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一种半导体聚合物组合物的制作方法

2022-04-14 02:45:35 来源:中国专利 TAG:


1.本发明涉及一种半导体聚合物组合物,其包含乙烯乙酸乙烯酯eva的基础聚合物、为炭黑的导电组分和聚乙烯蜡。本发明还涉及多层电缆中的层,例如电力电缆中的粘合半导体层,包含半导体聚合物组合物,制备和/或生产该半导体聚合物组合物的方法和包含由该半导体聚合物组合物获得的半导体层的电缆,以及该半导体聚合物组合物用于降低混炼过程中的能量消耗的用途。


背景技术:

2.在电线和电缆(w&c)应用中,典型的电缆包括至少一个导体,该导体被一层或多层聚合物材料包围。在包括中压(mv)、高压(hv)和超高压(ehv)应用在内的电力电缆应用中,所述导体被包括内半导体层、绝缘层和外半导体层在内的若干层按此顺序包围。除了这些层,可以添加另外的层,例如屏蔽层和/或辅助阻挡层,例如一层或多层防水层和一层或多层护套层。此外,在不同的电缆应用中重要的电气特性可能会有所不同,如同交流(ac)和直流(dc)电缆应用之间的电气特性不同的情形。
3.绝缘层和半导体层通常由优选交联的乙烯均聚物和/或共聚物组成。针对电缆的挤出,用过氧化物(例如过氧化二异丙苯)交联的ldpe(低密度聚乙烯,即在高压下通过自由基聚合制备的聚乙烯)已成为主要的电缆绝缘层材料。
4.典型的电缆通常是通过在导体上挤压层来生产的。这种聚合物半导体层是众所周知的并且广泛用于额定电压大于6kv的介电电力电缆。这些层用于在导体和绝缘层之间以及在绝缘层和地电位或中性电位之间提供中间电阻率的层。
5.此外,还已知聚合物的交联,例如聚烯烃的交联主要有助于提高聚合物的耐热性和抗变形性、机械强度、耐化学性和耐磨性。因此,交联聚合物广泛用于不同的最终应用,例如上述电线电缆(w&c)应用。
6.半导体层广泛用于额定电压大于6kv的介电电力电缆。半导体层的目的是为绝缘中的电场提供平滑的界面,例如通过防止导体层和介电层界面处的局部放电,从而延长电力电缆的使用寿命,即长期能力。
7.当制备用于这种半导体层的半导体聚合物组合物时,通过合适的混炼设备在混炼工艺中混炼该组合物,例如使用密炼机(如banbury或bolling)、连续单螺杆(如布斯混炼机)或连续双螺杆(如farrel)或连续混炼机(如werner&pfleiderer)。该组合物包含例如聚合物、导电组分(如炭黑)和任选的其他添加剂。如果要在交联层中使用半导体聚合物组合物,则可以例如在混炼过程下游发生的浸渍步骤中,将过氧化物添加到组合物中。在混炼和任选的浸渍步骤之后,通常通过在导体上挤出各种层来生产电缆。
8.在混炼过程中,组合物在升高的温度下混炼。由于这个和其他原因,混炼过程消耗大量能量,从而需要更节能地生产半导体聚合物组合物。


技术实现要素:

9.本发明人现在已经发现,通过将聚乙烯蜡添加到半导体聚合物组合物中,可以实现在混炼过程中更少的能量消耗,而不会损失混炼输出。与没有这种添加剂的常规半导体聚合物组合物相比,本发明的组合物包含聚乙烯蜡以降低在半导体聚合物组合物的混炼过程中的能量消耗。不希望受到任何理论的束缚,相信该组合物提供了可加工性优势,无论是组合物本身,还是通过混炼设备和组合物之间的改进的相互作用,这降低了混炼设备在混炼过程中消耗的能量。
10.因此,从一个方面来看,本发明提供了一种半导体聚合物组合物,包括:
11.(a)乙烯乙酸乙烯酯共聚物的基础聚合物;
12.(b)至少25重量%的炭黑;和
13.(c)1至15重量%的聚乙烯蜡。
14.令人惊讶地发现,通过添加1至15重量%的聚乙烯蜡,以基础聚合物份额减少,混炼过程的能耗降低了约10%。这通常无需调整组合物中的其他化合物(例如炭黑含量)即可实现。因此,无需进一步调整即可进行混炼步骤的下游过程,例如电缆的生产。聚乙烯蜡因此可以被称为能量降低组分,相对于没有聚乙烯蜡或具有不同量的聚乙烯蜡的相应组合物,其导致在半导体聚合物组合物的混炼过程中能量消耗降低。
15.此外,众所周知,在高温下,eva共聚物易受热降解,导致在聚合物主链上形成乙酸和不饱和度(b.sultan et.al,j.app.pol.sci.,vol 43,issue 9,p.1737)。不希望形成乙酸,因为它会导致生产设备的腐蚀。混炼过程的能耗降低可能导致混炼设备中的温度降低,从而减少乙酸的产生。
16.从另一方面来看,本发明提供了一种制品,该制品包括半导体层,该半导体层是从如上文所定义的半导体聚合物组合物获得的,其中该制品例如是多层电缆中的层,例如电力电缆层,或电缆,例如电力电缆。因此,所述制品可以是多层电缆中的层,例如电力电缆层,其中所述层包含如上文定义的半导体聚合物组合物。所述层例如可以是所述多层电缆中的粘合层。
17.从另一个方面来看,本发明提供了一种通过混炼制备如上文所定义的半导体聚合物组合物的方法。混炼方法通常包括将所述聚合物组合物加热到高于组合物的至少主要聚合物组分的熔点的温度,该温度通常比所述聚合物组分的熔点高10℃以上,优选高25℃以上,并且低于不希望的组分的降解温度。
18.本发明还提供了一种用于生产电缆的方法,包括以下步骤:在一个或多个导体上施加包含如上文定义的半导体聚合物组合物的层。
19.从一个方面来看,本发明提供了聚乙烯蜡用于在如上文所定义的半导体聚合物组合物的混炼过程中降低能量消耗的用途。
具体实施方式
20.定义
21.半导体聚合物组合物在本文中是指聚合物组合物包含导电填料,例如半导电量的炭黑。如技术人员所熟知的,术语半导体聚合物组合物是用于半导体应用中,例如在电缆的半导体层中的聚合物组合物的众所周知的表述。
22.聚乙烯蜡在本文中定义为平均分子量为600-8000g/mol,优选800-6000g/mol或800-5000g/mol,更优选1000-4000g/mol的聚乙烯聚合物。
