显示设备的制作方法

显示设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年9月24日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0123599号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
3.本公开涉及显示设备。


背景技术：

4.随着信息社会的发展，对用于显示图像的显示设备的要求以各种形式增加。例如，显示设备应用于各种电子装置，诸如智能电话、数码相机、笔记本计算机、导航器和智能电视。显示设备可以是诸如液晶显示设备的平板显示设备、场发射显示设备或诸如有机发光显示设备的发光显示设备。由于发光显示设备包括发光元件(通过该发光元件，显示面板中的像素中的每个可以自身发光)，因此可以显示图像，而不需要向显示面板提供光的背光单元。
5.在显示设备制造成大尺寸的情况下，由于像素数量的增加，发光元件的缺陷率可能增加，并且生产率或可靠性可能降低。为了解决上述问题，拼接显示设备可以通过连接具有相对小尺寸的多个显示设备来实现大尺寸屏幕。拼接显示设备可包括由于彼此相邻的显示设备中的每个的非显示区域或边框区域而在显示设备之间被称为接缝的边界部分。在整个屏幕(例如，整个拼接显示器)上显示单个图像的情况下，显示设备之间的边界部分在整个屏幕上给予断开感，从而降低图像质量(例如，图像沉浸度)。
6.应当理解，该背景技术部分旨在部分地提供用于理解该技术的有用背景。然而，该背景技术部分还可以包括在本文中公开的主题的相应的有效提交日期之前不是相关领域的技术人员已知或理解的部分的思想、构思或认识。


技术实现要素：

7.本公开的一方面可以提供一种拼接显示设备，该拼接显示设备能够通过防止显示设备之间的联接区域或非显示区域的边界部分被视觉上识别来去除多个显示设备之间的断开感并改善图像质量(例如，图像沉浸度)。
8.在制造显示设备的工艺中，第一下保护层可以用作蚀刻掩模，并且在形成穿透基础构件和阻挡层的第一孔的蚀刻工艺期间，通过使用第一下保护层作为蚀刻掩模，第一下保护层可以用作下保护层，从而可以省略用于形成额外的下保护层的工艺。因此，本公开的另一方面可以提供具有改善的经济效率的显示设备和包括该显示设备的拼接显示设备。
9.根据实施方式的一方面，显示设备可以包括：显示层，包括像素，像素各自包括至少一个晶体管；连接布线，电连接到至少一个晶体管并且通过显示层中的第一接触孔暴露于显示层的下表面；基础构件，设置在显示层下方并且包括暴露暴露于显示层的下表面的连接布线的第一孔；第一下保护层，设置在基础构件的下表面上并且包括在基础构件的厚
度方向上与第一孔重叠的第二孔；焊盘部分，设置在第一下保护层的下表面上；以及引线，设置在第一下保护层的下表面上，并且电连接焊盘部分和连接布线。
10.根据依据实施方式的显示设备和包括该显示设备的拼接显示设备，显示设备中的每一个的显示区域之间的距离可以非常近，使得显示设备之间的组合区域可不被用户识别。因此，拼接显示设备可防止用户识别显示设备之间的组合区域，从而消除显示设备之间的断开感并改善图像质量(例如，图像沉浸度)。
11.此外，在可形成穿过基础构件和阻挡层的第一孔的蚀刻工艺中，第一下保护层可用作蚀刻掩模，并且第一下保护层也可用作下保护层。因此，可以省略用于形成光刻胶图案的光刻胶层涂布、曝光和显影工艺以及用于去除光刻胶图案的灰化工艺或剥离工艺，其中，光刻胶图案用于形成单独的蚀刻掩模。可以省略用于另外形成下保护层的工艺。因此，可以改善显示设备的制造工艺的经济效率。
12.然而，本公开的方面不限于上述内容。相反，通过参考下面给出的公开的详细描述，本公开的以上和其他方面对于本公开所属的本领域的普通技术人员将变得更加明显。
附图说明
13.通过参考附图详细描述本公开的实施方式，本公开的以上和其他方面和特征将变得更加明显，在附图中：
14.图1是根据实施方式的拼接显示设备的示意性平面图；
15.图2是示出根据实施方式的拼接显示设备的一部分的示意性平面图；
16.图3是根据实施方式的显示设备的示意性剖视图；
17.图4是沿着图2的线i-i'截取的示意性剖视图；
18.图5是根据实施方式的发光元件的示意性立体图；
19.图6是图4的区域a的放大示意图；
20.图7是沿着图2的线ii-ii'截取的示意性剖视图；
21.图8是图7的区域b的示例的放大示意性剖视图；
22.图9至图19是示出制造图7的显示设备的工艺的示意性工艺图；
23.图20是图7的区域b的另一示例的放大示意性剖视图；
24.图21是根据另一实施方式的显示设备的示意性剖视图；
25.图22是根据又一实施方式的显示设备的示意性剖视图；
26.图23是根据又一实施方式的显示设备的示意性剖视图；
27.图24至图28是示出制造图23的显示设备的工艺的示意性工艺图；以及
28.图29至图32是用于解释使用下保护层作为蚀刻掩模的图案化的另一示例的示意性工艺图。
具体实施方式
29.现在将在下文中参考附图更全面地描述本公开，附图中示出了本公开的实施方式。然而，本公开可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文至阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开将是透彻和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的范围。
30.如本文中所使用的，单数形式“一(a)”、“一个(an)”和“该(the)”旨在也包括复数形式(并且反之亦然)，除非上下文另有明确指示。
31.在说明书和权利要求中，为了其含义和解释的目的，术语“和/或”旨在包括术语“和”和“或”的任何组合。例如，“a和/或b”可以理解为意指“a、b或a和b”。术语“和”和“或”可以以结合或分离的意义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。
32.在说明书和权利要求中，出于其含义和解释的目的，短语
“…
中的至少一个”旨在包括“从由
…
的群组中选择的至少一个”的含义。例如，“a和b中的至少一个”可以理解为是指“a、b或a和b”。
33.还应当理解，当层被称为在另一层或衬底“上”或“连接到”另一层或衬底时，它可以直接在另一层或衬底上或者直接连接到另一层或衬底，或者也可以存在居间层。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的组件。
34.应当理解，术语“连接到”或“联接到”可以包括物理连接或电连接或者物理联接或电联接。
35.应当理解，尽管可以在本文中使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。
36.为了便于描述，可以在本文中使用空间相对术语“下方”、“下面”、“下”、“上方”、“上”等来描述如附图中所示的一个元件或组件与另一元件或组件之间的关系。应当理解，除了附图中所描绘的定向之外，空间相对术语旨在包括设备在使用或操作中的不同定向。例如，在附图中所示的设备被翻转的情况下，位于另一设备“下方”或“下面”的设备可以放置在另一设备“上方”。因此，说明性术语“下方”可以包括下位置和上位置两者。设备还可以在其它方向上定向，并且因此空间相对术语可以根据定向而被不同地解释。
37.术语“重叠(overlap)”或“重叠(overlapped)”意味着第一对象可以在第二对象的上方或下方，或者在第二对象的一侧，且反之亦然。另外，术语“重叠(overlap)”可以包括分层、堆叠、面对(face)或面对(facing)、在
…
之上延伸、在
…
之下延伸、覆盖或部分覆盖或者如将由本领域普通技术人员领会和理解的任何其它合适的术语。术语“面对(face)”和“面对(facing)”意味着第一元件可以与第二元件直接相对或间接相对。在第三元件插入在第一元件和第二元件之间的情况下，第一元件和第二元件可以被理解为彼此间接相对，但是仍然彼此面对。当元件被描述为“不重叠(not overlapping)”或“不重叠(to not overlap)”另一元件时，这可包括元件彼此间隔开、彼此偏移或彼此分开或者如将由本领域普通技术人员领会和理解的任何其它合适的术语。
38.如本文中所使用的，“约”、“大约”或“基本上”包括所述值以及如由本领域普通技术人员在考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)时所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可表示在一个或多个标准偏差内，或在所述值的
±
30％、
±
20％、
±
10％、
±
5％内。
39.图1是根据实施方式的拼接显示设备的示意性平面图。
40.参考图1，拼接显示设备td可以显示移动图像或静止图像。拼接显示设备td可以指提供显示屏幕的任何电子设备。拼接显示设备td的示例可以包括电视、笔记本计算机、监视
器、广告牌、物联网(iot)设备、移动电话、智能电话、平板个人计算机(平板pc)、电子手表、智能手表、手表电话、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(pmp)、导航器、游戏机、数码相机和摄像机。
41.在下文中，在用于示出拼接显示设备td的附图中，限定了第一方向dr1、第二方向dr2和第三方向dr3。第一方向dr1和第二方向dr2可以是在一个平面中彼此垂直的方向。第三方向dr3可以是垂直于第一方向dr1和第二方向dr2所在的平面的方向。第三方向dr3可以垂直于第一方向dr1和第二方向dr2中的每一个。在下文中，在解释拼接显示设备td的实施方式中，第三方向dr3可以表示拼接显示设备td的厚度方向(或显示方向)。
42.在解释拼接显示设备td和显示设备10的结构的实施方式中，除非另有说明，否则“上”可指朝向第三方向dr3上的一侧相对于基础构件sub(参见图3)可以设置有显示层dpl(参见图3)的一侧，并且“上表面”可指面向第三方向dr3上的一侧的表面。此外，“下”可以指朝向与第三方向dr3相反的方向的另一侧，并且“下表面”可以指面向第三方向dr3上的另一侧的表面。
