沉积装置、其清洁方法以及使用其形成薄膜的方法与流程

1.本公开涉及一种沉积装置、沉积装置的清洁方法以及使用沉积装置形成薄膜的方法，且更具体地讲，涉及一种提高沉积装置的清洁效率和薄膜形成效率的沉积装置、沉积装置的清洁方法以及使用沉积装置形成薄膜的方法。


背景技术：

2.通常，在衬底上沉积具有预定厚度的薄膜的方法包括利用诸如溅射(sputtering)的物理碰撞的物理气相沉积法(physical vapor deposition，pvd)和利用化学反应的化学气相沉积法(chemical vapor deposition，cvd)等。此外，近来，能够形成致密薄膜的原子层沉积法(atomic layer deposition，ald)也被用于沉积薄膜。
3.其中，原子层沉积法是将包含一种源物质的反应气体注入腔室内而使其化学吸附于经加热的衬底之后，将包含另一种源物质的反应气体注入腔室中，从而在衬底表面通过源物质之间的化学反应沉积生成物的方法。在这种原子层沉积法中，可以沉积具有优异的台阶覆盖性和低杂质含量的纯薄膜。当使用用于原子层沉积法的喷嘴清洁沉积装置时，在诸如大尺寸衬底等的相应设备中，需要一种更快速和更有效的清洁方法。


技术实现要素：

4.解决的技术问题
5.实施例旨在提供一种在一个腔室内有效地进行清洁工艺的沉积装置及沉积装置的清洁方法。
6.此外，旨在提供一种能够在一个腔室内执行各种附加处理的沉积装置和使用沉积装置形成薄膜的方法。
7.解决方法
8.根据本发明一实施例的沉积装置包括：腔室；衬底固定器，布置在腔室内，包括衬底部以及布置在衬底部的两侧的第一缓冲部和第二缓冲部，并且沿第一方向往复移动；第一喷射部和第二喷射部，布置在腔室内，沿第一方向并排布置，并且向衬底固定器喷射气体，其中，第一喷射部包括分开喷射多种第一气体的多个第一喷射喷嘴，并且连接到多个第一排气部，多个第一排气部分别排放多种第一气体，以及第二喷射部包括向衬底固定器喷射第二气体的多个第二喷射喷嘴，并连接到排放第二气体的一个第二排气部。
9.衬底固定器可以按第一位置、第二位置和第三位置依次往复移动，其中：在第一位置处，第二缓冲部与第一喷射部相对；在第二位置处，第二缓冲部与第二喷射部相对，且衬底部与第一喷射部相对；以及在第三位置处，衬底部与第二喷射部相对，且第一缓冲部与第一喷射部相对。
10.第一喷射喷嘴和第二喷射喷嘴可以具有彼此不同的结构。
11.第一喷射喷嘴可以是能够分开喷射彼此不同的多种第一气体的空间分割喷嘴，以及第二喷射喷嘴可以是向衬底固定器均匀地喷射第二气体的莲蓬式喷头。
12.所第一喷射喷嘴和第二喷射喷嘴可以具有彼此相同的结构。
13.第一喷射喷嘴和第二喷射喷嘴是能够分开喷射彼此不同的多种第一气体的空间分割喷嘴。
14.沉积装置还可以包括：远程等离子体生成器，安装在腔室的外部，以将清洁气体转变为等离子体状态，并将其提供至第一喷射部和第二喷射部。
15.第二喷射部还可以包括布置在第二喷射喷嘴上方的等离子体电极。
16.根据本发明另一实施例的沉积装置的清洁方法包括以下步骤：在从第一位置开始沿第一方向移动衬底固定器的同时，从第一喷射部喷射清洁气体，其中，衬底固定器包括衬底部和布置在衬底部两侧的第一缓冲部和第二缓冲部，且在第一位置处，第二缓冲部和第一喷射部对应；在衬底部到达与第一喷射部对应的第二位置的状态下，停止衬底固定器，并从第一喷射部和第二喷射部喷射清洁气体，其中，第二喷射部沿第一方向与第一喷射部并排布置；沿第一方向移动衬底固定器，以使衬底固定器移动到第二喷射部和衬底部对应的第三位置；以及在第三位置处停止衬底固定器，并从第一喷射部和第二喷射部喷射清洁气体。
17.在第二位置处，第二缓冲部可以与第二喷射部对应地定位。
18.在第三位置处，第一缓冲部可以与第一喷射部对应地定位。
19.沉积装置的清洁方法还可以包括以下步骤：通过使用远程等离子体生成器将清洁气体转变成等离子体状态，并将其提供至第一喷射部和第二喷射部，其中，远程等离子体生成器安装在腔室的外部。
20.从第一喷射部喷射的清洁气体可以与从第二喷射部喷射的清洁气体彼此相同。
