液晶移相器及液晶天线的制作方法

液晶移相器及液晶天线
【技术领域】
1.本发明涉及液晶天线技术领域，尤其涉及一种液晶移相器及液晶天线。


背景技术：

2.随着通信系统的逐渐演进，移相器得到了越来越广泛的应用，以液晶移相器为例，在控制液晶移相器移相时，液晶盒内的液晶在微带线和接地电极之间所形成的电场的作用下旋转，液晶的介电常数发生变化，从而对液晶移相器内传输着的射频信号进行移相。
3.但是，基于现有的液晶移相器的结构设计，液晶移相器的核心参数，例如微带线周边的等效介电常数的计算较为复杂，从而导致微带线的参数设计难度较大，使得液晶移相器的设计更为复杂。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本发明实施例提供了一种液晶移相器及液晶天线，降低了液晶移相器核心参数的设计难度。
5.一方面，本发明实施例提供了一种液晶移相器，包括：
6.相对设置的第一基板和第二基板，所述第一基板位于所述第二基板朝向液晶移相器的信号射出方向的一侧；
7.微带线，所述微带线位于所述第二基板朝向所述第一基板的一侧；
8.接地电极，所述接地电极位于所述第一基板朝向所述第二基板的一侧，在垂直于所述第二基板所在平面的方向上，所述接地电极与所述微带线交叠；
9.液晶，所述液晶填充在所述接地电极与所述微带线之间；
10.支撑柱，所述支撑柱位于所述第一基板和所述第二基板之间，在垂直于所述第二基板所在平面的方向上，所述支撑柱与所述微带线不交叠。
11.另一方面，本发明实施例提供了一种液晶天线，包括：
12.上述液晶移相器；
13.馈电网络，所述馈电网络位于第一基板背向第二基板的一侧，用于接收射频信号；
14.辐射体，所述辐射体位于所述第一基板背向所述第二基板的一侧，用于辐射移相后的射频信号。
15.上述技术方案中的一个技术方案具有如下有益效果：
16.在本发明实施例所提供的技术方案中，通过对支撑柱的设置位置进行调整，使其不与微带线交叠，可以避免支撑柱在微带线上方形成这种位置分散、且面积较小的膜层，使微带线上方仅存在配向膜、保护层这种整层覆盖的膜层，从而在很大程度上降低了微带线周边的等效介电常数计算的复杂度，并提高了等效介电常数计算结果的准确性。
17.可见，采用本发明实施例所提高的技术方案，能够有效降低微带线设计参数的复杂度，提高其设计准确性，进而优化整个液晶移相器的设计。
【附图说明】
18.为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
19.图1为本发明实施例所提供的液晶移相器的结构示意图；
20.图2为本发明实施例所提供的液晶移相器的俯视图；
21.图3为图2沿a1-a2方向的剖视图；
22.图4为本发明实施例所提供的支撑柱的另一种设置位置示意图；
23.图5为图2沿a1-a2方向的另一种剖视图；
24.图6为本发明实施例所提供的支撑柱的再一种设置位置示意图；
25.图7为图2沿a1-a2方向的再一种剖视图；
26.图8为本发明实施例所提供的支撑柱的又一种结构示意图；
27.图9为本发明实施例所提供的微带线和柔性电路板的连接示意图；
28.图10为本发明实施例所提供的第二绝缘层的结构示意图；
29.图11为本发明实施例所提供的微带线和柔性电路板的另一种连接示意图；
30.图12为本发明实施例所提供的第五绝缘层的结构示意图；
31.图13为本发明实施例所提用的连接引线的另一种结构示意图；
32.图14为本发明实施例所提供的第四绝缘层的另一种结构示意图；
33.图15为本发明实施例所提供的耦合金属层的结构示意图；
34.图16为本发明实施例所提供的控制信号线和传输线的设置位置示意图；
35.图17为本发明实施例所提供的液晶天线的结构示意图；
36.图18为本发明实施例所提供的液晶天线的剖视图。
【具体实施方式】
