成膜用治具和气相沉积装置的制作方法

1.本发明涉及用于在例如半导体基板等晶圆形成膜的成膜用治具和气相沉积装置。


背景技术：

2.以往气相沉积装置有一种相对于晶圆连续地进行成膜的常压气相沉积装置。该装置包括输送单元、加热单元以及气体供给单元。晶圆搭载于作为成膜用治具的晶圆托盘。该晶圆托盘在上侧面形成有保持晶圆的保持用凹部。
3.保持晶圆的晶圆托盘由上述输送单元输送，由上述加热单元加热至数百度。然后，在晶圆托盘达到所期望的温度之后，使晶圆暴露在从上述气体供给单元供给的反应气体中，在晶圆上表面侧形成较薄的膜。
4.但是，以往的晶圆托盘例如存在图10和图11所示的托盘。图10和图11所示的晶圆托盘1在上侧面形成有保持晶圆2的保持用凹部1a。在该保持用凹部1a的底面的中央部贯通地形成有3个升降销贯穿孔1b，该3个升降销贯穿孔1b用于供图10所示的3根晶圆升降销3贯穿。这些升降销贯穿孔1b将保持用凹部1a的底面和晶圆托盘1的下侧面连通。
5.图10所示的3根晶圆升降销3构成为，通过驱动气缸4，能够借助气缸杆4a、销固定部5沿上下方向移动。该3根晶圆升降销3、气缸4、气缸杆4a以及销固定部5构成升起部6。
6.3根晶圆升降销3在上升时使成膜了的晶圆2上升，并由未图示的移载机器人回收晶圆2，另一方面，载置未成膜的晶圆2。因而，3根晶圆升降销3用于交接晶圆2(例如参照专利文献1)。
7.现有技术文献
8.专利文献
9.专利文献1：日本特开2004－63865号公报


技术实现要素：

10.发明要解决的问题
11.然而，对于专利文献1所述的晶圆托盘1而言，在其下侧面载置于保持用凹部1a的底面时，晶圆2的整个下表面与保持用凹部1a的底面面接触。因此，有时在晶圆2的下表面产生数μm以下的划痕(损伤)。当产生该划痕时，会对最尖端器件的微细化工艺产生影响，因此，通过研磨加工机将晶圆2的下表面进行研磨来去除划痕。
12.而且，在划痕较深的情况下，当然研磨加工的量也增加。通过进行该研磨加工，晶圆2形变，并且研磨加工的量增加时，晶圆2变薄，存在偏离规格的范围这样的问题。除此之外，也存在需要研磨加工机的设备投资费这样的问题。这样，在晶圆2产生上述划痕是对晶圆2的品质、生产量以及成本增加造成影响的重要的问题。
13.因此，本发明是鉴于上述的问题而完成的，其目的在于提供能够避免晶圆产生划痕并且能够极力减少晶圆的研磨加工的成膜用治具和气相沉积装置。
14.用于解决问题的方案
15.为了实现这样的目的，技术方案1所述的发明为一种成膜用治具，其用于向晶圆吹送反应气体而成膜的气相沉积装置，该成膜用治具载置所述晶圆并由输送单元输送，该成膜用治具的特征在于，在上侧面形成有保持所述晶圆的保持用凹部，在该保持用凹部内形成有支承所述晶圆的周缘部的支承部，该支承部的内侧形成为具有预定的曲率半径的凹面形状，所述曲率半径设定为，在由所述支承部支承所述晶圆的周缘部的状态下，在所述晶圆的形成于比周缘部靠内侧的位置并朝向下方弯曲的内侧部分与所述保持用凹部的底面之间遍及大致整个面地形成有相等的间隙。
16.另外，技术方案2所述的发明的特征在于，在技术方案1所述的结构的基础上，所述支承部为形成于所述保持用凹部的周缘部的倾斜面。
17.另外，技术方案3所述的发明的特征在于，在技术方案1或2所述的结构的基础上，沿所述支承部的周向隔有一定间隔地设有3个贯通孔，并设有能够分别封闭这些贯通孔的支承构件，这些支承构件分别在上表面形成有与所述支承部的倾斜面同一角度的倾斜面，这些支承构件构成为能够通过升降销进行上下运动。
18.另外，技术方案4所述的发明为一种气相沉积装置，其特征在于，该气相沉积装置包括：输送装置，在该输送装置设有多个技术方案1～3中任一项所述的成膜用治具，在这些成膜用治具分别载置所述晶圆并沿水平方向依次输送所述晶圆；以及气体头，该气体头向由所述输送装置依次输送的所述晶圆吹送反应气体而成膜。
