蚀刻液组合物和显示面板及其制备方法与流程

1.本技术涉及显示技术领域，具体涉及一种蚀刻液组合物和显示面板及其制备方法。


背景技术：

2.随显示面板通常包括基板和设置于基板上的铜钼叠金属层，蚀刻铜钼叠金属层的蚀刻液通常为含有氟的蚀刻液，如含氟的双氧水系蚀刻液，而采用含氟的双氧水系蚀刻液蚀刻铜钼叠金属层的同时，会对基板等其他膜层造成损伤，从而影响器件的性能。


技术实现要素：

3.本技术实施例提供一种蚀刻液组合物和显示面板，以解决含氟蚀刻液对铜钼叠金属层以外的膜层造成损伤的问题。
4.本技术提供一种蚀刻液组合物，所述蚀刻液组合物包括过氧化氢、螯合剂、辅助螯合剂、腐蚀抑制剂、蚀刻剂、ph调节剂以及水，所述辅助螯合剂为羧基酸。
5.可选的，在本技术的一些实施例中，以所述蚀刻液组合物的总重量为100％计，所述过氧化氢的重量为15-25％，所述螯合剂的重量为0.5-3％，所述辅助螯合剂的重量为0.1-3％，所述腐蚀抑制剂为0.01-2％，所述蚀刻剂的重量为0.01-5％，所述ph调节剂的重量为0.05-2％，余量为所述水。
6.可选的，在本技术的一些实施例中，以所述蚀刻液组合物的总重量为100％计，所述过氧化氢的重量为19-23％，所述螯合剂的重量为1-2％，所述辅助螯合剂的重量为0.5-2％，所述腐蚀抑制剂为0.05-1％，所述蚀刻剂的重量为0.1-0.5％，所述ph调节剂的重量为0.1-2％，余量为所述水。
7.可选的，在本技术的一些实施例中，所述辅助螯合剂为至少含有一个羧基且不含氮原子的有机酸。
8.可选的，在本技术的一些实施例中，所述至少含有一个羧基且不含氮原子的有机酸包括柠檬酸、乙醇酸、蓚酸、丙二酸、戊酸、丙酸、果酸、葡萄糖酸和丁二酸中的一种或几种组合。
9.可选的，在本技术的一些实施例中，所述螯合剂为配位化合物，所述腐蚀抑制剂为唑类化合物，所述蚀刻剂为磷酸类化合物和磷酸盐类化合物中的一种或两种组合，所述ph调节剂为含有氢氧根离子的化合物。
10.可选的，在本技术的一些实施例中，所述螯合剂包括亚氨基二乙酸、氨三乙酸、乙二胺四乙酸、二乙基内硝基乙酸、氨基三亚(甲基磷酸)、(1-羟基乙烷-1，1-二烯化合物)双(磷酸)、乙基二胺四(甲基磷酸)、二亚乙基三胺五(甲基磷酸)、丙氨酸、谷氨酸、氨基丁酸和甘氨酸中的一种或几种组合，所述腐蚀抑制剂包括3-氨基-1，2，3-三唑、3-氨基-1，2，4-三唑、4-氨基-1，2，3-三唑、4-氨基-1，2，4-三唑、5-甲基四唑、5-氨基四唑、咪唑和吡唑中的一种或几种组合，所述蚀刻剂包括磷酸、亚磷酸、次磷酸和焦磷酸中的一种或几种组合，所述
ph调节剂包括氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化铵中的一种或几种组合。
11.本技术还提供一种显示面板的制备方法，包括：
12.提供一基板；
13.在所述基板上形成铜钼叠层；
14.采用如上所述的蚀刻液组合物蚀刻所述铜钼叠层，形成间隔设置的铜钼叠部。
15.本技术还提供一种显示面板，所述显示面板包括基板和间隔设置于所述基板上的铜钼叠部。
16.可选的，在本技术的一些实施例中，所述铜钼叠部的侧壁与所述基板的锐角为50-80度。
17.本技术提供一种蚀刻液组合物和显示面板及其制备方法，蚀刻液组合物包括过氧化氢、螯合剂、辅助螯合剂、腐蚀抑制剂、蚀刻剂、ph调节剂以及水，辅助螯合剂为羧基酸。在本技术中，通过将羧基酸加入蚀刻液组合物中，形成不含氟的蚀刻液组合物，避免蚀刻液组合物对膜层造成损伤，同时，对铜钼叠层具有良好的蚀刻性能，且提高蚀刻液组合物的稳定性。
附图说明
18.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
19.图1是本技术实施例提供的显示面板制备方法的流程示意图。
20.图2是本技术实施例提供的显示面板的正面扫描电子显示微镜示意图。