37.为了更好的理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。
38.应当明确，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
39.在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
40.应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
41.应当理解，尽管在本发明实施例中可能采用术语第一、第二、第三等来描述绝缘层，但这些绝缘层不应限于这些术语，这些术语仅用来将绝缘层彼此区分开。例如，在不脱离本发明实施例范围的情况下，第一绝缘层也可以被称为第二绝缘层，类似地，第二绝缘层也可以被称为第一绝缘层。
42.本发明实施例提供了一种液晶移相器，如图1～图3所示，图1为本发明实施例所提供的液晶移相器的结构示意图，图2为本发明实施例所提供的液晶移相器的俯视图，图3为图2沿a1-a2方向的剖视图，该液晶移相器包括：
43.相对设置的第一基板1和第二基板2，其中，第一基板1位于第二基板2朝向液晶移相器的信号射出方向的一侧，第一基板1和第二基板2可以为玻璃基板、聚酰亚胺(polyimide，pi)基板或液晶高分子聚合物(liquid crystal polymer，lcp)基板；微带线3，微带线3位于第二基板2朝向第一基板1的一侧；接地电极4，接地电极4位于第一基板1朝向第二基板2的一侧，在垂直于第二基板2所在平面的方向上，接地电极4与微带线3交叠；液晶5，液晶5填充在接地电极4与微带线3之间；支撑柱6，支撑柱6位于第一基板1和第二基板2之间，在垂直于第二基板2所在平面的方向上，支撑柱6与微带线3不交叠。
44.可以理解的是，请再次参见图3，为驱动液晶5的正常旋转，第一基板1朝向第二基板2的一侧、以及第二基板2朝向第一基板1的一侧还设置有配向膜7。
45.在现有液晶移相器的结构设计中，部分支撑柱6位于微带线3朝向第一基板1的一侧，也就是位于微带线3的上方，由于支撑柱6为独立且分散的结构，因此，支撑柱6会在微带线3上方形成多个位置分散、且面积较小的膜层，在计算微带线3周边的等效介电常数时，这部分膜层的介电常数难以和其他膜层的介电常数进行统合，对等效介电常数的计算带来了较大难度。但如果直接将这部分膜层的介电常数忽略的话，又会造成等效介电常数计算结果的不准确，对微带线3设计也会带来一定影响，进而影响对射频信号的移相效果。
46.而在本发明实施例所提供的液晶移相器中，通过对支撑柱6的设置位置进行调整，使其不与微带线3交叠，可以避免支撑柱6在微带线3上方形成这种位置分散、且面积较小的膜层，使微带线3上方仅存在配向膜7、用以保护微带线不被腐蚀的绝缘层这种整层覆盖的膜层，从而在很大程度上降低了微带线3周边的等效介电常数计算的复杂度，并提高了等效介电常数计算结果的准确性。并且，当微带线3上传输有射频信号时，射频信号在传输过程中也无需再穿透支撑柱6，从而有效减小了支撑柱6对射频信号造成的介电损耗。
47.因此，采用本发明实施例所提高的液晶移相器，不仅能够有效降低微带线3设计参数的复杂度，提高其设计准确性，进而优化整个液晶移相器的设计，还能够降低射频信号在传输过程中的介电损耗，提高最终辐射出去的射频信号的强度。
48.可选地，如图4和图5所示，图4为本发明实施例所提供的支撑柱的另一种设置位置示意图，图5为图2沿a1-a2方向的再一种剖视图，第二基板2包括周边区域8和微带线临近区域9，其中，微带线临近区域9围绕微带线3，周边区域8围绕微带线临近区域9，支撑柱6位于周边区域8。如此设置，支撑柱6与微带线3之间间隔有一定的间距，不仅进一步降低了支撑柱6对微带线3周边的等效介电常数的设计造成的干扰，还有效降低了支撑柱6对微带线3上传输着的射频信号所造成的损耗，提高液晶移相器最终辐射出去的射频信号的信号强度。