23.术语“蜡”可以另外或替代地被认为是具有高于1200g/10min的mfr2的聚合物。因此,在全文中,术语“聚乙烯蜡”可以用术语“mfr2高于1200g/10min的聚乙烯共聚物”代替。
24.术语“聚乙烯”将被理解为是指基于乙烯的聚合物,即基于聚合物整体的总重量包含至少50重量%乙烯的聚合物。术语“聚乙烯”和“基于乙烯的聚合物”在本文中可互换使用,是指包含大部分重量百分比的聚合乙烯单体(基于可聚合单体的总重量)并且任选地可以包含至少一种聚合的共聚单体的聚合物。基于乙烯的聚合物可包括大于50、或大于60、或大于70、或大于80、或大于90重量%的衍生自乙烯的单元(以基于乙烯的聚合物的总重量为基准)。
25.本发明的低密度聚乙烯ldpe是在高压工艺中生产的聚乙烯。通常,乙烯和任选的其他共聚单体在高压过程中的聚合在引发剂的存在下进行。术语ldpe的含义是众所周知的并且记载在文献中。术语ldpe描述高压聚乙烯,其区别于在烯烃聚合催化剂存在下生产的低压聚乙烯。ldpe具有某些典型特征,例如不同的分支结构。ldpe的典型密度范围为0.900至0.960g/cm3。
26.术语“导体”在本文中是指包括一根或多根线的导体。所述线可以用于任何用途,例如光学、电信或电线。此外,电缆可以包括一个或多个这样的导体。优选地,导体是电导体并且包括一根或多根金属线。
27.乙烯乙酸乙烯酯共聚物(a)
28.本发明上下文中的乙烯乙酸乙烯酯共聚物(a)是聚乙烯,即包含乙烯作为主要单体组分。聚乙烯共聚物(a)包含乙酸乙烯酯作为共聚单体并且可以包含一种或多种其他共聚单体。众所周知,“共聚单体”是指可共聚的共聚单体单元。
29.乙烯乙酸乙烯酯共聚物(a)在高压聚合过程中生产,优选在引发剂存在下通过自由基聚合。因此,共聚物(a)是低密度聚乙烯(ldpe)。应注意,在高压(hp)中生产的聚乙烯在本文中通常称为ldpe,该术语在聚合物领域具有众所周知的含义。尽管术语ldpe是低密度聚乙烯的缩写,但该术语不应被理解为限制密度范围,而是涵盖具有低、中和更高密度的ldpe类hp聚乙烯。术语ldpe仅描述和区分具有典型特征,例如高支化度的hp聚乙烯的性质。
30.优选的乙烯乙酸乙烯酯共聚物(a)是ldpe共聚物,即乙烯、乙酸乙烯酯和任选的一种或多种其它共聚单体的低密度共聚物(本文称为eva共聚物)。eva共聚物的一种或多种其它共聚单体(如果存在)优选选自如下定义的极性共聚单体、非极性共聚单体或极性共聚单体和非极性共聚单体的混合物。此外,所述eva共聚物可以任选地是不饱和的。应当理解,如果存在一种或多种其他共聚单体,则与组合物中存在的任何其他共聚单体相比,乙酸乙烯酯共聚单体占多数。
31.在一个优选的实施方式中,一种或多种其他共聚单体包括极性共聚单体。“极性”共聚单体是指包含至少一个极性键并具有净电偶极子(即净正电荷区域和净负电荷区域)的共聚单体。
32.作为一种或多种其他共聚单体的极性共聚单体,可以使用含有羟基、烷氧基、羰基、羧基、醚基或酯基的化合物,或者它们的混合物。更优选地,含有羧基和/或酯基的共聚单体,如果存在的话,被用作所述极性共聚单体。更优选地,eva共聚物的任选极性共聚单体
选自丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯或乙酸酯,或它们的任意混合物。
33.如果极性共聚单体存在于所述eva共聚物中,则其优选选自丙烯酸烷基酯、甲基丙烯酸烷基酯或其混合物。进一步优选地,所述极性共聚单体选自丙烯酸c1-至c6-烷基酯、甲基丙烯酸c1-至c6-烷基酯。更优选地,所述极性eva共聚物是乙烯与丙烯酸c1-至c4-烷基酯的共聚物,例如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯或丙烯酸丁酯,或其任意混合物,更优选乙烯与丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯或丙烯酸丁酯的共聚物,或其任意混合物。
34.作为优选的共聚物(a)的eva共聚物的任选非极性共聚单体,可以使用上述极性共聚单体以外的共聚单体。优选地,非极性共聚单体是含有羟基、烷氧基、羰基、羧基、醚基或酯基的共聚单体以外的共聚单体。一组优选的非极性共聚单体包括以下各项,优选地,由下述各项组成:单不饱和(=一个双键)共聚单体,优选烯烃,优选α-烯烃,更优选c3至c10α-烯烃,例如丙烯、1-丁烯、1-己烯、4-甲基-1-戊烯;多不饱和(=多于一个双键)共聚单体,例如1,7-辛二烯、1,9-癸二烯、1,11-十二碳二烯、1,13-十四碳二烯、7-甲基-1,6-辛二烯、9-甲基-1,8-癸二烯,或其混合物;含硅烷基团的共聚单体;或其任何混合物。
35.如上所述,eva共聚物可以任选地是不饱和的,即它可以包含碳-碳双键(-c=c-)。可以通过一种或多种以下方式提供不饱和度:通过链转移剂(cta)、通过一种或多种多不饱和共聚单体或通过聚合条件。
36.乙烯乙酸乙烯酯共聚物(a)是“不饱和的”在本文中是指该共聚物包含碳碳双键。碳碳双键在本文中意指不饱和度。如本文所述,聚乙烯可包含乙烯基,例如烯丙基。乙烯基是包含碳碳双键的官能团。如本文所用,术语“乙烯基”具有常规含义,即
“‑
ch=ch
2”部分。此外,聚乙烯可以另外包含也包含碳碳双键的其他官能团。也包含碳碳双键的其他官能团可以是例如亚乙烯基(vinylidene group)和/或伸乙烯基(vinylene group)。伸乙烯基具有顺式或反式构型。为避免疑义,亚乙烯基和伸乙烯基不是本文所用术语的乙烯基。通常,所述不饱和聚烯烃具有大于0.1个双键/1000个c-原子的双键含量。
37.根据本发明的又一个实施方式,公开了一种半导体聚合物组合物,其中乙烯乙酸乙烯酯共聚物(a)任选地包含由例如乙烯与乙酸乙烯酯和至少一种多不饱和共聚单体共聚(即产生三元共聚物)所提供的不饱和度,和/或通过,例如,使用链转移剂,例如丙烯所提供的不饱和度。
