技术特征：
1.一种处理液，其为半导体器件用处理液，
所述处理液包含水及有机溶剂，
所述有机溶剂为由有机溶剂A及有机溶剂B构成的组合，且至少包含下述的组合1～6中的任一个组合，
所述处理液的pH为5以上，
组合1：所述有机溶剂A为乙二醇单丁醚，所述有机溶剂B为选自由1-仲丁氧基丁烷、1-(2-丁氧基乙氧基)乙烷-1-醇、1-((2-丁氧基乙氧基)甲氧基)丁烷、1-(2-(乙氧基甲氧基)乙氧基)丁烷、(2-丁氧基乙氧基)乙酸、3,6,9,12-四氧杂十六烷-1-醇、甘油、十八醇及二(2-丁氧基)甲烷组成的组B1中的至少1种的组合，
组合2：所述有机溶剂A为二乙二醇单丁醚，所述有机溶剂B为选自由1-仲丁氧基丁烷、1-(2-丁氧基乙氧基)乙烷-1-醇、1-((2-丁氧基乙氧基)甲氧基)丁烷、1-(2-(乙氧基甲氧基)乙氧基)丁烷、(2-丁氧基乙氧基)乙酸、3,6,9,12-四氧杂十六烷-1-醇、甘油、十八醇及二(2-丁氧基)甲烷组成的组B2中的至少1种的组合，
组合3：所述有机溶剂A为二甲基亚砜，所述有机溶剂B为选自由二甲基二硫醚、二甲基硫醚及二甲基砜二甲基二硫醚组成的组B3中的至少1种的组合，
组合4：所述有机溶剂A为环丁砜，所述有机溶剂B为选自由3-环丁烯砜及二甲基亚砜组成的组B4中的至少1种的组合，
组合5：所述有机溶剂A为丙二醇，所述有机溶剂B为甘油的组合，
组合6：所述有机溶剂A为己二醇，所述有机溶剂B为选自由丙酮及二丙酮醇组成的组B6中的至少1种的组合。
2.根据权利要求1所述的处理液，其中，
作为所述组合1～6而包含于处理液中的所述有机溶剂A及所述有机溶剂B满足所述有机溶剂A的含量相对于所述有机溶剂B的含量的比例以质量比计为1.0～1.0×104的条件。
3.根据权利要求1或2所述的处理液，其还包含去除剂。
4.根据权利要求3所述的处理液，其中，
所述去除剂包含选自氢氟酸、氟化铵、四甲基氟化铵、多元羧酸及聚氨基羧酸中的至少1种。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的处理液，其还包含pH调节剂。
6.根据权利要求5所述的处理液，其中，
所述pH调节剂包含选自含氮脂环化合物、氢氧化铵、水溶性胺、季铵盐、硫酸、盐酸及乙酸中的至少1种。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的处理液，其还包含钴离子。
8.根据权利要求7所述的处理液，其中，
钴离子为源自选自氟化钴、氯化钴、氢氧化钴、氧化钴及硫酸钴中的至少1种钴离子源的钴离子。
9.根据权利要求7或8所述的处理液，其中，
所述有机溶剂A的含量相对于所述钴离子的含量的比例以质量比计为1.0×106～1.0×1010。
10.根据权利要求7至9中任一项所述的处理液，其中,
所述水的含量相对于所述处理液的总质量为10.0质量％～98.0质量％，
所述有机溶剂的总含量相对于所述处理液的总质量为1.0质量％～90.0质量％，
所述钴离子的含量相对于所述处理液的总质量为0.001质量ppb～1000质量ppb。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的处理液，其中，
所述处理液中的Ca成分的含量相对于Na成分的含量的比例以质量比计为0.8～1.2。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的处理液，其还包含选自羟胺、羟胺衍生物及它们的盐中的至少1种羟胺化合物。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的处理液，其还包含腐蚀抑制剂。
14.根据权利要求13所述的处理液，其中，
所述腐蚀抑制剂包含选自由下述式(A)表示的化合物、由下述式(B)表示的化合物、由下述式(C)表示的化合物及经取代或未经取代的四唑中的至少1种化合物，
式(A)中，R1A～R5A分别独立地表示氢原子、经取代或未经取代的烃基、羟基、羧基或者经取代或未经取代的氨基，其中，在结构中包含至少一个选自羟基、羧基及经取代或未经取代的氨基的基团,
式(B)中，R1B～R4B分别独立地表示氢原子或者经取代或未经取代的烃基，
式(C)中，R1C、R2C及RN分别独立地表示氢原子或者经取代或未经取代的烃基，并且，任选地R1C与R2C键合而形成环。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的处理液，其用作用于去除蚀刻残渣的清洗液、用于去除图案形成中所使用的抗蚀剂膜的溶液、用于从化学机械研磨后的基板去除残渣的清洗液、或者蚀刻液。
16.根据权利要求1至11中任一项所述的处理液，其还包含选自羟胺、羟胺衍生物及它们的盐中的至少1种羟胺化合物以及螯合剂。
17.根据权利要求16所述的处理液，其中，
所述螯合剂包含与多氨基多羧酸不同的、具有至少2个含氮基团的含氮螯合剂。
18.根据权利要求17所述的处理液，其中，
所述含氮螯合剂为选自由下述式(I)～式(IV)表示的化合物及它们的盐的化合物，
(R3NH)C(R1)(R2)CO2H (I)
式(I)中，R1及R2分别独立地表示氢原子、碳原子数1～4的烷基或具有至少一个含氮基团的基团，R3表示氢原子、碳原子数1～10的烷基或具有至少一个含氮基团的基团，其中，R1、R2及R3中的至少一个表示具有至少一个含氮基团的基团，
