 可通过辐射线照射而固化的粘合剂(以下，称为辐射线固化粘合剂)。
[0135]
作为前述辐射线固化粘合剂，例如，可列举出通过电子束、紫外线、α 射线、β射线、γ射线、或x射线的照射而固化的类型的粘合剂。这些之中， 优选使用通过紫外线照射而固化的粘合剂(紫外线固化粘合剂)。
[0136]
作为前述辐射线固化粘合剂，例如，可列举出添加型的辐射线固化粘合 剂，所述添加型的辐射线固化粘合剂包含：丙烯酸系聚合物等基础聚合物、 和具有辐射线聚合性的碳-碳双键等官能团的辐射线聚合性单体成分、辐射 线聚合性低聚物成分。
[0137]
作为前述丙烯酸系聚合物，可列举出包含源自(甲基)丙烯酸酯的单体 单元的丙烯酸系聚合物。作为(甲基)丙烯酸酯，例如，可列举出(甲基) 丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯、及(甲基)丙烯酸芳基酯等。
[0138]
粘合剂层2可以包含外部交联剂。作为外部交联剂，只要能够与作为基 础聚合物的丙烯酸系聚合物发生反应从而形成交联结构，则可以使用任意交 联剂。作为这样的外部交联剂，例如，可列举出多异氰酸酯化合物、环氧化 合物、多元醇化合物、氮丙啶化合物及三聚氰胺系交联剂等。
[0139]
作为前述辐射线聚合性单体成分，例如，可列举出氨基甲酸酯(甲基) 丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸 酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、 二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、及1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。作 为前述辐射线聚合性低聚物成分，例如，可列举出氨基甲酸酯系、聚醚系、 聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各种低聚物。前述辐射线固化粘合剂中 的辐射线聚合性单体成分、辐射线聚合性低聚物成分的含有比例可以在使粘 合剂层2的粘合性适当地降低的范围内选择。
[0140]
前述辐射线固化粘合剂优选包含光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，例 如，可列举出α-酮醇系化合物、苯乙酮系化合物、苯偶姻醚系化合物、缩酮 系化合物、芳香族磺酰氯系化合物、光活性肟系化合物、二苯甲酮系化合物、 噻吨酮系化合物、樟脑醌、卤化酮、酰基氧化膦、及酰基膦酸酯等。
[0141]
粘合剂层2可以在前述各成分的基础上还包含交联促进剂、增粘剂、防 老剂、颜料、或染料等着色剂等。
[0142]
粘合剂层2的厚度优选为1μm以上且50μm以下、更优选为2μm以上且 45μm以下、进一步优选为5μm以上且40μm以下。
[0143]
粘合剂层2的厚度例如可以通过使用千分表(peacock公司制、型号r-205)测定随机选择的任意5点的厚度并对这些厚度进行算术平均来求出。
[0144]
[切割芯片接合薄膜]
[0145]
接着，参照图2对本实施方式的切割芯片接合薄膜20进行说明。需要说 明的是，切割芯片接合薄膜20的说明中，对于与上述的半导体晶圆搭载用基 材及切割带10重复的部分，不重复其说明。
[0146]
如图2所示，本实施方式的切割芯片接合薄膜20具备：在基材1上层叠有 粘合剂层2的切割带10、和层叠于切割带10的粘合剂层2上的芯片接合层3。
[0147]
即，本实施方式的切割芯片接合薄膜20中，基材1支撑粘合剂层2及芯片 接合层3。
[0148]
本实施方式的切割带10中，基材1为本实施方式的半导体晶圆搭载用基 材。
[0149]
本实施方式的半导体晶圆搭载用基材如上所述，在-15℃下的断裂伸长 率为300％以上、并且在-15℃下的断裂强度为20n以上。
[0150]
前述半导体晶圆搭载用基材优选具有至少一层含有弹性体树脂的层。
[0151]
另外，前述半导体晶圆搭载用基材中，前述弹性体树脂优选为烯烃系弹 性体树脂。
[0152]
进而，前述半导体晶圆搭载用基材的厚度优选为90μm以上且130μm以下。
[0153]
本实施方式的切割芯片接合薄膜20中，半导体晶圆贴附于芯片接合层3 上。
[0154]
在使用切割芯片接合薄膜20的半导体晶圆的割断中，芯片接合层3也与 半导体晶圆一起被割断。芯片接合层3被割断为与经单片化的多个半导体芯 片的尺寸相当的大小。由此，能够得到带芯片接合层3的半导体芯片。
[0155]
芯片接合层3优选具有热固化性。通过使芯片接合层3中包含热固化性树 脂及具有热固化性官能团的热塑性树脂中的至少一者，能够对芯片接合层3 赋予热固化性。
[0156]
芯片接合层3包含热固化性树脂的情况下，作为这样的热固化性树脂， 例如，可列举出环氧树脂、酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯 树脂、有机硅树脂、及热固化性聚酰亚胺树脂等。这些之中，优选使用环氧 树脂。
[0157]
作为环氧树脂，例如，可列举出双酚a型、双酚f型、双酚s型、溴化双 酚a型、氢化双酚a型、双酚af型、联苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、 邻甲酚酚醛清漆型、三羟基苯基甲烷型、四苯酚基乙烷型、乙内酰脲型、异 氰脲酸三缩水甘油酯型、及缩水甘油胺型的环氧树脂。
[0158]
对于作为环氧树脂的固化剂的酚醛树脂，例如，可列举出酚醛清漆型酚 醛树脂、甲阶酚醛型酚醛树脂、及聚对氧苯乙烯等聚氧苯乙烯。
[0159]
芯片接合层3包含具有热固化性官能团的热塑性树脂的情况下，作为这 样的热塑性树脂，例如，可列举出含热固化性官能团的丙烯酸类树脂。作为 含热固化性官能团的丙烯酸类树脂中的丙烯酸类树脂，可列举出包含源自 (甲基)丙烯酸酯的单体单元的丙烯酸类树脂。
[0160]
具有热固化性官能团的热固化性树脂中，根据热固化性官能团的种类来 选择固化剂。
[0161]
从使树脂成分的固化反应充分进行、或提高固化反应速度的观点出发， 芯片接合层3可以含有热固化催化剂。作为热固化催化剂，例如，可列举出 咪唑系化合物、三苯基膦系化合物、胺系化合物、及三卤代硼烷系化合物。
