显示装置的制作方法

显示装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年11月25日向韩国知识产权局提交的第10-2020-0160018号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请出于所有目的通过援引据此并入，如同在本文中完全阐述一样。
技术领域
3.实施方案总体上涉及显示装置，并且更具体地，涉及包括具有不同结构的发光元件的显示装置。


背景技术：

4.已经开发了用于多媒体装置(例如电视机、蜂窝电话、平板计算机、导航系统和游戏控制台)中的各种显示装置。这些显示装置包括通过使用发光材料发射光的发光元件(例如，自发光显示元件)以显示图像。
5.具体地，发光元件使分别从第一电极和第二电极注入的空穴和电子在其发射层中复合以产生激子，并且使产生的激子降低至基态以发射光。
6.对于发光元件至显示装置的应用，需要改善发光元件的发光效率和使用寿命，并且不断地需要开发稳定地满足要求的发光元件。
7.本背景技术章节中公开的以上信息仅用于对本发明构思的背景的理解，并且因此它可以含有不构成现有技术的信息。


技术实现要素：

8.根据本发明的原理构造的显示装置能够通过提供包括具有改善的发光效率和使用寿命的发光元件的显示面板来增加和改善显示装置的使用寿命和发光效率。
9.本发明构思的其它特征将在以下描述中阐述，并且在某种程度上根据所述描述将是显而易见的，或者可以通过本发明构思的实践而获悉。
10.根据本发明的方面，显示装置包括：上显示衬底，其包括配置成发射具有第一波长区的第一光的第一像素区、配置成发射具有不同于所述第一光的所述第一波长区的第二波长区的第二光的第二像素区和配置成发射具有不同于所述第一光的所述第一波长区和所述第二光的所述第二波长区的第三波长区的第三光的第三像素区；以及下显示衬底，其包括设置成重叠所述第一像素区的第一发光元件、设置成重叠所述第二像素区的第二发光元件和设置成重叠所述第三像素区的第三发光元件，以及所述第二发光元件包括配置成发射所述第二光的一个或多于一个的第一堆叠体，所述一个或多于一个的第一堆叠体包括多个有机层，以及所述第三发光元件包括配置成发射所述第三光的一个或多于一个的第二堆叠体，所述一个或多于一个的第二堆叠体包括多个有机层，以及所述一个或多于一个的第一堆叠体包括第一空穴传输区、第一发射层和第一电子传输区，以及所述一个或多于一个的第二堆叠体包括第二空穴传输区、第二发射层和第二电子传输区，以及包含在所述第一电
子传输区中的传导材料的浓度高于包含在所述第二电子传输区中的传导材料的浓度。
11.所述第一电子传输区可以包括第一电子传输层，所述第二电子传输区可以包括第二电子传输层，以及包含在所述第一电子传输层中的传导材料的浓度可以高于包含在所述第二电子传输层中的传导材料的浓度。
12.所述传导材料可以是p-型掺杂剂。
13.所述传导材料可以包括4-[[2,3-双[氰基-(4-氰基-2,3,5,6-四氟苯基)亚甲基]亚环丙基]-氰基甲基]-2,3,5,6-四氟苄腈(ndp-9)、二吡嗪并[2,3-f:2',3'-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈(hat-cn)、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(f4-tcnq)和四氰基醌二甲烷(tcnq)中的至少一种。
[0014]
所述第一电子传输区可以包括第一电子传输层，所述第二电子传输区可以包括第二电子传输层，以及包含在所述第一电子传输层中的绝缘材料的浓度可以低于包含在所述第二电子传输层中的绝缘材料的浓度。
[0015]
所述绝缘材料可以包括至少一种卤代金属，或者可以包括具有约5或大于5的介电常数的氧化物。
[0016]
所述下显示衬底可以进一步包括设置在所述第二发光元件与所述第三发光元件之间的区块，以及所述区块可以未设置在所述第一发光元件与所述第二发光元件之间。
[0017]
所述上显示衬底可以进一步包括与所述第一像素区、第二像素区和第三像素区相邻的非像素区，以及所述下显示衬底可以进一步包括设置成重叠所述非像素区的像素限定膜，以及所述区块可以被设置成重叠所述像素限定膜。
[0018]
所述上显示衬底可以包括：重叠所述第一像素区并且包含第一量子点的第一光控制部；重叠所述第二像素区并且透射所述第二光的第二光控制部；和重叠所述第三像素区并且透射所述第三光的第三光控制部，以及所述第一量子点可以配置成将所述第二光或所述第三光转换成所述第一光。
[0019]
所述第二发光元件可以包括所述一个或多于一个的第一堆叠体和所述一个或多于一个的第二堆叠体，以及所述第二光控制部可以包含第二量子点，以及所述第二量子点可以配置成将所述第三光转换成所述第二光。
[0020]
所述第二发光元件可以仅包括所述一个或多于一个的第一堆叠体。
[0021]
所述第一发光元件可以具有与所述第二发光元件相同的结构。
[0022]
所述第三发光元件可以仅包括所述一个或多于一个的第二堆叠体。
[0023]
所述第一光可以是红色光，所述第二光可以是绿色光，以及所述第三光可以是蓝色光。
[0024]
所述一个或多于一个的第一堆叠体可以配置成发射绿色磷光，以及所述一个或多于一个的第二堆叠体可以配置成发射蓝色荧光。
[0025]
所述第二发光元件可以包括第一电子传输层，以及所述第三发光元件可以包括第二电子传输层，以及包含在所述第二电子传输层中的电子传输材料的浓度可以等于或大于包含在所述第一电子传输层中的电子传输材料的浓度。
[0026]
根据本发明的另一方面，显示装置包括：其中限定第一像素区、第二像素区和第三像素区的基体层；以及设置在所述基体层上以重叠所述第一像素区的第一发光元件、设置在所述基体层上以重叠所述第二像素区的第二发光元件和设置在所述基体层上以重叠所
述第三像素区的第三发光元件，以及所述第二发光元件包括配置成发射第一颜色光的一个或多于一个的第一堆叠体，所述第三发光元件包括配置成发射第二颜色光的一个或多于一个的第二堆叠体，以及所述第一堆叠体包括第一空穴传输层、配置成发射所述第一颜色光的第一发射层和第一电子传输层，以及所述第二堆叠体包括第二空穴传输层、配置成发射所述第二颜色光的第二发射层和第二电子传输层，以及所述第一电子传输层的电子传输性质大于所述第二电子传输层的电子传输性质。
[0027]
所述第一颜色光是绿色光，所述第二颜色光是蓝色光，以及包含在所述第一电子传输层中的传导材料的浓度可以高于包含在所述第二电子传输层中的传导材料的浓度，以及所述传导材料可以包括ndp-9、hat-cn、f4-tcnq和tcnq中的至少一种。
[0028]
包含在所述第一电子传输层中的绝缘材料的浓度可以低于包含在所述第二电子传输层中的绝缘材料的浓度，以及所述绝缘材料可以包括至少一种卤代金属，或者可以包括具有约5或大于5的介电常数的氧化物。
[0029]
所述显示装置可以进一步包括设置在所述基体层上的区块，所述区块设置在所述第二发光元件与所述第三发光元件之间，以及所述区块可以未设置在所述第一发光元件与所述第二发光元件之间。
[0030]
应理解，前述一般描述和以下详细描述两者是示例性且解释性的，并且旨在提供对要求保护的发明的进一步解释。
附图说明
[0031]
包括附图以提供对本发明的进一步理解以及将附图并入本说明书中并且构成本说明书的一部分，附图例示出本发明的示例性实施方案，并且与描述一起用于解释本发明构思。
[0032]
图1示出了根据本发明的原理构造的显示装置的实施方案的平面视图。
[0033]
图2a示出了沿图1中的线i-i'截取的横截面视图，例示出图1的显示装置的发光元件的实施方案。
[0034]
图2b示出了例示出图2a的发光元件中的一个的横截面视图。
[0035]
图3a和图3b是图1的显示装置的横截面视图，示意性地例示出其发光元件的其它实施方案。
[0036]
图4示出了沿图1中的线i-i'截取的横截面视图，例示出图1的显示装置的发光元件的另一个实施方案。
具体实施方式
[0037]
在以下描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以便提供对本发明的各种实施方案或实施方式的透彻理解。如本文使用，“实施方案”和“实施方式”是可互换的词语，其是采用本文公开的发明构思中的一种或多于一种的装置或方法的非限制性实例。然而，显而易见地，各种实施方案可以在没有这些具体细节的情况下实践，或者可以用一种或多于一种的等同的布置来实践。在其它情况中，以框图形式示出公知的结构和装置以便避免不必要地混淆各种实施方案。此外，各种实施方案可以是不同的，但不必是排它的。例如，在不背离本发明构思的情况下，实施方案的具体形状、配置和特性可以在另一个实施方案中
使用或实施。
[0038]
除非另外指明，例示的实施方案应被理解为提供其中可以在实践中实施本发明构思的一些方式的不同细节的示例性特征。因此，除非另外指明，在不背离本发明构思的情况下，各种实施方案的特征、组件、模块、层、膜、面板、区和/或方面等(在下文单独地或共同地被称为“元件”)可以以其它方式组合、分离、互换和/或重新布置。
[0039]
通常提供交叉影线和/或阴影在附图中的使用以阐明相邻元件之间的界线。如此，交叉影线或阴影的存在或不存在均不表达或表明对特定材料、材料性质、尺寸、比例、例示的元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或需要，除非指明。此外，在附图中，出于清晰和/或描述性目的，可以放大元件的尺寸和相对尺寸。当实施方案可以不同地实施时，可以与描述的顺序不同地进行具体的过程顺序。例如，两个连续描述的过程可以基本上同时进行或以与描述的顺序相反的顺序进行。此外，相同的参考数字表示相同的元件。
[0040]