21.根据本发明又一实施例的使用沉积装置形成薄膜的方法包括以下步骤：通过从布置在腔室内的第一喷射部向衬底分开喷射多种第一气体，并使衬底沿第一方向往复移动多次，在衬底上形成第一薄膜；以及通过从沿第一方向与第一喷射部并排布置的第二喷射部喷射第二气体，在第一薄膜上执行附加处理。
22.附加处理可以在衬底和第二喷射部对应的位置处以停止状态执行。
23.在执行附加处理的步骤中，可以将第二气体以在第二喷射部内均匀混合的状态均匀地喷射到衬底上。
24.在衬底上形成第一薄膜的步骤可以包括：通过原子层沉积工艺形成薄膜的步骤，以及多种第一气体可以包括源气体和反应气体。
25.附加处理可以是针对第一薄膜的表面的等离子体处理；以及第二气体可以是选自经等离子体处理的氮气(n2)、氢气(h2)、氩气(ar)和氧气(o2)中的一种以上。
26.附加处理可以是通过化学气相沉积工艺在第一薄膜的表面上形成第二薄膜的处理。
27.可以交替地重复形成第一薄膜的步骤和形成第二薄膜的步骤多次，以形成多层薄膜。
28.有益效果
29.根据实施例，可以有效地执行沉积装置内的清洁工艺，从而能够缩短工艺时间并防止生产量的降低。
30.此外，可以在一个腔室中对沉积膜执行各种附加处理，而不会使沉积装置的结构
变化复杂化，从而提高工艺效率。
附图说明
31.图1是概略地示出根据本发明一实施例的沉积装置的图。
32.图2是概略地示出根据本发明另一实施例的沉积装置的图。
33.图3a至图3c是示出根据本发明一实施例的沉积装置的清洁方法的图。
34.图4是概略地示出根据本发明又一实施例的沉积装置的图。
35.图5a和图5b是示出根据本发明另一实施例的使用沉积装置形成薄膜的方法的图。
36.图6是示出根据本发明又一实施例的使用沉积装置形成薄膜的方法的图。
37.附图标记的说明
38.100：沉积装置
39.130：衬底固定器
40.110：衬底部
41.120：缓冲部
42.210：第一喷射部
43.220：第二喷射部
44.211：第一喷射喷嘴
45.212、213：第一排气部
46.221：第二喷射喷嘴
47.222：第二排气部
具体实施方式
48.以下，参照附图详细说明本发明的各种实施例，以使本发明所属技术领域的普通技术人员能够容易实施。本发明可以以各种不同的形式实现，并且不限于在此说明的实施例。
49.为了清楚地说明本发明，省略了与说明无关的部分，且在整个说明书中，对于相同或相似的构成要件赋予相同的附图标记。
50.此外，在附图中示出的每个构成的尺寸和厚度是为了便于说明而任意示出的，因此本发明并不一定限于此。在附图中，为了清楚表现多个层和区域，放大示出了厚度。此外，当诸如层、膜、区域、板等的部分被称为在另一部分“上”或在另一部分“上方”时，其不仅包括“直接”位于另一部分“上”的情况，而且还包括中间存在另外的部分的情况。相反，当某一部分被称为“直接”位于另一元件“上”时，其意味着中间不存在另外的部分。此外，当提及在作为基准的部分“上”或在该部分“上方”时，其并不一定意味着位于重力的反方向上的“上”或“上方”。
51.此外，在整个说明书中，当某一部分“包括”某个构成要件时，除非存在明确相反的记载，否则其意味着还可以包括其他构成要件，而不是排除其他构成要件。
52.此外，在整个说明书中，当提及“在平面上”时，其意味着从上方观察对象部分时的情况，且当提及“在截面上”时，其意味着从侧面观察将对象部分竖直剖开的截面。
53.以下，将参照图1和图2说明根据本发明一实施例以及另一实施例的沉积装置。
54.图1是概略地示出根据本发明一实施例的沉积装置的图，且图2是概略地示出根据本发明另一实施例的沉积装置的图。
55.参照图1，本实施例的沉积装置100包括：腔室150，提供用于进行工艺的空间；衬底固定器130，布置在腔室150内；以及第一喷射部210和第二喷射部220，用于向衬底固定器130喷射气体。衬底固定器130可以沿第一方向(x轴方向)往复移动，并可以通过第一喷射部210和第二喷射部220向如此往复移动的衬底固定器130喷射气体。