38.众所周知,例如丙烯可用作共聚单体或链转移剂(cta),或用作两者,由此它可以贡献不饱和度,例如聚乙烯中乙烯基的量。在此,当使用可共聚的cta,例如丙烯时,共聚的cta不计算为原始共聚单体含量。
39.适用于任选的不饱和乙烯乙酸乙烯酯共聚物(a)的多不饱和共聚单体优选由具有至少8个碳原子的直链碳链组成,至少4个碳在非共轭双键之间,其中至少一个在末端,更优选地,所述多不饱和共聚单体是二烯,优选地是包含至少八个碳原子的二烯,第一碳-碳双键在末端并且第二碳-碳双键不与第一碳-碳双键共轭。优选的二烯选自c8至c14非共轭二烯或其混合物,更优选选自1,7-辛二烯、1,9-癸二烯、1,11-十二碳二烯、1,13-十四碳二烯、7-甲基-1,6-辛二烯、9-甲基-1,8-癸二烯或它们的混合物。甚至更优选地,二烯选自1,7-辛二烯、1,9-癸二烯、1,11-十二碳二烯、1,13-十四碳二烯或它们的任意混合物。
40.通常,并且优选在电线和电缆(w&c)应用中,共聚物(a),优选地,优选的eva共聚物的密度高于900kg/m3。优选地,共聚物,优选地,优选的eva共聚物的密度不高于960kg/m3。典
型的密度范围包括900至960kg/m3,例如910至950kg/m3,例如920至945kg/m3。
41.共聚物(a),优选地,优选的eva共聚物的mfr2(2.16kg,190℃)取决于技术人员熟知的所需最终用途应用。优选地,共聚物(a),优选地,优选的eva共聚物的mfr2(2.16kg,190℃)高达150g/10min,例如高达100g/10min。典型范围为0.01至50g/10min,优选0.05至40g/10min,更优选0.1至30g/10min,例如0.5至20g/10min,例如从1至15g/10min。
42.理想地,乙烯乙酸乙烯酯共聚物(a)的mfr2小于聚乙烯蜡(c)的mfr2。
43.共聚物(a)的熔融温度通常高于50℃,更优选高于60℃,最优选为80℃或更高。共聚物(a)的熔融温度优选低于125℃,更优选低于120℃,更优选低于115℃。
44.尽管乙烯乙酸乙烯酯共聚物(a)在本发明的范围内除了乙酸乙烯酯之外还包含一种或多种共聚单体,优选的是唯一的共聚单体是乙酸乙烯酯,即该共聚物由乙烯和乙酸乙烯酯单体单元组成。在存在其他共聚单体的情况下,这些可选自上述作为任选的“极性”或“非极性”共聚单体的任意那些。优选地,乙烯乙酸乙烯酯共聚物(a)不是不同乙烯乙酸乙烯酯共聚物的混合物或共混物。
45.共聚物(a),优选eva共聚物作为优选的共聚物(a)中的总共聚单体含量优选至多70重量%,更优选至多60重量%,例如至多50重量%。通常,相对于共聚物的总重量,共聚单体含量在0.001至50重量%、更优选0.05至40重量%、还更优选小于35重量%、还更优选小于30重量%、更优选小于25重量%的范围内。典型范围包括所述共聚物总量的0.5至40重量%,优选1至35重量%,更优选2至30重量%,例如3至25重量%,例如5至20重量%。
46.相对于共聚物的总重量,共聚物(a)中的乙酸乙烯酯含量优选为1至35重量%,更优选为1.5至32重量%,更优选为2至28重量%,更优选为2.5至25重量%,进一步优选为3至22重量%,例如4至20重量%,尤其是5至19重量%,例如10至18重量%,例如12至16重量%。
47.因此,本发明优选的乙烯乙酸乙烯酯共聚物(a)是ldpe共聚物并且优选在高压下通过自由基引发的聚合(称为高压(hp)自由基聚合)而产生。hp反应器可以是例如众所周知的管式反应器或高压釜反应器或其组合,优选管式反应器。高压(hp)聚合和根据所需最终应用进一步定制聚烯烃的其他性能的工艺条件的调整是众所周知的并且已于文献中描述,并且可以容易地被技术人员使用。合适的聚合温度范围高达400℃,优选80至350℃,压力为70mpa,优选100至400mpa,更优选100至350mpa。至少在压缩阶段之后和/或在管式反应器之后测量压力。在所有步骤中,可以在多个点测量温度。
48.在分离之后,所获得的ldpe通常为聚合物熔体的形式,其通常在与hp反应器系统相连的造粒段,例如造粒挤出机中混合和造粒。任选地,可将添加剂,例如抗氧化剂,以已知方式添加到该混合器中。
49.通过高压自由基聚合生产乙烯(共)聚合物的更多细节可参见例如encyclopedia of polymer science and engineering,vol.6(1986),pp 383-410以及encyclopedia of materials:science and technology,2001 elsevier science ltd.:“polyethylene:high-pressure,r.klimesch,d.littmann and f.-o.pp.7181-7184。
50.相对于组合物整体的总重量,乙烯乙酸乙烯酯共聚物(a)以至少30重量%,或至少40重量%,或至少50重量%的量存在于本发明的半导体聚合物组合物中。优选的量可以在30至73重量%的范围内,更优选30至70重量%,例如32至68重量%,例如35至65重量%,或45至60重量%。
51.用作组分(a)的乙烯乙酸乙烯酯不同于聚乙烯蜡(c)。
52.炭黑(b)
53.本发明的半导体聚合物组合物包含至少25重量%的炭黑。根据所需用途、炭黑的电导率和组合物的电导率,炭黑的量可以变化。基于半导体聚合物组合物的总重量,半导体聚合物组合物包含例如25至60重量%,优选28至55重量%,更优选30至50重量%,例如35至45重量%的炭黑。
54.根据至少一个示例性实施方式,相对于半导体组合物的总重量,炭黑的存在量为至少25重量%,例如至少30重量%,或至少35重量%。优选地,半导体组合物中的炭黑含量相对于半导体组合物的总重量不超过45重量%,或不超过40重量%。因此,相对于半导体组合物的总重量,炭黑的存在量可以为25至45重量%、或25至40重量%、或30至45重量%、或30至40重量%、或34至41重量%。