[0162]
芯片接合层3可以包含热塑性树脂。热塑性树脂作为粘结剂而发挥功能。 作为热塑性树脂，例如，可列举出天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯 丁二烯橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯 共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、聚酰胺6、 聚酰胺6,6等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸类树脂、pet、pbt等饱和聚 酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、氟树脂等。上述热塑性树脂可以仅使用一
种， 也可以组合使用两种以上。作为上述热塑性树脂，从离子性杂质少、并且耐 热性高、从而容易确保基于芯片接合层的连接可靠性的观点出发，优选丙烯 酸类树脂。
[0163]
上述丙烯酸类树脂优选为包含源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元作为以 质量比例计最多的单体单元的聚合物。作为(甲基)丙烯酸酯，例如，可列 举出(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯及(甲基)丙烯酸芳 基酯等。上述丙烯酸类树脂可以包含源自可与(甲基)丙烯酸酯共聚的其他 成分的单体单元。作为上述其他成分，例如，可列举出含羧基单体、酸酐单 体、含羟基单体、含缩水甘油基单体、含磺酸基单体、含磷酸基单体、丙烯 酰胺、丙烯腈等含官能团单体、各种多官能性单体等。从芯片接合层实现高 的内聚力的观点出发，上述丙烯酸类树脂优选为(甲基)丙烯酸酯(特别是 烷基的碳数为4以下的(甲基)丙烯酸烷基酯)与含羧基单体、含氮原子单 体、及多官能性单体(特别是多缩水甘油基系多官能单体)的共聚物，更优 选为丙烯酸乙酯与丙烯酸丁酯与丙烯酸与丙烯腈与(甲基)丙烯酸多缩水甘 油基酯的共聚物。
[0164]
芯片接合层3根据需要可以含有1种或2种以上的其他成分。作为其他成 分，例如，可列举出阻燃剂、硅烷偶联剂、及离子捕捉剂。
[0165]
芯片接合层3的厚度没有特别限定，例如为1μm以上且180μm以下。该厚 度可以为20μm以上且160μm以下、也可以为40μm以上且140μm以下。
[0166]
芯片接合层3的厚度例如可以通过使用千分表(peacock公司制、型号 r-205)测定随机选择的任意5点的厚度并对这些厚度进行算术平均来求出。
[0167]
本实施方式的切割芯片接合薄膜20例如可以作为用于制造半导体集成 电路的辅助用具使用。以下，对切割芯片接合薄膜20的使用的具体例进行说 明。
[0168]
以下，对使用了基材1为一层的切割芯片接合薄膜20的例子进行说明。
[0169]
制造半导体集成电路的方法具有：半切割工序，为了通过割断处理将半 导体晶圆加工成处理芯片(小片)而在半导体晶圆上形成槽；背面研磨工序， 对半切割工序后的半导体晶圆进行磨削而减薄厚度；安装工序，将背面研磨 工序后的半导体晶圆的一面(与电路面处于相反侧的面)贴附于芯片接合层 3从而将半导体晶圆固定于切割带10；扩展工序，使经半切割加工的半导体 芯片彼此的间隔扩大；维持半导体芯片彼此的间隔的切缝维持工序；拾取工 序，将芯片接合层3与粘合剂层2间剥离，在贴附有芯片接合层3的状态下取 出半导体芯片(小片)；和芯片接合工序，将贴附有芯片接合层3的状态的 半导体芯片(小片)粘接于被粘物。实施这些工序时，本实施方式的切割芯 片接合薄膜20作为制造辅助用具使用。
[0170]
半切割工序中，如图3a及图3b所示，实施用于将半导体集成电路割断 为小片(die)的半切割加工。详细而言，在半导体晶圆w的与电路面相反侧 的面贴附晶圆加工用带t(参照图3a)。另外，将切割环r安装于晶圆加工 用带t(参照图3a)。在贴附有晶圆加工用带t的状态下形成分割用的槽(参 照图3b)。背面研磨工序中，如图3c及图3d所示，对半导体晶圆进行磨削 而减薄厚度。详细而言，在形成有槽的面贴附背面研磨带g，另一方面将最 开始贴附的晶圆加工用带t剥离(参照图3c)。在贴附有背面研磨带g的状 态下实施磨削加工直至半导体晶圆w为规定的厚度(参照图3d)。
[0171]
安装工序中，如图4a～图4b所示，在切割带10的粘合剂层2上安装切割 环r后，在露出的芯片接合层3的面上贴附经半切割加工的半导体晶圆w(参 照图4a)。然后，从半导体
晶圆w剥离背面研磨带g(参照图4b)。
[0172]
扩展工序中，如图5a～图5c所示，将切割环r固定于扩展装置的保持具 h。使用扩展装置所具备的顶起构件u，自下侧顶起切割芯片接合薄膜20， 由此对切割芯片接合薄膜20进行拉伸以使在面方向扩展(参照图5b)。由此， 在特定的温度条件下，将经半切割加工的半导体晶圆w割断。上述温度条件 例如为-15～25℃，优选为-15～10℃、更优选为-15～0℃。通过使顶起构件u下 降来解除扩展状态(参照图5c)。
[0173]
进而，扩展工序中，如图6a～图6b所示，在更高的温度条件下(例如 为20℃～50℃，优选为30℃～50℃、更优选为40℃～50℃)，对切割带10进 行拉伸以使面积扩大。由此，将经割断的相邻的半导体芯片在薄膜面的面方 向拉开，进一步使间隔扩大。
[0174]
此处，本实施方式的切割芯片接合薄膜20中，作为基材1，使用本实施 方式的半导体晶圆搭载用基材，前述半导体晶圆搭载用基材在-15℃下的断 裂伸长率为300％以上、并且在-15℃下的断裂强度为20n以上，因此，在前 述扩展工序中，前述半导体晶圆搭载用基材比较不易破损，并且能够较充分 地将芯片接合层3割断。
[0175]
另外，通过使前述半导体晶圆搭载用基材具有一层含有弹性体树脂的层， 从而在前述扩展工序中，前述半导体晶圆搭载用基材更不容易破损，并且能 够更充分地将芯片接合层3割断。
[0176]
进而，前述半导体晶圆搭载用基材中，通过使前述弹性体树脂包含烯烃 系弹性体树脂，从而在前述扩展工序中，前述半导体晶圆搭载用基材更不易 破损，并且能够更充分地将芯片接合层3割断。