56.衬底固定器130包括衬底部110和缓冲部120，衬底部110可以用于放置衬底，且缓冲部120布置在衬底部110的两侧。缓冲部120包括：第一缓冲部120a，沿x轴方向布置在衬底部110的一侧；以及第二缓冲部120b，布置在衬底部110的另一侧。
57.缓冲部120是这样的部分，其用于执行初步沉积，以在衬底上进行沉积之前和之后能够维持与在衬底上进行沉积的过程相同的工艺条件。因此，缓冲部120的形状可以形成为与进行沉积的衬底的形状类似。缓冲部120可以布置为在衬底向喷射沉积气体的区域移动的路径上位于衬底前面，以防止当衬底进入喷射沉积气体的区域时由于腔室内的压力、沉积气体的流动等发生变化而导致工艺可靠性降低的问题。此时，当衬底沿第一方向往复移动时，第一缓冲部120a和第二缓冲部120b可位于放置有衬底的衬底部110的两侧。
58.在衬底固定器130的上方，第一喷射部210和第二喷射部220可以沿第一方向并排布置。第一喷射部210可用于原子层沉积(atomic layer deposition)工艺，且第二喷射部220可用于沉积装置100的清洁工艺以及对通过第一喷射部210的原子层沉积而形成的薄膜进行的附加处理工艺。
59.更具体地，第一喷射部210通过原子层沉积工艺在衬底上形成薄膜，且第一喷射部210可以喷射用于原子层沉积工艺的源气体和反应气体。即，第一喷射部210可以通过将源气体和反应气体喷射到衬底上，从而在衬底上形成薄膜。
60.由第一喷射部210喷射的源气体可以是包含金属前驱体(metal precursor)的气体。例如，源气体可以包括zr。更具体地说，源气体可以是temaz[四-乙基甲基氨基-锆；zr(n(ch3)(c2h5))4]、或tdeaz[四-二乙氨基-锆；zr(n(c2h5)2)4]等。
[0061]
由第一喷射部210喷射的反应气体可以与上述源气体反应。例如，反应气体可以是与上述金属前驱体反应的非金属反应气体。例如，反应气体可以包括o3、o2和h2o中的至少一种。然而，由第一喷射部210喷射的源气体和反应气体不限于上述气体种类，而是可以使用用于原子层沉积工艺的各种源气体和反应气体。
[0062]
上述各种源气体和反应气体可以通过布置在第一喷射部210上的多个第一喷射喷嘴211彼此分开喷射。即，第一喷射喷嘴211具有空间分割喷嘴的结构。在这种情况下，第一喷射部210可以连接到多个第一排气部212、213，以分开排放彼此分开喷射的多种第一气体中的未被沉积的气体。
[0063]
即，为了防止彼此分开喷射的多种第一气体彼此混合，多个第一排气部212、213彼此分离并连接到第一喷射喷嘴211。如此，可以将包括具有空间分割喷嘴结构的多个第一喷射喷嘴211并且与至少两个第一排气部212、213连接的第一喷射部210用于原子层沉积工艺。此时，可以在第一喷射部210内布置能够选择性地将喷射气体转变为等离子体状态的等离子体生成电极(未图示)。
[0064]
此外，沉积装置100可以包括安装在腔室150的外部并且能够将清洁气体转变为等
离子体状态的远程等离子体生成器rps，以通过第一喷射部210供应用于沉积装置100的自清洁的清洁气体。稍后将说明使用该远程等离子体生成器rps清洁沉积装置100的方法。
[0065]
第二喷射部220用于沉积装置100的清洁工艺以及对通过第一喷射部210的原子层沉积而形成的薄膜的附加处理工艺，并且可以将单一种类的气体或在第二喷射部220内均匀混合的气体均匀地喷射到衬底或衬底固定器130上。因此，第二喷射部220连接到一个第二排气部222。
[0066]
作为喷射气体的部分的第二喷射喷嘴221的结构可以与第一喷射喷嘴211的结构相同或者也可以不同。即，如图1所示，不同于第一喷射喷嘴211，第二喷射部220可具有仅包括多个喷嘴的莲蓬式喷头结构，以使第二喷射部220内部的气体均匀喷射。或者，在如图2所示的根据本发明另一实施例的沉积装置100中，第二喷射喷嘴221也可以具有与第一喷射喷嘴211相同的空间分割喷嘴结构。然而，即使在这种情况下，第二喷射部220也连接到一个第二排气部222，这是因为第二喷射喷嘴221通过将单一种类的气体或在第二喷射部220内均匀混合的气体均匀喷射到衬底或衬底固定器130上来实现气体喷射，因此不需要分开排放气体。