43.拼接显示设备td可以具有矩形形状，该矩形形状在平面图中包括第一方向dr1上的短边和第二方向dr2上的长边。拼接显示设备td可以具有整体平面形状，但其形状不限于此。
44.根据实施方式的拼接显示设备td可包括多个显示设备10。
45.显示设备10可以布置成矩阵形状。在平面图中，显示设备10可以沿着第一方向dr1和第二方向dr2布置。虽然在附图中示出显示设备10以3x3的矩阵形状布置，但是显示设备10的数量和布置不限于此。
46.显示设备10可以在第一方向dr1和第二方向dr2上彼此连接，并且拼接显示设备td可以具有特定形状。虽然在附图中示出了显示设备10的布置方向与可以是拼接显示设备td的短边和长边的延伸方向的第一方向dr1和第二方向dr2一致，但是本公开不限于此，并且显示设备10的布置方向和拼接显示设备td的长边和短边的延伸方向可以以预定的倾斜度倾斜。
47.在平面图中，显示设备10中的每个可以具有矩形形状，该矩形形状包括第一方向dr1上的短边和第二方向dr2上的长边。显示设备10可以具有彼此连接的长边或短边。拼接显示设备td中所包括的一些显示设备10可设置在拼接显示设备td的边缘处以形成拼接显示设备td的边。拼接显示设备td中所包括的其他一些显示设备10可设置在拼接显示设备td的每个拐角处以形成两个相邻边。拼接显示设备td中所包括的其他显示设备10可以设置在拼接显示设备td内部，并且可以被其他显示设备10围绕。
48.显示设备10中的每个可包括用于提供显示屏幕的显示面板。显示面板的示例可以包括无机发光二极管显示面板、有机发光显示面板、量子点发光显示面板、等离子体显示面板和场发射显示面板。在下文中，将作为示例描述可以使用无机发光二极管显示面板作为显示面板的情况，但本公开不限于此。可以按照相同的技术精神应用其它显示面板。
49.显示设备10可以包括显示区域da和非显示区域nda。显示区域da可以包括用于显示图像的像素px。非显示区域nda可以设置在显示区域da周围以围绕显示区域da，并且可以不显示图像。
50.拼接显示设备td作为整体可以具有平面形状，但本公开不限于此。拼接显示设备
td可以具有三维形状，从而向用户提供三维效果。例如，在拼接显示设备td具有三维形状的情况下，显示设备10中的至少一些可以具有曲化形状。作为另一示例，显示设备10可以具有平面形状和以预定角度彼此连接的区域，使得拼接显示设备td可以具有三维形状。
51.图2是示出根据实施方式的拼接显示设备的一部分的示意性平面图。
52.为了便于说明，图2仅示出根据实施方式的拼接显示设备td中所包括的显示设备10中的一些。参考图1和图2，如上所述，显示设备10中的每个可以包括显示区域da和非显示区域nda。
53.显示区域da的形状可对应于显示设备10的形状。例如，显示区域da的形状可以具有与显示设备10的总体形状类似的平面矩形形状。显示区域da通常可以占据显示设备10的中央。
54.非显示区域nda可以设置在显示区域da周围。非显示区域nda可以完全或部分地围绕显示区域da。
55.拼接显示设备td还可以包括边界区域sm，边界区域sm包括其中相邻显示设备10可以彼此连接的区域。边界区域sm可以设置在相邻显示设备10的显示区域da之间。边界区域sm可以包括其中可以设置用于连接相邻显示设备10的非显示区域nda的连接构件的区域。显示设备10可以通过设置在边界区域sm中的连接构件或粘合构件彼此连接。
56.显示设备10中的每一个的显示区域da之间的距离可以接近于用户可无法识别显示设备10之间的边界区域sm的程度。显示设备10中的每个的显示区域da的外部光反射率可以与显示设备10之间的边界区域sm的外部光反射率基本相同。因此，拼接显示设备td可通过防止用户在视觉上识别显示设备10之间的边界区域sm来消除显示设备10之间的断开感并改善图像质量(例如，图像沉浸度)。
57.如上所述，显示区域da可以包括像素px。像素px可以沿矩阵方向布置。每个像素px在平面图中可以具有矩形或正方形形状。在实施方式中，每个像素px可以包括由无机颗粒制成的多个发光元件，但本公开不限于此。
58.像素px中的每个可以包括由像素限定层或堤限定的发光区域la和在发光区域la周围的光阻挡区域ba。
59.发光区域la可以是稍后将描述的从显示设备10的发光元件产生的光可以提供到显示设备10的外部的区域，并且光阻挡区域ba可以是从显示设备10的发光元件产生的光可以不提供到显示设备10的外部的区域。
60.发光区域la可以包括第一发光区域la1、第二发光区域la2和第三发光区域la3。第一发光区域la1、第二发光区域la2和第三发光区域la3可以将具有预定峰值波长的光发射到显示设备10的外部。第一发光区域la1可以发射第一颜色的光，第二发光区域la2可以发射第二颜色的光，并且第三发光区域la3可以发射第三颜色的光。例如，第一颜色的光可以是具有在约610nm至约650nm的范围内的峰值波长的红光，第二颜色的光可以是具有在约510nm至约550nm的范围内的峰值波长的绿光，并且第三颜色的光可以是具有在约440nm至约480nm的范围内的峰值波长的蓝光，但本公开不限于此。
61.第一发光区域la1、第二发光区域la2和第三发光区域la3可以在显示区域da中沿着第一方向dr1顺序地重复布置。
62.光阻挡区域ba可以设置成围绕发光区域la(la1、la2和la3)。每个像素px的光阻挡
区域ba可以与和其相邻的另一像素px的光阻挡区域ba接触。像素px中的相邻像素px的光阻挡区域ba可以连接成一个结构(例如，彼此集成)。在其他实施方式中，所有像素px的光阻挡区域ba可以连接成一个结构(例如，彼此集成)。然而，光阻挡区域ba的结构或构造不限于此。每个相邻像素px的发光区域la(la1、la2和la3)可被光阻挡区域ba划分。
63.图3是根据实施方式的显示设备的示意性剖视图。
64.根据实施方式的显示设备10可以包括基础构件sub、阻挡层br、显示层dpl、封装层tfe、第一下保护层lp1和第二下保护层lp2。显示设备10还可包括焊盘部分pad和引线ldl。
65.基础构件sub可以支承显示层dpl。在稍后将描述的制造显示设备10的工艺中，显示层dpl和封装层tfe可形成在基础构件sub的表面(或上表面)上。在实施方式中，基础构件sub可以包括聚酰亚胺(pi)。
66.阻挡层br可设置在基础构件sub的表面(附图中的上表面)上。阻挡层br可设置在基础构件sub的表面上以防止湿气或空气从显示设备10的外部渗透，从而防止设置在阻挡层br上的显示层dpl受到损坏。
67.阻挡层br可以包括无机材料。例如，阻挡层br可以包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅中的至少一种。
68.显示层dpl可以设置在阻挡层br的表面上。显示层dpl可包括电路层ccl、发光元件层eml、波长转换层wlcl和滤色器层cfl。
69.电路层ccl可以设置在阻挡层br的表面上。电路层ccl可包括用于驱动像素以驱动发光元件层eml的至少一个晶体管等。
70.电路层ccl可以包括连接布线cwl。连接布线cwl可以在显示层dpl的下表面上暴露。在显示层dpl的下表面上暴露的连接布线cwl可以通过穿透阻挡层br和基础构件sub的第一孔ha1电连接到引线ldl。连接布线cwl可以通过引线ldl将从焊盘部分pad接收的电信号提供给电路层ccl。
71.发光元件层eml可以设置在电路层ccl上。发光元件层eml可以包括发光元件，并且发光元件可以根据从电路层ccl传输的电信号发射光。从发光元件发射的光可以入射到波长转换层wlcl上。
72.波长转换层wlcl可以设置在发光元件层eml上。波长转换层wlcl可以转换光的波长或透射光，使得从发光元件层eml发射并入射到波长转换层wlcl上的光的波长与对应于每个像素px的颜色对应。
73.滤色器层cfl可以设置在波长转换层wlcl上。滤色器层cfl可以阻止与每个像素px对应的颜色之外的颜色的光的透射。
74.封装层tfe可以设置在显示层dpl上。封装层tfe可以重叠(例如，覆盖)显示层dpl的上表面和侧表面。例如，封装层tfe可包括至少一个无机层以防止氧气或湿气的渗透。此外，封装层tfe可包括至少一个有机层以保护显示设备10免受诸如灰尘的异物的影响。
75.第一下保护层lp1可设置在基础构件sub的另一表面(图中的下表面)上。下表面可以与基础构件sub的一表面(例如，上表面)相对。第一下保护层lp1可覆盖基础构件sub的下表面。第一下保护层lp1可用于从外部保护基础构件sub和显示层dpl。此外，在制造显示设备10的工艺期间，在形成穿透阻挡层br和基础构件sub的第一孔ha1的蚀刻工艺中，可以使用第一下保护层lp1作为蚀刻掩模，以省略用于形成第一孔ha1的附加掩模工艺。稍后将描
述其细节。
76.第一下保护层lp1可包括穿透第一下保护层lp1的第二孔ha2。第二孔ha2可位于与在第三方向dr3上穿透阻挡层br和基础构件sub的第一孔ha1对应的区域中。第二孔ha2可以通过在用于形成第一下保护层lp1的印刷工艺中仅在除与第一孔ha1对应的区域之外的区域中印刷包括在第一下保护层lp1中的材料来形成。
77.焊盘部分pad可以设置在第一下保护层lp1的下表面上。焊盘部分pad可以设置在第一下保护层lp1的下表面上，并且可以通过引线ldl电连接到连接布线cwl。在平面图中，焊盘部分pad可以设置成在第一下保护层lp1的下表面上与连接布线cwl间隔开。焊盘部分pad可以从柔性膜接收各种电压或信号，并且可以将这些电压或信号提供给连接布线cwl。
78.引线ldl可以设置在连接布线cwl和焊盘部分pad之间，并且可以电连接连接布线cwl和焊盘部分pad。引线ldl可通过穿透阻挡层br和基础构件sub的第一孔ha1和穿透第一下保护层lp1的第二孔ha2电连接至连接布线cwl。具体地，引线ldl可覆盖第一孔ha1的侧壁的至少一部分和第二孔ha2的侧壁的至少一部分，并且引线ldl可电连接至通过第一孔ha1和第二孔ha2暴露的连接布线cwl。
79.第二下保护层lp2可设置在引线ldl和第一下保护层lp1的下表面上。第二下保护层lp2可覆盖引线ldl和第一下保护层lp1。例如，第二下保护层lp2可以覆盖第一下保护层lp1的下表面的一区域，该区域未设置有焊盘部分pad。第二下保护层lp2可保护引线ldl和显示设备10的下表面。此外，第二下保护层lp2还可用于使由设置在基础构件sub下方的构件引起的台阶平坦化。