[0177]
另外，通过使前述半导体晶圆搭载用基材的厚度为90μm以上且130μm以 下，从而在前述扩展工序中，前述半导体晶圆搭载用基材更不易破损，并且 能够更充分地将芯片接合层割断。
[0178]
有时将从前述半切割工序到前述扩展工序为止的一系列工序称为“dbg (先切割后研磨，dicing before grinding)割断工艺”。
[0179]
另外，也可以将前述半切割工序置换为如下的工序：对半导体晶圆中的 预分割线照射激光而形成改性区域，从而可通过预分割线容易地将半导体晶 圆分割的改性区域形成工序。有时将从前述改性区域形成工序到前述扩展工 序为止的一系列的工序称为“sdbg(研磨前隐形切割，stealth dicing beforegrinding)割断工艺”。
[0180]
切缝维持工序中，如图7所示，对切割带10吹热风(产生热风的装置的 设定值例如为200～250℃)而使切割带10热收缩后进行冷却固化，维持经割 断的相邻的半导体芯片间的距离(切缝)。
[0181]
拾取工序中，如图8所示，将贴附有芯片接合层3的状态的半导体芯片(以 下，也称为带芯片接合层的半导体芯片)从切割带10的粘合剂层2剥离。详 细而言，使销构件p上升，将拾取对象的带芯片接合层的半导体芯片隔着切 割带10顶起。用吸附治具j对顶起的带芯片接合层的半导体芯片进行保持。
[0182]
芯片接合工序中，将前述带芯片接合层的半导体芯片粘接于被粘物(布 线基板)。
[0183]
需要说明的是，上述的半导体集成电路的制造中，对使用切割芯片接合 薄膜20作为辅助用具的例子进行了说明，但使用切割带10作为辅助用具的情 况下也可以与上述同样地操作来制造半导体集成电路。
[0184]
本说明书中公开的事项包含以下事项。
[0185]
(1)
[0186]
一种半导体晶圆搭载用基材，其在-15℃下的断裂伸长率为300％以上、 并且在-15℃下的断裂强度为20n以上。
[0187]
根据该构成，在扩展工序中，前述半导体晶圆搭载用基材比较不易破损， 并且能够较充分地将芯片接合层(配置于前述半导体晶圆搭载用基材上的芯 片接合层)割断。
[0188]
(2)
[0189]
根据上述(1)所述的半导体晶圆搭载用基材，其具有至少一层含有弹 性体树脂的层。
[0190]
根据该构成，在扩展工序中，前述半导体晶圆搭载用基材更不易破损， 并且能够更充分地将芯片接合层(配置于前述半导体晶圆搭载用基材上的芯 片接合层)割断。
[0191]
(3)
[0192]
根据上述(2)所述的半导体晶圆搭载用基材，其中，前述弹性体树脂 为烯烃系弹性体树脂。
[0193]
根据该构成，在扩展工序中，前述半导体晶圆搭载用基材更不易破损， 并且能够更充分地将芯片接合层(配置于前述半导体晶圆搭载用基材上的芯 片接合层)割断。
[0194]
(4)
[0195]
根据上述(1)～(3)中任一项所述的半导体晶圆搭载用基材，其厚度 为90μm以上且130μm以下。
[0196]
根据该构成，在扩展工序中，前述半导体晶圆搭载用基材更不易破损， 并且能够更充分地将芯片接合层(配置于前述半导体晶圆搭载用基材上的芯 片接合层)割断。
[0197]
(5)
[0198]
一种切割带，其具备基材和层叠于前述基材上的粘合剂层，
[0199]
前述基材为上述(1)～(4)中任一项所述的半导体晶圆搭载用基材。
[0200]
根据该构成，在扩展工序中，前述半导体晶圆搭载用基材比较不易破损， 并且能够较充分地将芯片接合层(配置于前述粘合剂层上的芯片接合层)割 断。
[0201]
(6)
[0202]
一种切割芯片接合薄膜，其具备：
[0203]
切割带，其在基材上层叠有粘合剂层；和
[0204]
芯片接合层，其层叠于前述切割带的前述粘合剂层，
[0205]
前述基材为上述(1)～(4)中任一项所述的半导体晶圆搭载用基材。
[0206]
根据该构成，在扩展工序中，前述半导体晶圆搭载用基材比较不易破损， 并且能够较充分地将前述芯片接合层割断。
[0207]
需要说明的是，本发明的半导体晶圆搭载用基材、切割带及切割芯片接 合薄膜并不限定于前述实施方式。另外，本发明的半导体晶圆搭载用基材、 切割带及切割芯片接合薄膜不受前述作用效果限定。本发明的半导体晶圆搭 载用基材、切割带及切割芯片接合薄膜可以在不脱离本发明主旨的范围内进 行各种变更。
[0208]
[实施例]
[0209]
接着，举出实施例更具体地对本发明进行说明。以下的实施例用于更详 细地对本
发明进行说明，并不限定本发明的范围。
[0210]
[实施例1]
[0211]
《基材(半导体晶圆搭载用基材)的成形》
[0212]
使用2种3层挤出t模成形机，成形为具有a层/b层/c层的3层结构(以b 层为中心层、在b层的两面层叠作为外层的a层及c层而成的3层结构。需要 说明的是，a层为前述第1层，b层为前述第2层，c层为前述第3层)的基材。
[0213]
a层及c层的树脂中，使用茂金属pp树脂(商品名：wintec wxk1223、 japan polypropylene corporation制)，使该茂金属pp树脂含有抗静电剂20质 量％。
[0214]
b层的树脂中，使用弹性体树脂与乙酸乙烯酯含量为10质量％以上且30 质量％以下的eva树脂的混合树脂(弹性体树脂为作为丙烯系弹性体树脂的 vistamaxx 3980(exxon mobil corporation制)，乙酸乙烯酯含量为10质量％ 以上且30质量％以下的eva树脂(第2eva树脂)为evaflex(注册商标)p1007 (dow-mitsui polychemicals co.,ltd.制))。
[0215]
需要说明的是，b层中，弹性体树脂和第2eva树脂以弹性体树脂的质量 与第2eva树脂的质量的比(第2eva树脂/弹性体树脂)w1成为0.4的方式(即， 成为vistamaxx：evaflex＝7：3的方式)混合。
[0216]
前述挤出成形在模具温度190℃下进行。即，a层、b层、及c层在190℃ 下挤出成形。通过挤出成形得到的基材的厚度为110μm。需要说明的是，a 层、b层、及c层的厚度的比(层厚比)为a层：b层：c层＝1：10：1。
[0217]
使成形的基材充分固化后，以c层成为作为最内侧的层的最内层的方式 将固化后的基材卷取成卷状而制成卷状体。