[0067]
此外，沉积装置100可以包括安装在腔室150的外部并且能够将清洁气体转变为等离子体状态的远程等离子体生成器rps，以通过第二喷射部220供应用于沉积装置100的自清洁的清洁气体。
[0068]
以下，将参照图3a至图3c说明根据本发明一实施例的沉积装置的清洁方法。
[0069]
图3a至图3c是示出根据本发明一实施例的沉积装置的清洁方法的图。
[0070]
首先，如图3a所示，在从与第一喷射部210对应的第一位置开始沿第一方向移动衬底固定器130的第二缓冲部120b的同时，从第一喷射部210喷射清洁气体。
[0071]
此时，由于第二缓冲部120b与第一喷射部210对应，因此可以通过从第一喷射部210喷射的清洁气体对第二缓冲部120b进行清洁。
[0072]
此外，可以使用cf4、c2f6、nf3等作为清洁气体。可以通过连接到第一喷射部210的远程等离子体生成器rps将清洁气体转变为等离子体状态，然后将其供应到腔室150内部。通过远程等离子体生成器rps离子化的自由基与残留在衬底固定器130上的副产物反应而变成气体状态，并且通过排放气体状态的副产物来进行清洁。
[0073]
然后，如图3b所示，在衬底部110到达与第一喷射部210对应的第二位置的状态下，停止衬底固定器130，并从第一喷射部210和第二喷射部220喷射清洁气体。
[0074]
此时，由于衬底部110在与第一喷射部210对应的位置处，且第二缓冲部120b与第二喷射部220对应，因此可以对衬底部110和第二缓冲部120b进行集中清洁。尤其，由于在停止状态下喷射清洁气体，因此与图3a所示的移动状态相比，可以对衬底部110和第二缓冲部120b进行有效的清洁。
[0075]
清洁气体可以同样地供应到第一喷射部210和第二喷射部220。由于第二喷射部220也连接到远程等离子体生成器rps，因此在将清洁气体转变为等离子体状态之后，可以将等离子体状态的清洁气体供应到腔室150内部的衬底固定器130。
[0076]
然后，如图3c所示，在衬底部110到达与第二喷射部220对应的第三位置的状态下，停止衬底固定器130，并从第一喷射部210和第二喷射部220喷射清洁气体。
[0077]
此时，由于衬底部110在与第二喷射部220对应的位置处，且第一缓冲部120a与第
一喷射部210对应，因此可以对衬底部110和第一缓冲部120a进行集中清洁。
[0078]
此外，由于在经过图3b和图3c的步骤期间，可以对衬底部110执行两次停止状态下的清洁，并且对第一缓冲部120a和第二缓冲部120b也可以执行至少一次停止状态下的清洁，因此，与仅在移动状态下喷射清洁气体的工艺相比，可以更有效地进行清洁。
[0079]
尤其，这种沉积装置100的清洁可以在通过第一喷射部210完成原子层沉积工艺之后，对衬底固定器130，即，残留在衬底部110和缓冲部120上的副产物进行。为了在进行原子层沉积工艺时在衬底上形成具有期望厚度的膜，可以在衬底上执行多次沉积，而在该过程中，在缓冲部120上也可能执行多次沉积。如上所述，形成在缓冲部120上的沉积膜可能由于被剥离并混入衬底上而降低沉积质量，而且还可能降低用于执行沉积的腔室150内的清洁度，因此，在进行新的原子层沉积工艺之前，需要进行清洁工艺。
[0080]
此外，衬底部110可以包括掩模等结构，以使在衬底上仅暴露需要沉积的区域，而在这种情况下，由于上述结构，可能难以去除残留的副产物，且由此可能需要更长的清洁时间。尤其，以往通过仅使用第一喷射部210供应清洁气体的同时使衬底固定器130往复移动来进行清洁，但在这种情况下，由于一次只能对一个区域(即，第一缓冲部120a、第二缓冲部120b和衬底部110中的任一者)进行清洁，并且在移动状态下进行清洁，因此，为了获得充分的清洁效果，重复进行多次扫描，由此必然增加工艺时间。