49.此外，需要说明的是，微带线临近区域9的宽度可根据液晶移相器的整体版图设计进行综合考虑，示例性的，可以将微带线临近区域9的宽度l设置在50μm以上。
50.进一步地，图6和图7所示，图6为本发明实施例所提供的支撑柱的再一种设置位置示意图，图7为图2沿a1-a2方向的又一种剖视图，周边区域8包括第一周边区域10和第二周边区域11，第一周边区域10围绕微带线临近区域9，第二周边区域11围绕第一周边区域10，支撑柱6位于第一周边区域10。
51.结合图3、图17和图18，接地电极4上设置有用于耦合射频信号的第一开口12和第二开口13，第一基板1背向第二基板2的一侧还设置有馈电网络200和辐射体300。在利用液晶移相器对射频信号进行移相时，接地信号端向接地电极4提供接地信号，柔性电路板fpc向微带线3提供驱动信号，使接地电极4和微带线3之间形成电场，与此同时，馈电网络200上传输的射频信号通过第一电极的第一开口12耦合到微带线3上，液晶5在所形成的电场的作用下发生旋转，液晶5的介电常数发生变化，从而对微带线3上传输的射频信号进行移相，移相后的射频信号通过接地电极4的第二开口13耦合到辐射体300上，经由辐射体300辐射出去(射频信号的传输路径如图18中箭头所示)。
52.结合上述原理可知，微带线3所在区域为移相器对射频信号进行移相的关键区域，在本发明实施例中，通过将支撑柱6设置在距离微带线3更近一些的第一周边区域10，在保证支撑柱6与微带线3之间间隔有一定距离，避免支撑柱6对等效介电常数的设计造成干扰的前提下，还可以避免支撑柱6与微带线3相距过远，从而利用支撑柱6对微带线3附近的区域进行更稳定的支撑，对微带线3所在区域的盒厚均一性进行有效改善，降低该区域内不同位置处液晶5填充体积的差异，优化对射频信号的移相效果。
53.可选地，如图8所示，图8为本发明实施例所提供的支撑柱的又一种结构示意图，支撑柱6包括主支撑柱14和辅支撑柱15，主支撑柱14与第二基板2之间设有垫高层16；主支撑柱14、辅支撑柱15和垫高层16均位于周边区域8。
54.通过利用垫高层16对主支撑柱14进行垫高，在第一基板1和第二基板2对盒之后，可以先利用较高的主支撑柱14对液晶盒的盒厚进行支撑，维持液晶移相器的盒厚均一性。而当受到外力挤压或是低温等因素的影响导致液晶盒压缩时，可进一步利用较低的辅支撑柱15对液晶盒进行辅助支撑，提高支撑柱6的支撑性能，进而提高液晶盒的盒厚均一性。而且，通过令主支撑柱14、辅支撑柱15和垫高层16均位于周边区域8，在微带线3周边的等效介电常数进行计算时，可以进一步减小主支撑柱14、辅支撑柱15和垫高层16所带来的影响，提高等效介电常数计算结构的准确性。
55.可选地，结合图17，如图9所示，图9为本发明实施例所提供的微带线和柔性电路板的连接示意图，本发明实施例所提供的液晶移相器还包括驱动信号传输线17，驱动信号传输线17位于第二基板2朝向第一基板1的一侧，驱动信号传输线17分别与柔性电路板fpc和微带线3电连接。
56.需要说明的是，在液晶移相器的设计中，为实现阻抗匹配，降低回波损耗，驱动信号传输线17多采用氧化铟锡等透明导电材料形成，此时，请再次参见图9，驱动信号传输线17包括第一端40和第二端41，第一端40与微带线3电连接，第二端41与柔性电路板fpc电连接。可以理解的是，为实现第二基板2与柔性电路板fpc的绑定，第二基板2上还设置有绑定引脚42，绑定引脚42的设置位置与柔性电路板fpc中用于提供驱动信号的驱动引脚的位置对应，绑定引脚42具体可用钼金属材料形成，驱动信号传输线17的第二端41除了与绑定引脚42电连接之外，还可与绑定部31电连接，绑定部31暴露在膜层外面，用于后续实现柔性电路板fpc的驱动引脚的绑定。
