一种磷化铟晶片及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种磷化铟晶片的制备方法，其特征在于，包括如下操作步骤：s1、将磷化铟晶体表面涂覆一层保护液，然后切割成磷化铟晶片，切割完成后去除保护液；s2、将步骤s1处理后的磷化铟晶片依次进行粗研磨和细研磨，所述粗研磨的压力为0.1-0.5n/cm2，研磨去掉的厚度为20-30μm；所述细研磨的压力为0.01-0.05n/cm2，研磨去掉的厚度为5-7μm；s3、将研磨后的磷化铟晶片进行减薄处理；s4、利用抛光液对减薄处理后的磷化铟晶片进行化学机械抛光，所述抛光液中包括氧化剂和磨料，所述化学机械抛光依次包括粗抛光和精抛光；s5、将化学机械抛光后的磷化铟晶片进行清洗，即得成品磷化铟晶片。2.根据权利要求1所述的磷化铟晶片的制备方法，其特征在于：所述步骤s2粗研磨时添加有第一研磨液，细研磨时添加有第二研磨液。3.根据权利要求2所述的磷化铟晶片的制备方法，其特征在于，所述第一研磨液包括如下重量份的原料：第一研磨物30-50份、润滑剂5-10份、分散剂5-10份和去离子水50-70份；所述第二研磨液包括如下重量份的原料：第二研磨物30-50份、润滑剂5-10份、分散剂5-10份和去离子水50-70份。4.根据权利要求3所述的磷化铟晶片的制备方法，其特征在于：所述步骤s2中的第一研磨物为片状的氧化铝，所述第一研磨物的中位粒径为8.0-9.0μm，厚度为1.5-2.0μm。5.根据权利要求3所述的磷化铟晶片的制备方法，其特征在于：所述步骤s2中的第二研磨物为片状的氧化铝，所述第二研磨物的中位粒径为3.0-3.8μm，厚度为0.9-1.4μm。6.根据权利要求3所述的磷化铟晶片的制备方法，其特征在于：所述第一研磨液和第二研磨液中的分散剂均为烷基苯磺酸钠、油酰基多肽、烷基硫酸盐、脂肪酸甲酯磺酸盐、聚醚、聚乙二醇脂肪酸酯中至少一种；所述第一研磨液和第二研磨液中的润滑剂均为苯二酚、丙三醇、三乙醇胺中至少一种。7.根据权利要求1所述的磷化铟晶片的制备方法，其特征在于：所述步骤s3中减薄处理时将待处理的晶片采用真空吸附进行固定，设置减薄厚度为10-15μm，转速为1000-1500rpm。8.一种采用权利要求1-7任一项所述的制备方法制备得到磷化铟晶片。

技术总结
本申请涉及半导体材料的领域，尤其涉及一种磷化铟晶片及其制备方法，磷化铟晶片制备方法包括如下操作步骤：S1、将磷化铟晶体表面涂覆一层保护液，切割成磷化铟晶片，切割完成后去除保护液；S2、将步骤S1处理后的磷化铟晶片依次进行粗研磨和细研磨；S3、将研磨后的磷化铟晶片进行减薄处理；S4、利用抛光液对减薄处理后的磷化铟晶片进行化学机械抛光，抛光液中包括氧化剂和磨料，化学机械抛光依次包括粗抛光和精抛光；S5、将化学机械抛光后的磷化铟晶片进行清洗，即得成品磷化铟晶片。采用本申请的方法制备磷化铟晶片，可降低磷化铟晶片的表面粗糙度。面粗糙度。


技术研发人员：王亚坤 李海淼
受保护的技术使用者：北京通美晶体技术股份有限公司
技术研发日：2022.02.23
技术公布日：2022/3/22