80.图4是沿着图2的线i-i'截取的示意性剖视图。
81.在下文中，将参考图2至图4详细描述根据实施方式的设置在显示设备10的显示区域da中的多个构件的截面结构。
82.在向上方向(例如，第三方向dr3)上顺序解释显示设备10的截面结构，第二下保护层lp2可以设置在第一下保护层lp1的下表面上，以保护设置在其上的构件，并且使由设置在基础构件sub下方的构件产生的台阶平坦化。
83.第二下保护层lp2可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯树脂中的至少一种。
84.在实施方式中，第二下保护层lp2可包括与第一下保护层lp1相同的材料，但是可具有与第一下保护层lp1不同的刚度和/或不同的热膨胀系数。然而，本公开不限于此，第二下保护层lp2可以包括与第一下保护层lp1相同的材料以具有相同的特性，或者可以包括与第一下保护层lp1不同的材料。
85.第一下保护层lp1可设置在第二下保护层lp2的上表面和基础构件sub的下表面上。第一下保护层lp1可与第二下保护层lp2一起保护设置在其上的构件。第一下保护层lp1可完全覆盖基础构件sub的下表面。在实施方式中，第一下保护层lp1可包括与基础构件sub不同的材料。
86.具体地，在制造显示设备10的工艺期间，在形成穿透阻挡层br和基础构件sub的第一孔ha1的工艺中，第一下保护层lp1可包括与基础构件sub中包括的材料不同的材料，以设置在基础构件sub的下表面上并用作蚀刻掩模。例如，第一下保护层lp1可包括相对于相同蚀刻剂具有与基础构件sub的蚀刻速率不同蚀刻速率的材料。具体地，在稍后描述的蚀刻基
础构件sub的工艺中使用的蚀刻剂中，基础构件sub的蚀刻速率可以显著大于第一下保护层lp1的蚀刻速率。例如，对于在蚀刻基础构件sub的工艺中使用的蚀刻剂，第一下保护层lp1和基础构件sub可以具有彼此显著不同的蚀刻选择性。稍后将描述其细节。
87.在其中基础构件sub包括如上所述的聚酰亚胺(pi)的实施方式中，第一下保护层lp1可以包括丙烯酸树脂。然而，本公开不限于此，并且在包括在第一下保护层lp1中的材料具有与基础构件sub的蚀刻选择性的大的差异并且用作能够保护显示层dpl免受外部影响的保护层的范围内，包括在第一下保护层lp1中的材料不受特别限制。
88.基础构件sub可以设置在第一下保护层lp1上。基础构件sub可以支承显示层dpl。如上所述，基础构件sub可以包括聚酰亚胺(pi)。
89.阻挡层br可设置在基础构件sub上。阻挡层br可以包括能够防止空气或湿气的渗透的无机材料，并且可以设置在基础构件sub和显示层dpl之间，从而保护显示层dpl的下部分。
90.电路层ccl可以设置在阻挡层br上。
91.电路层ccl可以包括缓冲层bf、晶体管tr、栅极绝缘层gi、层间绝缘层ild、第一钝化层pas1和第一平坦化层oc1。
92.缓冲层bf可以设置在阻挡层br上。缓冲层bf可以包括能够防止空气或湿气的渗透的无机材料。例如，缓冲层bf可以包括交替堆叠的无机层。
93.晶体管tr可以设置在缓冲层bf上，并且可以构成像素中的每个的像素电路。例如，晶体管tr可以是像素电路的驱动晶体管或开关晶体管。晶体管tr可以包括半导体层act、栅电极ge、源电极se和漏电极de。
94.半导体层act可以设置在缓冲层bf上。半导体层act可以在栅电极ge下方在第三方向dr3(或显示设备10的厚度方向)上与栅电极ge重叠，并且可以通过栅极绝缘层gi与栅电极ge绝缘。
95.栅极绝缘层gi可以设置在半导体层act上。例如，栅极绝缘层gi可以覆盖半导体层act和由半导体层act暴露的缓冲层bf，并且可以将半导体层act与栅电极ge绝缘。栅极绝缘层gi可以包括由源电极se和漏电极de中的每一个穿透的接触孔。
96.栅电极ge可以设置在栅极绝缘层gi上。栅电极ge可以设置成在第三方向dr3上与设置在其下方的半导体层act重叠。
97.层间绝缘层ild可以设置在栅电极ge上。例如，层间绝缘层ild可包括由源电极se和漏电极de穿透的接触孔。层间绝缘层ild的接触孔可以在第三方向dr3上与栅极绝缘层gi的接触孔重叠，并且可以连接到栅极绝缘层gi的接触孔。
98.源电极se和漏电极de可以设置成在层间绝缘层ild上彼此间隔开。虽然附图中未示出，但是源电极se可以连接到数据线或驱动电压线。源电极se可以通过穿透栅极绝缘层gi和层间绝缘层ild的接触孔连接到半导体层act。漏电极de可以电连接到发光元件层eml的第一电极ae。漏电极de可以通过穿透栅极绝缘层gi和层间绝缘层ild的接触孔连接到半导体层act。
99.第一钝化层pas1可设置在源电极se和漏电极de上。第一钝化层pas1可设置在晶体管tr上以保护晶体管tr。第一钝化层pas1可包括由发光元件层eml的第一电极ae穿透的接触孔。
100.第一平坦化层oc1可以设置在第一钝化层pas1上。第一平坦化层oc1可以设置在第一钝化层pas1上，并且可以用于使由设置在第一平坦化层oc1下方的层引起的台阶平坦化。第一平坦化层oc1可包括由发光元件层eml的第一电极ae穿透的接触孔。第一平坦化层oc1可包括有机材料。
101.发光元件层eml可以包括发光元件ed(参考图6，图6示出了图4的一区域)、第一电极ae、第二电极ce、第一堤bnk1、第二堤bnk2、第二钝化层pas2和第二平坦化层oc2。
102.第二堤bnk2可以设置在电路层ccl的第一平坦化层oc1上，并且可以沿着每个像素px(参见图1)的边界设置。第二堤bnk2可以设置在光阻挡区域ba中。第二堤bnk2可包括用于暴露第一堤bnk1和发光元件ed的开口。第一发光区域la1、第二发光区域la2和第三发光区域la3以及光阻挡区域ba可由第二堤bnk2划分。例如，第二堤bnk2可以限定显示设备10的发光区域la和光阻挡区域ba。
103.第一堤bnk1和发光元件ed可以设置在由第二堤bnk2划分的开口中。
104.第一堤bnk1可以设置在第一平坦化层oc1上。可以设置多个第一堤bnk1，并且多个第一堤bnk1可以在由第二堤bnk2划分的开口中设置成彼此间隔开。第一堤bnk1可以设置成与由第二堤bnk2限定的第一发光区域la1、第二发光区域la2和第三发光区域la3中的一个重叠。
105.第一电极ae可以设置在第一平坦化层oc1上。第一电极ae可以设置在第一堤bnk1上以覆盖第一堤bnk1。第一电极ae可以通过穿透第一平坦化层oc1和第一钝化层pas1的接触孔电连接到晶体管tr的漏电极de。第一电极ae可以连接到晶体管tr的漏电极de以接收驱动电流。
106.第二电极ce可以设置在第一平坦化层oc1上。第二电极ce可以设置在第一堤bnk1上以覆盖第一堤bnk1。第二电极ce可以接收提供给所有像素的公共电压。
107.第一绝缘层il1可以设置在第一电极ae和第二电极ce上。第一绝缘层il1可以设置在第一电极ae和第二电极ce之间以将第一电极ae和第二电极ce电绝缘。
108.发光元件ed可以设置在第一绝缘层il1上，使得其两端分别设置在第一电极ae和第二电极ce上。发光元件ed的一端可以电连接到第一电极ae，并且发光元件ed的另一端可以电连接到第二电极ce。
109.发光元件ed可以包括具有相同材料的有源层，并且可以发射相同波长带的光或相同颜色的光。从第一发光区域la1至第三发光区域la3中的每一个发射的光可以具有相同的颜色。例如，发光元件ed可以发射具有在约440nm至约480nm的范围内的峰值波长的第三颜色的光或蓝光。因此，发光元件层eml可以发射第三颜色的光或蓝光。
110.第二钝化层pas2可以设置在第二堤bnk2上。第二钝化层pas2可设置在发光元件ed上以保护发光元件ed。第二钝化层pas2可防止诸如湿气或空气的杂质从外部渗透，以防止对发光元件ed的损坏。
111.第二平坦化层oc2可以设置在第二钝化层pas2上。第二平坦化层oc2可以设置在多个构件下方并且可以用于使由多个构件引起的台阶差平坦化。例如，第二平坦化层oc2可以包括有机材料。
112.波长转换层wlcl可以设置在第二平坦化层oc2上。波长转换层wlcl可包括第一封盖层cap1、第一光阻挡构件bk1、第一波长转换图案wlc1、第二波长转换图案wlc2、光透射图
案ltu、第二封盖层cap2和第三平坦化层oc3。
113.第一封盖层cap1可以设置在发光元件层eml的第二平坦化层oc2上。第一封盖层cap1可封装第一波长转换图案wlc1和第二波长转换图案wlc2以及光透射图案ltu的下表面。例如，第一封盖层cap1可以包括无机材料。
114.第一光阻挡构件bk1可以在第一封盖层cap1上设置在光阻挡区域ba中。第一光阻挡构件bk1可在厚度方向上与第二堤bnk2重叠。第一光阻挡构件bk1可以阻挡光的透射。第一光阻挡构件bk1防止光侵入到第一发光区域la1、第二发光区域la2和第三发光区域la3之间并且防止混合颜色，由此改善显示设备10的色彩再现性。在平面图中，第一光阻挡构件bk1可以设置成围绕第一发光区域la1、第二发光区域la2和第三发光区域la3的栅格形状。
115.第一光阻挡构件bk1可包括有机光阻挡材料和疏液成分。例如，第一光阻挡构件bk1可以由包括疏液成分的黑色有机材料制成。第一光阻挡构件bk1可以通过包括疏液成分的有机光阻挡材料的涂覆和曝光工艺来形成。
116.第一波长转换图案wlc1可在第一封盖层cap1上设置在第一发光区域la1中。第一波长转换图案wlc1可被第一光阻挡构件bk1围绕。第一波长转换图案wlc1可包括第一基础树脂bs1、第一散射体sct1和第一波长转换材料wls1。
117.第一基础树脂bs1可以包括具有相对高的透光率的材料。第一基础树脂bs1可以由透明有机材料制成。例如，第一基础树脂bs1可以包括诸如环氧树脂、丙烯酸树脂、卡多树脂和酰亚胺树脂的有机材料中的至少一种。
118.第一散射体sct1可以具有与第一基础树脂bs1的折射率不同的折射率，并且可以与第一基础树脂bs1形成光学界面。例如，第一散射体sct1可以包括散射透射光的至少一部分的光散射材料或光散射颗粒。例如，第一散射体sct1可以包括诸如氧化钛(tio2)、氧化锆(zro2)、氧化铝(al2o3)、氧化铟(in2o3)、氧化锌(zno)或氧化锡(sno2)的金属氧化物或其组合，或者可以包括诸如丙烯酸树脂颗粒或聚氨酯树脂颗粒的有机颗粒或其组合。不管入射光的入射方向如何，第一散射体sct1可以在随机方向上散射光，而基本上不转换入射光的峰值波长。