当元件或层被称为在另一个元件或层“上”、“连接至”另一个元件或层、或者“联接至”另一个元件或层时，其可以直接在另一个元件或层上、直接连接至另一个元件或层、或者直接联接至另一个元件或层，或者可以存在介于中间的元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一个元件或层“上”、“直接连接至”另一个元件或层、或者“直接联接至”另一个元件或层时，不存在介于中间的元件或层。为此，术语“连接的”可以是指物理连接、电连接和/或流体连接，具有或不具有介于中间的元件。此外，dr1-轴、dr2-轴和dr3-轴不局限于直角坐标系的三个轴，例如x轴、y轴和z轴，并且可以以更广泛的含义解释。例如，dr1-轴、dr2-轴和dr3-轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。出于本公开内容的目的，“x、y和z中的至少一个(种)”和“选自由x、y和z组成的组中的至少一个(种)”可以解释为仅有x、仅有y、仅有z，或者x、y和z中的两个(种)或多于两个(种)的任意组合，例如，以xyz、xyy、yz和zz为例。如本文使用，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多于一个的任意组合和所有组合。
[0041]
尽管术语“第一”、“第二”等可以在本文用于描述各种类型的元件，但这些元件不应受到这些术语限制。这些术语用于区分一个元件与另一个元件。因此，在不背离本公开内容的教导的情况下，以下讨论的第一元件可以被称为第二元件。
[0042]
诸如“之下”、“下方”、“下”、“较低”、“上方”、“上”、“之上”、“较高”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语可以在本文用于描述性目的，并且由此，以描述如附图中例示的一个元件与另一个元件的关系。空间相对术语旨在涵盖除了附图中描述的方向之外的在使用、操作和/或制造中的设备的不同方向。例如，如果附图中的设备被翻转，描述为在其它元件或特征“下方”或“之下”的元件则将被定向在其它元件或特征“上方”。因此，术语“下方”可以涵盖上方和下方的方向两者。此外，可以将设备以其它方式定向(例如，旋转90度或在其它方向上)，并且如此，本文使用的空间相对描述符被相应地解释。
[0043]
本文使用的术语出于描述具体实施方案的目的，而不旨在限制。如本文使用，单数形式“一(a)”、“一(an)”和“所述(the)”旨在还包括复数形式，除非上下文另外明确说明。此外，术语“包含(comprises)”、“包含(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”当用于本说明书时指明规定的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在，但不排除一个或多于一个的其它的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其群
组的存在或增添。还注意，如本文使用，术语“基本上”、“约”和其它类似术语用作近似的术语而不用作程度的术语，并且如此，用于解释本领域普通技术人员会认识到的测量值、计算值和/或提供值中的固有偏差。
[0044]
参考截面图示和/或分解图示在本文中描述各种实施方案，所述截面图示和/或分解图示是理想化的实施方案和/或中间结构的示意性图示。如此，应预期由于例如制造技术和/或公差而产生的图示的形状的变化。因此，本文公开的实施方案不应必须被解释为局限于区的具体例示的形状，而应包括由例如制造产生的形状的偏差。以这种方式，附图中例示的区可以在本质上是示意性的，并且这些区的形状可以不反映装置的区的实际形状，并且如此，不必旨在限制。
[0045]
除非另外定义，本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开内容所属领域的普通技术人员通常理解的相同含义。术语(例如在常用词典中定义的那些术语)应解释为具有与其在相关领域的语境中的含义相符的含义，并且不应以理想化或过于形式的含义进行解释，除非在本文明确如此定义。
[0046]
在下文，将参考附图详细地解释根据实施方案的显示模块。
[0047]
图1是例示显示装置dd的实施方案的平面视图。图2a是根据实施方案的显示装置dd的横截面视图。图2a是例示沿图1中的线i-i'截取的部分的横截面视图。
[0048]
参考图1，非像素区npxa以及像素区pxa-r、pxa-g和pxa-b可以限定在显示装置dd中。非像素区npxa可以是不发射光的区，并且像素区pxa-r、pxa-g和pxa-b可以是发射在显示装置dd内产生的光的区。像素区pxa-r、pxa-g和pxa-b中的每一个可以在平面视图中彼此间隔开。
[0049]
参考图2a，显示装置dd可以包括下显示衬底100和设置在下显示衬底100上的上显示衬底200。例如，填充层可以填充在下显示衬底100与上显示衬底200之间。在下文，下显示衬底100将被描述为显示面板100。
[0050]
显示面板100可以是液晶显示面板、电泳显示面板、微机电系统(mems)显示面板、电润湿显示面板、有机发光显示面板、微led显示面板、量子点显示面板和量子棒显示面板中的至少一种，但实施方案不限于此。
[0051]
显示面板100可以包括基体层bs、提供在基体层bs上的电路层dp-cl和显示元件层dp-ed。显示元件层dp-ed可以包括像素限定膜pdl和设置成重叠限定在像素限定膜pdl中的开口oh的发光元件ed1、ed2和ed3。
[0052]
像素限定膜pdl可以分开像素区pxa-r、pxa-g和pxa-b。非像素区npxa可以是插置在相邻像素区pxa-r、pxa-g和pxa-b之间的区，并且可以是对应于像素限定膜pdl的区。
[0053]
发光元件ed1、ed2和ed3设置成重叠像素区pxa-r、pxa-g和pxa-b。像素区pxa-r、pxa-g和pxa-b可以是其中分别发射由发光元件ed1、ed2和ed3产生的光的区。
[0054]
例如，像素区pxa-r、pxa-g和pxa-b包括设置成彼此间隔开的第一像素区pxa-r、第二像素区pxa-g、第三像素区pxa-b。发光元件ed1、ed2和ed3包括重叠第一像素区pxa-r的第一发光元件ed1、重叠第二像素区pxa-g的第二发光元件ed2和重叠第三像素区pxa-b的第三发光元件ed3。
[0055]
在根据实施方案的显示装置dd中，第一发光元件ed1、第二发光元件ed2和第三发光元件ed3可以发射具有不同波长区的光。例如，第一发光元件ed1可以发射红色光，第二发
光元件ed2可以发射绿色光，并且第三发光元件ed3可以发射蓝色光。
[0056]
第一像素区pxa-r可以是红色光像素区，第二像素区pxa-g可以是绿色光像素区，并且第三像素区pxa-b可以是蓝色光像素区。
[0057]
然而，实施方案不限于此，并且第一、第二和第三发光元件ed1、ed-2和ed-3可以发射相同波长区的光，或者其中的至少一个可以发射不同波长区的光。
[0058]
参考图1和图2a，根据实施方案的显示装置dd中的像素区pxa-r、pxa-g和pxa-b可以布置成条纹形状。参考图1，多个第一像素区pxa-r、多个第二像素区pxa-g和多个第三像素区pxa-b可以分别沿第二方向dr2布置或对准。此外，第一像素区pxa-r、第二像素区pxa-g和第三像素区pxa-b可以沿第一方向dr1重复地布置。
[0059]
图1和图2a例示出所有的像素区pxa-r、pxa-g和pxa-b具有基本上相同的尺寸(例如，面积)，但实施方案不限于此。例如，像素区pxa-r、pxa-g和pxa-b的尺寸(例如，面积)可以根据发射的光的波长区而彼此不同。例如，像素区pxa-r、pxa-g和pxa-b的面积可以表示如在由第一方向dr1和第二方向dr2限定的平面上观察到的面积。
[0060]
例如，像素区pxa-r、pxa-g和pxa-b的布置不限于图1中例示的配置，并且第一像素区pxa-r、第二像素区pxa-g和第三像素区pxa-b的布置顺序可以根据显示装置dd所需的显示品质的性质而以各种组合提供。例如，像素区pxa-r、pxa-g和pxa-b可以布置成波瓦形配置或菱形配置。
[0061]
基体层bs可以是配置成提供显示元件层dp-ed设置在其上的基体表面的构件。基体层bs可以是玻璃衬底、金属衬底、塑料衬底等。然而，实施方案不限于此，并且基体层bs可以是无机层、有机层或复合材料层。
[0062]
在实施方案中，电路层dp-cl可以设置在基体层bs上，并且电路层dp-cl可以包括多个晶体管。晶体管可以分别包括控制电极、输入电极和输出电极。例如，电路层dp-cl可以包括开关晶体管和驱动晶体管用于驱动第一、第二和第三发光元件ed1、ed2和ed3。
[0063]
像素限定膜pdl可以设置在电路层dp-cl上。像素限定膜pdl可以由聚合物树脂形成。例如，像素限定膜pdl可以由基于聚丙烯酸酯的树脂或基于聚酰亚胺的树脂形成。此外，像素限定膜pdl可以由除了聚合物树脂之外的无机材料形成。例如，像素限定膜pdl可以由光吸收材料形成，或者可以由黑色颜料或黑色染料形成。由黑色颜料或黑色染料形成的像素限定膜pdl可以实现黑色像素限定膜。当形成像素限定膜pdl时，炭黑等可以用作黑色颜料或黑色染料，但实施方案不限于此。
[0064]
此外，像素限定膜pdl可以由无机材料形成。例如，像素限定膜pdl可以由硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、硅氮氧化物(sio
x
ny)等形成。
[0065]
第一、第二和第三发光元件ed1、ed2和ed3可以由像素限定膜pdl分开。
[0066]
第一、第二和第三发光元件ed1、ed2和ed3中的每一个可以包括彼此面对的第一电极el1和第二电极el2，以及在第一电极el1与第二电极el2之间在第三方向dr3上堆叠的多个堆叠体sf1、sf2和sf3。多个堆叠体sf1、sf2和sf3中的每一个可以包括空穴传输区htr、发射层eml和电子传输区etr。
[0067]
例如，根据实施方案的显示装置dd可以是具有包括多个发射层的串联结构的显示装置。在实施方案中，第一、第二和第三发光元件ed1、ed2和ed3的结构可以全部均相同，至少一个可以与其它两个不同，或者三个结构可以全部均不同。例如，在根据实施方案的显示
装置dd中，第一发光元件ed1和第二发光元件ed2可以具有相同的结构，并且第三发光元件ed3可以具有与第一发光元件ed1和第二发光元件ed2的结构不同的结构。区块bk可以设置在第三发光元件ed3的边界处。例如，区块bk可以设置在第一发光元件ed1与第三发光元件ed3之间。区块bk可以设置在第二发光元件ed2与第三发光元件ed3之间。通过区块bk，第三发光元件ed3可以与第一发光元件ed1和第二发光元件ed2区分开。