55.可以使用任何导电的炭黑。通常,炭黑是特种炭黑或p型炭黑。合适的炭黑的非限制性实例包括炉黑和乙炔黑。
56.当根据astm d6556-19测定时,炭黑可以具有5至400m2/g,例如10至300m2/g,例如30至200m2/g的氮吸附表面积(nsa)。此外,炭黑可以具有一种或多种以下性质:i)至少5nm的初级粒径,例如10至30nm或11至20nm的初级粒径,其定义为根据astm d3849-14的平均粒径,ii)当根据astm d-1510-19测量时,至少10mg/g,例如10至300mg/g,例如30至250mg/g,60(或61)至200mg/g,或80至200mg/g,或100至170mg/g的碘吸附数;和/或iii)当根据astm d2414-19测量时,至少30ml/100g,例如50至300ml/100g,例如50至250ml/100g,例如70至200ml/100g,例如90至130ml/100g,或70至119(或120)ml/100g的吸油值(oan)。
57.一组合适的炉黑具有28nm或更小的初级粒径。这类特别合适的炉黑可具有60至300mg/g之间的碘吸附值。进一步合适的是(该类别的)吸油值在50和225ml/100g之间,例如在50和200ml/100g之间。
58.其他合适的炭黑可以通过任何其他方法制备或可被进一步处理。用于半导体电缆层的合适炭黑的合适特征在于它们的清洁度。因此,合适的炭黑具有根据astm d1506测量的小于0.2重量%的灰分含量,根据astm d1514测量的小于30ppm的325目筛余物,并且具有根据astm d1619测量的小于3重量%,优选小于1重量%的总硫。
59.炉炭黑是众所周知的在炉式反应器中生产的炭黑类型的公认术语。作为炭黑、其制备方法和反应器的实例,可以参考例如cabot的ep629222、us4,391,789、us3,922,335和us3,401,020。作为商业炉炭黑的例子,可举出等级n115、n351、n293、n220和n550。为了进一步提高这种炭黑在半导体化合物中的适用性,对这些商业炭黑例如在清洁度、颗粒性能和表面积方面进行改性是有利的。炉炭黑通常不同于乙炔炭黑,后者是适用于半导体聚合物组合物的另一种炭黑类型。
60.乙炔炭黑是在乙炔黑工艺中生产的,例如:如us4,340,577中所述。特别地,乙炔黑可以具有大于20nm,例如20至80nm的粒径。平均初级粒径定义为根据astm d3849-14的平均粒径。这类合适的乙炔黑具有根据astm d1510的30-300mg/g,例如30-150mg/g的碘吸附值。此外,(该类别的)吸油值例如在80ml/100g至300ml/100g之间,例如100ml/100g至280ml/100g之间,这是根据astm d2414测量的。乙炔黑是一个普遍公认的术语,并且众所周知,例如由denka提供。
61.聚乙烯蜡(c)
62.聚乙烯蜡(c)可以是高压聚乙烯,典型地,它是高压ldpe,以与上述用于乙烯乙酸乙烯酯共聚物(a)的类似方式生产(除了使用乙酸乙烯酯作为共聚单体以外)。聚乙烯蜡可以选自聚乙烯的均聚物以及聚乙烯与一种或多种共聚单体的共聚物,并且可以通过高压工艺或低压工艺生产。因此,聚乙烯蜡(c)选自在配位催化剂存在下产生的或在高压聚合过程中产生的乙烯的均聚物或共聚物。就分子量分布和/或共聚单体分布而言,聚乙烯可以是单峰的或多峰的,这些表述具有众所周知的含义。
63.根据至少一个示例性实施方式,聚乙烯蜡(c)是在烯烃聚合催化剂存在下生产的聚乙烯。“烯烃聚合催化剂”在本文中优选意指常规配位催化剂。它优选选自齐格勒-纳塔催化剂、术语包括茂金属和非茂金属催化剂的单位点催化剂,或铬催化剂,或它们的任意混合物。这些术语具有众所周知的含义。在烯烃聚合催化剂存在下聚合的聚乙烯通常也被称为“低压聚乙烯”,以清楚地将其与在高压下生产的聚乙烯进行区分。这两种表达方式在聚烯烃领域都是众所周知的。低压聚乙烯可以在聚合工艺过程中生产,例如在本体、淤浆、溶液或气相条件下或以其任何组合生产。烯烃聚合催化剂通常是如上定义的配位催化剂。
64.在聚乙烯蜡(c)是低压聚乙烯(pe)的情况下,这种低压pe优选选自极低密度乙烯共聚物(vldpe)、线性低密度乙烯共聚物(lldpe)、中密度乙烯共聚物(mdpe)或高密度乙烯均聚物或共聚物(hdpe)。这些众所周知的类型是根据它们的密度区域命名的。术语vldpe在本文中包括也称为塑性体和弹性体的聚乙烯,并且涵盖了从850至909kg/m3的密度范围。lldpe的密度为909至930kg/m3,优选910至929kg/m3,或910至925kg/m3,更优选915至929kg/m3。mdpe的密度为930至945kg/m3,优选931至945kg/m3。hdpe的密度大于945kg/m3,优选大于946kg/m3,优选946至977kg/m3,更优选946至965kg/m3。
65.更优选地,用于聚乙烯蜡(c)的这种低压乙烯共聚物与至少一种选自c3-20α-烯烃、更优选c4-12α-烯烃、更优选c4-8α-烯烃的共聚单体共聚,例如与1-丁烯、1-己烯或1-辛烯或其混合物共聚。pe共聚物中存在的共聚单体的量为0.1至15mol%,通常为0.25至10mol%。
66.此外,在聚乙烯蜡(c)是低压pe聚合物的情况下,这样的pe在分子量分布(mwd=mw/mn)方面可以是单峰的或多峰的。通常,包含至少两种聚合物级分的聚合物,其在产生不同的(重均)分子量和分子量分布的级分的不同的聚合条件下(包括,例如任何工艺参数、起始材料的进料、工艺控制剂的进料和催化剂体系的进料)产生,被称为“多峰”。前缀“多”与聚合物中存在的不同聚合物级分的数量有关。因此,例如,多峰聚合物包括由两个级分组成的所谓的“双峰”聚合物。多峰聚合物的分子量分布曲线的形状,即作为其分子量函数的聚合物重量分数图的外观,将显示出两个或更多个最大值,或者与单个级分的曲线相比通常明显变宽。