19.另外，技术方案5所述的发明的特征在于，在技术方案4所述的结构的基础上，至少基于由热应力和膜应力产生的所述晶圆的翘曲来设定所述曲率半径，以使所述晶圆与所述保持用凹部的底面部之间的间隙成为一定的值。
20.另外，技术方案6所述的发明为一种气相沉积装置，其特征在于，该气相沉积装置包括：成膜用治具，该成膜用治具在上侧面形成有保持晶圆的保持用凹部，在该保持用凹部内形成有支承所述晶圆的周缘部的支承部，该支承部的内侧形成为具有预定的曲率半径的凹面形状，所述曲率半径设为，在由所述支承部支承所述晶圆的周缘部的状态下，在所述晶圆的形成于比周缘部靠内侧的位置并朝向下方弯曲的内侧部分与所述保持用凹部的底面之间遍及大致整个面地形成有相等的间隙；输送装置，在该输送装置设有多个所述成膜用治具，在这些成膜用治具分别载置所述晶圆并沿水平方向依次输送所述晶圆；气体头，该气体头向由所述输送装置依次输送的所述晶圆吹送反应气体而成膜；以及3根升降销，在所述保持用凹部的底面部形成有3个贯穿孔，该3根升降销分别贯穿这些贯穿孔并支承所述晶圆的下表面以使所述晶圆能够上下运动，所述3根升降销在陶瓷棒的顶端部设有聚酰亚胺树脂。
21.发明的效果
22.根据技术方案1所述的发明，支承晶圆的周缘部的支承部的内侧形成为具有预定的曲率半径的凹面形状，该曲率半径被设定为，在由支承部支承晶圆的周缘部的状态下，在晶圆的比周缘部靠内侧的朝向下方弯曲的内侧部分与保持晶圆的保持用凹部的底面之间遍及大致整个面地形成为相等的间隙，从而晶圆的周缘部由支承部支承，晶圆的内侧部分与保持用凹部的底面部之间被设定为相等的间隙，以防止晶圆的内侧部分与保持用凹部的底面部接触。因此，能够避免晶圆产生划痕，能够极力减少晶圆的研磨加工。
23.另外，根据技术方案2所述的发明，支承部为形成于保持用凹部的周缘部的倾斜
面，由此晶圆的周缘部与支承部线接触，相对于晶圆的接触面积进一步减小，能够避免划痕的产生，并且即使晶圆的周缘部的直径发生变化，也能够可靠地支承晶圆。
24.另外，根据技术方案3所述的发明，沿支承部的周向隔有一定间隔地设有3个贯通孔，并设有能够分别封闭这些贯通孔的支承构件，这些支承构件分别在上表面形成有与支承部的倾斜面同一角度的倾斜面，这些支承构件构成为能够通过升降销进行上下运动，因此，能够在晶圆的周缘部与支承构件接触的状态下上升和下降，因此，在移载晶圆时，相对于晶圆的接触面积进一步减小，能够避免晶圆产生划痕。
25.另外，根据技术方案4所述的发明，设有多个技术方案1～3中任一项所述的成膜用治具，在这些成膜用治具分别载置晶圆并利用输送装置沿水平方向依次输送所述晶圆，从气体供给部向这些所输送的晶圆吹送反应气体而成膜，从而能够避免晶圆产生划痕，能够极力减少晶圆的研磨加工。
26.另外，根据技术方案5所述的发明，至少基于由热应力和膜应力产生的晶圆的翘曲来设定曲率半径，以使晶圆与保持用凹部的底面部之间的间隙成为一定的值，因此，晶圆的内侧部分不会与保持用凹部的底面部接触，因此，能够避免在晶圆产生划痕。
27.另外，根据技术方案6所述的发明，设定为，在由支承部支承晶圆的周缘部的状态下，在晶圆的形成于比周缘部靠内侧的位置并朝向下方弯曲的内侧部分与保持用凹部的底面部之间遍及大致整个面地形成有相等的间隙，利用3根升降销支承晶圆的下表面以使晶圆能够上下运动，这些升降销在陶瓷棒的顶端部设有聚酰亚胺树脂，因此，升降销的顶端部具有相对于高温的耐热性，并且能够减少晶圆产生的划痕。
附图说明
28.图1是表示应用了本发明的第1实施方式的成膜用治具的气相沉积装置的系统结构图。
29.图2是表示图1的第1实施方式的成膜用治具的俯视图。
30.图3是表示第1实施方式的成膜用治具的纵剖视图。
31.图4是图3的a部的放大图。
32.图5是表示图3中的升降销上升了的状态的纵剖视图。
33.图6是表示第1实施方式的升降销的顶端构造的局部放大主视图。
34.图7是表示本发明的第2实施方式的成膜用治具的俯视图。
35.图8是表示在第2实施方式中升降销上升之前的状态的纵剖视图。