[0068]
在实施方案中，区块bk可以设置在像素限定膜pdl上并且重叠像素限定膜pdl。空穴传输区htr、发射层eml、电子传输区etr等可以通过喷墨印刷法图案化和提供，并且区块bk可以包含拒液性材料。替代地，区块bk和像素限定膜pdl可以包含相同的材料，并且可以形成为整体形状。
[0069]
封装层tfe可以设置在第一、第二和第三发光元件ed1、ed2和ed3上。封装层tfe可以覆盖第一、第二和第三发光元件ed1、ed2和ed3。封装层tfe可以密封显示元件层dp-ed。封装层tfe可以是薄膜封装层。封装层tfe可以是单个层或者堆叠的多个层。封装层tfe包括至少一个绝缘层。根据实施方案的封装层tfe可以包括至少一个无机膜(在下文，封装无机膜)。此外，根据实施方案的封装层tfe可以包括至少一个有机膜(在下文，封装有机膜)和至少一个封装无机膜。
[0070]
封装无机膜保护显示元件层dp-ed免于湿气/氧气，并且封装有机膜保护显示元件层dp-ed免于诸如粉尘颗粒的外来物质。封装无机膜可以包含硅氮化物、硅氮氧化物、硅氧化物、钛氧化物、铝氧化物等，但实施方案不限于此。封装有机膜可以包含基于丙烯酸的化合物、基于环氧的化合物等。封装有机膜可以包含可光聚合的有机材料，但实施方案不限于此。
[0071]
上显示衬底200可以设置在封装层tfe上。上显示衬底200可以包括基体衬底bl、滤色器层cfl和光控制层ccl。
[0072]
光控制层ccl可以设置在显示面板100上。光控制层ccl可以包括光转换体。光转换体可以是量子点、磷光体等。光转换体可以转换接收的光的波长以发射经转换的光。例如，光控制层ccl可以是包含量子点的层或包含磷光体的层。
[0073]
光控制层ccl可以包括多个光控制部ccp1、ccp2和ccp3。
[0074]
光控制部ccp1、ccp2和ccp3可以彼此间隔开。如所示，分隔图案bmp可以设置在彼此间隔开的光控制部ccp1、ccp2和ccp3之间，但实施方案不限于此。例如，图2a例示出分隔图案bmp未重叠光控制部ccp1、ccp2和ccp3，但实施方案不限于此。例如，光控制部ccp1、ccp2和ccp3的边缘的至少一部分可以重叠分隔图案bmp。
[0075]
在实施方案中，光控制层ccl可以包括配置成透射或转换由显示面板100提供的光的第一光控制部ccp1、第二光控制部ccp2和第三光控制部ccp3。例如，第一光控制部ccp1可以包含配置成将第二光或第三光转换成第一光的第一量子点qd1。第二光控制部ccp2可以包含配置成将第三光转换成第二光的第二量子点qd2。第三光控制部ccp3可以透射第三光而没有转换第三光。
[0076]
例如，量子点可以包含ii-vi族化合物、iii-vi族化合物、i-iii-vi族化合物、iii-v族化合物、iii-ii-v族化合物、iv-vi族化合物、iv族元素、iv族化合物及其组合作为核。
[0077]
ii-vi族化合物可以选自由以下组成的组：二元化合物，所述二元化合物选自由cdse、cdte、cds、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse、mgs及其混合物组成的组；三元
化合物，所述三元化合物选自由cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse、mgzns及其混合物组成的组；以及四元化合物，所述四元化合物选自由hgzntes、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete、hgznste及其混合物组成的组。
[0078]
iii-vi族化合物可以包括：二元化合物，例如in2s3和in2se3；三元化合物，例如ingas3和ingase3；或其任意组合。
[0079]
i-iii-vi族化合物可以选自：三元化合物，所述三元化合物选自由agins、agins2、cuins、cuins2、aggas2、cugas2、cugao2、aggao2、agalo2及其混合物组成的组；或四元化合物，例如agingas2和cuingas2。
[0080]
iii-v族化合物可以选自由以下组成的组：二元化合物，所述二元化合物选自由gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb及其混合物组成的组；三元化合物，所述三元化合物选自由ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、inalp、innp、innas、innsb、inpas、inpsb及其混合物组成的组；以及四元化合物，所述四元化合物选自由gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb及其混合物组成的组。例如，iii-v族化合物可以进一步包含ii族金属。例如，可以选择inznp、ingaznp、inalznp等作为iii-ii-v族化合物。
[0081]
iv-vi族化合物可以选自由以下组成的组：二元化合物，所述二元化合物选自由sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte及其混合物组成的组；三元化合物，所述三元化合物选自由snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte及其混合物组成的组；以及四元化合物，所述四元化合物选自由snpbsse、snpbsete、snpbste及其混合物组成的组。iv族元素可以选自由si、ge及其混合物组成的组。iv族化合物可以是二元化合物，所述二元化合物选自由sic、sige及其混合物组成的组。
[0082]
在这种情况下，二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以均匀的浓度存在于颗粒中，或者可以存在于同一颗粒中同时被分隔成具有部分不同的浓度分布。此外，这些化合物可以具有核/壳结构，其中一个量子点围绕另一个量子点。核/壳结构可以具有浓度梯度，其中存在于壳中的元素的浓度朝向核逐渐降低。
[0083]
量子点的壳可以用作用于通过防止核的化学改性来保持半导体的特性的保护层和/或用于向量子点赋予电泳特性的充电层。壳可以是单层或多层。量子点的壳的实例可以包括金属或非金属的氧化物、半导体化合物或其组合。
[0084]
例如，金属或非金属的氧化物可以例示为二元化合物，例如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4和nio；或三元化合物，例如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4和comn2o4，但实施方案不限于此。
[0085]
此外，半导体化合物可以是示例为cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb等，但实施方案不限于此。
[0086]
量子点可以具有约45nm或小于45nm、优选约40nm或小于40nm、更优选约30nm或小于30nm的发射波长光谱的半峰全宽(fwhm)，并且在该范围内可以改善颜色纯度或色域。此
外，由于由该量子点发射的光在所有方向上发射，因此可以获得改善的广视角。
[0087]
此外，量子点的形状是通常使用的典型形状，但实施方案不限于此。例如，量子点的形状可以包括角锥形、多臂形或立方体纳米颗粒，纳米管，纳米线，纳米纤维，板状纳米颗粒等。
[0088]
量子点可以根据颗粒尺寸来控制发射的光的颜色，并且因此量子点可以具有各种发光颜色，例如红色、绿色、蓝色等。
[0089]
例如，包含在第一光控制部ccp1中的第一量子点qd1可以是红色量子点，并且包含在第二光控制部ccp2中的第二量子点qd2可以是绿色量子点。例如，第三光控制部ccp3可以不包含任何量子点。然而，实施方案不限于此，并且第三光控制部ccp3可以包含量子点。
[0090]
例如，光控制层ccl可以包含散射体sp。第一光控制部ccp1可以包含第一量子点qd1和散射体sp中的至少一种，第二光控制部ccp2可以包含第二量子点qd2和散射体sp中的至少一种，并且第三光控制部ccp3可以包含散射体sp。
[0091]
散射体sp可以是无机颗粒。例如，散射体sp可以包含tio2、zno、al2o3、sio2和中空二氧化硅中的至少一种。散射体sp可以包含tio2、zno、al2o3、sio2和中空二氧化硅中的至少一种，或者可以是选自tio2、zno、al2o3、sio2和中空二氧化硅中的两种或多于两种材料的混合物。
[0092]
第一光控制部ccp1、第二光控制部ccp2和第三光控制部ccp3可以分别包含分散量子点qd1和qd2以及散射体sp的基体树脂br1、br2和br3。在实施方案中，第一光控制部ccp1可以包含分散在第一基体树脂br1中的第一量子点qd1和散射体sp，第二光控制部ccp2可以包含分散在第二基体树脂br2中的第二量子点qd2和散射体sp，并且第三光控制部ccp3可以包含分散在第三基体树脂br3中的散射体sp。
[0093]
基体树脂br1、br2和br3是量子点qd1和qd2以及散射体sp分散在其中的介质，并且可以由通常可以被称为粘合剂的各种树脂组合物制成。例如，基体树脂br1、br2和br3可以是基于丙烯酸的树脂、基于氨基甲酸酯的树脂、基于硅酮的树脂、基于环氧的树脂等。基体树脂br1、br2和br3可以是透明树脂。在实施方案中，第一基体树脂br1、第二基体树脂br2和第三基体树脂br3可以彼此相同或不同。
[0094]
光控制层ccl可以包括阻挡层bfl1。阻挡层bfl1可以起到防止湿气和/或氧气(在下文，称为“湿气/氧气”)渗透的作用。阻挡层bfl1可以设置在光控制部ccp1、ccp2和ccp3上或下以防止光控制部ccp1、ccp2和ccp3暴露于湿气/氧气。例如，阻挡层bfl1可以覆盖光控制部ccp1、ccp2和ccp3。此外，阻挡层bfl2可以提供在光控制部ccp1、ccp2和ccp3与滤色器cf1、cf2和cf3之间。