[0218]
需要说明的是，实施例1的基材的厚度通过使用千分表(peacock公司 制、型号r-205)测定随机选择的任意5点的厚度并对这些厚度进行算术平均 来求出。
[0219]
另外，a层、b层、及c层的厚度通过用sem观察基材的截面来测定。具 体而言，通过使用冷冻切片机(大和光机工业制)将基材沿厚度方向切断并 用sem观察切出的截面来测定。
[0220]
需要说明的是，对切出的截面，对各层在任意5个部位测定厚度，将对 各层测得的厚度的值进行算术平均，由此求出各层的厚度。
[0221]
《切割带的制作》
[0222]
使用涂抹器以厚度成为30μm的方式自卷状的基材起在基材的一个表面 涂布粘合剂组合物。将涂布粘合剂组合物后的基材在110℃下进行3分钟加热 干燥，形成粘合剂层，由此得到实施例1的切割带。
[0223]
前述粘合剂组合物如下来制备。
[0224]
首先，将la(丙烯酸月桂酯)210质量份、ina(丙烯酸异壬酯)170 质量份、hea(丙烯酸羟基乙酯)60质量份、nyper bw(过氧化苯甲酰) 1.0质量份混合，得到第1树脂组合物。
[0225]
接着，在装备有圆底可拆式烧瓶(容量1l)、温度计、氮气导入管及搅 拌叶片的聚合用实验装置的前述圆底可拆式烧瓶内，加入前述第1树脂组合 物，边对前述第1树脂组合物进行搅拌，边将前述第1树脂组合物的液温设为 常温(23℃)，对前述圆底可拆式烧瓶内进行6小时氮气置换。
[0226]
接着，在使氮气流入前述圆底可拆式烧瓶内的状态下，边对前述第1树 脂组合物
进行搅拌，边将前述第1树脂组合物的液温在62℃下保持3小时后， 进而在75℃下保持2小时，使前述ina、前述hea、及前述aibn聚合，得到 第2树脂组合物。然后，停止氮气向前述圆底可拆式烧瓶内的流入。
[0227]
将前述第2树脂组合物冷却至液温变为常温为止后，在前述第2树脂组合 物中加入作为具有聚合性碳-碳双键的化合物的甲基丙烯酸2-异氰酸根合乙 酯(昭和电工株式会社制、商品名“karenz moi(注册商标)”)48质量份、 及二月桂酸二丁基锡iv(和光纯药工业株式会社制)0.1质量份，将得到的 第3树脂组合物在大气气氛下在液温50℃下进行搅拌。
[0228]
接着，在前述第3树脂组合物中，相对于聚合物固体成分100质量份，加 入coronate l(异氰酸酯化合物)及omnirad 127d(光聚合引发剂)各 1.5质量份及5质量份，制备粘合剂组合物。
[0229]
《切割芯片接合薄膜的制作》
[0230]
将丙烯酸类树脂(nagase chemtex corporation制、商品名“sg-n80”、 玻璃化转变温度-23℃)100质量份、环氧树脂(日本化药株式会社制、商品 名“eppn 501hy”)210质量份、酚醛树脂(群荣化学工业株式会社制、商品 名“lvr8210-dl”)100质量份、酚醛树脂(明和化成株式会社制、商品名
ꢀ“
hf-1m”)33质量份、球状二氧化硅(admatechs co.,ltd.制、商品名
ꢀ“
se-2050mcv”)440质量份、硅烷偶联剂(信越化学株式会社、商品名
ꢀ“
kbm-303”)3质量份及固化催化剂(北兴化学株式会社制、商品名“tpp-k”) 0.5质量份加入到甲乙酮中并混合，得到芯片接合组合物。
[0231]
接着，使用涂抹器以厚度成为40μm的方式将前述芯片接合组合物涂布 于作为剥离衬垫的pet系分隔件(厚度50μm)的实施了有机硅处理的面上， 在130℃下进行2分钟干燥而从前述芯片接合组合物进行脱溶剂，在前述剥离 衬垫上制作40μm的粘接薄膜。然后，使用辊层压机使如此操作而制作的3张 粘接薄膜贴合，制作厚度120μm的粘接薄膜。该贴合中，将粘贴速度设为 10mm/秒，将温度条件设为90℃，将压力条件设为0.15mpa。
[0232]
接着，将前述芯片接合片的未层叠前述剥离片的一侧贴合于前述实施例 1的切割带的前述粘合剂层上后，将前述剥离衬垫从前述芯片接合层剥离， 得到具备芯片接合层的切割芯片接合薄膜(即实施例1的切割芯片接合薄膜)。
[0233]
[实施例2]
[0234]
《基材(半导体晶圆搭载用基材)的成形》
[0235]
使用2种3层挤出t模成形机，成形为具有a层/b层/c层的3层结构(以b 层为中心层、在b层的两面层叠作为外层的a层及c层而成的3层结构。需要 说明的是，a层为前述第1层，b层为前述第2层，c层为前述第3层)的基材。
[0236]
a层及c层的树脂中，使用弹性体树脂与乙酸乙烯酯含量为10质量％以上 且30质量％以下的eva树脂的混合树脂(弹性体树脂为作为丙烯系弹性体树 脂的vistamaxx 3980(exxon mobil corporation制)，乙酸乙烯酯含量为10质 量％以上且30质量％以下的eva树脂(第2eva树脂)为evaflex(注册商标) p1007(dow-mitsui polychemicals co.,ltd.制))，使该混合树脂 含有抗静电剂20质量％。
[0237]
另外，b层的树脂中，使用弹性体树脂与乙酸乙烯酯含量为10质量％以 上且30质量％以下的eva树脂的混合树脂(弹性体树脂为作为丙烯系弹性体 树脂的vistamaxx 3980(exxon mobil corporation制)，乙酸乙烯酯含量为10 质量％以上且30质量％以下的eva
树脂(第2eva树脂)为evaflex(注册商 标)p1007(dow-mitsui polychemicals co.,ltd.制))。
[0238]
需要说明的是，a层、b层、及c层中，弹性体树脂和第2eva树脂以弹 性体树脂的质量与第2eva树脂的质量的比(第2eva树脂/弹性体树脂)w1成为0.4的方式(即，成为vistamaxx：evaflex＝7：3的方式)混合。
[0239]
前述挤出成形在模具温度190℃下进行。即，a层、b层、及c层在190℃ 下挤出成形。通过挤出成形得到的基材的厚度为110μm。需要说明的是，a 层、b层、及c层的厚度的比(层厚比)为a层：b层：c层＝1：10：1。
[0240]
使成形的基材充分固化后，以c层成为作为最内侧的层的最内层的方式 将固化后的基材卷取成卷状而制成卷状体。
[0241]