36.图9是表示图8中的升降销上升了的状态的纵剖视图。
37.图10是表示应用了以往的成膜用治具的升起部的概略结构的局部剖面结构图。
38.图11是表示图10的成膜用治具的概略剖视图。
39.附图标记说明
40.1、晶圆托盘；1a、保持用凹部；1b、升降销贯穿孔；2、晶圆；3、升降销；4、气缸；4a、气缸杆；5、销固定部；6、升起部；10、气相沉积装置；11、输送辊(输送单元)；12、加热器(加热单元)；13、气体供给部；14、分散头(气体头)；15、排出管；16、歧管；17、自动压力调整装置；20、晶圆托盘(成膜用治具)；22、保持用凹部；23、支承部；24、销贯穿孔；25、升降销；25a、陶瓷棒；25b、聚酰亚胺树脂部；26、移载机器人；27、晶圆盒；30、支承构件；31、贯通孔；32、升降
销；g、间隙。
具体实施方式
41.以下参照附图详细地说明本发明的实施方式。
42.[第1实施方式]
[0043]
图1～图6表示本发明的第1实施方式。图1是表示应用了本发明的第1实施方式的成膜用治具的气相沉积装置的系统结构图。图2是表示图1的第1实施方式的成膜用治具的俯视图。图3是表示第1实施方式的成膜用治具的纵剖视图。图4是图3的a部的放大图。图5是表示图3中的升降销上升了的状态的纵剖视图。图6是表示第1实施方式的升降销的顶端构造的局部放大主视图。
[0044]
此外，在以下的实施方式中，对于与以往的结构相同或对应的部分，使用相同的附图标记进行说明。
[0045]
如图1所示，本实施方式的气相沉积装置10包括作为输送单元的多个输送辊11、作为加热单元的加热器12以及气体供给部13。
[0046]
多个输送辊11例如使用陶瓷辊。在这些输送辊11上，载置有作为成膜用治具的晶圆托盘20并将它们依次输送。在本实施方式中，在输送辊11上载置有10个晶圆托盘20并将它们依次输送。
[0047]
此外，在本实施方式中，使用了作为输送单元的多个输送辊11，但除此之外，也可以使用例如通过将环状的输送带以能够旋转的方式卷绕于相互分离地配置的一对带轮而构成的输送单元。
[0048]
加热器12配置于多个输送辊11的下方。加热器12的加热温度例如设定为600℃～700℃左右，以使晶圆托盘20达到430℃左右。因而，加热器12使晶圆托盘20上的晶圆2均匀地上升至目标温度。
[0049]
气体供给部13向由多个输送辊11输送且由加热器12加热了的晶圆2吹送反应气体来成膜。具体而言，气体供给部13包括作为气体头的3个分散头14、与该3个分散头14分别连结的排出管15、连接有这些排出管15的歧管16、以及自动地调整从该歧管16排出的气体的压力的自动压力调整装置17。
[0050]
3个分散头14向由多个输送辊11输送且载置于由加热器12加热了的晶圆托盘20上的晶圆2吹送反应气体来成膜。具体而言，在分散头14设有供给例如载气(n2)、作为原料气体(反应气体)的sih4、作为掺杂用的气体的ph3以及b2h6的混合气体的第1气体供给管、供给载气n2、作为氧化气体的氧气(o2)以及臭氧(o3)的混合气体的第2气体供给管、仅供给载气(n2)的第3气体供给管，并且在两侧设有将使用完的气体排出的排出口，并且同样地在上述排出口的外侧配置有将n2气体向晶圆2吹送进行遮挡的气体分隔部。
[0051]
晶圆托盘20由硅化物陶瓷或碳化物陶瓷构成，在本实施方式中，作为这样的陶瓷，使用由高密度、高导热系数的致密材质构成的sic。此外，优选该sic的杂质浓度较低。
[0052]
如图2～图6所示，晶圆托盘20在俯视时形成为矩形板状，角部被倒角而形成。在晶圆托盘20的上侧面中央形成有用于保持晶圆2的圆形的保持用凹部22。本实施方式的保持用凹部22的直径为302mm。在保持用凹部22内形成有支承晶圆2的周缘部的支承部23。
[0053]
支承部23倾斜地形成于在内周侧距保持用凹部22的周缘6mm的范围内，支承部23
相对于下侧面的角度α形成为16
°