[0095]
阻挡层bfl1和bfl2可以包括至少一个无机层。例如，阻挡层bfl1和bfl2可以由无机材料形成。例如，阻挡层bfl1和bfl2可以由硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、锡氧化物、铈氧化物、硅氮氧化物、或者确保光透射率的金属薄膜形成。例如，阻挡层bfl1和bfl2可以进一步包括有机膜。阻挡层bfl1和bfl2可以由单个层或多个层构成。
[0096]
在根据实施方案的显示装置dd中，滤色器层cfl可以设置在光控制层ccl上。例如，滤色器层cfl可以直接设置在光控制层ccl上。
[0097]
在这种情况下，可以省略阻挡层bfl2。滤色器层cfl可以包括遮光部bm和滤色器
cf1、cf2和cf3。具体地，滤色器层cfl可以包括配置成选择性地透射第一光的第一滤色器cf1、配置成选择性地透射第二光的第二滤色器cf2、以及配置成选择性地透射第三光的第三滤色器cf3。例如，第一滤色器cf1可以是红色滤色器，第二滤色器cf2可以是绿色滤色器，并且第三滤色器cf3可以是蓝色滤色器。第一、第二和第三滤色器cf1、cf2和cf3中的每一个可以包含聚合物光敏树脂和颜料或染料。第一滤色器cf1可以包含红色颜料或染料，第二滤色器cf2可以包含绿色颜料或染料，并且第三滤色器cf3可以包含蓝色颜料或染料。然而，实施方案不限于此。例如，第三滤色器cf3可以不包含颜料或染料。第三滤色器cf3可以包含聚合物光敏树脂并且可以不包含颜料或染料。
[0098]
遮光部bm可以是黑色矩阵。遮光部bm可以由有机遮光材料或无机遮光材料(包括黑色颜料或黑色染料)形成。遮光部bm可以防止漏光，并且分开相邻滤色器cf1、cf2和cf3之间的边界。此外，在实施方案中，遮光部bm可以由蓝色矩阵形成。
[0099]
第一、第二和第三滤色器cf1、cf2和cf3可以设置成分别对应于第一像素区pxa-r、第二像素区pxa-g和第三像素区pxa-b。
[0100]
基体衬底bl可以提供滤色器层cfl、光控制层ccl等设置在其上的基体表面。基体衬底bl可以是玻璃衬底、金属衬底、塑料衬底等。然而，实施方案不限于此，并且基体衬底bl可以是无机层、有机层或复合材料层。此外，与例示不同，在实施方案中可以省略基体衬底bl。当省略基体衬底bl时，光控制层ccl和滤色器层cfl可以依次堆叠在显示面板100上。
[0101]
例如，上显示衬底200的配置不限于此，并且例如，上显示衬底200可以进一步包括偏振层，或者可以省略滤色器层cfl。偏振层可以阻挡从外部入射在显示装置dd上的外部光。例如，当从显示装置dd的外部入射的光进入显示面板100并且再次离开时，偏振层可以起到阻挡反射光的功能。
[0102]
图2b示出了根据实施方案的发光元件ed的横截面视图。
[0103]
参考图2b，根据实施方案的第一、第二和第三发光元件ed1、ed2和ed3中的每一个可以具有例示的发光元件ed的结构。
[0104]
发光元件ed可以包括第一电极el1、第二电极el2、以及堆叠在第一电极el1与第二电极el2之间的多个堆叠体sf1、sf2和sf3。在实施方案中，可以提供多个堆叠体中的两个或多于两个。图2b例示出其中提供了三个堆叠体的发光元件ed。具体地，发光元件ed可以包括第一电极el1、第一层堆叠体sf1、第二层堆叠体sf2、第三层堆叠体sf3和第二电极el2。然而，实施方案不限于此，并且发光元件ed可以包括两个堆叠体或者四个或多于四个的堆叠体。
[0105]
第一、第二和第三层堆叠体sf1、sf2和sf3中的每一个可以包括空穴传输区htr、发射层eml和电子传输区etr。电荷产生层cgl可以设置在第一、第二和第三层堆叠体sf1、sf2和sf3中的相邻堆叠体之间。电荷产生层cgl可以包括p-型电荷产生层和/或n-型电荷产生层。电荷产生层cgl可以促进空穴和/或电荷的移动。
[0106]
第一电极el1具有传导性。第一电极el1可以由金属材料、金属合金或传导化合物形成。第一电极el1可以是阳极或阴极。然而，实施方案不限于此。此外，第一电极el1可以是像素电极。第一电极el1可以是透射电极、半透反射电极或反射电极。当第一电极el1是透射电极时，第一电极el1可以包含透明金属氧化物，例如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟锡锌(itzo)等。当第一电极el1是半透反射电极或反射电极时，第一电极
el1可以包含ag、mg、cu、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、lif、mo、ti、w、或者其化合物或混合物(例如，ag和mg的混合物)。替代地，第一电极el1可以具有多层结构，所述多层结构包括由以上描述的材料形成的反射膜或半透反射膜，以及由氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟锡锌(itzo)等形成的透明传导膜。例如，第一电极el1可以具有ito/ag/ito的三层结构，但实施方案不限于此。此外，第一电极el1可以包含以上描述的金属材料、选自以上描述的金属材料中的两种或多于两种的金属材料的组合、或者以上描述的金属材料的氧化物。第一电极el1的厚度可以是约至约例如，第一电极el1的厚度可以是约至约
[0107]
在第一电极el1上提供空穴传输区htr。空穴传输区htr可以包括空穴传输层htl和电子阻挡层ebl中的至少一种。然而，实施方案不限于此，并且空穴传输区htr可以进一步包括空穴注入层、缓冲层或发光辅助层。空穴传输区htr的厚度可以是，例如，约至约
[0108]
空穴传输区htr可以具有由单一材料形成的单层、由多种不同材料形成的单层、或者具有由多种不同材料形成的多个层的多层结构。
[0109]
例如，空穴传输区htr可以具有空穴注入层或空穴传输层的单个层的结构，或者可以具有由空穴注入材料和空穴传输材料形成的单个层的结构。此外，空穴传输区htr可以具有由多种不同材料形成的单个层的结构，或者其中从第一电极el1按顺序堆叠空穴注入层/空穴传输层、空穴注入层/空穴传输层/缓冲层、空穴注入层/缓冲层、空穴传输层/缓冲层或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层的结构，但实施方案不限于此。
[0110]
可以通过使用各种方法(例如真空沉积法、旋涂法、流延法、朗缪尔-布洛杰特(langmuir-blodgett，lb)法、喷墨印刷法、激光印刷法和激光诱导热成像(liti)法)形成空穴传输区htr。
[0111]
空穴传输区htr可以包含由以下式h-1表示的化合物。
[0112]
[式h-1]
[0113][0114]
在以上式h-1中，l1和l2可以各自独立地是直连键、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基基团。“a”和“b”各自独立地是0至10的整数。例如，当“a”或“b”是2或大于2的整数时，多个l1和l2可以各自独立地是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基基团。
[0115]
在式h-1中，ar1和ar2可以各自独立地是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团。此外，在式h-1中，ar3可以是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团。
[0116]
由以上式h-1表示的化合物可以是单胺化合物。替代地，由以上式h-1表示的化合物可以是二胺化合物，其中ar1、ar2和ar3中的至少一个包含胺基团作为取代基。此外，由以上式h-1表示的化合物可以是在ar1和ar2中的至少一个中包含取代或未取代的咔唑基团的基于咔唑的化合物，或者在ar1和ar2中的至少一个中包含取代或未取代的芴基团的基于芴的化合物。
[0117]
由式h-1表示的化合物可以由以下化合物组h中的化合物中的任一种表示。然而，以下化合物组h中列举的化合物是示例性的，并且由式h-1表示的化合物不限于在以下化合物组h中表示的那些。
[0118]
[化合物组h]
[0119]
[0120][0121]
空穴传输区htr可以包含酞菁化合物(例如铜酞菁)、n1,n1'-([1,1'-联苯]-4,4'-二基)双(n1-苯基-n4,n4-二间甲苯基苯-1,4-二胺)(dntpd)、4,4',4
”‑
[三(3-甲基苯基)苯基氨基]三苯胺(m-mtdata)、4,4',4
”‑
三(n,n-二苯基氨基)三苯胺(tdata)、4,4',4
”‑
三[n-(2-萘基)-n-苯基氨基]-三苯胺(2-tnata)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(pedot/pss)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(pani/pss)、n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基-联苯胺(npb)、含三苯胺的聚醚酮(tpapek)、4-异丙基-4'-甲基二苯基碘鎓[四(五氟苯基)硼酸盐]、二吡嗪并[2,3-f:2',3'-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈(hat-cn)等。
[0122]
空穴传输区htr可以包含基于咔唑的衍生物(例如n-苯基咔唑和聚乙烯基咔唑)、基于芴的衍生物、n,n'-双(3-甲基苯基)-n,n'-二苯基-[1,1'-联苯基]-4,4'-二胺(tpd)、基于三苯胺的衍生物(例如4,4',4
”‑
三(n-咔唑基)三苯胺(tcta))、n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基-联苯胺(npb)、4,4'-亚环己基双[n,n'-双(4-甲基苯基)苯胺](tapc)、4,4'-双[n,n'-(3-甲苯基)氨基]-3,3'-二甲基联苯(hmtpd)、1,3-双(n-咔唑基)苯(mcp)等。