119.第一波长转换材料wls1可以将入射光的峰值波长转换或变换为第一峰值波长。例如，第一波长转换材料wls1可以将从发光元件层eml提供的蓝光转换成具有在约610nm至约650nm的范围内的单个峰值波长的红光，并发射红光。第一波长转换材料wls1可以是量子点、量子杆或磷光体。量子点可以是在电子从导带跃迁到价带的同时发射特定颜色的光的颗粒物质。
120.从发光元件层eml提供的蓝光的一部分可以穿过第一波长转换材料wls1而不被第一波长转换材料wls1转换为红光。在从发光元件层eml提供的蓝光中，可以不被第一波长转换材料wls1转换并且入射到稍后描述的第一滤色器cf1上的光可以被第一滤色器cf1阻挡。此外，在从发光元件层eml提供的蓝光中，由第一波长转换图案wlc1转换的红光可穿过第一滤色器cf1并且发射到外部。因此，第一发光区域la1可以发射红光。
121.第二波长转换图案wlc2可在第一封盖层cap1上设置在第二发光区域la2中。第二波长转换图案wlc2可被第一光阻挡构件bk1围绕。第二波长转换图案wlc2可包括第二基础树脂bs2、第二散射体sct2和第二波长转换材料wls2。
122.第二基础树脂bs2可以包括具有相对高的透光率的材料。第二基础树脂bs2可以由
透明有机材料制成。例如，第二基础树脂bs2可以由与第一基础树脂bs1相同的材料制成，或者可以由第一基础树脂bs1中例示的材料制成。
123.第二散射体sct2可以具有与第二基础树脂bs2的折射率不同的折射率，并且可以与第二基础树脂bs2形成光学界面。例如，第二散射体sct2可以包括散射透射光的至少一部分的光散射材料或光散射颗粒。例如，第二散射体sct2可以由与第一散射体sct1相同的材料制成，或者可以由第一散射体sct1中例示的材料制成。不管入射光的入射方向如何，第二散射体sct2可以在随机方向上散射光，而基本上不转换入射光的峰值波长。
124.第二波长转换材料wls2可以将入射光的峰值波长转换或变换为不同于第一峰值波长的第二峰值波长。例如，第二波长转换材料wls2可以将从发光元件层eml提供的蓝光转换为具有在约510nm至约550nm的范围内的单个峰值波长的绿光，并且发射绿光。第二波长转换材料wls2可由量子点、量子杆或磷光体制成，使得第二波长转换材料wls2的波长转换范围可不同于第一波长转换材料wls1的波长转换范围。
125.光透射图案ltu可以在第一封盖层cap1上设置在第三发光区域la3中。光透射图案ltu可以被第一光阻挡构件bk1围绕。光透射图案ltu可以透射入射光同时保持其峰值波长。光透射图案ltu可以包括第三基础树脂bs3和第三散射体sct3。
126.第三基础树脂bs3可以包括具有相对高的透光率的材料。第三基础树脂bs3可以由透明有机材料制成。例如，第三基础树脂bs3可以由与第一基础树脂bs1或第二基础树脂bs2相同的材料制成，或者可以由第一基础树脂bs1或第二基础树脂bs2中例示的材料制成。
127.第三散射体sct3可以具有与第三基础树脂bs3的折射率不同的折射率，并且可以与第三基础树脂bs3形成光学界面。例如，第三散射体sct3可以包括散射透射光的至少一部分的光散射材料或光散射颗粒。例如，第三散射体sct3可以由与第一散射体sct1或第二散射体sct2相同的材料制成，或者可以由在第一散射体sct1或第二散射体sct2中例示的材料制成。不管入射光的入射方向如何，第三散射体sct3可以在随机方向上散射光，而基本上不转换入射光的峰值波长。
128.波长转换层wlcl可以设置在(例如，直接设置在)发光元件层eml的第二平坦化层oc2上，使得显示设备10可以不需要用于第一波长转换图案wlc1和第二波长转换图案wlc2以及光透射图案ltu的单独衬底或基础构件。因此，第一波长转换图案wlc1和第二波长转换图案wlc2以及光透射图案ltu可以与第一发光区域la1、第二发光区域la2和第三发光区域la3中的每一个容易地对齐，并且显示设备10的厚度可以相对减小。
129.第二封盖层cap2可以覆盖第一波长转换图案wlc1和第二波长转换图案wlc2、光透射图案ltu以及第一光阻挡构件bk1。例如，第二封盖层cap2可以封装第一波长转换图案wlc1和第二波长转换图案wlc2以及光透射图案ltu，以防止对第一波长转换图案wlc1和第二波长转换图案wlc2以及光透射图案ltu的损坏或污染。例如，第二封盖层cap2可以包括无机材料。
130.第三平坦化层oc3可设置在第二封盖层cap2上以平坦化第一波长转换图案wlc1和第二波长转换图案wlc2以及光透射图案ltu的上端。例如，第三平坦化层oc3可以包括有机材料。
131.滤色器层cfl可以设置在波长转换层wlcl的第三平坦化层oc3上。滤色器层cfl可包括第二光阻挡构件bk2、第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3以及第三钝化
层pas3。
132.第二光阻挡构件bk2可以在第三平坦化层oc3上设置在光阻挡区域ba中。第二光阻挡构件bk2可在厚度方向上与第一光阻挡构件bk1或第二堤bnk2重叠。第二光阻挡构件bk2可以阻挡光的透射。第二光阻挡构件bk2可以防止光侵入到第一发光区域la1、第二发光区域la2和第三发光区域la3之间并且防止混合颜色，从而改善显示设备10的颜色再现性。第二光阻挡构件bk2在平面图中可以设置成围绕第一发光区域la1、第二发光区域la2和第三发光区域la3的栅格形状。
133.第一滤色器cf1可以在第三平坦化层oc3上设置在第一发光区域la1中。第一滤色器cf1可被第二光阻挡构件bk2围绕。第一滤色器cf1可以在厚度方向上与第一波长转换图案wlc1重叠。第一滤色器cf1可以选择性地透射第一颜色的光(例如，红光)，并且可以阻挡或吸收第二颜色的光(例如，绿光)和第三颜色的光(例如，蓝光)。例如，第一滤色器cf1可以是红色滤色器，并且可以包括红色着色剂。
134.第二滤色器cf2可以在第三平坦化层oc3上设置在第二发光区域la2中。第二滤色器cf2可被第二光阻挡构件bk2围绕。第二滤色器cf2可以在厚度方向上与第二波长转换图案wlc2重叠。第二滤色器cf2可以选择性地透射第二颜色的光(例如，绿光)，并且可以阻挡或吸收第一颜色的光(例如，红光)和第三颜色的光(例如，蓝光)。例如，第二滤色器cf2可以是绿色滤色器，并且可以包括绿色着色剂。
135.第三滤色器cf3可以在第三平坦化层oc3上设置在第三发光区域la3中。第三滤色器cf3可被第二光阻挡构件bk2围绕。第三滤色器cf3可以在厚度方向上与光透射图案ltu重叠。第三滤色器cf3可以选择性地透射第三颜色的光(例如，蓝光)，并且可以阻挡或吸收第一颜色的光(例如，红光)和第二颜色的光(例如，绿光)。例如，第三滤色器cf3可以是蓝色滤色器，并且可以包括蓝色着色剂。
136.第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3可吸收从显示设备10的外部提供的光的一部分，以减少由外部光引起的反射光。因此，第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3可以防止由于外部光的反射而引起的颜色失真。
137.第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3可设置在(例如，直接设置在)波长转换层wlcl的第三平坦化层oc3上，使得显示设备10可不需要用于第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3的单独衬底或基础构件。因此，显示设备10的厚度可以相对减小。
138.第三钝化层pas3可覆盖第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3。第三钝化层pas3可保护第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3。
139.封装层tfe可以设置在滤色器层cfl的第三钝化层pas3上。封装层tfe可以覆盖显示层dpl的上表面和侧表面。例如，封装层tfe可包括至少一个无机层以防止氧气或湿气的渗透。此外，封装层tfe可包括至少一个有机层以保护显示设备10免受诸如灰尘的异物的影响。
140.图5是根据实施方式的发光元件的示意性立体图。
141.参考图5，发光元件ed可以是颗粒元件，并且可以具有拥有预定纵横比的杆形状或圆柱形状。发光元件ed的长度可以大于发光元件ed的直径，并且其纵横比可以是约1.2∶1至约100∶1，但不限于此。
142.发光元件ed可具有纳米级(约1nm或更大且小于约1μm)或微米级(约1μm或更大且小于约1mm)的尺寸。在实施方式中，发光元件ed的直径和长度两者可以具有纳米级的尺寸，或者可以具有微米级的尺寸。在一些实施方式中，发光元件ed的直径可以具有纳米级的尺寸，而发光元件ed的长度可以具有微米级的尺寸。在一些实施方式中，一些发光元件ed的直径和/或长度可以具有纳米级的尺寸，而其他发光元件ed的直径和/或长度可以具有微米级的尺寸。
143.发光元件ed可以包括无机发光二极管。无机发光二极管可以包括半导体层。例如，无机发光二极管可以包括第一导电类型(例如，n型)半导体层、第二导电类型(例如，p型)半导体层以及插置在它们之间的有源半导体层。有源半导体层可以分别接收来自第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层的空穴和电子，并且已经到达有源半导体层的空穴和电子可以彼此复合以发射光。
144.在实施方式中，上述半导体层可以沿着发光元件ed的长度方向顺序堆叠。如图5中所示，发光元件ed可以包括在长度方向上顺序堆叠的第一半导体层31、有源层33和第二半导体层32。第一半导体层31、有源层33和第二半导体层32可以分别是上述第一导电类型半导体层、有源半导体层和第二导电类型半导体层。
145.第一半导体层31可掺杂有第一导电掺杂剂。第一导电掺杂剂可以是si、ge、se、sn等。在实施方式中，第一半导体层31可以是掺杂有n型si的n-gan。
