基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质与流程

技术特征：
1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：处理室，其设有对基板进行处理的多个处理区域；旋转工作台，其使载置于上述处理室内的上述基板通过以上述基板外的某点为中心旋转而依次通过上述多个处理区域；以及旋转机构，其使上述旋转工作台旋转，上述多个处理区域具有对上述基板供给处理气体的第一区域和对上述基板供给惰性气体的第二区域，以对应于上述第二区域的上述旋转工作台的下侧空间的压力比对应于上述第一区域的上述旋转工作台的下侧空间的压力高的方式构成有对应于上述第二区域的上述旋转工作台的下侧空间。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在与上述第二区域对应的上述旋转工作台的下侧空间具有供给惰性气体的惰性气体供给部。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，上述惰性气体供给部构成为沿与上述旋转工作台的旋转方向相反的方向供给惰性气体。4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，上述惰性气体供给部具有向与上述旋转工作台的旋转方向相反的方向开口的惰性气体供给孔。5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，上述惰性气体供给部具有向与上述旋转工作台的旋转方向相反的方向开口的惰性气体供给孔。6.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，上述惰性气体供给部构成为使向上述旋转工作台背面的外周侧供给的惰性气体的流量和向上述旋转工作台背面的中心侧供给的惰性气体的流量不同。7.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，上述惰性气体供给部构成为使向上述旋转工作台背面的外周侧供给的惰性气体的流量和向上述旋转工作台背面的中心侧供给的惰性气体的流量不同。8.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，上述惰性气体供给部构成为使向上述旋转工作台背面的外周侧供给的惰性气体的流量和向上述旋转工作台背面的中心侧供给的惰性气体的流量不同。9.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，上述惰性气体供给部构成为使向上述旋转工作台背面的外周侧供给的惰性气体的流量比向上述旋转工作台背面的中心侧供给的惰性气体的流量多。10.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，上述惰性气体供给部构成为使向上述旋转工作台背面的外周侧供给的惰性气体的流量比向上述旋转工作台背面的中心侧供给的惰性气体的流量多。11.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，上述惰性气体供给部构成为使向上述旋转工作台背面的外周侧供给的惰性气体的流
量比向上述旋转工作台背面的中心侧供给的惰性气体的流量多。12.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，上述惰性气体供给部构成为使向上述旋转工作台背面的外周侧供给的惰性气体的流量比向上述旋转工作台背面的中心侧供给的惰性气体的流量多。13.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，上述惰性气体供给部的气体供给孔构成为，与上述旋转工作台的背面的外周侧对置的气体供给孔的孔径比与上述旋转工作台的背面的旋转中心侧对置的气体供给孔的孔径大。14.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在上述第二区域的处理容器的内壁侧且上述旋转工作台的斜上方具有朝向上述处理容器的中心侧突出的突出部。15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，上述突出部构成为与向上述第二区域供给惰性气体的惰性气体供给部的外周面对置。16.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，与上述第二区域对应的上述旋转工作台背面和处理容器的底面之间的距离构成为比与上述第一区域对应的上述旋转工作台背面和上述处理容器的底面之间的距离短。17.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，在处理室内具有对基板供给处理气体的工序和对上述基板供给惰性气体的工序，上述处理室具备具有多个载置上述基板的载置部，并以上述基板外的某点为中心旋转的旋转工作台，且具备：供给上述处理气体的第一区域；供给上述惰性气体的第二区域；以及构成为与上述第二区域对应的上述旋转工作台的下侧空间的压力比与上述第一区域对应的上述旋转工作台的下侧空间的压力高的与上述第二区域对应的上述旋转工作台的下侧空间。18.一种计算机可读的存储介质，存储有通过计算机使基板处理装置在处理室内执行以下步骤的程序：对基板供给处理气体的步骤；以及对上述基板供给惰性气体步骤，上述处理室具备具有多个载置上述基板的载置部，并以上述基板外的某点为中心旋转的旋转工作台，且具备：供给上述处理气体的第一区域；供给上述惰性气体的第二区域；以及构成为与上述第二区域对应的上述旋转工作台的下侧空间的压力比与上述第一区域对应的上述旋转工作台的下侧空间的压力高的与上述第二区域对应的上述旋转工作台的下侧空间。

技术总结
本发明提供基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质，能够降低堆积于旋转工作台的背面的堆积物的量。该基板处理装置具有：处理室，其设有对基板进行处理的多个处理区域；旋转工作台，其使载置于处理室内的基板通过以基板外的某点为中心旋转而依次通过多个处理区域；以及旋转机构，其使旋转工作台旋转，多个处理区域具有对基板供给处理气体的第一区域和对基板供给惰性气体的第二区域，以对应于第二区域的旋转工作台的下侧空间的压力比对应于第一区域的旋转工作台的下侧空间的压力高的方式构成有对应于第二区域的旋转工作台的下侧空间。台的下侧空间。台的下侧空间。


技术研发人员：大桥直史 菊池俊之 高崎唯史
受保护的技术使用者：株式会社国际电气
技术研发日：2021.09.17
技术公布日：2022/3/29