67.例如,可通过在单个反应器中以众所周知和文献记载的方式进行单阶段聚合来生产单峰低压pe。例如,可通过将两种或更多种单独的聚合物组分机械共混在一起,或者优选地,在组分的聚合过程中通过原位共混来生产多峰(例如双峰)低压pe。机械共混和原位共混在本领域中是众所周知的。原位共混是指聚合物组分在不同聚合条件下的聚合,例如在多阶段,即两阶段或更多阶段聚合过程中,或通过使用两种或更多种不同的聚合催化剂,在一个阶段聚合过程中,或通过使用多阶段聚合工艺和两种或更多种不同聚合催化剂的组
合。如本领域已知的,聚合区可以在本体、淤浆、溶液或气相条件下或以它们的任何组合操作。
68.根据另一个示例性实施方式,聚乙烯蜡(c)是在高压聚合过程中生产的聚乙烯,优选在引发剂存在下通过自由基聚合来生产。更优选地,聚乙烯蜡(c)是低密度聚乙烯(ldpe)。应当注意,在高压(hp)中生产的聚乙烯在本文中通常称为ldpe,并且如前所述,该术语在聚合物领域具有众所周知的含义。尽管术语ldpe是低密度聚乙烯的缩写,但该术语不应被理解为限制密度范围,而是涵盖具有低、中和更高密度的ldpe类hp聚乙烯。与在烯烃聚合催化剂存在下生产的pe相比,术语ldpe仅描述和区分具有典型特征例如高支化度的hp聚乙烯的性质。
69.本发明的半导体聚合物组合物包含1至15重量%的聚乙烯蜡(c)。基于半导体聚合物组合物的重量,半导体聚合物组合物包含例如2至15重量%,或2至10重量%,或1至10重量%,例如,1至9重量%,例如,2至8重量%或3至7重量%,或约5重量%,或1至5重量%,或1至3重量%的聚乙烯蜡。根据至少一个示例性实施方式,相对于半导体聚合物组合物的总重量,聚乙烯蜡的存在量为至少3重量%,例如至少5重量%,或至少7重量%。优选地,半导体聚合物组合物中的聚乙烯蜡含量相对于半导体聚合物组合物的总重量不超过15重量%。因此,相对于半导体聚合物组合物的总重量,聚乙烯蜡的存在量可以为3至15重量%、或5至15重量%、或7至15重量%、或10至15重量%。
70.根据至少一个示例性实施方式,聚乙烯蜡(c)具有至少1200g/10min的mfr2(2.16kg,190℃)。
71.根据至少一个示例性实施方式,聚乙烯蜡可以具有600至8000g/mol,例如800至6000g/mol或1000至5000g/mol,例如1000和4000g/mol,例如2000至4000g/mol或3000至4000g/mol,例如约3500g/mol的平均分子量。
72.根据至少一个示例性实施方式,聚乙烯蜡可具有90至130℃,或100至130℃,例如100至120℃或100至110℃之间的软化点或熔点。
73.聚合物组合物
74.除了上述组分(a)至(c)之外,本发明的半导体聚合物组合物还可包含其他组分,通常是添加剂,例如抗氧化剂、交联促进剂、防焦剂、加工助剂、填料、偶联剂、紫外线吸收剂、稳定剂、抗静电剂、成核剂、滑爽剂、增塑剂、润滑剂、粘度控制剂、增粘剂、防粘连剂、表面活性剂、增量油、酸清除剂和/或金属钝化剂。这些添加剂在工业中是众所周知的并且技术人员熟悉它们的使用。存在的任何添加剂都可以以单独的原料或与载体聚合物的混合物(即在所谓的母料中)而添加。
75.在一个特别优选的实施方式中,本发明的组合物包含酸清除剂,其包括长链羧酸的金属盐,如金属硬脂酸盐、乳酸盐、天然或合成硅酸盐(如水滑石)、金属氧化物(例如氧化镁、氧化钙、氧化锌)、金属碳酸盐(如碳酸钙)和金属氢氧化物。理想地,酸清除剂是金属硬脂酸盐,例如硬脂酸钙、硬脂酸锌、硬脂酸钠、硬脂酸锂或硬脂酸镁。特别优选硬脂酸锌。
76.如果存在,酸清除剂通常占组合物整体总重量的至少0.1重量%。相对于聚合物组合物的总重量,酸清除剂的示例量因此为0.1至5.0重量%,优选0.2至4.0重量%,更优选0.3至3.0重量%,例如0.4至2.0重量%,或0.2至2.0重量%,或0.2至1重量%。
77.在进一步优选的实施方式中,所述组合物包含抗氧化剂。这种抗氧化剂的例子如
下,但不限于:受阻酚,如四[亚甲基(3,5-二叔丁基-4-羟基氢化肉桂酸酯)]甲烷;双[(β-(3,5-二叔丁基-4-羟基苄基)-甲基羧乙基)]硫化物、4,4
’‑
硫代双(2-甲基-6-叔丁基苯酚)、4,4
’‑
硫代双(2-叔丁基-5-甲基苯酚)、2,2
’‑
硫代双(4-甲基-6-叔丁基苯酚)、2,2
’‑
硫代二亚乙基双-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)-丙酸酯、4,6-双(辛基硫甲基)-邻甲酚和硫代二亚乙基双(3,5-二叔丁基-4-羟基)氢化肉桂酸酯;亚磷酸酯和亚膦酸酯,如三(2,4-二叔丁基苯基)亚磷酸酯和二叔丁基苯基亚膦酸酯;硫代化合物,如硫代二丙酸二月桂酯、硫代二丙酸二肉豆蔻酯和硫代二丙酸双十八酯;各种硅氧烷;聚合的2,2,4-三甲基-1,2-二氢喹啉(tmq)、n,n
’‑
双(1,4-二甲基戊基-对苯二胺)、烷基化二苯胺、4,4
’‑
双(1,1’α,α-二甲基苄基)二苯胺、二苯基-对-苯二胺、混合二-芳基-对-苯二胺、2,2
’‑
草酰氨基双-(乙基-3-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸酯),和其他受阻胺抗降解剂或稳定剂。更优选的抗氧化剂是4,4
’‑
双(1,1
’‑
二甲基苄基)二苯胺。特别优选的抗氧化剂是tmq。
[0078]
基于组合物的重量,抗氧化剂的用量可以为0.1至5.0重量%,优选0.1至2重量%或0.15至2重量%,更优选0.2至2重量%或0.2至1.5重量%,甚至更优选0.25至1.0重量%,例如,0.3至0.8重量%,尤其是0.35至0.7重量%。
[0079]
作为添加剂的填料的例子如下:粘土、沉淀二氧化硅和硅酸盐、热解法二氧化硅、碳酸钙、磨碎的矿物和其他炭黑。基于组合物的重量,填料的用量可以在小于约0.01至大于约40重量%的范围内。