57.请再次参见图9，驱动信号传输线17与第二基板2之间还设有第一绝缘层19，第一绝缘层19位于周边区域8，此时，第一绝缘层19与微带线3和微带线临近区域9不存在交叠，微带线3朝向第二基板2的一侧可以直接与第二基板2的表面直接接触，从而进一步降低了
微带线3周边的等效介电常数的计算复杂度，以及提高了等效介电常数的设计准确性。而且，由于液晶移相器中的绝缘层通常由无机绝缘材料形成，通过令第一绝缘层19与微带线3之间间隔一定距离，当微带线3上传输有射频信号时，还能进一步降低第一绝缘层19对射频信号造成的损耗，提高液晶移相器最终辐射出去的射频信号的信号强度。
58.进一步地，如图10所示，图10为本发明实施例所提供的第二绝缘层的结构示意图，驱动信号传输线17背向第二基板2的一侧设置有第二绝缘层20；微带线临近区域9包括第一临近区域21和第二临近区域22，第一临近区域21围绕微带线3，第二临近区域22围绕第一临近区域21；在垂直于第二基板2所在平面的方向上，第二绝缘层20至少覆盖微带线3和第一临近区域21，并且，第二绝缘层20与第二临近区域22不交叠。
59.如此设置，一方面，第二绝缘层20覆盖微带线3和第一临近区域21，可以使第二绝缘层20对微带线3朝向第一基板1一侧的上表面、以及微带线3的侧面均进行覆盖，避免微带线3裸露，从而避免外界水氧对微带线3的金属电极造成腐蚀，提高微带线3的性能；另一方面，通过令第二绝缘层20与第二临近区域22不交叠，不仅可以降低第二绝缘层20对微带线3上传输着的射频信号所造成的损耗，还降低了第二绝缘层20对微带线3周边的等效介电常数的设计的干扰。
60.可选地，结合图17，如图11所示，图11为本发明实施例所提供的微带线和柔性电路板的另一种连接示意图，本发明实施例所通过的液晶移相器还包括开关单元23，开关单元23位于第二基板2朝向第一基板1的一侧，开关单元23分别与柔性电路板fpc和微带线3电连接，开关单元23位于周边区域8。在该种实施方式中，各微带线3分别通过开关单元23与柔性电路板fpc电连接，可以通过开关单元23的导通或截止对各微带线3的工作状态进行控制，提高了液晶移相器的可控性。
61.通常，在开关单元23的版图设计中，开关单元23所包括的膜层也为多个位置分散、且面积较小的膜层，如果将开关单元23设置在与微带线3交叠的区域，例如设置在微带线3朝向第二基板2的一侧时，在微带线3周边的等效介电常数进行计算时，开关单元23所包括的多个膜层的介电常数会对等效介电常数的计算带来很大干扰。而在本发明实施例中，通过将开关单元23设置在周边区域8，可以降低开关单元23所在的膜层对等效介电常数设计的影响，显著降低等效介电常数的计算难度。
62.可选地，请再次参见图11，开关单元23包括薄膜晶体管24，薄膜晶体管24包括栅极25、有源层26、第一极27和第二极28，其中，薄膜晶体管24的第一极27与柔性电路板fpc电连接，薄膜晶体管24的第二极28与微带线3电连接，薄膜晶体管24的第一极27、第二极28与第二基板2之间还设有第三绝缘层29，第三绝缘层29位于周边区域8。
63.需要说明的是，图11所示意的薄膜晶体管24为底栅结构，该种结构的薄膜晶体管24的栅极25位于有源层26朝向第二基板2的一侧，此时，薄膜晶体管24的第一极27、第二极28与第二基板2之间的第三绝缘层29为一层绝缘膜层，该绝缘膜层位于周边区域8。而在本发明其他可选地实施例中，薄膜晶体管24可也为顶栅结构，该种结构的薄膜晶体管24的栅极25位于有源层26朝向第二基板2的一侧，薄膜晶体管24的第一极27、第二极28与第二基板2之间的第三绝缘层29包括两个绝缘膜层，其中，一个绝缘膜层位于薄膜晶体管24的第一极27、第二极28与栅极25之间，另一个绝缘膜层薄膜晶体管24的栅极25与有源层26之间，并且，这两个绝缘膜层均位于周边区域8。