21.图3是本技术实施例提供的显示面板的侧面扫描电子显示微镜示意图。
具体实施方式
22.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。在本技术中，“反应”可以为化学反应或物理反应。
23.本技术提供一种蚀刻液组合物和显示面板及其制备方法，蚀刻液组合物包括过氧化氢、螯合剂、辅助螯合剂、腐蚀抑制剂、蚀刻剂、ph调节剂以及水，辅助螯合剂为羧基酸。
24.在本技术中，通过将羧基酸加入蚀刻液组合物中，形成不含氟的蚀刻液组合物，从而避免蚀刻液组合物对膜层造成损伤，同时，对铜钼叠层具有良好的蚀刻性能，且提高蚀刻液组合物的稳定性。
25.以下进行详细说明：
26.本技术提供一种蚀刻液组合物，蚀刻液组合物包括过氧化氢、螯合剂、辅助螯合剂、腐蚀抑制剂、蚀刻剂、ph调节剂以及水。
27.在一实施例中，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，过氧化氢的重量为15-25％。具体的，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，过氧化氢的重量可以为15％、17％、20％、23％或25％等。在本技术中，将过氧化氢的重量设置为15-25％，使得蚀刻液组合物在蚀刻铜钼叠层时，可以提高蚀刻效率，从而提高蚀刻液组合物的性能。
28.在一实施例中，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，过氧化氢的重量为19-23％。具体的，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，过氧化氢的重量可以为19％、20％、22％或23％等。在本技术中，将过氧化氢的重量设置为19-23％，使得蚀刻液组合物在蚀刻铜钼叠层时，可以进一步提高蚀刻效率，从而进一步提高蚀刻液组合物的性能。
29.螯合剂为配位化合物。具体的，螯合剂包括亚氨基二乙酸、氨三乙酸、乙二胺四乙酸、二乙基内硝基乙酸、氨基三亚(甲基磷酸)、(1-羟基乙烷-1，1-二烯化合物)双(磷酸)、乙基二胺四(甲基磷酸)、二亚乙基三胺五(甲基磷酸)、丙氨酸、谷氨酸、氨基丁酸和甘氨酸中的一种或几种组合。
30.在本技术中，在蚀刻液组合物中加入螯合剂，且螯合剂为配位化合物，使得螯合剂可以抑制过氧化氢的分解，钝化蚀刻制程中产生的金属离子，从而提高蚀刻液组合物的稳定性。
31.在一实施例中，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，螯合剂的重量为0.5-3％。具体的，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，螯合剂的重量可以为0.5％、1％、2％或3％等。在本技术中，将螯合剂的重量为0.5-3％，进一步钝化蚀刻制程中产生的金属离子，从而进一步提高蚀刻液组合物的稳定性。
32.在一实施例中，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，螯合剂的重量为1-2％。具体的，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，螯合剂的重量可以为1.5％、1.7％、1.9％或2％等。在本技术中，将螯合剂的重量为1-2％，进一步钝化蚀刻制程中产生的金属离子，从而进一步提高蚀刻液组合物的稳定性。
33.辅助螯合剂为羧基酸。具体的，辅助螯合剂为至少含有一个羧基且不含氮原子的有机酸。进一步的，至少含有一个羧基且不含氮原子的有机酸包括柠檬酸、乙醇酸、蓚酸、丙二酸、戊酸、丙酸、果酸、葡萄糖酸和丁二酸中的一种或几种组合。
34.在本技术中，在蚀刻液组合物中加入辅助螯合剂，且辅助螯合剂为羧基酸，避免蚀刻液组合物在蚀刻过程中，金属离子增加时，如铜离子或钼离子，保证蚀刻液组合物的稳定性。