[0123]
此外，空穴传输区htr可以包含9-(4-叔丁基苯基)-3,6-双(三苯基甲硅烷基)-9h-咔唑(czsi)、9-苯基-9h-3,9'-联咔唑(ccp)、1,3-双(1,8-二甲基-9h-咔唑-9-基)苯(mdcp)等。
[0124]
空穴传输区htr可以在空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的至少一个中包含空穴传输区的上述化合物。
[0125]
空穴传输区htr的厚度可以是约至约例如，约至约当空穴传输区htr包括空穴注入层时，空穴注入层的厚度可以是例如约至约
[0126]
当空穴传输区htr包括空穴传输层时，空穴传输层的厚度可以是约至约例如，当空穴传输区htr包括电子阻挡层时，电子阻挡层的厚度可以是约至
约当空穴传输区htr、空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层的厚度满足以上描述的范围时，可以获得令人满意的空穴传输性质，而没有驱动电压的显著增加。
[0127]
除了以上描述的材料之外，空穴传输区htr可以进一步包含电荷产生材料以改善传导性。电荷产生材料可以均匀地或非均匀地分散在空穴传输区htr中。电荷产生材料可以是，例如，p-型掺杂剂。p-型掺杂剂可以包括卤代金属化合物、醌衍生物、金属氧化物和含氰基基团的化合物中的至少一种，但实施方案不限于此。例如，p-型掺杂剂可以包括卤代金属化合物(例如cui和rbi)、醌衍生物(例如四氰基醌二甲烷(tcnq)和2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰基醌二甲烷(f4-tcnq))、金属氧化物(例如氧化钨和氧化钼)、含氰基基团的化合物(例如二吡嗪并[2,3-f:2',3'-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈(hat-cn)和4-[[2,3-双[氰基-(4-氰基-2,3,5,6-四氟苯基)亚甲基]亚环丙基]-氰基甲基]-2,3,5,6-四氟苄腈(ndp-9))，但实施方案不限于此。
[0128]
如以上描述，除了空穴注入层和空穴传输层之外，空穴传输区htr可以进一步包括缓冲层和电子阻挡层中的至少一个。缓冲层可以根据从发射层eml发射的光的波长来补偿光学共振距离以增加发光效率。可以包含在空穴传输区htr中的材料可以用作包含在缓冲层中的材料。电子阻挡层是用于防止从电子传输区etr至空穴传输区htr的电子注入的层。
[0129]
在空穴传输区htr上提供发射层eml。发射层eml可以具有例如约至约或约至约的厚度。发射层eml可以具有由单一材料形成的单层、由多种不同材料形成的单层、或者具有由多种不同材料形成的多个层的多层结构。
[0130]
在根据实施方案的发光元件ed中，发射层eml可以包含蒽衍生物、芘衍生物、荧蒽衍生物、衍生物、二氢苯并蒽衍生物或苯并菲衍生物。具体地，发射层eml可以包含蒽衍生物或芘衍生物。
[0131]
在根据实施方案的发光元件ed中，发射层eml可以包含主体和掺杂剂，并且发射层eml可以包含由以下式e-1表示的化合物。由以下式e-1表示的化合物可以用作荧光主体材料。
[0132]
[式e-1]
[0133][0134]
在式e-1中，r
31
至r
40
可以各自独立地是氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的甲硅烷基基团、取代或未取代的具有1个至10个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有
6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，或者与相邻基团结合以形成环。例如，r
31
至r
40
可以与相邻基团结合以形成饱和的烃环或不饱和的烃环。
[0135]
在式e-1中，“c”和“d”可以各自独立地是0至5的整数。
[0136]
式e-1可以由以下化合物e1至化合物e19中的任一种表示。
[0137]
[0138][0139]
在实施方案中，发射层eml可以包含由以下式e-2a或式e-2b表示的化合物。由以下式e-2a或式e-2b表示的化合物可以用作磷光主体材料。
[0140]
[式e-2a]
[0141][0142]
在式e-2a中，“a”可以是0至10的整数，并且la可以是直连键、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基基团。例如，当“a”是2或大于2的整数时，多个la可以各自独立地是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子
的亚杂芳基基团。
[0143]
此外，在式e-2a中，a1至a5可以各自独立地是n或cri。ra至ri可以各自独立地是氢原子、氘原子、取代或未取代的胺基团、取代或未取代的硫基基团、取代或未取代的氧基基团、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，或者与相邻基团结合以形成环。ra至ri可以与相邻基团结合以形成烃环或者包含n、o、s等作为成环原子的杂环。
[0144]
例如，在式e-2a中，选自a1至a5中的两个或三个可以是n，并且余者可以是cri。
[0145]
[式e-2b]
[0146][0147]
在式e-2b中，cbz1和cbz2可以各自独立地是未取代的咔唑基团、或者被具有6个至30个成环碳原子的芳基基团取代的咔唑基团。lb可以是直连键、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基基团。当“b”是0至10的整数并且“b”是2或大于2的整数时，多个lb可以各自独立地是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基基团。
[0148]
由式e-2a或式e-2b表示的化合物可以由以下化合物组e-2中的化合物中的任一种表示。然而，在以下化合物组e-2中列出的化合物是示例性的，并且由式e-2a或式e-2b表示的化合物不限于以下化合物组e-2中呈现的那些。
[0149]
[化合物组e-2]
[0150]
[0151][0152]
发射层eml可以包含常用材料作为主体材料。例如，发射层eml可以包含双[2-(二苯基膦基)苯基]醚氧化物(dpepo)、4,4'-双(咔唑-9-基)联苯(cbp)、1,3-双(咔唑-9-基)苯(mcp)、2,8-双(二苯基磷酰基)二苯并[b,d]呋喃(ppf)、4,4',4
”‑
三(咔唑-9-基)三苯胺(tcta)和1,3,5-三(1-苯基-1h-苯并[d]咪唑-2-基)苯(tpbi)中的至少一种作为主体材料。然而，实施方案不限于此，并且例如，三(8-羟基喹啉根合)铝(alq3)、4,4'-双(n-咔唑基)-1,1'-联苯(cbp)、聚(n-乙烯基咔唑)(pvk)、9,10-二(萘-2-基)蒽(adn)、4,4',4
”‑
三(咔唑-9-基)-三苯胺(tcta)、1,3,5-三(n-苯基苯并咪唑-2-基)苯(tpbi)、2-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(tbadn)、二苯乙烯基亚芳基化物(dsa)、4,4'-双(9-咔唑基)-2,2'-二甲基-联苯(cdbp)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(madn)、六苯基环三磷腈(cp1)、1,4-双(三苯基甲硅烷基)苯(ugh2)、六苯基环三硅氧烷(dpsio3)、八苯基环四硅氧烷(dpsio4)、2,8-双(二苯基磷酰基)二苯并呋喃(ppf)等可以用作主体材料。
[0153]
发射层eml可以包含由以下式m-a或式m-b表示的化合物。由以下式m-a或式m-b表示的化合物可以用作磷光掺杂剂材料。
[0154]
[式m-a]
[0155][0156]
在以上式m-a中，y1至y4和z1至z4可以各自独立地是cr1或n，并且r1至r4可以各自独立地是氢原子、氘原子、取代或未取代的胺基团、取代或未取代的硫基基团、取代或未取代
的氧基基团、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，或者与相邻基团结合以形成环。在式m-a中，“m”是0或1，并且“n”是2或3。在式m-a中，当“m”是0时，n是3，并且当“m”是1时，“n”是2。
[0157]
由式m-a表示的化合物可以用作红色磷光掺杂剂或绿色磷光掺杂剂。
[0158]
由式m-a表示的化合物可以由以下化合物m-a1至化合物m-a19中的任一种表示。然而，以下化合物m-a1至化合物m-a19是示例性的，并且由式m-a表示的化合物不限于由以下化合物m-a1至化合物m-a19表示的那些。
[0159]
[0160][0161]
化合物m-a1和化合物m-a2可以用作红色掺杂剂材料，并且化合物m-a3至化合物m-a5可以用作绿色掺杂剂材料。
[0162]
[式m-b]
[0163][0164]
在式m-b中，q1至q4各自独立地是c或n，并且c1至c4各自独立地是取代或未取代的具有5个至30个成环碳原子的烃环、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂环。l
21
至l
24
各自独立地是直连键、各自独立地是直连键、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的二价烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基基团，并且e1至e4各自独立地是0或1。r
31
至r
39
各自独立地是氢原子、氘原子、卤素原子、氰基基团、取代或未取代的胺基团、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，或者与相邻基团结合以形成环，并且d1至d4各自独立地是0至4的整数，并且*是指与相邻原子的结合位点。
[0165]
由式m-b表示的化合物可以用作蓝色磷光掺杂剂或绿色磷光掺杂剂。
[0166]