146.第二半导体层32可以设置成与第一半导体层31间隔开，且有源层33插置在第一半导体层31与第二半导体层32之间。第二半导体层32可掺杂有诸如mg、zn、ca或ba的第二导电掺杂剂。在实施方式中，第二半导体层32可以是掺杂有p型mg的p-gan。
147.有源层33可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。如上所述，有源层33可以根据通过第一半导体层31和第二半导体层32施加的电信号通过电子-空穴对的复合来发光。
148.在一些实施方式中，有源层33可以具有其中具有高带隙能量的半导体材料和具有低带隙能量的半导体材料彼此交替地堆叠的结构，并且取决于发射光的波长带，有源层33可以包括其他iii族至v族半导体材料。
149.从有源层33发射的光不仅可以在纵向方向上发射到发光元件ed的外表面，而且还可以发射到发光元件ed的两个侧表面。例如，从有源层33发射的光的方向不限于一个方向。
150.发光元件ed还可以包括设置在第二半导体层32上的电极层37。电极层37可以与第二半导体层32接触。电极层37可以是欧姆接触电极，但不限于此，并且电极层37可以是肖特基接触电极。
151.在发光元件ed的两端可以电连接到接触电极cte1和cte2(参见图6)以将电信号施加到第一半导体层31和第二半导体层32的情况下，电极层37可以设置在第二半导体层32和接触电极cte1和cte2之间以减小电阻。电极层37可以包括铝(al)、钛(ti)、铟(in)、金(au)、银(ag)、铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)和铟锡锌氧化物(itzo)中的至少一种。电极层37可以包括掺杂有n型掺杂剂或p型掺杂剂的半导体材料。
152.发光元件ed还可以包括围绕第一半导体层31、第二半导体层32、有源层33和/或电极层37的外周表面的绝缘层38。绝缘层38可以设置成至少围绕有源层33的外表面，并且可以在发光元件ed延伸的方向上延伸。绝缘层38可执行保护构件的功能。绝缘层38可以由具
有绝缘性质的材料制成，并且可以防止在有源层33与电极(电信号可以通过该电极传输到发光元件ed)直接接触的情况下可能发生的电短路。此外，由于绝缘层38可以保护第一半导体层31和第二半导体层32以及有源层33的外周表面，所以它可以能够防止发光效率的降低。
153.图6是图4的区域a的放大示意图。
154.在下文中，将参考图4至图6描述发光元件层eml的截面结构。发光元件层eml可以设置在电路层ccl的第一平坦化层oc1上。
155.根据实施方式的发光元件层eml可包括第一堤bnk1、第二堤bnk2、发光元件ed、第一电极ae、第二电极ce、第一接触电极cte1、第二接触电极cte2、第一绝缘层il1、第二绝缘层il2和第三绝缘层il3、第二钝化层pas2和第二平坦化层oc2。
156.第一堤bnk1可以设置在第一发光区域la1、第二发光区域la2和第三发光区域la3中的每一个中。第一堤bnk1可以设置在第一平坦化层oc1上，并且第一堤bnk1中的每个的侧表面可以相对于第一平坦化层oc1倾斜。第一堤bnk1可以包括聚酰亚胺(pi)，但不限于此。
157.第一电极ae和第二电极ce中的每一个可以设置在相应的第一堤bnk1上。第一电极ae和第二电极ce可以分别电连接到发光元件ed，并且可以施加预定电压以允许发光元件ed发光。例如，第一电极ae和第二电极ce可以分别通过稍后描述的第一接触电极cte1和第二接触电极cte2电连接到设置在第一堤bnk1之间的发光元件ed，并且施加到第一电极ae和第二电极ce的电信号可以通过第一接触电极cte1和第二接触电极cte2传输到发光元件ed。
158.第一电极ae和第二电极ce可以包括透明导电材料。例如，第一电极ae和第二电极ce中的每一个可以包括铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)和铟锡锌氧化物(itzo)中的至少一种，但是其材料不限于此。
159.第一电极ae和第二电极ce可以包括具有高反射率的导电材料。例如，第一电极ae和第二电极ce可以包括可以具有高反射率的至少一种金属，诸如银(ag)、铜(cu)、铝(al)。第一电极ae和第二电极ce可以将从发光元件ed入射的光朝向显示设备10的上部分反射。
160.第一绝缘层il1可以设置在第一平坦化层oc1、第一电极ae和第二电极ce上。第一绝缘层il1可以覆盖第一电极ae和第二电极ce中的每一个的一部分。例如，第一绝缘层il1可包括用于暴露第一电极ae和第二电极ce的与第一堤bnk1的上表面对应的部分的开口。第一绝缘层il1可保护第一电极ae和第二电极ce，并且可使第一电极ae和第二电极ce彼此绝缘。第一绝缘层il1可防止发光元件ed因与其它构件直接接触而损坏。
161.例如，第一绝缘层il1可以包括无机绝缘材料，并且可以包括在第一电极ae和第二电极ce之间凹陷的台阶。第二绝缘层il2可填充第一绝缘层il1的凹陷台阶。因此，第二绝缘层il2可以使第一绝缘层il1的上表面平坦化，并且发光元件ed可以设置在第一绝缘层il1和第二绝缘层il2上，使得发光元件ed的两端分别放置在第一电极ae和第二电极ce上。
162.发光元件ed可以在第一绝缘层il1和第二绝缘层il2上设置在第一堤bnk1之间，使得其两端分别放置在第一电极ae和第二电极ce上。发光元件ed可以通过第一接触电极cte1电连接到第一电极ae，并且可以通过第二接触电极cte2电连接到第二电极ce。
163.如上所述，发光元件ed可以包括掺杂有不同导电掺杂剂的半导体层31和32。发光元件ed可以包括半导体层31和32，并且可以根据在第一电极ae和第二电极ce之间生成的电场的方向对准成使得发光元件ed的一端面向特定方向。具体地，发光元件ed可以具有在一
个方向上延伸的形状，并且发光元件ed在延伸方向上的两端分别设置在第一电极ae和第二电极ce上。
164.发光元件ed可以设置成使得其延伸方向可以平行于基础构件sub，并且包括在发光元件ed中的半导体层可以沿着平行于基础构件sub的上表面的方向顺序地设置。具体地，在发光元件ed的两端的截面中，第一半导体层31、有源层33、第二半导体层32和电极层37可以依次形成在与基础构件sub的一个表面水平的方向上。发光元件ed可以对准成使得其可以位于第二半导体层32处的一端可以放置在第一电极ae上，并且其可以位于第一半导体层31处的另一端可以放置在第二电极ce上。然而，本公开不限于此，并且在一些发光元件ed中，其可以位于第二半导体层32处的一端可放置在第二电极ce上，并且其可以位于第一半导体层31处的另一端可放置在第一电极ae上。
165.第三绝缘层il3可以部分地设置在发光元件ed上。第三绝缘层il3可以设置成部分地覆盖发光元件ed的外表面，但不覆盖发光元件ed的两端。第三绝缘层il3可用于在制造显示设备10的工艺中保护发光元件ed并固定发光元件ed。
166.第一接触电极cte1可以设置在第一电极ae上。第一接触电极cte1可分别接触第一电极ae和发光元件ed的一端。第一接触电极cte1可以电连接发光元件ed和第一电极ae。
167.第二接触电极cte2可以设置在第二电极ce上。第二接触电极cte2可以分别接触第二电极ce和发光元件ed的另一端。第二接触电极cte2可以电连接发光元件ed和第二电极ce。
168.具体地，发光元件ed的可以位于第二半导体层32处的一端可以通过第一接触电极cte1电连接到第一电极ae，并且发光元件ed的可以位于第一半导体层31处的另一端可以通过第二接触电极cte2电连接到第二电极ce。例如，由于发光元件ed的两端分别与第一接触电极cte1和第二接触电极cte2接触，所以电信号可以从第一电极ae和第二电极ce施加，并且可以根据电信号从发光元件ed的有源层33发射光。
169.第一接触电极cte1和第二接触电极cte2中的每一个可以包括导电材料。例如，第一接触电极cte1和第二接触电极cte2中的每一个可以包括ito、izo、itzo、铝(al)或其组合。作为示例，第一接触电极cte1和第二接触电极cte2中的每一个可以包括透明导电材料，但其材料不限于此。
170.图7是沿着图2的线ii-ii'截取的示意性剖视图。图8是图7的区域b的示例的放大示意性剖视图。
171.参考图2、图7和图8，拼接显示设备td可以包括多个显示设备10、联接构件20和盖构件30。
172.根据实施方式的显示设备10可以包括基础构件sub、阻挡层br、第一下保护层lp1、第二下保护层lp2、显示层dpl、封装层tfe、引线ldl、焊盘部分pad、柔性膜fpcb和源驱动器sic。
173.在下文中，包括在显示设备10中的显示层dpl的描述将由以上描述代替，并且将描述包括在显示设备10的显示层dpl中的连接布线cwl和布置在连接布线cwl下方的基础构件sub、阻挡层br、第一下保护层lp1、第二下保护层lp2、引线ldl、焊盘部分pad、柔性膜fpcb和源驱动器sic的结构。
174.基础构件sub可用于支承显示层dpl。基础构件sub可包括有机材料。在实施方式
中，基础构件sub可以包括聚酰亚胺(pi)。例如，基础构件sub可以是聚酰亚胺衬底。
175.基础构件sub可包括穿透基础构件sub的开口。穿透基础构件sub的开口可构成稍后描述的第一孔ha1。第一孔ha1可以与包括在电路层ccl中并且在厚度方向上从显示层dpl的下表面暴露的连接布线cwl重叠。
176.阻挡层br可设置在基础构件sub上。如上所述，阻挡层br可以包括无机材料，并且可以用于保护设置在其上的显示层dpl。阻挡层br可包括穿透阻挡层br的开口。穿透阻挡层br的开口可构成稍后描述的第一孔ha1。
177.第一孔ha1可以由基础构件sub的开口的侧壁和阻挡层br的开口的侧壁形成。例如，第一孔ha1可穿透基础构件sub和阻挡层br。第一孔ha1可暴露连接布线cwl的从显示层dpl的下表面暴露的至少一部分。可以通过蚀刻工艺形成穿透基础构件sub和阻挡层br的第一孔ha1。