式(II)中，R10、R11、R12及R13分别独立地表示选自氢原子、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的碳原子数3～10的环状烷基及经取代或未经取代的碳原子数1～10的直链状或支链状烷基中的基团，R14表示氢原子，其中，R10、R11、R12及R13中的至少一个表示经取代或未经取代的芳基或者表示具有芳基作为取代基的基团，并且R10、R11、R12及R13中的至少2个表示氢原子，并且，任选地R13与R14彼此键合而形成咪唑环，
式(III)中，m表示1～10的整数。R20、R21、R22及R23分别独立地表示选自氢原子、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的碳原子数3～10的环状烷基及经取代或未经取代的碳原子数1～10的直链状或支链状烷基中的基团，R24表示选自氢原子、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的苯基乙基及经取代或未经取代的苄基烷基中的基团，m为2以上的整数的情况下，多个R24相同或不同，其中，R20、R21、R22、R23及R24中的至少一个表示经取代或未经取代的芳基或者表示具有芳基作为取代基的基团，并且R20、R21、R22及R23中的至少2个表示氢原子，
式(IV)中，n表示2以上的整数，多个R25分别独立地表示氢原子或者经取代或未经取代的碳原子数1～6的烷基，多个R26分别独立地表示经取代或未经取代的碳原子数1～20的亚烷基。
19.一种试剂盒，其为用于制备权利要求16至18中任一项所述的处理液，
所述试剂盒具备包含所述羟胺化合物的第1液,及
包含所述螯合剂中的至少1种的第2液，
水、所述有机溶剂A及所述有机溶剂B分别包含于所述第1液及所述第2液中的至少一种中。
20.一种试剂盒，其具备权利要求1至18中任一项所述的处理液及选自水、异丙醇及包含氢氧化铵的溶剂中的稀释液。
21.一种处理液的制造方法，其为制造权利要求16至18中任一项所述的处理液的方法，所述制造方法包括：
金属去除工序，从包含螯合剂的原料中去除金属来获得包含所述螯合剂的纯化物；及
处理液制备工序，使用所述纯化物中所包含的所述螯合剂来制备所述处理液。
22.根据权利要求21所述的处理液的制造方法，其中，
所述金属去除工序包括使所述原料通过选自螯合树脂及离子交换树脂中的至少一个树脂的工序。
23.根据权利要求21或22所述的处理液的制造方法，其中，
所述纯化物中的金属成分的每种金属元素的含量相对于所述螯合剂的含量的比例以质量比计均为1.0×10-7以下。
24.一种基板的清洗方法，其包括清洗工序，所述清洗工序使用权利要求1至18中任一项所述的处理液，对具备包含选自钴、钨及铜中的至少1种金属的金属层的基板进行清洗。
25.根据权利要求24所述的清洗方法，其中，
所述基板还具备包含选自铜、钴、钴合金、钨、钨合金、钌、钌合金、钽、钽合金、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝、钛铝、钛、氮化钛、氧化钛、氧化锆、氧化铪、氧化钽、氧化镧及钇合金中的至少1种成分的金属硬掩模。
26.根据权利要求24或25所述的清洗方法，其还包括冲洗工序，在所述清洗工序之后，用水或包含异丙醇的冲洗液冲洗所述基板。
27.根据权利要求26所述的清洗方法，其中，
所述冲洗液还包含氢氧化铵。
28.根据权利要求26或27所述的清洗方法，其还包括干燥工序，在所述冲洗工序之后，加热所述基板而使其干燥。
29.一种基板的处理方法，其对在表面具有金属层的基板进行处理，所述基板的处理方法包括：
工序P，对所述基板的表面实施使之与药液接触的液处理、使臭氧气体与所述基板接触的臭氧处理、所述基板在氧气环境下的加热处理、或者使用氧气的所述基板的等离子体处理，使所述金属层的表层氧化而形成氧化金属层，
所述药液选自水、过氧化氢水、氨水与过氧化氢水的混合水溶液、氟酸与过氧化氢水的混合水溶液、硫酸与过氧化氢水的混合水溶液、盐酸与过氧化氢水的混合水溶液、溶氧水、以及臭氧溶解水；和
工序Q，使权利要求1至18中任一项所述的处理液与在所述工序P中形成的所述氧化金属层的表面接触而去除所述氧化金属层。
30.根据权利要求29所述的处理方法，其依次反复实施所述工序P及所述工序Q。
31.根据权利要求29或30所述的处理方法，其中，
所述金属层包含钴、铜、钨、钛或铝。
技术总结
本发明的课题在于提供一种半导体器件用处理液，所述处理液相对于金属层的耐腐蚀性优异。并且，本发明的课题在于提供一种试剂盒、上述处理液的制造方法、使用上述处理液的基板的清洗方法及使用上述处理液的基板的处理方法。本发明的处理液为半导体器件用处理液，其包含水及有机溶剂，有机溶剂为由有机溶剂A及有机溶剂B构成的组合，且至少包含特定的组合1～6中的任一个组合，pH为5以上。
技术研发人员：高桥智威;清水哲也;水谷笃史;杉岛泰雄;
受保护的技术使用者：富士胶片株式会社;
技术研发日：2020.08.04
技术公布日：2022.04.15
本文用于企业家、创业者技术爱好者查询，结果仅供参考。