35.在一实施例中，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，辅助螯合剂的重量为0.1-3％。具体的，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，辅助螯合剂的重量可以为0.1％、0.5％、1％、2％或3％等。在本技术中，辅助螯合剂的重量设置为0.1-3％，可以提高蚀刻液组合物的稳定性，使得蚀刻液组合物在蚀刻铜钼叠层时，具有较好的蚀刻轮廓。
36.在一实施例中，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，辅助螯合剂的重量为0.5-2％。具体的，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，辅助螯合剂的重量可以为0.5％、1％、1.2％或2％等。在本技术中，辅助螯合剂的重量设置为0.5-2％，可以进一步提高蚀刻液组合物的稳定性，进一步使得蚀刻液组合物在蚀刻铜钼叠层时，具有较好的蚀刻轮廓。
37.腐蚀抑制剂为唑类化合物。具体的，腐蚀抑制剂包括3-氨基-1，2，3-三唑、3-氨基-1，2，4-三唑、4-氨基-1，2，3-三唑、4-氨基-1，2，4-三唑、5-甲基四唑、5-氨基四唑、咪唑和吡唑中的一种或几种组合。在本技术中，在蚀刻液组合物中加入腐蚀抑制剂，且腐蚀抑制剂为唑类化合物，可以提高蚀刻液组合物的稳定性以及提高蚀刻效率，从而提高蚀刻液组合物的性能。
38.在一实施例中，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，腐蚀抑制剂为0.01-2％。具体的，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，腐蚀抑制剂可以为0.01％、0.5％、1％或2％等。在本技术中，将腐蚀抑制剂设置为0.01-2％，可以提高蚀刻液组合物的稳定性以及提高蚀刻效率，从而提高蚀刻液组合物的性能，使得蚀刻液组合物在蚀刻铜钼叠层时，减小铜钼叠层的临界偏差(critical dimension bias,cd bias)，使得铜钼叠层具有良好蚀刻轮廓。
39.在一实施例中，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，腐蚀抑制剂为0.05-1％。具体的，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，腐蚀抑制剂可以为0.05％、0.5％、1.5％或1％等。在本技术中，将腐蚀抑制剂设置为0.05-1％，可以进一步提高蚀刻液组合物的稳定性以及提高蚀刻效率，从而进一步提高蚀刻液组合物的性能，使得蚀刻液组合物在蚀刻铜钼叠层时，减小铜钼叠层的临界偏差，进一步使得铜钼叠层具有良好蚀刻轮廓。
40.在一实施例中，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，腐蚀抑制剂为0.05-0.5％。具体的，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，腐蚀抑制剂可以为0.05％、0.08％、0.2％或0.5％等。在本技术中，将腐蚀抑制剂设置为0.05-0.5％，可以进一步提高蚀刻液组合物的稳定性以及提高蚀刻效率，从而进一步提高蚀刻液组合物的性能，使得蚀刻液组合物在蚀刻铜钼叠层时，减小铜钼叠层的临界偏差，进一步使得铜钼叠层具有良好蚀刻轮廓。
41.蚀刻剂为磷酸类化合物和磷酸盐类化合物中的一种或两种组合。具体的，蚀刻剂包括磷酸、亚磷酸、次磷酸和焦磷酸中的一种或几种组合。在本技术中，在蚀刻液组合物中加入蚀刻剂提高了蚀刻液组合物在蚀刻时的蚀刻效率以及稳定性，从而提高了蚀刻液组合物的性能。