64.如此设置，第三绝缘层29与微带线3和微带线临近区域9不存在交叠，此时，微带线3朝向第二基板2的一侧可以直接与第二基板2的表面直接接触，从而进一步降低了微带线3周边的等效介电常数的计算复杂度，以及提高了等效介电常数的设计准确性。而且，通过令第三绝缘层29与微带线3之间间隔一定距离，还能进一步降低第三绝缘层29对射频信号造成的损耗，提高液晶移相器最终辐射出去的射频信号的信号强度。
65.进一步地，请再次参见图11，薄膜晶体管24的第一极27、第二极28背向第二基板2的一侧设有第四绝缘层30；第四绝缘层30背向第二基板2的一侧设有绑定部31和连接引线32，其中，绑定部31分别与薄膜晶体管24的第一极27和柔性电路板fpc电连接，连接引线32分别与薄膜晶体管24的第二极28和微带线3电连接。需要说明的是，在液晶移相器的制作工艺中，在形成绑定部31后，为了后续实现与柔性电路板fpc的驱动引脚的绑定，绑定部31需要暴露在膜层外面，因此，绑定部31可采用氧化铟锡等透明导电材料形成，以提高绑定部31的抗腐蚀性，进而提高绑定的可靠性。
66.可选地，请再次参见图11，连接引线32中与微带线3电连接的端部为第一端部33，第一端部33位于微带线3朝向第二基板2的一侧。基于该种结构，在液晶移相器的制作工艺中，在第二基板2上先形成连接引线32，然后再形成微带线3，从而使得连接引线32中与微带线3接触的第一端部33位于微带线3朝向第二基板2的一侧。
67.由于微带线3的膜厚较大，令第一端部33位于微带线3的下侧，连接引线32无需经由微带线3的侧面延伸至微带线3的上表面，从而避免了连接引线32在由第二基板2延伸至微带线3的侧面、以及由微带线3的侧面延伸至微带线3的上表面时存在较大的拐点，降低了连接引线32断裂的风险，进而提高了薄膜晶体管24与微带线3电连接的可靠性。
68.进一步地，请再次参见图11，为降低第四绝缘层30对微带线3周边的等效介电常数的设计的干扰，以及降低第四绝缘层30对射频信号造成的损耗，还可令第四绝缘层30位于周边区域8。
69.可选地，如图12所示，图12为本发明实施例所提供的第五绝缘层的结构示意图，微带线3背向第二基板2的一侧还设有第五绝缘层34；微带线临近区域9包括第一临近区域21和第二临近区域22，第一临近区域21围绕微带线3，第二临近区域22围绕第一临近区域21；在垂直于第二基板2所在平面的方向上，第五绝缘层34覆盖微带线3和第一临近区域21，并且，第五绝缘层34与第二临近区域22不交叠。
70.如此设置，一方面，第五绝缘层34覆盖微带线3和第一临近区域21，可以使第五绝缘层34对微带线3朝向第一基板1一侧的上表面、以及微带线3的侧面进行覆盖，避免微带线3裸露，从而避免外界水氧对微带线3的金属电极造成腐蚀，提高微带线3的性能；另一方面，通过令第五绝缘层34与第二临近区域22不交叠，不仅可以降低第五绝缘层34对微带线3上传输着的射频信号所造成的损耗，还降低了第五绝缘层34对微带线3周边的等效介电常数的设计的干扰。
71.可选地，如图13所示，图13为本发明实施例所提用的连接引线的另一种结构示意图，连接引线32中与微带线3电连接的端部为第一端部33，第一端部33位于微带线3朝向第一基板1的一侧。基于该种结构，在液晶移相器的制作工艺中，在第二基板2上先形成微带线3，然后再形成连接引线32，从而使得连接引线32中与微带线3接触的第一端部33位于微带线3朝向第一基板1的一侧。
72.需要说明的是，当连接引线32采用图13所示的设置方式时，可以直接令第四绝缘层30延伸至微带线3上，利用第四绝缘层30实现对微带线3的覆盖，无需再额外采用其他构图工艺在微带线3上形成用于保护微带线3不受腐蚀的第五绝缘层34，简化了工艺流程。