需要说明的是，实施例2的基材的厚度可以通过使用千分表(peacock 公司制、型号r-205)测定随机选择的任意5点的厚度并对这些厚度进行算术 平均来求出。
[0242]
另外，a层、b层、及c层的厚度如实施例1中所说明那样通过用sem观 察基材的截面来测定。
[0243]
《切割带的制作》
[0244]
与实施例1同样地操作，制作实施例2的切割带。
[0245]
《切割芯片接合薄膜的制作》
[0246]
与实施例1同样地操作，制作实施例2的切割芯片接合薄膜。
[0247]
[实施例3]
[0248]
《基材(半导体晶圆搭载用基材)的成形》
[0249]
使用2种2层挤出t模成形机，成形为具有a层/b层的2层结构(为a层层 叠于b层而成的2层结构。需要说明的是，a层为前述第1层，b层为前述第2 层)的基材。
[0250]
a层的树脂中，使用茂金属pp树脂(商品名：wintec wxk1223、japanpolypropylene corporation制)，使该茂金属pp树脂含有抗静电剂20质量％。
[0251]
另外，b层的树脂中，使用弹性体树脂与乙酸乙烯酯含量为10质量％以 上且30质量％以下的eva树脂的混合树脂(弹性体树脂为作为丙烯系弹性体 树脂的vistamaxx 3980(exxon mobil corporation制)，乙酸乙烯酯含量为10 质量％以上且30质量％以下的eva树脂(第2eva树脂)为evaflex(注册商 标)p1007(dow-mitsui polychemicals co.,ltd.制))。
[0252]
需要说明的是，b层中，弹性体树脂和第2eva树脂以弹性体树脂的质量 与第2eva树脂的质量的比(第2eva树脂/弹性体树脂)w1成为0.4的方式(即， 成为vistamaxx：evaflex＝7：3的方式)混合。
[0253]
前述挤出成形在模具温度190℃下进行。即，a层及b层在190℃下挤出 成形。通过挤出成形得到的基材的厚度为110μm。需要说明的是，a层及b 层的厚度的比(层厚比)为a层：b层＝1：20。
[0254]
使成形的基材充分固化后，以b层成为作为最内侧的层的最内层的方式 将固化后的基材卷取成卷状而制成卷状体。
[0255]
需要说明的是，实施例3的基材的厚度通过使用千分表(peacock公司 制、型号r-205)测定随机选择的任意5点的厚度并对这些厚度进行算术平均 来求出。
[0256]
另外，a层及b层的厚度如实施例1中所说明那样通过用sem观察基材的 截面来测定。
[0257]
《切割带的制作》
[0258]
与实施例1同样地操作，制作实施例3的切割带。
[0259]
《切割芯片接合薄膜的制作》
[0260]
与实施例1同样地操作，制作实施例3的切割芯片接合薄膜。
[0261]
[实施例4]
[0262]
《基材(半导体晶圆搭载用基材)的成形》
[0263]
使用2种3层挤出t模成形机，成形为具有a层/b层/c层的3层结构(以b 层为中心层、在b层的两面层叠作为外层的a层及c层而成的3层结构。需要 说明的是，a层为前述第1层，b层为前述第2层，c层为前述第3层)的基材。
[0264]
a层及c层的树脂中，使用弹性体树脂与乙酸乙烯酯含量为10质量％以上 且30质量％以下的eva树脂的混合树脂(弹性体树脂为作为丙烯系弹性体树 脂的vistamaxx 3980(exxon mobil corporation制)，乙酸乙烯酯含量为10质 量％以上且30质量％以下的eva树脂(第2eva树脂)为evaflex(注册商标) p1007(dow-mitsui polychemicals co.,ltd.制))，使该混合树脂 含有抗静电剂20质量％。
[0265]
另外，b层的树脂中，使用弹性体树脂与乙酸乙烯酯含量为10质量％以 上且30质量％以下的eva树脂的混合树脂(弹性体树脂为作为丙烯系弹性体 树脂的vistamaxx 3980(exxon mobil corporation制)，乙酸乙烯酯含量为10 质量％以上且30质量％以下的eva树脂(第2eva树脂)为evaflex(注册商 标)p1007(dow-mitsui polychemicals co.,ltd.制))。
[0266]
需要说明的是，a层、b层及c层中，弹性体树脂和第2eva树脂以弹性 体树脂的质量与第2eva树脂的质量的比(第2eva树脂/弹性体树脂)w1成 为0.4的方式(即，成为vistamaxx：evaflex＝7：3的方式)混合。
[0267]
前述挤出成形在模具温度190℃下进行。即，a层、b层、及c层在190℃ 下挤出成形。通过挤出成形得到的基材的厚度为120μm。需要说明的是，a 层、b层、及c层的厚度的比(层厚比)为a层：b层：c层＝1：10：1。
[0268]
使成形的基材充分固化后，以c层成为作为最内侧的层的最内层的方式 将固化后的基材卷取成卷状而制成卷状体。
[0269]
需要说明的是，实施例4的基材的厚度通过使用千分表(peacock公司 制、型号r-205)测定随机选择的任意5点的厚度并对这些厚度进行算术平均 来求出。
[0270]
另外，a层、b层、及c层的厚度如实施例1中所说明那样通过用sem观 察基材的截面来测定。
[0271]
《切割带的制作》
[0272]
与实施例1同样地操作，制作实施例4的切割带。
[0273]
《切割芯片接合薄膜的制作》
[0274]
与实施例1同样地操作，制作实施例4的切割芯片接合薄膜。
[0275]
[实施例5]
[0276]
《基材(半导体晶圆搭载用基材)的成形》
[0277]
使用2种2层挤出t模成形机，成形为具有a层/b层的2层结构(a层层叠 于b层而成的2层结构。需要说明的是，a层为前述第1层，b层为前述第2层) 的基材。
[0278]
a层的树脂中，使用茂金属pp树脂(商品名：wintec wxk1223、japanpolypropylene corporation制)，使该茂金属pp树脂含有抗静电剂20质量％。
[0279]
另外，b层的树脂中，使用弹性体树脂与乙酸乙烯酯含量为10质量％以 上且30质量％以下的eva树脂的混合树脂(弹性体树脂为作为丙烯系弹性体 树脂的vistamaxx 3980(exxon mobil corporation制)，乙酸乙烯酯含量为10 质量％以上且30质量％以下的eva树脂(第2eva树脂)为evaflex(注册商 标)p1007(dow-mitsui polychemicals co.,ltd.制))。