由式m-b表示的化合物可以由以下化合物m-b-1至化合物m-b-15中的任一种表示。然而，以下化合物m-b-1至化合物m-b-15是示例性的，并且由式m-b表示的化合物不限于在以下化合物m-b-1至化合物m-b-15中表示的那些。
[0167][0168]
在以上化合物中，r、r
38
和r
39
可以各自独立地是氢原子、氘原子、卤素原子、氰基基团、取代或未取代的胺基团、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团。
[0169]
发射层eml可以包含由以下式f-a至式f-c中的任一种表示的化合物。由以下式f-a至式f-c表示的化合物可以用作荧光掺杂剂材料。
[0170]
[式f-a]
[0171][0172]
在以上式f-a中，选自ra至rj中的两个可以各自独立地被取代。ra至rj中的未被取代的余者可以各自独立地是氢原子、氘原子、卤素原子、氰基基团、取代或未取代的胺基团、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团。在中，ar1和ar2可以各自独立地是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团。例如，ar1和ar2中的至少一个可以是包含o或s作为成环原子的杂芳基基团。*是指与相邻原子的结合位点。
[0173]
[式f-b]
[0174][0175]
在以上式f-b中，ra和rb可以各自独立地是氢原子、氘原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，或者与相邻基团结合以形成环。
[0176]
在式f-b中，u和v可以各自独立地是取代或未取代的具有5个至30个成环碳原子的烃环、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂环。
[0177]
在式f-b中，由u和v表示的环的数量可以各自独立地是0或1。例如，当在式f-b中u或v的数量是1时，一个环在由u或v表示的部分处形成稠合环，并且当u或v的数量是0时，它意指不存在指示为u或v的环。具体地，当u的数量是0并且v的数量是1，或者u的数量是1并且v的数量是0时，式f-b的具有芴核的稠合环可以是四环化合物。此外，当u和v的数量两者均是0时，式f-b的稠合环可以是三环化合物。此外，当u和v的数量两者均是1时，式f-b的具有芴核的稠合环可以是五环化合物。
[0178]
[式f-c]
[0179][0180]
在式f-c中，a1和a2可以各自独立地是o、s、se或nrm，并且rm可以是氢原子、氘原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团。r1至r
11
各自独立地是氢原子、氘原子、卤素原子、氰基基团、取代或未取代的胺基团、取代或未取代的硼基基团、取代或未取代的氧基基团、取代或未取代的硫基基团、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团，或者与相邻基团结合以形成环。
[0181]
在式f-c中，a1和a2可以各自独立地与相邻环的取代基结合以形成稠合环。例如，当a1和a2各自独立地是nrm时，a1可以与r4或r5结合以形成环。此外，a2可以与r7或r8结合以形成环。
[0182]
在实施方案中，发射层eml可以包含苯乙烯基衍生物(例如，1,4-双[2-(3-n-乙基咔唑基)乙烯基]苯(bczvb)、4-(二对甲苯基氨基)-4'-[(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]二苯乙烯(dpavb)、n-(4-((e)-2-(6-((e)-4-(二苯基氨基)苯乙烯基)萘-2-基)乙烯基)苯基)-n-苯基苯胺(n-bdavbi)、4,4'-双[2-(4-(n,n-二苯基氨基)苯基)乙烯基]联苯(dpavbi))、苝及其衍生物(例如，2,5,8,11-四叔丁基苝(tbp))、芘及其衍生物(例如，1,1'-二芘、1,4-二芘基苯、1,4-双(n,n-二苯基氨基)芘)等作为已知的掺杂剂材料。
[0183]
发射层eml可以包含已知的磷光掺杂剂材料。例如，包含铱(ir)、铂(pt)、锇(os)、金(au)、钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、铕(eu)、铽(tb)或铥(tm)的金属络合物可以用作磷光掺杂剂。具体地，双(4,6-二氟苯基吡啶根合-n,c2')吡啶甲酸铱(iii)(firpic)、双(2,4-二氟苯基吡啶根合)-四(1-吡唑基)硼酸铱(ⅲ)(fir6)或八乙基卟啉铂(ptoep)可以用作磷光掺杂剂。然而，实施方案不限于此。
[0184]
第一、第二和第三层堆叠体sf1、sf2和sf3中的每一个可以发射彼此不同颜色的光。例如，包括在第一、第二和第三层堆叠体sf1、sf2和sf3中的发射层eml中的任一个可以发射与其它两个不同的颜色的光。然而，实施方案不限于此，并且包括在第一、第二和第三层堆叠体sf1、sf2和sf3中的所有发射层eml可以发射相同颜色的光。
[0185]
电子传输区etr可以设置在发射层eml上。
[0186]
电子传输区etr可以包括电子传输层etl和空穴阻挡层中的至少一个。然而，实施方案不限于此，并且空穴传输区htr可以进一步包括空穴注入层、缓冲层或发光辅助层。
[0187]
电子传输区etr可以具有由单一材料形成的单个层、由多种不同材料形成的单个层、或者具有由多种不同材料形成的多个层的多层结构。
[0188]
例如，电子传输区etr可以具有电子注入层或电子传输层的单个层的结构，或者可以具有由电子注入材料和电子传输材料形成的单个层的结构。此外，电子传输区etr可以具有由多种不同材料形成的单层结构，或者其中从发射层eml按顺序堆叠电子传输层/电子注入层或空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层的结构，但实施方案不限于此。
[0189]
可以通过使用各种方法(例如真空沉积法、旋涂法、流延法、朗缪尔-布洛杰特(lb)法、喷墨印刷法、激光印刷法和激光诱导热成像(liti)法)形成电子传输区etr。
[0190]
在实施方案中，电子传输层etl可以进一步包含传导材料以改善传导性。传导材料可以均匀地或非均匀地分散在电子传输层etl中。传导材料可以是导体或半导体。例如，传导材料可以具有约10-4
ω-1
m-1
至约107ω-1
m-1
的电导率。
[0191]
例如，传导材料可以是p-型掺杂剂。具体地，电子传输层可以包含卤代金属化合物(例如cui和rbi)、醌衍生物(例如tcnq和f4-tcnq)、金属氧化物(例如氧化钨和氧化钼)和含氰基基团的化合物(例如hat-cn和ndp-9)中的至少一种。
[0192]
此外，电子传输区etr可以包含已知的电子传输材料。例如，电子传输区etr可以包含由以下式et-1表示的化合物。
[0193]
[式et-1]
[0194][0195]
在式et-1中，x1至x3中的至少一个是n，并且余者是cra。ra可以是氢原子、氘原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团。ar1至ar3可以各自独立地是氢原子、氘原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基基团、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基基团。
[0196]
在式et-1中，“a”至“c”可以各自独立地是0至10的整数。在式et-1中，l1至l3可以各自独立地是直连键、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基基团。例如，当“a”至“c”是2或大于2的整数时，l1至l3可以各自独立地是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基基团。
[0197]
电子传输区etr可以包含基于蒽的化合物。然而，实施方案不限于此，并且电子传
输区etr可以包含，例如，三(8-羟基喹啉根合)铝(alq3)、1,3,5-三[(3-吡啶基)-苯-3-基]苯、2,4,6-三(3'-(吡啶-3-基)联苯-3-基)-1,3,5-三嗪、2-(4-(n-苯基苯并咪唑-1-基)苯基)-9,10-二萘基蒽、1,3,5-三(1-苯基-1h-苯并[d]咪唑-2-基)苯(tpbi)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(taz)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4h-1,2,4-三唑(ntaz)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(tbu-pbd)、双(2-甲基-8-喹啉根合-n1,o8)-(1,1'-联苯-4-根合)铝(balq)、双(苯并喹啉-10-根合)铍(bebq2)、9,10-二(萘-2-基)蒽(adn)、1,3-双[3,5-二(吡啶-3-基)苯基]苯(bmpyphb)或其混合物。
[0198]
电子传输区etr可以包含以下化合物et1至化合物et36中的至少一种。
[0199]
[0200]
[0201][0202]
此外，电子传输区etr可以包含卤代金属(例如lif、nacl、csf、rbcl、rbi、cui和ki)、镧系金属(例如yb)、以及以上描述的卤代金属和镧系金属的共沉积材料。例如，电子传
输区etr可以包含ki:yb、rbi:yb等作为共沉积材料。例如，金属氧化物(例如li2o和bao)、8-羟基-喹啉锂(liq)等可以用于电子传输区etr，但实施方案不限于此。还可以由电子传输材料和绝缘有机金属盐的混合物材料形成电子传输区etr。有机金属盐可以是具有约4ev或大于4ev的能带间隙的材料。具体地，有机金属盐可以包括例如金属乙酸盐、金属苯甲酸盐、金属乙酰乙酸盐、金属乙酰丙酮酸盐或金属硬脂酸盐。
[0203]