[0081]
相反，根据本发明一实施例，在使用第一喷射部210和第二喷射部220供应清洁气体的同时，当衬底部110到达各喷射部时，通过在各停止状态下进行清洁气体供应步骤，能够实现对衬底部110的集中清洁。由此，可以获得充分的清洁效果而不增加清洁工艺所需的时间。即，在进行根据本发明一实施例的工艺的情况下，与在仅具有第一喷射部210的状态下进行扫描方式的清洁的情况相比，在进行相同时间的工艺时，衬底部110暴露于清洁气体的时间会增加2倍以上，因此能够使清洁效果最大化。
[0082]
此外，仅通过用于衬底部110的清洁的两次停止状态下的清洁工艺，也可以对缓冲部120分别进行一次停止状态下的清洁工艺，而不需要额外的附加扫描或停止状态下的清洁工艺，因此，也可以获得充分的清洁效果。在缓冲部120的情况下，由于不像衬底部110那样形成有附加结构等，而是处于在平板上沉积有副产物的状态，因此分别仅通过一次停止状态下的清洁工艺，也可以获得充分的清洁效果。
[0083]
如上所述，在根据本发明一实施例的沉积装置100和使用该沉积装置100的清洁方法中，除了用于原子层沉积工艺的第一喷射部210之外，腔室150内还具有第二喷射部220，使得第一喷射部210和第二喷射部220都可以用于供应清洁气体，因此，可以使清洁效率最大化。此外，由于衬底部110在分别与第一喷射部210和第二喷射部220对应的位置处以停止状态进行清洁气体的供应，因此对于具有掩模等结构的衬底部110，也可以进行充分的清洁。
[0084]
以下，将参照图4、图5a、图5b和图6说明根据本发明又一实施例的沉积装置和使用该沉积装置形成薄膜的方法。
[0085]
图4是概略地示出根据本发明又一实施例的沉积装置的图，图5a和图5b是示出根据本发明另一实施例的使用沉积装置形成薄膜的方法的示意图，且图6是示出根据本发明又一实施例的使用沉积装置形成薄膜的方法的图。
[0086]
参照图4，根据本发明又一实施例的沉积装置100'与图1的沉积装置100相比，除了
在第二喷射部220中还包括等离子体电极300以代替远程等离子体生成器rps之外，具有相同的结构，因此省略对与图1的沉积装置100的相同结构的重复说明。
[0087]
根据本发明又一实施例的沉积装置100'包括腔室150、衬底固定器130、向衬底固定器130喷射气体并沿第一方向并排布置的第一喷射部210和第二喷射部220，且第二喷射部220还包括布置在第二喷射喷嘴221上方的等离子体电极300。
[0088]
等离子体电极300可以形成为具有贯通孔，由此，在向等离子体电极300施加rf电压的状态下，可以使经过等离子体电极300的第二气体转变为等离子体状态。由此，可以通过改变所供应的气体的种类，对衬底s进行各种附加处理，如下所述。
[0089]
参照图5a和图5b，在根据本发明另一实施例的使用沉积装置100'形成薄膜的方法中，通过从第一喷射部210将用于原子层沉积工艺的多种第一气体喷射到衬底s上来形成第一薄膜t之后，在第一薄膜t上执行作为附加处理的等离子体处理(pt)。
[0090]
具体地，在将衬底s放置在衬底固定器130的衬底部110上之后，通过从第一喷射部210将源气体和反应气体空间上分开喷射，并使衬底固定器130往复移动，从而形成根据原子层沉积工艺的第一薄膜t。此时，如图5a所示，通过以第一喷射部210为中心往返多次，可以形成具有期望厚度的第一薄膜t。
[0091]
然后，为了在所形成的第一薄膜t上进行等离子体处理，通过将衬底部110定位到与第二喷射部220对应的位置处，然后在供应第二气体的同时向等离子体电极300施加电压，并将等离子体状态的第二气体喷射到第一薄膜t上，从而进行等离子体处理。等离子体处理是薄膜的表面处理方法中的一种，并且可以对应于通过表面改性来提高薄膜的质量的工艺。作为用于等离子体处理的第二气体，可以使用选自氮气(n2)、氢气(h2)、氩气(ar)和氧气(o2)中的一种以上。
[0092]
