1.本发明属于在晶圆（wafer）上制作图形化光学滤光薄膜的领域，尤其涉及一种晶圆光学薄膜图形化加工高效去胶的工艺方法。
背景技术：
2.随着半导体芯片小型化集成化的快速发展，半导体晶圆上光学薄膜图形化加工的区域尺寸也越来越小。如图1所示，目前传统晶圆光学薄膜图形化加工去胶的工艺方法为去胶liftoff工艺方式，但由于胶层上方有光学薄膜的阻挡，去胶液无法直接接触到光刻胶，存在去胶困难，时间长，效率低的问题。那么寻求一种在去胶前把光刻胶层上方的光学薄膜快速去除掉的方式就具有重大的研究意义。
3.
技术实现要素：
4.为解决上述技术问题，本发明设计了一种晶圆光学薄膜图形化加工高效去胶的工艺方法。
5.本发明采用如下技术方案：一种晶圆光学薄膜图形化加工高效去胶的工艺方法，其工艺方法步骤为：s1：选取晶圆；s2：采用旋涂的方式在晶圆上涂覆光刻胶；s3：采用光刻工艺，对光刻胶进行曝光，光刻图形依mask设计而定；光刻时被uv光照的图形区域的光刻胶会形成不易溶于显影液的物质，而未被uv光照的图形区域的光刻胶则是易溶于显影液的；s4：光刻后进行显影，将易溶于显影液的图形区域的光刻胶通过显影液去除掉，得到光刻胶图形化的晶圆；s5：将光刻胶图形化的晶圆进行光学薄膜沉积镀膜，得到光学薄膜沉积后的晶圆；s6：将剥离胶带粘贴在光学薄膜沉积后的晶圆上，再将剥离胶带撕掉，沉积在光刻胶上的光学薄膜由于与光刻胶的结合力差而被胶带粘走，从而将光刻胶裸露出来；s7：将裸露出来的光刻胶通过去胶liftoff工艺方式用去胶液去除掉；从而仅保留直接沉积在晶圆上的光学薄膜，达成在晶圆上图形化光学薄膜的目的，完成整个晶圆光学薄膜图形化加工高效去胶的工艺方法。
6.作为优选，所述光刻胶采用负性光刻胶。
7.作为优选，步骤s5中，光刻胶图形化的晶圆通过pvd的方式进行光学薄膜沉积镀膜。
8.作为优选，步骤s7中，去胶liftoff 采用以二甲基亚砜为主要成分的去胶液。
9.本发明的有益效果是：本发明采用剥离胶带粘贴的方式将沉积在光刻胶上的光学薄膜去除掉，裸露出来的光刻胶在去胶过程中直接与去胶液接触，更容易被去除，从而大幅
度缩短了去胶时间，提高了晶圆光学薄膜图形化加工效率。
附图说明
10.图1是传统晶圆光学薄膜图形化加工去胶的工艺方法的一种工艺流程结构图；图2是本发明的一种工艺流程结构图。
具体实施方式
11.下面通过具体实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步的具体描述：实施例：如附图2所示，一种晶圆光学薄膜图形化加工高效去胶的工艺方法，其工艺方法步骤为：s1：选取晶圆；s2：采用旋涂的方式在晶圆上涂覆光刻胶；s3：采用光刻工艺，对光刻胶进行曝光，光刻图形依mask设计而定；光刻时被uv光照的图形区域的光刻胶会形成不易溶于显影液的物质，而未被uv光照的图形区域的光刻胶则是易溶于显影液的；s4：光刻后进行显影，将易溶于显影液的图形区域的光刻胶通过显影液去除掉，得到光刻胶图形化的晶圆；s5：将光刻胶图形化的晶圆进行光学薄膜沉积镀膜，得到光学薄膜沉积后的晶圆；s6：将剥离胶带粘贴在光学薄膜沉积后的晶圆上，再将剥离胶带撕掉，沉积在光刻胶上的光学薄膜由于与光刻胶的结合力差而被胶带粘走，从而将光刻胶裸露出来；s7：将裸露出来的光刻胶通过去胶liftoff工艺方式用去胶液去除掉；从而仅保留直接沉积在晶圆上的光学薄膜，达成在晶圆上图形化光学薄膜的目的，完成整个晶圆光学薄膜图形化加工高效去胶的工艺方法。