除了以上描述的材料之外，电子传输区etr可以进一步包含2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)和4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)中的至少一种，但实施方案不限于此。
[0204]
电子传输区etr可以在电子注入层eil、电子传输层etl和空穴阻挡层hbl中的至少一个中包含上述电子传输区的化合物。
[0205]
当电子传输区etr包括电子传输层etl时，电子传输层etl的厚度可以是约至约例如，约至约当电子传输层etl的厚度满足以上描述的范围时，可以获得令人满意的电子传输性质，而没有驱动电压的显著增加。当电子传输区etr包括电子注入层eil时，电子注入层eil的厚度可以是约至约例如，约至约当电子注入层eil的厚度满足以上描述的范围时，可以获得令人满意的电子注入性质，而没有驱动电压的显著增加。
[0206]
根据实施方案的发光元件ed可以包括在第二电极el2下方的电子注入层eil。然而，实施方案不限于此，并且电子注入层可以设置在分别包括在第一、第二和第三层堆叠体sf1、sf2和sf3中的电子传输区etr中。
[0207]
电子注入层eil可以包含镧系金属，例如yb。然而，实施方案不限于此，并且卤代金属(例如lif、nacl、csf、rbcl和rbi)、金属氧化物(例如li2o和bao)、喹啉锂(liq)等可以用于电子注入层eil中。替代地，电子注入层eil可以由电子传输材料和绝缘有机金属盐的混合物材料形成。有机金属盐可以是具有约4ev或大于4ev的能带间隙的材料。具体地，有机金属盐可以包括例如金属乙酸盐、金属苯甲酸盐、金属乙酰乙酸盐、金属乙酰丙酮酸盐或金属硬脂酸盐。
[0208]
在电子传输区etr上提供第二电极el2。第二电极el2可以是公共电极。第二电极el2可以是阴极或阳极，但实施方案不限于此。例如，当第一电极el1是阳极时，第二电极el2可以是阴极，或者当第一电极el1是阴极时，第二电极el2可以是阳极。
[0209]
第二电极el2可以是透射电极、半透反射电极或反射电极。当第二电极el2是透射电极时，可以由透明金属氧化物(例如，氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟锡锌(itzo)等)制成第二电极el2。
[0210]
当第二电极el2是半透反射电极或反射电极时，第二电极el2可以包含ag、mg、cu、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、lif、mo、ti、yb、w、或者包含它们的化合物或混合物(例如，al-li、mg-in、agyb或mgag)。替代地，第二电极el2可以具有多层结构，所述多层结构包括由以上描述的材料形成的反射膜或半透反射膜，以及由氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟锡锌(itzo)等形成的透明传导膜。例如，第二电极el2可以包含以上描述的金属材料、选自以上描述的金属材料中的两种或多于两种的金属材料的组合、或者以上描述的金属材料的氧化物。
[0211]
第一、第二和第三发光元件ed1、ed2和ed3可以各自独立地在空穴传输区htr、发射层eml和电子传输区etr中包含以上描述的材料。
[0212]
图3a和图3b是示意性地例示出根据实施方案的发光元件ed1、ed2和ed3的横截面视图。图3a和图3b各自示出包括在图2a的显示装置dd中的第一、第二和第三发光元件ed1、ed2和ed3。图3a和图3b示出覆盖层cpl进一步设置在图2a的第一、第二和第三发光元件ed1、ed2和ed3上。覆盖层cpl可以包括多个层或单个层。在实施方案中，覆盖层cpl可以是有机层或无机层。例如，当覆盖层cpl包含无机材料时，无机材料可以包括碱金属化合物(例如lif)、碱土金属化合物(例如mgf2、sion、sin
x
、sioy)等。
[0213]
例如，当覆盖层cpl包含有机材料时，有机材料可以包括α-npd、npb、tpd、m-mtdata、alq3、cupc、n4,n4,n4',n4'-四(联苯-4-基)联苯-4,4'-二胺(tpd15)、4,4',4
”‑
三(咔唑-9-基)三苯胺(tcta)、环氧树脂或丙烯酸酯(例如甲基丙烯酸酯)等。然而，实施方案不限于此，并且覆盖层cpl可以包含以下化合物p1至化合物p5中的至少一种。
[0214][0215]
然而，实施方案不限于此，并且可以省略覆盖层cpl。
[0216]
参考图3a，在实施方案中，将第一、第二和第三发光元件ed1、ed2和ed3中的每一个示出为包括三个堆叠体。具体地，将第一、第二和第三发光元件ed1、ed2和ed3中的每一个示出为包括对应于以上在图2b中描述的第一、第二和第三层堆叠体sf1、sf2和sf3的三个堆叠体。然而，实施方案不限于此，并且第一、第二和第三发光元件ed1、ed2和ed3中的每一个可以包括两个堆叠体，或者可以包括四个或多于四个的堆叠体。
[0217]
在实施方案中，第一发光元件ed1可以包括作为以上在图2a和图2b中描述的第一层堆叠体sf1的第一堆叠体st-g、作为以上在图2a和图2b中描述的第二层堆叠体sf2的第一堆叠体st-g以及作为在以上图2a和图2b中描述的第三层堆叠体sf3的第二堆叠体st-b。例
如，第一发光元件ed1可以包括两个第一堆叠体st-g和一个第二堆叠体st-b。然而，第一堆叠体st-g和第二堆叠体st-b的堆叠顺序不限于此。例如，第二堆叠体st-b可以是第一层堆叠体sf1或第二层堆叠体sf2。此外，第一发光元件ed1的配置不限于此。例如，第一发光元件ed1可以包括四个堆叠体，例如，三个第二堆叠体st-b和一个第一堆叠体st-g。
[0218]
电荷产生层可以设置在堆叠体st-g与st-b之间。具体地，p-型电荷产生层p-cgl和n-型电荷产生层n-cgl可以堆叠并且设置在堆叠体st-g与st-b之间。p-型电荷产生层p-cgl和n-型电荷产生层n-cgl可以促进堆叠体st-g与st-b之间的空穴和/或电荷的移动。
[0219]
第一堆叠体st-g可以发射第二光，并且第二堆叠体st-b可以发射第三光。例如，第一堆叠体st-g可以发射绿色光，并且第二堆叠体st-b可以发射蓝色光。
[0220]
第一堆叠体st-g和第二堆叠体st-b中的每一个可以包括以上描述的空穴传输区、发射层和电子传输区。图3a简单地例示出电子传输区包括电子传输层，并且空穴传输区包括空穴传输层。例如，第一堆叠体st-g可以包括第一空穴传输层htl1、第一发射层eml-g和第一电子传输层etl1。第一发射层eml-g可以发射第二光。
[0221]
例如，第二堆叠体st-b可以包括第二空穴传输层htl2、第二发射层eml-b和第二电子传输层etl2。第二发射层eml-b可以发射第三光。
[0222]
然而，实施方案不限于此，并且第一堆叠体st-g和第二堆叠体st-b中的每一个可以进一步包括电子注入层、空穴阻挡层、空穴注入层、电子阻挡层、缓冲层等。
[0223]
第一发光元件ed1可以包括第一堆叠体st-g和第二堆叠体st-b两者，由此发射第二光和第三光。重叠第一发光元件ed1的第一光控制部ccp1可以包含第一量子点qd1，从而将第二光和第三光转换成第一光。
[0224]
根据实施方案的第二发光元件ed2可以具有与第一发光元件ed1相同的结构。例如，第二发光元件ed2可以包括两个第一堆叠体st-g和一个第二堆叠体st-b。
[0225]
第二发光元件ed2可以包括作为以上在图2a和图2b中描述的第一层堆叠体sf1的第一堆叠体st-g、作为以上在图2a和图2b中描述的第二层堆叠体sf2的第一堆叠体st-g以及作为在以上图2a和图2b中描述的第三层堆叠体sf3的第二堆叠体st-b。然而，第一堆叠体st-g和第二堆叠体st-b的堆叠顺序不限于此，并且第二发光元件ed2的配置不限于此。第二发光元件ed2具有与第一发光元件ed1相同的堆叠结构，但堆叠体st-g和st-b的堆叠顺序可以改变。
[0226]
在实施方案中，第二发光元件ed2可以包括第一堆叠体st-g和第二堆叠体st-b两者，从而发射第二光和第三光。重叠第二发光元件ed2的第二光控制部ccp2可以包含第二量子点qd2，从而透射第二光，或者将第三光转换成第二光并且透射第二光。
[0227]
根据实施方案的第三发光元件ed3可以具有与第一发光元件ed1和第二发光元件ed2不同的结构。例如，第三发光元件ed3可以包括三个第二堆叠体st-b。具体地，第三发光元件ed3的第一、第二和第三层堆叠体sf1、sf2和sf3可以全部均是第二堆叠体st-b。
[0228]
例如，由于在图3a中示出的根据实施方案的发光元件ed1、ed2和ed3中，第一、第二和第三发光元件ed1、ed2和ed3的第三层堆叠体sf3(参见图2a)全部均是第二堆叠体st-b，因此第一、第二和第三发光元件ed1、ed2和ed3的第三层堆叠体sf3(参见图2a)可以具有整体形状。设置在像素限定膜pdl上的区块bk可以在第一方向dr1上重叠第三发光元件ed3的第一层堆叠体sf1(参见图2a)和第二层堆叠体sf2(图2a)，并且可以不重叠第三层堆叠体
sf3(参见图2a)。然而，实施方案不限于此。
[0229]
第一空穴传输层htl1和第二空穴传输层htl2可以分别简要地例示出第一空穴传输区htr1和第二空穴传输区htr2。第一电子传输层etl1和第二电子传输层etl2可以分别简要地例示出第一电子传输区etr1和第二电子传输区etr2。
[0230]
在实施方案中，第一堆叠体st-g的第一发射层eml-g可以发射第二光。例如，第一发射层eml-g可以发射绿色光，并且具体地可以发射绿色磷光。
[0231]
在实施方案中，第二堆叠体st-b的第二发射层eml-b可以发射第三光。例如，第二发射层eml-b可以发射蓝色光，并且具体地可以发射蓝色荧光。
[0232]
根据实施方案的显示装置dd可以分别在第一发射层eml-g和第二发射层eml-b中发射绿色磷光和蓝色荧光，并且因此可以改善显示装置dd的发光效率。
[0233]