73.可选地，如图14所示，图14为本发明实施例所提供的第四绝缘层的另一种结构示意图，微带线临近区域9包括第一临近区域21和第二临近区域22，第一临近区域21围绕微带线3，第二临近区域22围绕第一临近区域21；在垂直于第二基板2所在平面的方向上，第四绝缘层30覆盖微带线3、第一临近区域21和周边区域8，并且，第四绝缘层30与第二临近区域22不交叠，此时，在利用第四绝缘层30对微带线3进行更全面的覆盖，以避免微带线3腐蚀的前提下，还可以降低第四绝缘层30对微带线3上传输着的射频信号所造成的损耗，并降低第四绝缘层30对微带线3周边的等效介电常数的设计的干扰。
74.可选地，如图15所示，图15为本发明实施例所提供的耦合金属层的结构示意图，液晶移相器还包括耦合金属层35，耦合金属层35与薄膜晶体管24的第一极27和第二极28同层设置，并且，在垂直于第二基板2所在平面的方向上，耦合金属层35与连接引线32交叠。
75.基于耦合金属层35的设置位置，耦合金属层35和连接引线32之间会形成耦合电容，该耦合电容可以进一步实现传输至微带线3的驱动信号的电位的稳定，进而提高为微带线3上传输的驱动信号的稳定性，控制液晶5实现更精确的旋转。而且，耦合金属层35与薄膜晶体管24的第一极27和第二极28同层设置，耦合金属层35无需占用其他的膜层空间，更利于液晶移相器的轻薄化设计。
76.进一步地，请再次参见图15，为降低耦合金属层35对微带线3周边的等效介电常数的设计的干扰，耦合金属层35可位于周边区域8。
77.可选地，如图16所示，图16为本发明实施例所提供的控制信号线和传输线的设置位置示意图，本发明实施例所提供的液晶移相器还包括控制信号线36和传输线37，其中，控制信号线36位于第二基板2朝向第一基板1的一侧，控制信号线36与薄膜晶体管24的栅极25电连接，用于向薄膜晶体管24的栅极25提供控制信号，控制薄膜晶体管24的导通或关断；传输线37位于第二基板2朝向第一基板1的一侧，传输线37与薄膜晶体管24的第一极27电连接，用于将柔性电路板fpc提供的驱动信号传输至薄膜晶体管24中；并且，控制信号线36和传输线37位于周边区域8，从而避免控制信号线36和传输线37与微带线3相距过近，对微带线3周边的等效介电常数的设计带来干扰。
78.基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种液晶天线，如图17和图18所示，图17为本发明实施例所提供的液晶天线的结构示意图，图18为本发明实施例所提供的液晶天线的剖视图，该液晶天线包括：上述液晶移相器100；馈电网络200，馈电网络200位于第一基板1背向第二基板2的一侧，用于接收射频信号源400提供的射频信号；辐射体300，辐射体300位于第一基板1背向第二基板2的一侧，用于辐射移相后的射频信号。
79.由于本发明实施例所提供的液晶天线包括上述液晶移相器100，因此，采用该液晶天线，不仅可以降低液晶移相器100核心参数的设计难度，优化液晶天线的设计，还能够减小射频信号在传输过程中的介电损耗，提高最终辐射出去的射频信号的强度。
80.进一步地，请再次参见图18，接地电极4具有第一开口12和第二开口13，在垂直于第二基板2所在平面的方向上，第一开口12和开口分别与微带线3交叠；并且，在垂直于第一基板1所在平面的方向上，第一开口12与馈电网络200交叠，第二开口13与辐射体300交叠，
以实现将馈电部上传输的射频信号经由第一开口12耦合到微带线3上，并将第微带线3上传输着的移相后的射频信号经由第二开口13耦合到辐射体300上，进而经由辐射体300辐射出去。
81.以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。
82.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。