42.在一实施例中，磷酸类化合物与磷酸盐类化合物混合时，磷酸类化合物与磷酸盐类化合物重量比为2-3:1。在本技术中，磷酸类化合物与磷酸盐类化合物混合时，磷酸类化合物与磷酸盐类化合物重量比设置为2-3:1，其置换后，可以稳定的抑制ph，同时，保证蚀刻液组合物蚀刻效率的稳定性。
43.在一实施例中，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，蚀刻剂的重量为0.1-0.5％。具体的，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，蚀刻剂的重量为0.1％、0.3％或0.5％等。在本技术中，蚀刻剂的重量设置为0.1-0.5％，可以提高蚀刻液的蚀刻效率，从而提高蚀刻液组合物的蚀刻性能。
44.在一实施例中，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，蚀刻剂的重量为0.1-0.5％。具体的，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，蚀刻剂的重量为0.1％、0.3％或0.5％等。在本技术中，蚀刻剂的重量设置为0.1-0.5％，可以进一步提高蚀刻液的蚀刻效率，从而进一步提高蚀刻液组合物的蚀刻性能。
45.在一实施例中，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，蚀刻剂的重量为0.3-0.8％。具体的，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，蚀刻剂的重量为0.3％、0.5％或0.8％等。在本技术中，蚀刻剂的重量设置为0.3-0.8％，可以进一步提高蚀刻液的蚀刻效率，从而进一
步提高蚀刻液组合物的蚀刻性能。
46.ph调节剂为含有氢氧根离子的化合物。具体的，ph调节剂包括氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化铵中的一种或几种组合。在本技术中，在蚀刻液组合物中加入ph调节剂可以将蚀刻液组合物的ph控制在特定的范围内，提高蚀刻液组合物的稳定性，同时提高蚀刻液组合物的蚀刻效果以及蚀刻效率，从而提高了蚀刻液组合物的性能。
47.在一实施例中，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，ph调节剂的重量为0.05-2％。具体的，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，ph调节剂的重量可以为0.05％、0.1％、1％、1.5％或2％等。在本技术中，ph调节剂的重量设置为0.05-2％，提高蚀刻液组合物的稳定性，同时提高蚀刻液组合物的蚀刻效果以及蚀刻效率，从而提高了蚀刻液组合物的性能。
48.在一实施例中，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，ph调节剂的重量为0.1-2％。具体的，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，ph调节剂的重量可以为0.1％、1％、1.5％或2％等。在本技术中，ph调节剂的重量设置为0.1-2％，进一步提高蚀刻液组合物的稳定性，同时进一步提高蚀刻液组合物的蚀刻效果以及蚀刻效率，从而进一步提高了蚀刻液组合物的性能。
49.在一实施例中，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，ph调节剂的重量为0.1-1％。具体的，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，ph调节剂的重量可以为0.1％、0.5％、0.8％或1％等。在本技术中，ph调节剂的重量设置为0.1-1％，进一步提高蚀刻液组合物的稳定性，同时进一步提高蚀刻液组合物的蚀刻效果以及蚀刻效率，从而进一步提高了蚀刻液组合物的性能。