具体地，与其中发射层仅发射蓝色光的显示装置相比，其中发射层发射绿色光和蓝色光两者的根据实施方案的显示装置可以在光控制层ccl中具有改善的绿色光的转换率。因此，与其中发射层仅发射蓝色光的显示装置相比，根据实施方案的显示装置可以具有增加约60％或大于60％的具有约500nm至约550nm的中心波长的光的量。
[0234]
此外，第一发射层eml-g发射磷光，并且第二发射层eml-b发射荧光，并且因此可以增加根据实施方案的显示装置的发光效率。理论上，荧光的内部量子效率是约25％至约62.5％，并且磷光的内部量子效率高达100％。与其中发射层仅发射荧光的显示装置相比，由于根据实施方案的显示装置在发射层中发射磷光和荧光两者，因此可以进一步改善发光效率。
[0235]
第一电子传输层etl1可以设置在第一发射层eml-g上。第二电子传输层etl2可以设置在第二发射层eml-b上。由于第一发射层eml-g和第二发射层eml-b发射彼此不同的光，因此可以不同地控制第一电子传输层etl1和第二电子传输层etl2的电子迁移率。
[0236]
例如，第一电子传输层etl1的电子迁移率可以高于第二电子传输层etl2的电子迁移率。具体地，包含在第一电子传输层etl1中的传导材料的浓度可以高于包含在第二电子传输层etl2中的传导材料的浓度。
[0237]
例如，传导材料可以包括p-型掺杂剂。具体地，传导材料可以包括ndp-9、hat-cn、f4-tcnq和tcnq中的至少一种。
[0238]
例如，包含在第一电子传输层etl1中的ndp-9的浓度可以高于包含在第二电子传输层etl2中的ndp-9的浓度，并且因此，第一电子传输层etl1的电子迁移率可以高于第二电子传输层etl2的电子迁移率。
[0239]
此外，包含在第一电子传输层etl1中的绝缘材料的浓度可以低于包含在第二电子传输层etl2中的绝缘材料的浓度。绝缘材料可以具有约10-4
ω-1
m-1
或小于10-4
ω-1
m-1
的电导率。
[0240]
例如，绝缘材料可以包括卤代金属，或者可以包括具有约5或大于5的介电常数的氧化物。
[0241]
具体地，绝缘材料可以包括碱金属卤化物和镧系金属卤化物中的至少一种。例如，绝缘材料可以包含作为碱金属的li、na、k、rb、cs和fr中的任一种和作为卤素元素的f、cl、br、i、at和ts中的任一种。替代地，绝缘材料可以包含作为镧系金属的la、ce、pr、nd、pm、sm、eu、gd、tb、dy、ho、er、tm、yb和lu中的任一种和作为卤素元素的f、cl、br、i、at和ts中的任一
种。
[0242]
具体地，绝缘材料可以包括铪氧化物(hfo
x
)、锆氧化物(zro
x
)、镧氧化物(lao
x
)、钽氧化物(tao
x
)、铝氧化物(al
x
oy)、硅氧化物(sio
x
)、锶氧化物(sro)、钇氧化物(y2o3)、钙氧化物(cao)、钡氧化物(bao)、镁氧化物(mgo)、钛氧化物(tio2)、锆硅氧化物(zrsio4)、铪硅氧化物(hfsio4)、钡锆氧化物(bazro)和镧铝氧化物(laalo
x
)中的至少一种作为具有5或大于5的介电常数的氧化物。
[0243]
在图3a中，例示出电子注入层eil重叠第一、第二和第三像素区pxa-r、pxa-g和pxa-b并且具有整体形状。然而，实施方案不限于此，并且根据重叠的像素区，电子注入层eil可以包含用于每个像素区的不同材料，或者可以不同地控制包含的材料的浓度。具体地，除了镧系金属(例如yb)之外，电子注入层eil可以进一步包含lif和喹啉锂(liq)。例如，可以将重叠第一像素区pxa-r和第二像素区pxa-g的电子注入层中的lif和liq的浓度控制成小于重叠第三像素区pxa-b的电子注入层中的lif和liq的浓度。因此，可以通过控制第一、第二和第三发光元件ed1、ed2和ed3的平衡来改善显示装置dd的使用寿命。
[0244]
参考图3b，根据实施方案的第一发光元件ed1和第二发光元件ed2中的每一个可以包括三个第一堆叠体st-g。具体地，第一发光元件ed1和第二发光元件ed2中的每一个的第一、第二和第三层堆叠体sf1、sf2和sf3可以全部均是第一堆叠体st-g(参见图2a)。因此，第一发光元件ed1和第二发光元件ed2中的每一个可以发射第二光。例如，第一发光元件ed1和第二发光元件ed2中的每一个可以发射绿色磷光。
[0245]
根据实施方案的第三发光元件ed3可以具有与第一发光元件ed1和第二发光元件ed2不同的结构。例如，第三发光元件ed3可以包括三个第二堆叠体st-b。具体地，第三发光元件ed3的第一、第二和第三层堆叠体sf1、sf2和sf3(参见图2a)可以全部均是第二堆叠体st-b。因此，第三发光元件ed3可以发射第三光。例如，第三发光元件ed3可以发射蓝色荧光。
[0246]
第三发光元件ed3可以不具有与第一发光元件ed1和第二发光元件ed2相同的形状。例如，第三发光元件ed3可以通过像素限定膜pdl和区块bk与第一发光元件ed1和第二发光元件ed2间隔开。在附图中，将像素限定膜pdl和区块bk例示成具有单独的形状，但实施方案不限于此，并且像素限定膜pdl和区块bk可以具有整体形状。例如，像素限定膜pdl和区块bk可以包含彼此相同的材料。
[0247]
图4示出根据实施方案的显示装置dd-1的横截面视图。
[0248]
参考图4，第一、第二和第三光控制部ccp1、ccp2和ccp3可以根据由第一、第二和第三发光元件ed1、ed2和ed3发射的光以各种方式配置。
[0249]
例如，在根据实施方案的显示装置dd-1中，第一发光元件ed1和第二发光元件ed2可以发射第二光，并且第三发光元件ed3可以发射第三光。具体地，第一发光元件ed1和第二发光元件ed2可以发射绿色磷光，并且第三发光元件ed3可以发射蓝色荧光。
[0250]
根据实施方案的第一光控制部ccp1可以包含第一量子点qd1、第一基体树脂br1和散射体sp。第一光控制部ccp1可以将由第一发光元件ed1发射的第二光通过第一量子点qd1转换成第一光。
[0251]
根据实施方案的第二光控制部ccp2可以包含第二基体树脂br2和散射体sp。例如，第二光控制部ccp2可以不包含第二量子点qd2。第二光控制部ccp2可以透射由第二发光元件ed2发射的第二光。
[0252]
根据实施方案的第三光控制部ccp3可以包含第三基体树脂br3和散射体sp。第三光控制部ccp3可以透射由第三发光元件ed3发射的第三光。
[0253]
在下文，将参考具体实施例来描述根据实施方案的发光元件的性质的评价结果。然而，实施方案不限于以下实施例。
[0254]
以下将描述用于解释发光元件的制造和评价的实施例。
[0255]
在表1中列出分别包括在实施例1至实施例9和比较例1的发光元件中的第一电子传输层和第二电子传输层的掺杂剂和掺杂浓度。
[0256]
第一电子传输层是重叠红色像素区和绿色像素区的电子传输层，并且第二电子传输层是重叠蓝色像素区的电子传输区。
[0257]
在实施例1至实施例9和比较例1中，用liq或ndp-9掺杂以下化合物et1以制造第一电子传输层。在实施例1至实施例9和比较例1中，用liq、smf3或ybf3掺杂以下化合物et1以制造第二电子传输层。
[0258]
如以上描述，ndp-9具有比smf3和ybf3更高的传导性，并且smf3和ybf3具有比ndp-9更高的绝缘性质。此外，将liq用作具有强绝缘性质的材料。
[0259][0260]
[表1]
[0261][0262]
参考表1，在根据实施例1的发光元件中，第一电子传输层中的liq的掺杂浓度低于第二电子传输层中的liq的掺杂浓度。在根据实施例2至实施例9的发光元件中，用传导材料ndp-9掺杂化合物et1以制造第一电子传输层，并且用绝缘材料smf3或ybf3掺杂化合物et1以制造第二电子传输层。
[0263]
在比较例1中，第一电子传输层中的liq的掺杂浓度与第二电子传输层中的liq的掺杂浓度相同。
[0264]
例如，制造根据实施例1至实施例9的发光元件，使得第一电子传输层的电子迁移率高于第二电子传输层的电子迁移率。制造根据比较例1的发光元件，使得第一电子传输层的电子迁移率和第二电子传输层的电子迁移率彼此相同。
[0265]
在表2中示出表1中制造的发光元件的驱动电压、发光效率和使用寿命。表2中示出的驱动电压表示在约10ma的电流下测量的电压值。使用寿命是直到发光元件的亮度下降至初始亮度的约97％所花费的时间的量度。
[0266]
发光元件的发光效率和使用寿命表示为基于比较例1的相对值。例如，发光效率和使用寿命对应于当比较例1中的效率和使用寿命是100％时的相对比率。
[0267]
[表2]
[0268]
编号驱动电压发光效率使用寿命(t97)实施例14.5v102％180％实施例24.1v105％140％实施例33.8v115％160％实施例43.7v108％125％实施例53.7v110％135％实施例63.7v112％155％实施例73.8v121％147％实施例83.9v109％152％实施例94.1v105％110％比较例14.2v100％100％
[0269]
参考表2，根据实施例1至实施例9的发光元件的平均驱动电压低于根据比较例1的
发光元件的驱动电压。此外，与根据比较例1的发光元件相比，根据实施例1至实施例9的发光元件显示出改善的发光效率和使用寿命。基于该结果，确认根据实施方案的发光元件是受控的，使得第一电子传输层的电子迁移率高于第二电子传输层的电子迁移率，导致当发光元件被驱动时驱动电压降低，并且因此可以改善发光效率和使用寿命。
[0270]
例如，由于重叠红色和绿色像素区的第一电子传输层具有比重叠蓝色像素区的第二电子传输层更高的电子迁移率，因此可以改善发光元件的发光效率和使用寿命。
[0271]
根据实施方案的显示装置可以增加第一电子传输层etl1的电子迁移率并且降低第二电子传输层etl2的电子迁移率，从而平衡第一堆叠体st-g和第二堆叠体st-b的电子迁移率。因此，可以改善包括发射彼此不同颜色光的第一堆叠体st-g和第二堆叠体st-b的显示装置dd的使用寿命。
[0272]
根据实施方案的显示装置可以改善发光效率和使用寿命。
[0273]
尽管本文已经描述了某些实施方案和实施方式，但其它实施方案和修改将从本描述中将是显而易见的。因此，本发明构思不限于此类实施方案，而是限于所附权利要求以及对本领域普通技术人员将显而易见的各种明显的修改和等同布置的较宽范围。