[0080]
在半导体聚合物组合物是可交联组合物的实施方式中,它还可以包含交联剂。相对于组合物的总重量,交联剂的典型量为0.01至4.0重量%,优选0.02至2.0重量%,更优选0.03至1.5重量%,例如0.05至1.2重量%,尤其是0.1至1.0重量%。
[0081]
优选的交联剂是过氧化物。非限制性实例是有机过氧化物,例如二叔戊基过氧化物、2,5-二(叔丁基过氧基)-2,5-二甲基-3-己炔、2,5-二(叔丁基过氧基)-2,5-二甲基己烷、叔丁基枯基过氧化物、二(叔丁基)过氧化物、二枯基过氧化物、4,4-二(叔丁基过氧化)-戊酸丁酯、1,1-二(叔丁基过氧化)-3,3,5-三甲基环己烷、过氧化苯甲酸叔丁酯、过氧化二苯甲酰、二(叔丁基过氧化异丙基)苯、2,5-二甲基-2,5-二(过氧化苯甲酰)己烷、1,1-二(叔丁基过氧化)环己烷、1,1-二(叔戊基过氧化)环己烷,或其任何混合物。优选地,过氧化物选自2,5-二(叔丁基过氧化)-2,5-二甲基己烷、二(叔丁基过氧化异丙基)苯、二枯基过氧化物、叔丁基枯基过氧化物、二(叔丁基)过氧化物或它们的混合物。
[0082]
可用于本发明的防焦剂包括芳族α-甲基烯基单体的不饱和二聚体,例如2,4-二苯基-4-甲基-1-戊烯、取代或未取代的二苯基乙烯、醌衍生物、氢醌衍生物、含单官能乙烯基的酯和醚、具有至少两个或更多个双键的单环烃、或它们的混合物。例如,防焦剂可以选自2,4-二苯基-4-甲基-1-戊烯、取代或未取代的二苯基乙烯、或它们的混合物。
[0083]
通常,乙烯乙酸乙烯酯共聚物(a)和聚乙烯蜡(c)是聚合物组合物中仅有的聚合物组分。然而,在本文中应理解,聚合物组合物可包含另外的组分,例如添加剂,其可任选地添加到含载体聚合物的混合物中,即所谓的母料中。
[0084]
根据至少一个示例性实施例,半导体聚合物组合物基本上不含或不含橡胶,例如乙丙橡胶或乙丙非共轭二烯三元共聚物。因此,本发明的半导体组合物优选基本上不含橡胶(例如,相对于组合物的总重量,包含小于0.5重量%的橡胶,优选小于0.1重量%的橡胶,例如小于0.05重量%的橡胶)。甚至更优选地,半导体组合物不含任何添加的橡胶(即,相对
于组合物的总重量,包含0重量%的橡胶)。换言之,所述半导体聚合物组合物优选为不含橡胶的半导体聚合物组合物。
[0085]
根据至少一个示例性实施方式,组分(a)的乙酸乙烯酯含量为3.0至25重量%,组分(c)的量为1.0至10重量%,且炭黑(b)在半导体聚合物组合物中的含量为34至41重量%。根据又一个实施方式,组分(a)的乙酸乙烯酯含量为5.0至25重量%,组分(c)的量为1.0至7重量%,且炭黑(b)在半导体聚合物组合物中的含量为34和41重量%。根据又一实施方式,组分(a)的乙酸乙烯酯含量为5.0至20重量%,组分(c)的量为2.0至8重量%,且炭黑(b)在半导体聚合物组合物中的含量为34和41重量%。根据又一个实施方式,组分(a)的乙酸乙烯酯含量为10至20重量%,组分(c)的量为3至7重量%,且炭黑(b)在半导体聚合物组合物中的含量为34和41重量%。根据又一个实施方式,组分(a)的乙酸乙烯酯含量为11至19重量%,组分(c)的量为3至7重量%,且炭黑(b)在半导体聚合物组合物中的含量为34和41重量%。
[0086]
聚合物组合物的制备
[0087]
在另一方面,本发明提供了一种制备半导体聚合物组合物的方法,包括:
[0088]
(a)乙烯乙酸乙烯酯共聚物的基础聚合物;
[0089]
(b)至少25重量%的炭黑;以及
[0090]
(c)1至15重量%的聚乙烯蜡。
[0091]
该方法可以例如包括在低于240℃的温度下混炼(a)至(c)。
[0092]
本发明的另一个实施方式公开了一种生产如本文所定义的半导体聚合物组合物的方法,该方法包括在低于240℃的温度下混合和/或共混(例如混炼)组分(a)至(c)。优选的温度范围包括155至235℃,例如160至230℃。
[0093]
这种在高温下的混合通常称为熔体混合,并且通常在比聚合物组分的熔点高10℃以上,优选25℃以上,且低于不希望的组分降解温度的温度下发生。
[0094]
所述温度通常是混炼步骤中出现的最高温度,例如在添加所有炭黑之后,但在将组合物排放到下游功能之前,在混炼设备的混合机筒中。
[0095]
最优选的制备方法包括,通常通过挤出,混炼各种组分。
[0096]
优选地,本发明的所述制备方法还包括将获得的聚合物混合物造粒的步骤。可以使用常规的造粒设备以众所周知的方式进行造粒,所述造粒设备例如优选为集成到所述混合器装置的常规造粒挤出机。本发明的方法可以分批或连续方式操作。
[0097]
用于实施本发明方法的设备例如是单螺杆或双螺杆混合器或捏合挤出机,或它们的组合,它们优选集成到造粒装置中。该设备可以分批操作,或者优选地,以连续方式操作。在优选的造粒步骤之前,该方法可以包括进一步的后续筛分步骤,该步骤也常规地在现有技术中用于制备半导体聚合物组合物以限制大颗粒的数量。
[0098]
根据至少一个示例性实施方式,这样的设备可以是包括混合机筒的共捏合机,在该混合机筒中进行组合物的熔融混合,例如:具有一个或多个用于添加炭黑的进料斗,以及布置在混合机筒下游的出料挤出机或齿轮泵。共捏合机可以例如是一种单螺杆机器,包括每转一次的轴向振动,其中设备混合器室中的静态销与螺杆中的间隙相互作用。因此,提供了一种伸长捏合,其在相对短的机筒中提供有效的分散和分布混合。可以通过在一个或多个料斗中将炭黑添加到聚合物熔体中来控制温度。输出可以例如是3.5吨/小时和rpm750。
[0099]
与没有聚乙烯蜡或不同量的聚乙烯蜡的相应的半导体聚合物组合物的混炼相比,通过添加1至15重量%的聚乙烯蜡,降低了混炼设备,例如共捏合机的能耗。功耗降低可以例如为至少1%、或至少3%、或至少5%、或至少7%、或至少9%、或至少11%。
[0100]
最终应用
[0101]