178.设置在阻挡层br上的显示层dpl可以包括连接布线cwl。在实施方式中，连接布线cwl可以设置在层间绝缘层ild上。连接布线cwl可以通过穿透层间绝缘层ild、栅极绝缘层gi和缓冲层bf的第一接触孔cnt1从显示层dpl的下表面暴露。连接布线cwl可以从缓冲层bf的下表面暴露。从缓冲层bf的下表面暴露的连接布线cwl可以通过第一孔ha1电连接到引线ldl，并且可以通过引线ldl电连接到焊盘部分pad。连接布线cwl可以将从焊盘部分pad接收的电信号提供给包括在电路层ccl中的晶体管tr。
179.连接布线cwl可以连接到数据线以提供数据电压。连接布线cwl可以通过数据线电连接到晶体管tr的源电极se。例如，连接布线cwl可以在与电路层ccl的源电极se和漏电极de相同的层上由相同的材料形成，但是本公开不限于此。
180.作为另一示例，连接布线cwl可以在与晶体管tr的栅电极ge相同的层上由相同的材料形成。连接布线cwl可以连接到扫描线以提供扫描信号。
181.第一下保护层lp1可设置在基础构件sub的下表面上。在实施方式中，第一下保护层lp1可完全覆盖基础构件sub的下表面。第一下保护层lp1可以设置在基础构件sub的下表面上，但是可以不设置在构成第一孔ha1的侧壁的基础构件sub的侧表面上。
182.第一下保护层lp1可包括穿透第一下保护层lp1的第二孔ha2。第二孔ha2可以具有拥有宽下区域和窄上区域的漏斗形状，但是其形状不限于此。第二孔ha2可以在厚度方向上与第一孔ha1重叠。包括在第一下保护层lp1中的第二孔ha2可以通过使用有机材料通过印刷工艺或涂布工艺执行图案化而不执行单独的蚀刻工艺来形成。
183.包括第二孔ha2的第一下保护层lp1可以通过使用有机材料的印刷工艺或涂布工艺形成。具体地，第一下保护层lp1可以通过喷墨印刷工艺、旋转涂布工艺或狭缝涂布工艺将具有流动性的有机材料施加到基础构件sub的下表面上而形成。为了形成第二孔ha2，具有流动性的有机材料可以具有这种程度的高粘度：使得其可以容易地仅施加在期望的区域上而不与基础构件sub的下表面分离。具有高粘度的有机材料可以通过具有流动性的有机材料的紫外线固化或热固化工艺稳定地放置在基础构件sub的下表面上。可以通过切割工艺去除已经与基础构件sub的下表面分离的少量有机材料。
184.第一下保护层lp1可用作用于形成穿透基础构件sub和阻挡层br的第一孔ha1的蚀刻工艺中的蚀刻掩模。因此，第一下保护层lp1可包括与基础构件sub中所包括的材料不同的材料。具体地，针对在用于形成第一孔ha1的蚀刻工艺中使用的蚀刻剂，第一下保护层lp1
可包括其蚀刻速率可显著低于基础构件sub的蚀刻速率的材料。在其中基础构件sub包括聚酰亚胺(pi)的实施方式中，第一下保护层lp1可包括与聚酰亚胺(pi)不同并且对于用于蚀刻工艺的蚀刻剂具有低蚀刻速率的材料。
185.第一下保护层lp1可用于保护设置在基础构件sub上的显示层dpl。因此，第一下保护层lp1可以包括能够保护显示层dpl的材料。在其中基础构件sub可以是聚酰亚胺衬底的实施方式中，第一下保护层lp1可以包括能够用作具有与聚酰亚胺的蚀刻选择性不同的蚀刻选择性的保护层的丙烯酸树脂。
186.焊盘部分pad可以设置在第一下保护层lp1的下表面上。在平面图中，焊盘部分pad可以设置在第一下保护层lp1的下表面上以与连接布线cwl和第二孔ha2间隔开。焊盘部分pad可以从柔性膜fpcb接收各种电压或信号，并且可以将相应的电压或信号提供给连接布线cwl。
187.引线ldl可以设置在连接布线cwl和焊盘部分pad之间。引线ldl可以设置在连接布线cwl和焊盘部分pad之间的区域中，以电连接连接布线cwl和焊盘部分pad。引线ldl的一端可以与由第一孔ha1和第二孔ha2暴露的连接布线cwl接触，并且引线ldl的另一端可以与焊盘部分pad接触。
188.引线ldl可设置在第一下保护层lp1的下表面上以及第一孔ha1和第二孔ha2中的每一个的侧壁上。例如，引线ldl可以覆盖形成第二孔ha2的侧壁的第一下保护层lp1的侧表面、形成第一孔ha1的侧壁的阻挡层br和基础构件sub的侧表面以及第一下保护层lp1的下表面。引线ldl可以具有三角架(spider)形状，但其形状不限于此。例如，引线ldl可以形成为钛和铜的堆叠结构(ti/cu)或铝和钛的堆叠结构(ti/al/ti)，但其结构不限于此。
189.第二下保护层lp2可覆盖第一下保护层lp1的下表面和引线ldl。
190.第二下保护层lp2可以设置在第一下保护层lp1的下表面的可不设置焊盘部分pad的区域中，并且可以从其下侧覆盖它们。第二下保护层lp2还可用于通过填充由第一孔ha1和第二孔ha2划分的区域来使由设置在其上的构件引起的台阶平坦化。
191.粘合膜acf可以将柔性膜fpcb附接到焊盘部分pad。粘合膜acf的一个表面可附接到焊盘部分pad，并且粘合膜acf的另一表面可附接到柔性膜fpcb。例如，粘合膜acf可以覆盖整个焊盘部分pad，但本公开不限于此。
192.粘合膜acf可以包括各向异性导电膜。在粘合膜acf包括各向异性导电膜的情况下，粘合膜acf可以在其中焊盘部分pad接触柔性膜fpcb的接触焊盘的区域中具有导电性，并且可以将柔性膜fpcb电连接到焊盘部分pad。
193.柔性膜fpcb可以设置在显示层dpl下方。柔性膜fpcb的一端可以通过粘合膜acf连接到焊盘部分pad，并且柔性膜fpcb的另一端可以连接到显示层dpl下方的源电路板(未示出)。柔性膜fpcb可以将信号从源驱动器sic传输到电路层ccl。例如，源驱动器sic可以是集成电路(ic)。源驱动器sic可以基于时序控制器的源控制信号将数字视频数据转换为模拟数据电压，并且可以通过柔性膜fpcb将模拟数据电压提供给显示区域da的数据线。
194.联接构件20可以设置在拼接显示设备td的边界区域sm中。拼接显示设备td可通过使用设置在显示设备10之间的联接构件20将相邻显示设备10的侧表面彼此联接。联接构件20可以通过将布置成栅格形式的显示设备10的侧表面彼此连接来实现拼接显示设备td。联接构件20可以联接彼此相邻的显示设备10中的每个的封装层tfe的侧表面。
195.例如，联接构件20可由相对薄的粘合剂或双面胶带制成，从而使显示设备10之间的间隙最小化。作为另一示例，联接构件20可由相对薄的联接框架制成，从而使显示设备10之间的间隙最小化。因此，拼接显示设备td可以防止用户识别显示设备10之间的边界区域sm。
196.盖构件30可设置在显示设备10和联接构件20上以覆盖显示设备10和联接构件20。例如，盖构件30可以设置在显示设备10中的每个的封装层tfe的上表面上。盖构件30可保护拼接显示设备td的上表面。
197.在下文中，将参考图8详细描述第一孔ha1、第二孔ha2、基础构件sub和第一下保护层lp1的形状和/或布置关系。
198.第一孔ha1的截面形状可以具有其宽度向上减小的梯形形状。例如，第一孔ha1可以具有拥有宽下区域和窄上区域的形状。如附图中所示，在用于形成第一孔ha1的蚀刻工艺中可以形成具有宽下区域和窄上区域的第一孔ha1的形状。
199.第二孔ha2的截面形状可以具有拥有宽下区域和窄上区域的漏斗形状。与第一孔ha1的截面形状不同，第二孔ha2可具有大致曲化的侧壁。
200.构成第一孔ha1和第二孔ha2的侧壁可相对于包括基础构件sub的一个表面的平面具有倾斜度。在实施方式中，第一孔ha1的侧壁相对于基础构件sub的一个表面的倾斜角度可以大于第二孔ha2的侧壁相对于基础构件sub的一个表面的倾斜角度。第一孔ha1和第二孔ha2的形状可以通过形成第一孔ha1和第二孔ha2的工艺形成。例如，如上所述，可以在不与第一孔ha1重叠的区域中施加和固化含有丙烯酸树脂的材料以形成第一下保护层lp1的工艺期间形成第二孔ha2。可在蚀刻基础构件sub和阻挡层br的工艺期间形成第一孔ha1。
201.第一下保护层lp1可完全覆盖基础构件sub的下表面。构成第一孔ha1的基础构件sub的侧表面可以与第一下保护层lp1的侧表面对齐。该结构可以通过在用于形成第一孔ha1的蚀刻工艺中蚀刻可以通过第一下保护层lp1的第二孔ha2暴露的基础构件sub而不蚀刻由第一下保护层lp1覆盖的基础构件sub来形成。
202.在根据实施方式的显示设备10中，可以传输用于驱动电路层ccl的像素的驱动信号的连接布线cwl可以从显示层dpl的下表面暴露，使得电信号可以通过显示层dpl的下表面提供。因此，由于电信号可以通过从显示层dpl的下表面暴露的连接布线cwl来提供，所以可以最小化显示设备10的非显示区域或边框区域。为了将从显示层dpl的下表面暴露的连接布线cwl连接到焊盘部分pad，应当执行形成将连接布线cwl暴露到设置在显示层dpl下方的阻挡层br和基础构件sub的第一孔ha1的蚀刻工艺。在形成第一孔ha1的蚀刻工艺中，根据实施方式的包括在显示设备10中的第一下保护层lp1可保护上构件免受基础构件sub的下表面的影响，并且可用作蚀刻掩模。因此，可以省略用于形成光刻胶图案的光刻胶层的施加、曝光和显影工艺以及用于去除光刻胶图案的灰化工艺或剥离工艺，其中，光刻胶图案用于形成通常在形成第一孔ha1的蚀刻工艺中使用的单独的蚀刻掩模。此外，由于第一下保护层lp1可以用作蚀刻掩模并且还用作下保护层，所以可以省略用于形成下保护层的单独工艺。因此，可以改善制造显示设备10的工艺的经济效率。
203.在下文中，将描述制造显示设备10的工艺。在制造显示设备10的工艺的描述中，对于与先前描述的显示设备10的层的结构相同的配置，将省略或简化冗余描述，并且将描述制造工艺。
204.图9至图19是示出制造图7的显示设备的工艺的示意性工艺图。
205.在下文中，在解释制造显示设备10的工艺的附图中，限定了第四方向dr4、第五方向dr5和第六方向dr6。第四方向dr4和第五方向dr5可以是在一个平面中彼此垂直的方向。第六方向dr6可以是垂直于第四方向dr4和第五方向dr5所在的平面的方向。第六方向dr6可以垂直于第四方向dr4和第五方向dr5中的每一个。在下文中，在解释制造显示设备10的工艺的实施方式中，第六方向dr6可以指基于基础构件sub可以设置显示层dpl的方向。
206.在解释制造显示设备10的工艺的实施方式中，除非另有说明，否则“上”可指朝向第六方向dr6上的一侧相对于基础构件sub可以设置有显示层dpl的一侧，并且“上表面”可指面向第六方向dr6上的一侧的表面。此外，“下”可以指朝向与第六方向dr6相反的方向的另一侧，并且“下表面”可以指面向第六方向dr6上的另一侧的表面。