[0280]
需要说明的是，b层中，弹性体树脂和第2eva树脂以弹性体树脂的质量 与第2eva树脂的质量的比(第2eva树脂/弹性体树脂)w1成为0.4的方式(即， 成为vistamaxx：evaflex＝7：3的方式)混合。
[0281]
前述挤出成形在模具温度190℃下进行。即，a层及b层在190℃下进行 挤出成形。通过挤出成形得到的基材的厚度为120μm。需要说明的是，a层 及b层的厚度的比(层厚比)为a层：b层＝1：20。
[0282]
使成形的基材充分固化后，以b层成为作为最内侧的层的最内层的方式 将固化后的基材卷取成卷状而制成卷状体。
[0283]
需要说明的是，实施例5的基材的厚度通过使用千分表(peacock公司 制、型号r-205)测定随机选择的任意5点的厚度并对这些厚度进行算术平均 来求出。
[0284]
另外，a层及b层的厚度如实施例1中所说明那样通过用sem观察基材的 截面来测定。
[0285]
《切割带的制作》
[0286]
与实施例1同样地操作，制作实施例5的切割带。
[0287]
《切割芯片接合薄膜的制作》
[0288]
与实施例1同样地操作，制作实施例5的切割芯片接合薄膜。
[0289]
[实施例6]
[0290]
《基材(半导体晶圆搭载用基材)的成形》
[0291]
使用2种3层挤出t模成形机，成形为具有a层/b层/c层的3层结构(以b 层为中心层、在b层的两面层叠作为外层的a层及c层而成的3层结构。需要 说明的是，a层为前述第1层，b层为前述第2层，c层为前述第3层)的基材。
[0292]
a层及c层的树脂中，使用茂金属pp树脂(商品名：wintec wxk1223、 japan polypropylene corporation制)，使该茂金属pp树脂含有抗静电剂20质 量％。
[0293]
b层的树脂中，使用弹性体树脂与乙酸乙烯酯含量为10质量％以上且30 质量％以下的eva树脂的混合树脂(弹性体树脂为作为丙烯系弹性体树脂的 vistamaxx 3980(exxon mobil corporation制)，乙酸乙烯酯含量为10质量％ 以上且30质量％以下的eva树脂(第2eva树脂)为evaflex(注册商标)p1007 (dow-mitsui polychemicals co.,ltd.制))。
[0294]
需要说明的是，b层中，弹性体树脂和第2eva树脂以弹性体树脂的质量 与第2eva树脂的质量的比(第2eva树脂/弹性体树脂)w1成为0.4的方式(即， 成为vistamaxx：evaflex＝7：3的方式)混合。
[0295]
前述挤出成形在模具温度190℃下进行。即，a层、b层、及c层在190℃ 下挤出成形。通过挤出成形得到的基材的厚度为110μm。需要说明的是，a 层、b层、及c层的厚度的比(层厚比)为a层：b层：c层＝1：15：1。
[0296]
使成形的基材充分固化后，以c层成为作为最内侧的层的最内层的方式 将固化后的基材卷取成卷状而制成卷状体。
[0297]
需要说明的是，实施例1的基材的厚度通过使用千分表(peacock公司 制、型号r-205)测定随机选择的任意5点的厚度并对这些厚度进行算术平均 来求出。
[0298]
另外，a层、b层、及c层的厚度如实施例1中所说明那样通过用sem观 察基材的截面来测定。
[0299]
《切割带的制作》
[0300]
与实施例1同样地操作，制作实施例6的切割带。
[0301]
《切割芯片接合薄膜的制作》
[0302]
与实施例1同样地操作，制作实施例6的切割芯片接合薄膜。
[0303]
[实施例7]
[0304]
《基材(半导体晶圆搭载用基材)的成形》
[0305]
使用2种3层挤出t模成形机，成形为具有a层/b层/c层的3层结构(以b 层为中心层、在b层的两面层叠作为外层的a层及c层而成的3层结构。需要 说明的是，a层为前述第1层，b层为前述第2层，c层为前述第3层)的基材。
[0306]
a层及c层的树脂中，使用茂金属pp树脂与离子键树脂的混合树脂(茂 金属pp树脂为wintec wxk1223(japan polypropylene corporation制)。)， 使该混合树脂含有抗静电剂20质量％。
[0307]
b层的树脂中，使用弹性体树脂与乙酸乙烯酯含量为10质量％以上且30 质量％以下的eva树脂的混合树脂(弹性体树脂为作为丙烯系弹性体树脂的 vistamaxx 3980(exxon mobil corporation制)，乙酸乙烯酯含量为10质量％ 以上且30质量％以下的eva树脂(第2eva树脂)为evaflex(注册商标)p1007 (dow-mitsui polychemicals co.,ltd.制))。
[0308]
需要说明的是，a层及c层中，茂金属pp树脂和离子键树脂以茂金属pp 树脂的质量与离子键树脂的质量的比(离子键树脂/茂金属pp树脂)w2成为0.4的方式混合。
[0309]
另外，b层中，弹性体树脂和第2eva树脂以弹性体树脂的质量与第2eva 树脂的质量的比(第2eva树脂/弹性体树脂)w1成为0.4的方式(即，成为 vistamaxx：evaflex＝7：3的方式)混合。
[0310]
前述挤出成形在模具温度190℃下进行。即，a层、b层、及c层在190℃ 下挤出成形。通过挤出成形得到的基材的厚度为110μm。需要说明的是，a 层、b层、及c层的厚度的比(层厚比)为a层：b层：c层＝1：10：1。
[0311]
使成形的基材充分固化后，以c层成为作为最内侧的层的最内层的方式 将固化后的基材卷取成卷状而制成卷状体。
[0312]
需要说明的是，实施例1的基材的厚度通过使用千分表(peacock公司 制、型号r-205)测定随机选择的任意5点的厚度并对这些厚度进行算术平均 来求出。
[0313]
另外，a层、b层、及c层的厚度如实施例1中所说明那样通过用sem观 察基材的截面来测定。
[0314]
《切割带的制作》
[0315]
与实施例1同样地操作，制作实施例7的切割带。
[0316]
《切割芯片接合薄膜的制作》
[0317]
与实施例1同样地操作，制作实施例7的切割芯片接合薄膜。