50.在一实施例中，蚀刻液组合物还包括稳定剂。稳定剂包括聚醇类化合物。如聚乙二醇。在本技术中，在蚀刻液组合物中加入稳定剂，可以提高蚀刻液组合物的粘度，从而提高蚀刻液组合物的稳定性。
51.在一实施例中，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，稳定剂的重量为0.5-3％。具体的，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，稳定剂的重量可以为0.5％、1％、2％或3％等。在本技术中，将稳定剂的重量设置为0.5-3％，可以提高蚀刻液组合物的粘度，从而提高蚀刻液组合物的稳定性。
52.在一实施例中，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，稳定剂的重量为0.5-1％。具体的，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，稳定剂的重量可以为0.5％、0.6％、0.8％或1％等。在本技术中，将稳定剂的重量设置为0.5-1％，可以进一步提高蚀刻液组合物的粘度，从而进一步提高蚀刻液组合物的稳定性。
53.水为脱离子水或者为非电阻值在18mω
·
cm以上的脱离子水。
54.作为示例，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，蚀刻液组合物包括重量为20％的过氧化氢、重量为2％的二乙基内硝基乙酸、重量为1％的果酸、重量为0.4％的5-氨基四唑、重量为0.7％的磷酸、重量为0.5％的氢氧化钾以及余量为水；或者，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，蚀刻液组合物包括重量为22％的过氧化氢、重量为1.8％的氨基三亚(甲基磷酸)、重量为1.5％的丙二酸、重量为0.1％的5-甲基四唑、重量为0.5％的亚磷酸、重量为0.8％的氢氧化铵以及余量为水。
55.本技术提供的蚀刻液组成物的ph值可以达到4-6。优选的，本技术提供的蚀刻液组成物的ph值可以达到4-5。
56.本技术提供一种蚀刻液组合物和显示面板及其制备方法，蚀刻液组合物包括过氧化氢、螯合剂、辅助螯合剂、腐蚀抑制剂、蚀刻剂、ph调节剂以及水，辅助螯合剂为羧基酸。在本技术中，通过将羧基酸加入蚀刻液组合物中，形成不含氟的蚀刻液组合物，从而避免蚀刻液组合物对膜层造成损伤，同时，对铜钼叠层具有良好的蚀刻性能，且提高蚀刻液组合物的稳定性。
57.本技术还提供一种显示面板的制备方法，包括：
58.b11：提供一基板。
59.b12：在基板上形成铜钼叠层。
60.b13：采用本技术提供的蚀刻液组合物蚀刻铜钼叠层，形成间隔设置的铜钼叠部。
61.请参阅图1，本技术还提供一种显示面板的制备方法，包括：
62.示例1:
63.b11：提供一基板。
64.在一实施例中，在基板上形成有机绝缘层。形成有机绝缘层的方式包括蒸镀或溅射等。然后，在有机绝缘层上形成有源层100。有源层100的材料包括氧化铟镓锌、非晶硅或多晶硅等。以下以有源层100由氧化铟镓锌(igzo)形成为例进行说明。
65.b12：在基板上形成铜钼叠层。
66.在有源层上形成铜钼叠层200，铜钼叠层200包括钼钛层和铜层，铜层设置于钼钛层和钼钛层之间；然后，在铜钼叠层200形成光阻层。
67.在另一实施例中，铜钼叠层可以为两层，一层钼钛层和一层铜层。
68.b13：采用本技术提供的蚀刻液组合物蚀刻铜钼叠层，形成间隔设置的铜钼叠部。