207.首先，参考图9，可以在载体衬底cg上形成基础构件sub和阻挡层br。
208.基础构件sub可包括聚酰亚胺(pi)。例如，载体衬底cg可以是载体玻璃，但不限于此。载体衬底cg可以在基础构件sub上形成显示层dpl和封装层tfe的工艺中支承基础构件sub。
209.阻挡层br可以形成在基础构件sub上。阻挡层br可以包括能够防止空气或湿气的渗透的无机材料。
210.随后，参考图10，可以在阻挡层br上形成显示层dpl和封装层tfe。
211.首先，可以在阻挡层br上形成显示层dpl。显示层dpl可以包括连接布线cwl。连接布线cwl可以插入第一接触孔cnt1中并从显示层dpl的下表面暴露。从显示层dpl的下表面暴露的连接布线cwl可接触阻挡层br的上表面。例如，连接布线cwl可以通过喷墨工艺、切割工艺或电镀工艺填充第一接触孔cnt1。
212.随后，可以在显示层dpl上形成封装层tfe。封装层tfe可以完全覆盖显示层dpl的上表面和侧表面。封装层tfe也可以设置在阻挡层br的其上可以不形成显示层dpl的上表面上，以完全密封显示层dpl。
213.随后，参考图11，可以在封装层tfe上形成上膜upf，并且可以去除载体衬底cg。
214.具体地，上膜upf可以是载体玻璃或保护膜，但不限于此。在形成将稍后描述的穿透基础构件sub和阻挡层br的第一孔ha1和形成引线ldl、焊盘部分pad以及第一下保护层lp1和第二下保护层lp2的后续工艺中，上膜upf可用于支承封装层tfe和显示层dpl。在可以形成上膜upf之后，可以反转所制造的显示设备，并且上膜upf可以支承封装层tfe和显示层dpl。
215.可以在可以完成显示层dpl、封装层tfe和上膜upf的堆叠之后去除载体衬底cg。
216.在下文中，图12至图18示出了将所制造的显示设备反转以形成设置在显示层dpl的下表面上的构件的工艺。应当注意，在图12至图18中，面向下的方向可以是第六方向dr6。
217.接着，参考图12，在可以形成上膜upf之后，可以去除载体衬底cg并且可以反转所制造的显示设备，可以在基础构件sub上形成第一下保护层lp1。
218.第一下保护层lp1可被图案化并形成在基础构件sub的下表面上。具体地，第一下保护层lp1可以不设置在沿厚度方向与显示层dpl的连接布线cwl重叠的区域中。例如，为了形成第一孔ha1，第一下保护层lp1可以仅形成在除了需要去除基础构件sub和阻挡层br的区域之外的区域中。第一下保护层lp1可仅形成在需要去除基础构件sub和阻挡层br以形成
第一孔ha1的区域中，使得第一下保护层lp1可包括在厚度方向上与连接布线cwl重叠的第二孔ha2。第一下保护层lp1可被图案化并形成在基础构件sub的下表面上，以暴露需要去除基础构件sub和阻挡层br的区域，使得第一下保护层lp1可在后续工艺中用作蚀刻掩模。
219.第一下保护层lp1可通过印刷工艺将包括在第一下保护层lp1中的材料施加到基础构件sub上而无需单独的掩模工艺来形成。例如，第一下保护层lp1可包括具有预定流动性但具有一定程度的粘性的材料，使得该材料可在基础构件sub的下表面上图案化(例如，直接图案化)而无需单独的掩模工艺。此外，第一下保护层lp1可包括可保持不被将在后面描述的、蚀刻基础构件sub和阻挡层br的工艺中使用的蚀刻剂完全去除的材料。
220.第一下保护层lp1可包括与基础构件sub不同的材料。在实施方式中，在基础构件sub包括聚酰亚胺(pi)的情况下，第一下保护层lp1可以包括丙烯酸树脂。对于在蚀刻聚酰亚胺(pi)的工艺中使用的蚀刻剂，丙烯酸树脂可以是具有比聚酰亚胺(pi)的蚀刻速率显著低的蚀刻速率的材料。
221.第一下保护层lp1可以通过将具有流动性的丙烯酸树脂施加到基础构件sub的下表面上并通过紫外固化或热固化工艺固化施加的丙烯酸树脂而稳定地形成。为了形成第一下保护层lp1，可以省略附加的掩模工艺或形成分隔壁的工艺，并且可以在将丙烯酸树脂施加到基础构件sub的下表面上的同时执行紫外固化或热固化工艺。通过这种工艺，如图12中所示，构成第二孔ha2的第一下保护层lp1的侧表面可以形成为曲化表面。构成第二孔ha2的第一下保护层lp1的侧表面与基础构件sub的下表面之间形成的角度可以是锐角。
222.随后，参考图13，可以使用第一下保护层lp1作为蚀刻掩模来蚀刻基础构件sub和阻挡层br以形成第一孔ha1。
223.具体地，可以使用形成在基础构件sub的下表面上的第一下保护层lp1作为蚀刻掩模来顺序蚀刻基础构件sub和阻挡层br。可以通过蚀刻工艺去除设置在可不形成第一下保护层lp1的区域中的基础构件sub和阻挡层br，以形成第一孔ha1。第一孔ha1可暴露暴露于显示层dpl的下表面的连接布线cwl。可以通过整个蚀刻执行使用形成在基础构件sub的下表面上的第一下保护层lp1作为蚀刻掩模的蚀刻工艺。可以通过干法蚀刻工艺或湿法蚀刻工艺执行整个蚀刻。
224.可以使用第一下保护层lp1和基础构件sub之间的蚀刻选择性的差异来执行蚀刻工艺。在其中第一下保护层lp1包括丙烯酸树脂且基础构件sub包括聚酰亚胺(pi)的实施方式中，在用于蚀刻基础构件sub的蚀刻剂中，基础构件sub的蚀刻速率可显著高于第一下保护层lp1的蚀刻速率。例如，用于蚀刻基础构件sub的蚀刻剂可以具有约20000∶1的聚酰亚胺(pi)和丙烯酸树脂的最大蚀刻选择性，但本公开不限于此。由于第一下保护层lp1和基础构件sub之间的蚀刻选择性的差异，在蚀刻工艺中，可以不去除具有低蚀刻速率的第一下保护层lp1，并且可以通过第二孔ha2暴露和去除具有高蚀刻速率的基础构件sub。
225.接着，参考图14，可以在第一下保护层lp1的下表面上形成焊盘部分pad，并且可以形成电连接焊盘部分pad和连接布线cwl的引线ldl。
226.焊盘部分pad可以形成在第一下保护层lp1的下表面上，以在平面图中与第一孔ha1和第二孔ha2间隔开。
227.可以形成电连接焊盘部分pad和连接布线cwl的引线ldl。引线ldl可以设置在焊盘部分pad和连接布线cwl之间。引线ldl可通过第一孔ha1和第二孔ha2与连接布线cwl接触。
引线ldl可形成在第一下保护层lp1的下表面以及构成第一孔ha1和第二孔ha2的侧壁的阻挡层br、基础构件sub和第一下保护层lp1的侧表面上。例如，引线ldl可以与焊盘部分pad整体形成，但本公开不限于此。
228.接着，参考图15，可以在引线ldl和第一下保护层lp1上形成第二下保护层lp2。
229.第二下保护层lp2可覆盖引线ldl和第一下保护层lp1的下表面。例如，第二下保护层lp2可以覆盖第一下保护层lp1的下表面的一区域，该区域未设置有焊盘部分pad。第二下保护层lp2可填充第一孔ha1和第二孔ha2。
230.例如，第二下保护层lp2可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯树脂中的至少一种。
231.第二下保护层lp2可以通过使用有机材料的印刷工艺或涂布工艺形成。例如，可以通过喷墨印刷工艺、旋转涂布工艺或狭缝涂布工艺在第一下保护层lp1的下表面上提供具有流动性的有机材料。在显示设备10中，可以通过使用有机材料的印刷工艺或涂布工艺形成第二下保护层lp2，使得显示设备10的下表面可以被平坦化，并且可以降低第二下保护层lp2的缺陷率。由于第二下保护层lp2可以完全设置在第一下保护层lp1的下表面上而不设置在焊盘部分pad上，因此如图16中所示，可以形成仅暴露可以设置有焊盘部分pad的区域的结构。
232.随后，参考图17，可在显示层dpl下方设置柔性膜fpcb。柔性膜fpcb的一侧可以连接到焊盘部分pad，并且柔性膜fpcb的另一侧可以连接到显示层dpl下方的源电路板(未示出)。柔性膜fpcb可以将信号从源驱动器sic传输到电路层ccl。例如，源驱动器sic可以是集成电路(ic)。源驱动器sic可以基于时序控制器的源控制信号将数字视频数据转换为模拟数据电压，并且可以通过柔性膜fpcb将模拟数据电压提供给显示区域da的数据线。
233.接着，参考图18，可以将设置有柔性膜fpcb的显示设备反转，并且可以去除形成在封装层tfe上的上膜upf以制造图19中所示的显示设备10。
234.根据依据实施方式的制造显示设备10的工艺，在形成第一孔ha1的蚀刻工艺中，包括在显示设备10中的第一下保护层lp1可保护上构件免受基础构件sub的下表面的影响，并且可用作蚀刻掩模。因此，可以省略用于形成光刻胶图案的光刻胶层的施加、曝光和显影工艺以及用于去除光刻胶图案的灰化工艺或剥离工艺，其中，光刻胶图案用于形成通常在形成第一孔ha1的蚀刻工艺中使用的单独的蚀刻掩模。此外，由于第一下保护层lp1可以用作蚀刻掩模并且还可以用作下保护层，所以可以省略用于形成下保护层的单独工艺。因此，可以改善制造显示设备10的工艺的经济效率。
235.在下文中，将描述其他实施方式。在以下实施方式中，对于与先前描述的配置相同的配置，将省略或简化冗余描述，并且将描述不同之处。
236.图20是图7的区域b的另一示例的放大示意性剖视图。
237.参考图20，该实施方式与图8的实施方式的不同之处可以在于，与构成第二孔ha2的第一下保护层lp1的侧表面相比，构成第一孔ha1_1的基础构件sub_1和阻挡层br_1的侧表面可以向内对齐。
238.具体地，构成第二孔ha2的第一下保护层lp1的侧表面可以具有其中其侧表面从构成第一孔ha1_1的基础构件sub_1和阻挡层br_1的侧表面向外突出的下切形状(under-cut shape)。其中构成第二孔ha2的第一下保护层lp1的侧表面从构成第一孔ha1_1的基础构件
sub_1的侧表面突出的下切形状可以通过在用于形成第一孔ha1_1的蚀刻工艺中使用的基础构件sub_1和第一下保护层lp1之间的蚀刻选择性的差异来形成。
239.结合图13解释这一事实，在使用第一下保护层lp1作为蚀刻掩模来蚀刻基础构件sub和阻挡层br的工艺中，基础构件sub的蚀刻速率可显著高于第一下保护层lp1的蚀刻速率，使得在图13中，设置在第一下保护层lp1下方的基础构件sub(与图中的第六方向dr6相反的方向)可被过度蚀刻。因此，根据基础构件sub_1和第一下保护层lp1之间的蚀刻选择性的差异，第一下保护层lp1的侧表面可以具有其中第一下保护层lp1的侧表面从基础构件sub_1的侧表面突出的下切形状。