[0318]
[实施例8]
[0319]
《基材(半导体晶圆搭载用基材)的成形》
[0320]
使用单层挤出t模成形机，成形为单层结构的基材。
[0321]
作为构成单层的树脂，使用乙酸乙烯酯含量为10质量％的eva树脂。
[0322]
前述挤出成形在模具温度190℃下进行。通过挤出成形得到的基材的厚 度为125μm。
[0323]
使成形的基材充分固化后，将固化后的基材卷取成卷状而制成卷状体。
[0324]
需要说明的是，实施例8的基材的厚度通过使用千分表(peacock公司 制、型号r-205)测定随机选择的任意5点的厚度并对这些厚度进行算术平均 来求出。
[0325]
《切割带的制作》
[0326]
与实施例1同样地操作，制作实施例8的切割带。
[0327]
《切割芯片接合薄膜的制作》
[0328]
与实施例1同样地操作，制作实施例8的切割芯片接合薄膜。
[0329]
[实施例9]
[0330]
《基材(半导体晶圆搭载用基材)的成形》
[0331]
使用2种3层挤出t模成形机，成形为具有a层/b层/c层的3层结构(以b 层为中心层、在b层的两面层叠作为外层的a层及c层而成的3层结构。需要 说明的是，a层为前述第1层，b层为前述第2层，c层为前述第3层)的基材。
[0332]
a层及c层的树脂中，使用茂金属pp树脂(商品名：wintec wxk1223、 japan polypropylene corporation制)，使该茂金属pp树脂含有抗静电剂20质 量％。
[0333]
b层的树脂中，使用乙酸乙烯酯含量为20质量％以上的eva树脂(前述 第1eva树脂。商品名：evaflex(注册商标)ev250、dow-mitsuipolychemicals co.,ltd.制)。
[0334]
前述挤出成形在模具温度190℃下进行。即，a层、b层、及c层在190℃ 下挤出成形。通过挤出成形得到的基材的厚度为100μm。需要说明的是，a 层、b层及c层的厚度的比(层厚比)为a层：b层：c层＝1：10：1。
[0335]
使成形的基材充分固化后，以c层成为作为最内侧的层的最内层的方式 将固化后的基材卷取成卷状而制成卷状体。
[0336]
需要说明的是，实施例9的基材的厚度通过使用千分表(peacock公司 制、型号r-205)测定随机选择的任意5点的厚度并对这些厚度进行算术平均 来求出。
[0337]
另外，a层、b层及c层的厚度如实施例1中所说明那样通过用sem观察 基材的截面来测定。
[0338]
《切割带的制作》
[0339]
与实施例1同样地操作，制作实施例9的切割带。
[0340]
《切割芯片接合薄膜的制作》
[0341]
与实施例1同样地操作，制作实施例9的切割芯片接合薄膜。
[0342]
[比较例1]
[0343]
《基材(半导体晶圆搭载用基材)的成形》
[0344]
使用2种3层挤出t模成形机，成形为具有a层/b层/c层的3层结构(以b 层为中心层、在b层的两面层叠作为外层的a层及c层而成的3层结构。需要 说明的是，a层为前述第1层，b层为前述第2层，c层为前述第3层)的基材。
[0345]
a层及c层的树脂中，使用茂金属pp树脂(商品名：wintec wxk1223、 japan polypropylene corporation制)，使该茂金属pp树脂含有抗静电剂20质 量％。
[0346]
b层的树脂中，使用乙酸乙烯酯含量为20质量％以上的eva树脂(前述 第1eva树脂。商品名：evaflex(注册商标)ev250、dow-mitsuipolychemicals co.,ltd.制)。
[0347]
前述挤出成形在模具温度190℃下进行。即，a层、b层及c层在190℃下 挤出成形。通过挤出成形得到的基材的厚度为80μm。需要说明的是，a层、 b层及c层的厚度的比(层厚比)为a层：b层：c层＝1：10：1。
[0348]
使成形的基材充分固化后，以c层成为作为最内侧的层的最内层的方式 将固化后的基材卷取成卷状而制成卷状体。
[0349]
需要说明的是，实施例9的基材的厚度通过使用千分表(peacock公司 制、型号r-205)测定随机选择的任意5点的厚度并对这些厚度进行算术平均 来求出。
[0350]
另外，a层、b层及c层的厚度如实施例1中所说明那样通过用sem观察 基材的截面来测定。
[0351]
《切割带的制作》
[0352]
与实施例1同样地操作，制作比较例1的切割带。
[0353]
《切割芯片接合薄膜的制作》
[0354]
与实施例1同样地操作，制作比较例1的切割芯片接合薄膜。
[0355]
[比较例2]
[0356]
《基材(半导体晶圆搭载用基材)的成形》
[0357]
使用2种3层挤出t模成形机，成形为具有a层/b层/c层的3层结构(以b 层为中心层、在b层的两面层叠作为外层的a层及c层而成的3层结构。需要 说明的是，a层为前述第1层，b层为前述第2层，c层为前述第3层)的基材。
[0358]
a层及c层的树脂中，使用茂金属pp树脂(商品名：wintec wxk1223、 japan polypropylene corporation制)，使该茂金属pp树脂含有抗静电剂20质 量％。
[0359]
b层的树脂中，使用弹性体树脂与乙酸乙烯酯含量为10质量％以上且30 质量％以下的eva树脂的混合树脂(弹性体树脂为作为丙烯系弹性体树脂的 vistamaxx 3980(exxon mobil corporation制)，乙酸乙烯酯含量为10质量％ 以上且30质量％以下的eva树脂(第2eva树脂)为evaflex(注册商标)p1007 (dow-mitsui polychemicals co.,ltd.制))。
[0360]
需要说明的是，b层中，弹性体树脂和第2eva树脂以弹性体树脂的质量 与第2eva树脂的质量的比(第2eva树脂/弹性体树脂)w1成为0.4的方式混 合。
[0361]
前述挤出成形在模具温度190℃下进行。即，a层、b层及c层在190℃下 挤出成形。通过挤出成形得到的基材的厚度为110μm。需要说明的是，a层、b层及c层的厚度的比(层厚比)为a层：b层：c层＝1：5：1。
[0362]
使成形的基材充分固化后，以c层成为作为最内侧的层的最内层的方式 将固化后
的基材卷取成卷状而制成卷状体。
[0363]