69.具体的，以蚀刻液组合物的总重量为100％计，蚀刻液组合物包括重量为20％的过氧化氢(h2o2)、重量为1％的二乙基内硝基乙酸(dpa)、重量为0.5％的果酸、重量为0.1％的5-氨基四唑(atz)、重量为1％的磷酸(h3po4)、重量为1.5％的氢氧化铵(nh4oh)、重量为0.5％的聚乙二醇(peg)以及余量为水。总蚀刻时间以末点检出(end point detection，epd(将光阻层外面的铜钼叠层刻完))为基准，过刻50％，有源层100的蚀刻时间300s。铜钼叠部200为源漏极。
70.然后，干燥后，用扫描电子显微镜确认铜钼叠部200的蚀刻轮廓。确认铜钼叠部时，从光阻层末端开始到铜钼叠部200残存的区间观察了侧边蚀刻的情况，从下层膜上面观察蚀刻残留物的残留程度。
71.又为了判断是否有源层100出现损伤，使用段差测量仪测量蚀刻后试片的段差。
72.以铜浓度1000ppm(百万分比浓度)为间隔，将铜层溶解后，cd bias、taper变化率超过10％以上，则判定为电解槽寿命为极限。
73.示例2:
74.需要说明的是，示例2与示例1的不同之处在于：以蚀刻液组合物的总重量为100％计，蚀刻液组合物包括重量为20％的过氧化氢(h2o2)、重量为2％的二乙基内硝基乙酸(dpa)、重量为0.5％的果酸、重量为0.1％的5-氨基四唑(atz)、重量为1％的磷酸(h3po4)、重量为1.5％的氢氧化铵(nh4oh)、重量为0.5％的聚乙二醇(peg)以及余量为水。其他与示例1相同，此处不再赘述。
75.示例3:
76.需要说明的是，示例3与示例1的不同之处在于：以蚀刻液组合物的总重量为100％计，蚀刻液组合物包括重量为20％的过氧化氢(h2o2)、重量为2％的二乙基内硝基乙酸(dpa)、重量为0.5％的果酸、重量为0.2％的5-氨基四唑(atz)、重量为1％的磷酸(h3po4)、重量为1.5％的氢氧化铵(nh4oh)、重量为0.5％的聚乙二醇(peg)以及余量为水。其他与示例1相同，此处不再赘述。
77.比较例1：
78.需要说明的是，比较例1与示例1的不同之处在于：以蚀刻液组合物的总重量为100％计，蚀刻液组合物包括重量为20％的过氧化氢(h2o2)、重量为2％的二乙基内硝基乙酸(dpa)、重量为0.5％的果酸、重量为0.2％的5-氨基四唑(atz)、重量为1％的磷酸(h3po4)、重量为1.5％的氢氧化铵(nh4oh)、重量为0.5％的聚乙二醇(peg)、重量为0.05％的nh4hf以及余量为水。其他与示例1相同，此处不再赘述。
79.比较例2：需要说明的是，比较例2与示例1的不同之处在于：以蚀刻液组合物的总重量为100％计，蚀刻液组合物包括重量为20％的过氧化氢(h2o2)、重量为2％的二乙基内硝基乙酸(dpa)、重量为0.5％的果酸、重量为0.2％的5-氨基四唑(atz)、重量为1％的磷酸(h3po4)、重量为0.5％的聚乙二醇(peg)以及余量为水。其他与示例1相同，此处不再赘述。
80.比较例3：
81.需要说明的是，比较例3与示例1的不同之处在于：以蚀刻液组合物的总重量为100％计，蚀刻液组合物包括重量为20％的过氧化氢(h2o2)、重量为2％的二乙基内硝基乙酸(dpa)、重量为0.2％的5-氨基四唑(atz)、重量为1％的磷酸(h3po4)、重量为1.5％的氢氧化铵(nh4oh)以及余量为水。其他与示例1相同，此处不再赘述。
82.比较例4：
83.需要说明的是，比较例4与示例1的不同之处在于：以蚀刻液组合物的总重量为100％计，蚀刻液组合物包括重量为20％的过氧化氢(h2o2)、重量为2％的二乙基内硝基乙酸(dpa)、重量为0.5％的果酸、重量为0.2％的5-氨基四唑(atz)、重量为1％的磷酸(h3po4)、重量为3％的氢氧化铵(nh4oh)以及余量为水。其他与示例1相同，此处不再赘述。
84.请参阅表1，表1为示例1-示例3的蚀刻液组合物的组成成分和比较例1-比较例4的蚀刻液组合物的组成成分。