240.因此，根据实施方式的显示设备还可包括填充由第一孔ha1_1和第二孔ha2划分的区域的引线接触部分ldc。引线接触部分ldc可以填充由第一孔ha1_1和第二孔ha2划分的区域以电连接引线ldl_1和连接布线cwl。
241.在实施方式中，在引线ldl_1可形成在第一孔ha1_1和第二孔ha2上的情况下，由于由基础构件sub_1与第一下保护层lp1之间的蚀刻选择性的差异而形成的下切形状，引线ldl_1可能断开连接。因此，引线接触部分ldc可填充第一孔ha1_1和第二孔ha2，并且引线ldl_1可形成在引线接触部分ldc上，由此减少引线ldl_1与连接布线cwl之间的电连接缺陷。
242.图21是根据另一实施方式的显示设备的示意性剖视图。
243.参考图21，根据实施方式的显示设备10_1与图19的显示设备10的不同之处可在于，引线接触部分ldc_2可以形成在由第一孔ha1和第二孔ha2划分的区域中。
244.具体地，引线接触部分ldc_2可填充阻挡层br和基础构件sub的第一孔ha1以及第一下保护层lp1的第二孔ha2_2。例如，引线接触部分ldc_2可以包括金属材料或导电材料。引线接触部分ldc_2可使第一下保护层lp1的下表面平坦。引线接触部分ldc_2的下表面和第一下保护层lp1的下表面可以设置在相同的平面上。
245.引线ldl_2可以设置在第一下保护层lp1和引线接触部分ldc_2的下表面上。例如，引线ldl_2可以与焊盘部分pad一体地形成，但本公开不限于此。引线ldl_2可以覆盖第一孔ha1和第二孔ha2，并且可以连接到填充第一孔ha1和第二孔ha2的引线接触部分ldc_2。引线ldl_2可以具有三角架形状，但其形状不限于此。
246.在实施方式中，柔性膜fpcb可以设置在第二下保护层lp2_1下方。柔性膜fpcb的一侧可以连接到焊盘部分pad，并且柔性膜fpcb的另一侧可以连接到第二下保护层lp2_1下方的源电路板(未示出)。柔性膜fpcb可以将信号从源驱动器sic传输到电路层ccl。
247.图22是根据又一实施方式的显示设备的示意性剖视图。
248.参考图22，根据实施方式的显示设备10_2与图19的显示设备10的不同之处可在于，预定表面粗糙度可以形成在第一下保护层lp1_2的侧表面和下表面上。
249.具体地，可以在第一下保护层lp1_2的侧表面和下表面上形成预定的表面粗糙度。形成在第一下保护层lp1_2的下表面和侧表面上的表面粗糙度可以通过在用于形成第一孔ha1的蚀刻工艺中使用的蚀刻剂对第一下保护层lp1_2的外表面造成损伤来形成。
250.还可以在引线ldl_3的形成在第一下保护层lp1_2的侧表面和下表面上的一部分中形成预定的表面粗糙度。设置在与第一下保护层lp1_2重叠的区域中的引线ldl_3可具有形成在其表面上的预定粗糙度。由于引线ldl_3可以共形地形成在第一下保护层lp1_2的侧
表面和下表面上，所以还可以在引线ldl_3的表面上形成与第一下保护层lp1_2的侧表面和下表面的形状类似的预定的粗糙度。
251.在实施方式中，由于预定的表面粗糙度可形成在第一下保护层lp1_2的下表面和侧表面上，所以第一下保护层lp1_2的下表面和侧表面的表面积可增加。因此，第一下保护层lp1_2与设置在第一下保护层lp1_2的下表面和侧表面上的构件之间的粘合表面可以增加，从而可以改善这些构件之间的粘合力。具体地，与可不形成表面粗糙度的情况相比，第一下保护层lp1_2和形成在第一下保护层lp1_2的下表面上的第二下保护层lp2_2之间的粘合表面的面积可以增加，并且可以改善第二下保护层lp2_2和第一下保护层lp1_2之间的粘合力。类似地，形成在第一下保护层lp1_2的下表面上和第二孔ha2_2中的引线ldl_3的表面积也可以增加。因此，还可以改善第一下保护层lp1_2和引线ldl_3之间的粘合力。
252.图23是根据又一实施方式的显示设备的示意性剖视图。
253.参考图23，根据实施方式的显示设备10_3与图19的显示设备10的不同之处可以在于，第二孔ha2_3可以具有大的上区域和窄的下区域，并且第一下保护层lp1_3可以暴露基础构件sub的下表面的一部分。
254.具体地，设置在基础构件sub的下表面上的第一下保护层lp1_3可暴露基础构件sub的下表面的在第一孔ha1的周边区域中的至少一部分。形成第二孔ha2_3的侧壁的第一下保护层lp1_3的侧表面可相对于第一下保护层lp1_3的下表面形成锐角。例如，第二孔ha2_3可以具有其宽度朝向第三方向dr3增加的形状。
255.形成在第一孔ha1和第二孔ha2_3中的引线ldl_4可设置在第一下保护层lp1_3的下表面和侧表面上。引线ldl_4可以从第一下保护层lp1_3的侧表面朝向第一孔ha1延伸，并且可以设置在由第一下保护层lp1_3暴露的基础构件sub的下表面和侧表面上。
256.在实施方式中，暴露基础构件sub的下表面的第一下保护层lp1_3可以通过喷墨印刷工艺形成，并且可以通过用于形成第一孔ha1的蚀刻工艺形成。
257.在下文中，参考其他附图，将描述制造显示设备10_3的方法。
258.图24至图28是示出制造图23的显示设备的工艺的示意性工艺图。图24可以示出在图11的上述工艺之后的工艺。
259.首先，参考图24，可以在基础构件sub上形成分隔壁wi。
260.具体地，分隔壁wi可用于划分其中可执行喷墨印刷工艺的区域，使得在用于形成稍后描述的第一下保护层lp1_3的喷墨印刷工艺中，墨水可不施加到与连接布线cwl重叠的区域。分隔壁wi可以设置在基础构件sub的下表面上，并且可以具有在与第六方向dr6相反的方向上突出的形状。分隔壁wi可以具有其宽度朝向与第六方向dr6相反的方向减小的形状，但是本公开不限于此。分隔壁wi可包括聚酰亚胺(pi)。
261.随后，参考图25，可以通过喷墨印刷工艺将墨水施加到由分隔壁wi划分的区域来形成第一下保护层lp1_3。墨水可以包括包含在第一下保护层lp1_3中的材料。在实施方式中，墨水可以包括丙烯酸树脂。
262.随后，参考图26，可以通过使用第一下保护层lp1_3作为蚀刻掩模来蚀刻基础构件sub和阻挡层br来形成第一孔ha1。
263.在蚀刻工艺中，由于第一下保护层lp1_3和基础构件sub之间的蚀刻选择性的差异，第一下保护层lp1_3可保持在基础构件sub上而不被完全去除，并且基础构件sub和阻挡
层br可被蚀刻以暴露连接布线cwl。由于可在该蚀刻工艺期间移除包括与基础构件sub相同的材料的分隔壁wi，因此，如图26中所示，第一下保护层lp1_3可暴露基础构件sub的至少一部分，并且剩余的第一下保护层lp1_3的侧表面可具有与分隔壁wi的侧表面的形状对应的形状。
264.随后，参考图27，可以在第一下保护层lp1_3上形成焊盘部分pad和引线ldl_4。在平面图中，焊盘部分pad可以不与第一孔ha1和第二孔ha2_3重叠。焊盘部分pad可以通过形成在第一孔ha1和第二孔ha2_3中的引线ldl_4电连接到连接布线cwl。
265.随后，参考图28，可以在第一下保护层lp1_3的下表面上形成第二下保护层lp2。可以通过使用有机材料的印刷工艺或涂布工艺形成第二下保护层lp2。例如，可以通过喷墨印刷工艺、旋转涂布工艺或狭缝涂布工艺在第一下保护层lp1_3的下表面上提供具有流动性的有机材料。在显示设备10_3中，可以通过使用有机材料的印刷工艺或涂布工艺形成第二下保护层lp2，使得显示设备10_3的下表面可以被平坦化，并且可以降低第二下保护层lp2的缺陷率。第二下保护层lp2可以完全设置在第一下保护层lp1_3的下表面上而不设置在焊盘部分pad上。
266.如上所述，可以在显示层dpl下方形成柔性膜fpcb以制造图23中所示的显示设备10_3。柔性膜fpcb的一侧可以连接到焊盘部分pad，并且柔性膜fpcb的另一侧可以连接到显示层dpl下方的源电路板(未示出)。柔性膜fpcb可以将信号从源驱动器sic传输到电路层ccl。例如，源驱动器sic可以是集成电路(ic)。源驱动器sic可以基于时序控制器的源控制信号将数字视频数据转换为模拟数据电压，并且可以通过柔性膜fpcb将模拟数据电压提供给显示区域da的数据线。
267.图29至图32是用于解释使用下保护层作为蚀刻掩模来图案化的另一示例的示意性工艺图。
268.在图29至图32中，限定第七方向dr7和第八方向dr8。第七方向dr7和第八方向dr8可以是在一个平面中彼此垂直的方向。“上”可指朝向第八方向dr8上的一侧相对于第一衬底bsub可以设置有导电层ml'的一侧，并且“上表面”可指面向第八方向dr8上的一侧的表面。此外，“下”可以指朝向与第八方向dr8相反的方向的另一侧，并且“下表面”可以指面向第八方向dr8上的另一侧的表面。
269.使用上述下保护层作为蚀刻掩模来图案化下方构件的工艺实际上不仅可以用在包括聚酰亚胺的基础构件中而且还可以用在包括不同材料的构件中。例如，也可以使用设置在下保护层下方的导电材料作为蚀刻掩模来图案化的工艺。
270.具体地，参考图29，可以在第一衬底bsub上形成导电层ml'。第一衬底bsub不受特别限制。例如，第一衬底bsub可以是设置有显示层dpl的显示设备。形成在第一衬底bsub的一个表面上的导电层ml'可以包括导电材料。例如，导电层ml'可以包括透明导电材料。
271.随后，参考图30，可以在导电层ml'上形成图案化的第三下保护层lp3。第三下保护层lp3可以形成在导电层ml'可将保留的区域中，以图案化导电层ml'。关于在用于形成导电图案ml的蚀刻工艺中使用的蚀刻剂，第三下保护层lp3可包括具有比导电层ml'的蚀刻速率低的蚀刻速率的材料。
272.随后，参考图31，可以通过使用第三下保护层lp3作为蚀刻掩模蚀刻导电层ml'来形成导电图案ml。与以上描述类似，在通过使用导电层ml'和第三下保护层lp3之间的蚀刻
选择性的差异的该蚀刻工艺中，可以省略形成单独的蚀刻掩模的工艺，并且导电图案ml可以被图案化。
273.随后，参考图32，可以在第一衬底bsub上形成第四下保护层lp4。第四下保护层lp4可设置成覆盖第三下保护层lp3和导电图案ml的外表面以保护第三下保护层lp3和导电图案ml。
274.虽然为了说明的目的而公开了本公开的实施方式，但是本领域技术人员将理解，在不脱离本公开的范围和精神的情况下，各种修改、添加和替换是可能的。