需要说明的是，实施例1的基材的厚度通过使用千分表(peacock公司 制、型号r-205)测定随机选择的任意5点的厚度并对这些厚度进行算术平均 来求出。
[0364]
另外，a层、b层及c层的厚度如实施例1中所说明那样通过用sem观察 基材的截面来测定。
[0365]
《切割带的制作》
[0366]
与实施例1同样地操作，制作比较例2的切割带。
[0367]
《切割芯片接合薄膜的制作》
[0368]
与实施例1同样地操作，制作比较例2的切割芯片接合薄膜。
[0369]
(在-15℃下的断裂伸长率及断裂强度)
[0370]
对各例的基材测定在-15℃下的断裂伸长率及断裂强度。
[0371]
在-15℃下的断裂伸长率及在-15℃下的断裂强度如下来求出。
[0372]
关于断裂伸长率，详细而言，将长度120mm(测定长度。l0)、宽度10mm 的切割带作为试验片，使用拉伸试验机(autograph ag-is、岛津制作所制)， 在温度-15℃、卡盘间距离50mm、及拉伸速度1000mm/分钟的条件下，将上 述试验片沿长度方向进行拉伸，测定上述试验片断裂时的长度(l1)。
[0373]
然后，基于下式，算出在-15℃下的断裂伸长率e。
[0374]
断裂伸长率e＝(l
1-l0)/l0×
100
[0375]
另外，关于断裂强度，使用上述试验片及上述拉伸试验机在与上述相同 的条件下进行拉伸试验，此时，测定在上述试验片断裂时施加的力，由此求 出。
[0376]
将对各例的基材测定的断裂伸长率及断裂强度的值示于以下的表1。
[0377]
(芯片接合层的割断性及基材的破损)
[0378]
在各例的切割芯片接合薄膜上贴附半导体晶圆(平面尺寸12英寸 (300mm)、厚度0.060mm。该半导体晶圆通过dbg被割断成具有长度10mm
×ꢀ
宽度5mm的大小的多个半导体芯片)及切割环。接着，使用芯片分离装置 dds2300(disco inc.制)，进行半导体晶圆及芯片接合层的割断(主要为 芯片接合层的割断)，对芯片接合层的割断性及基材的破损进行评价。
[0379]
需要说明的是，对于半导体晶圆，通过上述割断被分割为经dbg割断的 半导体芯片的大小(长度10mm
×
宽度5mm
×
厚度0.060mm)。
[0380]
对于芯片接合层的割断性，详细而言，如下来评价。
[0381]
首先，使用冷扩展机构，在扩展温度-15℃、扩展速度200mm/秒、扩展 量15mm的条件下将半导体晶圆及芯片接合层割断，得到带芯片接合层的半 导体芯片。
[0382]
接着，在室温、扩展速度1mm/秒、扩展量7mm的条件下进行扩展。然 后，在维持扩展状态下在加热温度250℃、加热距离20mm、旋转速度5
°
/sec 的条件下，使与裸晶圆的外周缘的边界部分的切割芯片接合薄膜热收缩。
[0383]
接着，通过显微镜观察对带芯片接合层的半导体芯片的割断部进行观察， 算出割断率。然后，将割断率为90％以上的情况评价为“优”，将割断率为80％ 以上且不足90％的情况评价为“良”，将割断率不足80％的情况评价为“不可”。
[0384]
另外，关于基材的破损，使用冷扩展机构，得到带芯片接合层的半导体 芯片后，通
过目视观察基材，将基材完全未产生破损者评价为“优”，将基材 局部伸长者评价为“良”，将产生裂纹者评价为“不可”。
[0385]
关于针对各例对芯片接合层的割断性及基材的破损进行评价而得到的 结果，示于以下的表1。
[0386]
(切缝维持性)
[0387]
在各例的切割芯片接合薄膜上贴附半导体晶圆(平面尺寸12英寸(300mm)、厚度0.060mm。该半导体晶圆通过dbg被割断为具有长度10mm
×ꢀ
宽度5mm的大小的多个半导体芯片)及切割环。接着，使用芯片分离装置 dds2300(disco inc.制)，进行半导体晶圆及芯片接合层的割断(主要为 芯片接合层的割断)，对割断后的切缝维持性进行评价。
[0388]
需要说明的是，对于半导体晶圆，通过上述割断，被分割为经dbg割断 的半导体芯片的大小(长度10mm
×
宽度5mm
×
厚度0.060mm)。
[0389]
对于切缝维持性，详细而言，如下来评价。
[0390]
首先，使用冷扩展机构，在扩展温度-15℃、扩展速度200mm/秒、扩展 量15mm的条件下将裸晶圆及芯片接合层割断，得到多个带芯片接合层的半 导体芯片。
[0391]
接着，在室温、扩展速度1mm/秒、扩展量7mm的条件下进行常温扩展。 然后，在维持扩展状态下在加热温度250℃、加热距离20mm、旋转速度5
°
/sec 的条件下，使与裸晶圆的外周缘的边界部分的切割芯片接合薄膜热收缩。
[0392]
接着，使用数码显微镜(vhx-6000、keyence corporation制) 进行切缝的测定。详细而言，在加热扩展结束后(热收缩后)，用数码显微 镜对割断的部分中的一个芯片与另一个芯片的间隔(以下，也称为间隔长度) 进行观察，测定间隔长度。对于间隔长度，在任意选择的5个部位，分别对 md方向及td方向进行测定。作为切缝，采用间隔长度的测定值中的最小值。
[0393]
并且，切缝为30μm以上时，评价为“优”(充分维持了切缝)，切缝为20μm 以上且小于30μm时，评价为“良”(维持了切缝，但不充分)，切缝为20μm 以下时，评价为“不可”(切缝不充分)。
[0394]
需要说明的是，上述任意选择的5个部位是圆形晶圆的最外周部分，是 在圆周方向上彼此距离约90
°
的4个部位及前述圆形晶圆的中央附近。
[0395]
[表1]
[0396][0397]
根据表1可知，实施例1～9中，芯片接合层的割断性的评价均为“优”或
ꢀ“
良”，没有看到“不可”的评价，而比较例1中，芯片接合层的割断性的评价为
ꢀ“
不可”。
[0398]
另外，根据表1可知，实施例1～9中，基材的破损的评价均为“优”或“良”， 没有看到“不可”的评价，而比较例2中，基材的破损的评价为“不可”。
[0399]
根据该结果可知，通过使基材在-15℃下的断裂伸长率为300％以上、并 且在-15℃下的断裂强度为20n以上，能够兼顾切割带的割断性的提高和基材 的破损的抑制。
[0400]
另外，实施例1～9中，关于切缝的维持性的评价，均为“优”或“良”，没 看到“不可”的评价。
[0401]
由此可知，实施例1～9中，关于切缝的维持性也比较良好。