85.表1：
[0086][0087][0088]
需要说明的是，表中
“‑”
表示没有改组分。
[0089]
请参阅表2，表2为采用表1中示例1-示例3的蚀刻液组合物的组成成分和比较例1-比较例4的蚀刻液组合物的组成成分蚀刻铜钼叠层的数据。
[0090]
表2：
[0091][0092]
由表1和表2可知，本技术提供的蚀刻液组合物与现有技术中双氧水系蚀刻液相比，本技术的蚀刻液组合物即使不包含可以蚀刻钼钛层的氟化合物，其也比现有技术中的双氧水系蚀刻液ph高，现有技术中的双氧水系蚀刻液ph为1-3。
[0093]
示例1的蚀刻液组合物与比较例2的蚀刻液组合物相比，示例1的蚀刻液组合物的epd为143s，比较例2的蚀刻液组合物的epd为143s，由此可知，本技术提供的蚀刻液组合物蚀刻moti/cu/moti三层金属膜的蚀刻速度是相同，且moti和cu都可以有效的蚀刻。
[0094]
请参阅图2和图3，使用示例2的蚀刻液组成物蚀刻moti/cu/moti三层金属膜，与使用比较例4的蚀刻液组成物相比，上层钼钛层尾巴为0.0477μm，其残留在上层钼钛层尾巴在0.05
±
0.02μm区间，moti残发生较少。同时，cd bias为0.6622μm，cd bias在0.6-0.8μm区间。由此可知，采用本技术提供的蚀刻液组合物蚀刻moti/cu/moti，其获得蚀刻轮廓比采用现有技术中的蚀刻液组合物蚀刻效果更好。
[0095]
上层钼钛层尾巴残留在0.05
±
0.02μm区间，moti残发生较少，意味着蚀刻轮廓好。
[0096]
另外，测试有无igzo损伤的结果，本技术的蚀刻液组成物的igzo的段差与比较例2相比，igzo损伤减少了很多，igzo损伤＜/s，在段差测量仪上几乎测不出来，由此可知，采用本技术提供的蚀刻液组成物可以蚀刻铜钼叠层的同时，不会损伤有源层100。
[0097]
根据比较例2和示例3可知，在其他条件全都相同的状态下只改变了ph调节剂的含量时，igzo损伤的结果是不同的，由此可知，ph越低上层钼钛层尾巴减小，igzo损伤减小。
[0098]
另外，评估蚀刻液组成物的电解槽寿命的结果，比较示例1和示例2，其他条件全部相同，只改变了螯合剂的含量。铜金属浓度的电解槽寿命分别为1000ppm，3000ppm，因此，选择合适的螯合剂含量时，在高ph的时候，采用本技术提供的蚀刻液组合物蚀刻铜钼叠层，其蚀刻效果稳定。
[0099]
根据比较例1和示例1可知，现有技术中的蚀刻液组合物的ph调节到本技术ph的范围内后，比较例1含有氟化合物时，igzo出现损伤，而本技术的蚀刻液组成物在ph值下，igzo没有出现损伤。
[0100]
综上所述，采用本技术提供的蚀刻液组成物蚀刻铜钼叠层，不会造成基板或有源层100的损伤的同时，能够保证蚀刻液组合物的使用寿命，有助于提高生产效率，且降低生产成本，即使不含氟化合物，也可以对多层铜钼叠层进行整体蚀刻，且没有钼系膜层的残留。
[0101]
请继续参阅图2，本技术还提供一种显示面板，显示面板包括基板和间隔设置于基板上的铜钼叠部200。
[0102]
在一实施例中，铜钼叠部200的侧壁与基板的锐角a为50-80度。在本实施例中锐角a为66.4820度。
[0103]
本技术提供一种蚀刻液组合物和显示面板及其制备方法，蚀刻液组合物包括过氧化氢、螯合剂、辅助螯合剂、腐蚀抑制剂、蚀刻剂、ph调节剂以及水，辅助螯合剂为羧基酸。在本技术中，通过将羧基酸加入蚀刻液组合物中，形成不含氟的蚀刻液组合物，采用该蚀刻液组合物蚀刻铜钼叠层，没有钼系金属层的残留，且该蚀刻液组合物不会对膜层造成损伤，提高蚀刻液组合物的稳定性。
[0104]
以上对本技术实施例所提供的一种蚀刻液组合物和显示面板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。