12.光刻胶采用负性光刻胶。
13.步骤s5中，光刻胶图形化的晶圆通过pvd的方式进行光学薄膜沉积镀膜。步骤s7中，去胶liftoff 采用以二甲基亚砜为主要成分的去胶液。
14.为明确本发明工艺效果，研究人员对改进前工艺和本发明工艺做了同等条件下的实测实验，得出实验结果为改进前工艺的实验组的完全去胶时间为6h，本发明工艺实验组的完全去胶时间为0.5h。可见改进后的本发明工艺大大提升了去胶效率，得到了突出的去胶效果。
15.且由于产品上电性线路及pad对去胶液较为敏感，长时间去胶会对其性能会造成损失，去胶时间的缩短对产品本身电性线路及pad的性能损失大大降低。此外，改善后的本发明工艺去胶后外观品质也有所提高，改进前工艺去胶后外观良率实测为90%左右，改进后本发明工艺外观良率实测为98%以上。
16.本发明采用剥离胶带粘贴的方式将沉积在光刻胶上的光学薄膜去除掉，裸露出来的光刻胶在去胶过程中直接与去胶液接触，更容易被去除，从而大幅度缩短了去胶时间，提高了晶圆光学薄膜图形化加工效率。
17.以上所述的实施例只是本发明的一种较佳的方案，并非对本发明作任何形式上的限制，在不超出权利要求所记载的技术方案的前提下还有其它的变体及改型。
技术特征：
1.一种晶圆光学薄膜图形化加工高效去胶的工艺方法，其特征是，其工艺方法步骤为：s1：选取晶圆；s2：采用旋涂的方式在晶圆上涂覆光刻胶；s3：采用光刻工艺，对光刻胶进行曝光，光刻图形依mask设计而定；光刻时被uv光照的图形区域的光刻胶会形成不易溶于显影液的物质，而未被uv光照的图形区域的光刻胶则是易溶于显影液的；s4：光刻后进行显影，将易溶于显影液的图形区域的光刻胶通过显影液去除掉，得到光刻胶图形化的晶圆；s5：将光刻胶图形化的晶圆进行光学薄膜沉积镀膜，得到光学薄膜沉积后的晶圆；s6：将剥离胶带粘贴在光学薄膜沉积后的晶圆上，再将剥离胶带撕掉，沉积在光刻胶上的光学薄膜由于与光刻胶的结合力差而被胶带粘走，从而将光刻胶裸露出来；s7：将裸露出来的光刻胶通过去胶liftoff工艺方式用去胶液去除掉；从而仅保留直接沉积在晶圆上的光学薄膜，达成在晶圆上图形化光学薄膜的目的，完成整个晶圆光学薄膜图形化加工高效去胶的工艺方法。2.根据权利要求1所述的一种晶圆光学薄膜图形化加工高效去胶的工艺方法，其特征是，所述光刻胶采用负性光刻胶。3.根据权利要求1所述的一种晶圆光学薄膜图形化加工高效去胶的工艺方法，其特征是，步骤s5中，光刻胶图形化的晶圆通过pvd的方式进行光学薄膜沉积镀膜。
技术总结
本发明公开了一种晶圆光学薄膜图形化加工高效去胶的工艺方法。本发明采用剥离胶带粘贴的方式将沉积在光刻胶上的光学薄膜去除掉，裸露出来的光刻胶在去胶过程中直接与去胶液接触，更容易被去除，从而大幅度缩短了去胶时间，提高了晶圆光学薄膜图形化加工效率。解决传统的去胶liftoff方式由于胶层上方有光学薄膜的阻挡，去胶液无法直接接触到光刻胶，存在去胶困难，时间长，效率低的问题。效率低的问题。效率低的问题。
技术研发人员：刘耀菊 陈银培 田双江 邓宇 杨巨椽
受保护的技术使用者：杭州美迪凯光电科技股份有限公司
技术研发日：2022.01.24
技术公布日：2022/4/29
再多了解一些
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