在第二喷射部220内转变为等离子体状态的第二气体可以通过第二喷射喷嘴221均匀地喷射到第一薄膜t上。此时，由于喷射的第二气体为单一成分或在第二喷射部220内混合的混合气体，因此在完成等离子体处理后残留的第二气体可以通过一个第二排气部222进行排放。
[0093]
如上所述，当通过使用除了用于原子层沉积工艺的第一喷射部210之外额外布置的第二喷射部220在所形成的薄膜上进行等离子体处理时，可以在一个腔室150内形成第一薄膜t之后立即进行等离子体处理。即，为了进行附加处理，不需要将衬底传送到彼此不同的腔室内部，因此可以防止在向彼此不同的腔室传送衬底的过程中衬底被污染或衬底被损坏。此外，在完成薄膜的形成之后，可以通过使用第二喷射部220来执行如本发明一实施例中所述的清洁方法。即，通过停止向第二喷射部220的等离子体电极300施加电压，并通过布置在外部的远程等离子体生成器施加等离子体的同时供应清洁气体，与一实施例相同地，可将第一喷射部210和第二喷射部220都用于清洁，由此还可以提高清洁工艺的效率性。
[0094]
然后，参照图6，在根据本发明又一实施例的使用沉积装置100'形成薄膜的方法中，通过从第一喷射部210将用于原子层沉积工艺的多种第一气体喷射到衬底s上来形成第一薄膜t之后，在第一薄膜t上进行作为附加处理的等离子体化学气相沉积工艺(pecvd)。
[0095]
具体地，在将衬底s放置在衬底固定器130的衬底部110上之后，通过从第一喷射部210将源气体和反应气体空间上分开喷射的同时，使衬底固定器130往复移动，从而通过原子层沉积工艺形成第一薄膜t。此时，如图6所示，通过以第一喷射部210为中心往返多次，可
以形成具有期望厚度的第一薄膜t。
[0096]
然后，在形成的第一薄膜t上应用等离子体化学气相沉积工艺来形成附加薄膜。即，将衬底部110与第二喷射部220对应地定位之后，在供应第二气体的同时向等离子体电极300施加电压，从而可以将等离子体状态的第二气体喷射到第一薄膜t上。例如，等离子体电极300可以将sih4 nh3 n2、sih4 n2o、sih4 o2等混合气体转变为等离子体状态，并喷射到第一薄膜t上。由此，可以在第一薄膜t上形成诸如绝缘膜等的附加薄膜。
[0097]
此外，如图6所示，在通过第二喷射部220形成附加薄膜之后，通过仅从第一喷射部210喷射第一气体的同时使衬底固定器130往复移动，可以在附加薄膜上再次形成根据原子层沉积工艺(ald)的膜。即，通过依次重复根据第一喷射部210的工艺和根据第二喷射部220的工艺，可以形成具有ald膜/pecvd膜/ald膜/pecvd膜
……
的结构的多层薄膜。
[0098]
在第二喷射部220内转变为等离子体状态的第二气体可以通过第二喷射喷嘴221均匀地喷射到第一薄膜t上。此时，由于喷射的第二气体为单一成分或在第二喷射部220内混合的混合气体，因此在完成等离子体处理之后残留的第二气体可以通过一个第二排气部222进行排放。
[0099]
如上所述，通过使用除了用于原子层沉积工艺的第一喷射部210之外额外布置的第二喷射部220，在根据原子层沉积工艺形成的薄膜上形成根据等离子体化学气相沉积工艺的附加薄膜，从而可以在一个腔室150内执行原子层沉积工艺和化学气相沉积工艺。即，不需要为了通过彼此不同的沉积工艺在衬底上形成薄膜而向彼此不同的腔室内部传送衬底。由此，可以防止在向彼此不同的腔室传送衬底的过程中衬底被污染或衬底被损坏。此外，由于可以在一个腔室内执行多种沉积工艺，从而可以缩短在衬底上形成多种薄膜所需的时间。另外，在完成薄膜的形成之后，可以通过使用第二喷射部220来执行如本发明一实施例中所述的清洁方法。即，通过停止向第二喷射部220的等离子体电极300施加电压，并通过布置在外部的远程等离子体生成器施加等离子体的同时供应清洁气体，与一实施例相同地，可将第一喷射部210和第二喷射部220都用于清洁，由此还可以提高清洁工艺的效率性。
[0100]
以上对本发明的实施例进行了详细说明，但本发明的权利范围并不限于此，本领域技术人员利用随附的权利要求书中所定义的本发明的基本概念进行的各种变形及改良形态也属于本发明的权利范围。