本发明的另一个实施方式提供一种制品,优选电缆(例如电力电缆),其包含至少一个层,其中所述层包含如本文所述的半导体聚合物组合物。本发明的另一个实施方式提供多层电缆中的层,例如电力电缆层,其中所述层包含如本文所述的半导体聚合物组合物。所述多层电缆例如可以至少有3层,例如内半导体层、外半导体层和布置在它们之间的绝缘层。
[0102]
包含半导体聚合物组合物的电缆的所述层优选地是半导体层,并且因此在全文中可互换地指代。
[0103]
此外,例如,本发明的电缆可以是电力电缆,其包括由至少一个半导体层包围的导体,该半导体层包含本发明的聚合物组合物,优选由本发明的聚合物组合物组成。
[0104]
理想地,电缆将包括由至少一个内半导体层、绝缘层和外半导体层以给定顺序包围的导体,其中所述半导体层包含本文所述的半导体聚合物组合物,优选由本文所述的半导体聚合物组合物组成。内外半导体层的半导体聚合物组合物相同或不同均在本发明的范围内。
[0105]
根据电力电缆的另一个实施方式,半导体层可以是可剥离的或不可剥离的,优选地是不可剥离的,即粘合的。这些术语是已知的并且描述了层的剥离特性,取决于最终应用可能需要或不需要这些特性。因此,根据至少一个示例性实施方式,所述层是所述多层电缆中的粘合层,例如与电缆的导体接触的内外半导体层。
[0106]
在可剥离的半导体层的情况下,本发明的eva共聚物更具极性,基于所述eva共聚物的重量,极性共聚单体的含量为至少20.0重量%,例如至少25.0重量%,优选至少26.0重量%,更优选27.0至35.0重量%,并且可以包含另外的极性聚合物组分以贡献剥离性。优选地,不可剥离的半导体层(例如内层或外层)具有小于25.0重量%,优选小于20.0重量%,更优选10.0至18.0重量%的极性共聚单体含量。在一些实施方式中,基于所述eva共聚物,可能需要低至6.0至15.0重量%的极性共聚单体含量。因此,根据至少一个示例性实施方式,基于所述eva共聚物,半导体聚合物组合物具有小于25.0重量%、优选小于20.0重量%、更优选10.0至18.0重量%或低至6.0至15.0重量%的极性共聚单体含量。在可剥离和不可剥离的情况下,该层均优选是可交联的。
[0107]
根据至少一个示例性实施例,本发明的半导体层具有8kn/m或更大、优选大于10kn/m的剥离力。用于测量这种剥离力的方法是众所周知的,例如在wo2019002449中“剥离力90
°”
下的方法部分中所描述。
[0108]
术语“导体”在上文和下文中意指导体包括一根或多根电线。此外,电缆可以包括一个或多个这样的导体。优选地,导体是电导体并且包括一根或多根金属线。
[0109]
本发明的电缆优选地是选自mv、hv或ehv电缆的电力电缆。电缆优选地是mv电缆、hv电缆或ehv电缆。
[0110]
用于中压或高压电力电缆的绝缘层通常具有至少2毫米,通常至少2.3毫米的厚度,并且随着电缆设计电压的增加,厚度也会增加。
[0111]
众所周知,电缆可以可选地包括另外的层,例如围绕绝缘层的层,或者如果存在的话,外半导体层,例如屏蔽层、护套层、其他保护层或它们的任何组合。
[0112]
本发明的电缆可以是可交联的。因此,进一步优选地,电缆是交联电缆,其中至少一个半导体层包含本发明的可交联聚合物组合物,其在随后的最终使用之前交联。
[0113]
本发明最优选的电缆是电力电缆,其优选为可交联的。这种电力电缆理想地包括由至少一个内半导体层、绝缘层和外半导体层以给定顺序包围的导体,其中半导体层包含本文所述的半导体聚合物组合物,优选由本文所述的半导体聚合物组合物组成。优选地,至少内半导体层包含如上文或下文或权利要求中定义的本发明的聚合物组合物,包括其优选实施方式。在电缆的该优选实施方式中,外半导体层可以任选地包含本发明的聚合物组合物,其可以与内半导体层的聚合物组合物相同或不同。此外,至少内半导体层的本发明聚合物组合物是可交联的,优选是过氧化物交联的,并且在随后的最终使用之前交联。优选地,绝缘层也是可交联的并且在随后的最终使用之前交联。外半导体层可以任选地为可交联的,因此取决于所需的最终应用,是非交联的或交联的。
[0114]
本发明还提供一种用于生产电缆、优选为电力电缆的方法,其中该方法包括以下步骤:
[0115]
在一个或多个导体上施加包含本文定义的半导体组合物的层。
[0116]
根据至少一个示例性实施方式,用于生产电缆的方法包括以下步骤:
[0117]
(i)提供和混合,优选在挤出机中熔融混合,如上文所定义的优选为粒料形式的聚合物组合物;
[0118]
(ii)将优选通过(共)挤出,由步骤(i)获得的聚合物组合物的熔融混合物施加到导体上以形成至少一个半导体层;以及
[0119]
(iii)任选地并且优选地,在交联剂的存在下交联所获得的至少一个半导体层。
[0120]
在另一个实施方式中,本发明包括一种用于生产电缆、优选为电力电缆的方法,其中该方法包括以下步骤:
[0121]
(i)提供和混合,优选在挤出机中熔融混合,用于内半导体层的优选以粒料的形式的如上文所定义的第一半导体组合物,
[0122]-提供和混合,优选在挤出机中熔融混合,用于绝缘层的聚合物组合物,
[0123]-提供和混合,优选在挤出机中熔融混合,用于绝缘层的聚合物组合物,
[0124]-提供和混合,优选在挤出机中熔融混合,优选为粒料形式的用于外半导体层的第二半导体组合物,该组合物包含聚合物、炭黑和任选的其他组分;
[0125]
(ii)优选通过共挤出,施加在导体上,
[0126]-由步骤(i)获得的第一半导体组合物的熔融混合物以形成内半导体层,
[0127]-由步骤(i)获得的聚合物组合物的熔融混合物以形成绝缘层,以及
[0128]-由步骤(i)获得的第二半导体组合物的熔融混合物以形成外半导体层,
[0129]
其中所获得的内半导体层的第一半导体组合物和所获得的外半导体层的第二半导体组合物中的至少一者,优选地至少所获得的内半导体层的第一半导体组合物包含本发明的聚合物组合物,优选由本发明的聚合物组合物组成。
[0130]
术语“(共)挤出”在本文中意指在两个或更多个层的情况下,如本领域中所熟知的,所述层可以在单独的步骤中挤出,或者至少两个或所有所述层可以在相同的挤出步骤
中共挤出。术语“(共)挤出”在本文中还意指所有或部分层使用一个挤出头同时形成,或使用多于一个挤出头顺序形成。
[0131]
众所周知,施加聚合物组合物或其组分的熔融混合物以形成层。混合步骤可以在电缆挤出机中进行。熔融混合步骤可以包括在单独的混合器中的单独混合步骤,例如在与电缆生产线的电缆挤出机连接及在其之前设置的捏合机中的单独混合步骤。在前述单独的混合器中的混合可以通过在有或没有组分的外部加热(用外部源加热)的情况下混合来进行。
[0132]
通常,炭黑(b)和聚乙烯蜡(c)与乙烯乙酸乙烯酯共聚物(a)混合,例如通过熔融混合,将得到的熔融混合物造粒成用于上述电缆制造方法的粒料。粒料在本文中通常是指由反应器制造的聚合物(直接从反应器获得)通过反应器后改性为固体聚合物颗粒而形成的任何聚合物产品。粒料可以是任何尺寸和形状。然后将获得的粒料用于电缆生产。
[0133]
所有或部分任选的其他组分,例如另外的聚合物组分或添加剂,可以在提供给电缆制备过程的混合步骤(i)之前存在于聚合物组合物中,或者,例如可以由电缆生产商在电缆生产过程的混合步骤(i)期间添加。
[0134]
如果并且优选地,聚合物组合物在电缆形成之后交联,则交联剂优选是过氧化物,其可以在混合步骤(i)之前或期间与聚合物组合物的组分混合。优选地,将交联剂,优选过氧化物,浸渍到聚合物组合物的固体聚合物粒料中。然后将获得的粒料提供给电缆生产步骤。
[0135]
最优选地,本发明的聚合物组合物以合适的产品形式,如粒料产品提供给电缆生产过程的混合步骤(i)。
[0136]
如果聚合物组合物是可硅烷交联的,则在电缆形成之前交联剂通常不存在于聚合物组合物中,但通常将交联剂添加到绝缘层组合物中,并且在电缆形成后,交联剂在交联步骤期间迁移到包含本发明的聚合物组合物的半导体层。
[0137]
在优选的电缆生产方法中,所得电缆在步骤(iii)中交联。
[0138]
如所提到的,聚合物组合物优选地是可交联的并且优选地聚合物组合物的粒料在提供给电缆生产线之前还包含过氧化物。
[0139]
在本发明的上述交联方法步骤(iii)中,交联条件可以根据例如所使用的交联方法和电缆尺寸而改变。本发明的交联例如以已知方式优选在高温下来进行。技术人员可以选择合适的交联条件,例如通过自由基反应或通过可水解的硅烷基团进行交联。作为合适的交联温度范围的非限制性例子,例如至少150℃,通常不高于360℃。
[0140]
测定方法
[0141]
除非在描述或实验部分中另有说明,否则以下方法用于性质测定。
[0142]
重量%=重量百分比
[0143]
熔体流动速率:熔体流动速率(mfr)根据iso 1133测定,以g/10min表示。mfr是聚合物流动性并因此也是加工性的指标。熔体流动速率越高,聚合物的粘度越低。聚乙烯的mfr在190℃下测定。mfr可以在不同的负载下测定,例如2.16kg(mfr2)或21.6kg(mfr
21
)。
[0144]
密度:低密度聚乙烯(ldpe):密度根据iso 1183-2测量。根据iso 1872-2表3q(压缩成型)制备样品。
[0145]
实验部分
[0146]
使用了以下组分:
[0147]
eva共聚物(a):在高压聚合工艺的管式反应器中生产的市售乙烯与乙酸乙烯酯共聚物(elvax 550a),mfr(190℃,2.16kg)为8g/10min,乙酸乙烯酯(va)含量为15重量%。
[0148]
炭黑(b):市售p型炉黑(printex alpha a),具有以下特性:
[0149]
碘值:112-124[mg/g](astm d1510-19)
[0150]
吸油值:92-104[ml/100g](astm d2414-19)
[0151]
平均初级粒径11-20nm(astm d3849-14)
[0152]
聚乙烯蜡(c):来自basf的市售聚乙烯蜡(luwax al 3粉末),它是具有以下性质的乙烯均聚物蜡:
[0153]
熔点(dsc):102-108℃(astm d-3418)
[0154]
滴点(乌氏):101-112℃(astm d-3954)
[0155]
23℃下的球硬度(fischer):10-20n/mm2[0156]
120℃下的熔体粘度:135

240mm2/s(astm d-2162)
[0157]
23℃下的密度:0.910

0.925g/cm3(astm d-792)
[0158]
摩尔质量计算值:3500g/mol
[0159]
酸清除剂:市售的硬脂酸锌(zinkum)。在这个特定的实验部分中,在上述eva共聚物(a)中使用了用20%纯硬脂酸锌、品牌zinkum的硬脂酸锌母料。
[0160]
抗氧剂:tmq:聚合的2,2,4-三甲基-1,2-二氢喹啉,熔点:80-135℃,cas:26780-96-1。
[0161]
用如表1中所示的成分制备了四种本发明组合物和一种参考组合物。通过本领域技术人员已知的方式混炼组合物。在这些实施例中,混炼设备是x-compound ck 45机器(捏合机)。本发明组合物1至4以及参考组合物在混炼过程中所需的捏合机功率示于表2中。令人惊讶地观察到,当生产含有聚乙烯蜡的半导体聚合物组合物时,捏合机功率要求降低。对于所有组合物捏合机的输出(25kg/h,500rpm)都是相同的。
[0162]
表1.发明和对比实施例(所有含量均以重量%计)。
[0163]
[0164][0165]
表2.不同组合物的功耗。
[0166]
实施例捏合机功耗(kw)参考组合物8.9发明组合物18.9发明组合物28.7发明组合物37.8发明组合物47.9
再多了解一些

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