。该支承部23的内周侧形成为具有预定的曲率半径的凹面形状。即，对支承部23的内周侧实施sr(球面)加工。上述曲率半径被设定为，在晶圆2的周缘部由支承部23支承的状态下，在晶圆2的形成于比周缘部靠内周侧的位置并朝向下方弯曲的内侧部分与保持用凹部22的底面部之间遍及大致整个面地形成有相等的间隙g。该间隙g被设定为，在晶圆2的周缘部被支承的状态下，在本实施方式的保持用凹部22的底面部中央大约为1.0mm。
[0054]
即，上述曲率半径被设定为，至少基于由热应力和膜应力引起的晶圆的翘曲，使晶圆2与保持用凹部22的底面部之间的间隙g为一定的值。
[0055]
如图2和图3所示，在保持用凹部22的底面部设有3个销贯穿孔24。这些销贯穿孔24以彼此相同的直径沿周向隔有预定间隔地配置。具体而言，3个销贯穿孔24相对于保持用凹部22的底面的中心以彼此相等的距离相隔120度的角度地配置。如图5所示，升降销25分别在这些销贯穿孔24中以能够上下运动(升降)的方式贯穿。3根升降销25构成为，通过驱动图1所示的气缸4，能够借助气缸杆4a、销固定部5沿上下方向移动。
[0056]
而且，3根升降销25采用彼此相同的直径支承晶圆2的下表面以能够使晶圆2上下运动。具体而言，3根升降销25在交接晶圆2时，从晶圆托盘20上升并支承晶圆2，当3根升降销25下降时，由支承部23支承晶圆2的周缘部。
[0057]
3根升降销25如图6所示分别具有长条的陶瓷棒25a，在该陶瓷棒25a的顶端部通过涂敷聚酰亚胺树脂而设有聚酰亚胺树脂部25b。该聚酰亚胺树脂部25b的顶端部形成为球面状。
[0058]
3根升降销25在上升时使成膜了的晶圆2上升并由移载机器人26回收晶圆2，另一方面，在将未成膜的晶圆2从晶圆盒27取出并载置时使用。
[0059]
接下来，说明本实施方式的作用。
[0060]
在本实施方式的气相沉积装置10中，晶圆托盘20在如图3所示那样由支承部23支承晶圆2的周缘部的状态下，如图1所示向多个输送辊11上依次移载。载置于这些输送辊11上的晶圆托盘20被依次输送。晶圆托盘20在加热器12上输送，从而晶圆2被加热至目标温度，然后被输送至气体供给部13。从气体供给部13向输送至该气体供给部13的晶圆2吹送反应气体而成膜。
[0061]
然后，排出的气体经过排出管15、歧管16以及自动压力调整装置17排出，并且经过加热器12的周围排出。
[0062]
接下来，将对由气体供给部13成膜了的晶圆2进行保持的晶圆托盘20通过未图示的下降装置向铅垂方向上的下方移动之后，晶圆托盘20通过托盘返送部输送至未图示的上升装置。利用该上升装置向上方的规定位置输送。
[0063]
而且，在上方的规定位置，通过图1所示的气缸4驱动，从而图1和图5所示的3根升降销25借助气缸杆4a、销固定部5上升。于是，晶圆2升起。该升起的晶圆2由移载机器人26回收，已加热的晶圆2被向未图示的冷却部移载并冷却。
[0064]
然后，移载机器人26从晶圆盒27取出未成膜的晶圆2，晶圆2如图5所示，由相对于晶圆托盘20上升的3根升降销25支承。然后，当3根升降销25下降时，如图3和图4所示，晶圆2由晶圆托盘20的保持用凹部22的支承部23支承。支承该晶圆2的晶圆托盘20与上述同样地被向多个输送辊11依次移载。
[0065]
另外，在晶圆2产生划痕的主要因素中，举出了例如以下的5个主要因素。即，第1主要因素为在晶圆托盘20载置晶圆2时进行的面接触。第2主要因素为热应力(因背面加热引起的晶圆2的翘曲)。具体而言，在工序温度为400℃时，在晶圆2的表面与背面产生温度差。第3主要因素为膜应力。具体而言，是因成膜工序(sio2膜)产生的晶圆2的翘曲。第4主要因素为，通过由作为输送单元的多个输送辊11输送晶圆2时的振动而产生划痕。第5主要因素为，3根升降销25因上升动作和下降动作而与晶圆2的接触。
[0066]
在本实施方式中，为了避免在晶圆2产生划痕，使保持用凹部22的底面部形成为具有预定的曲率半径的凹面形状。另外，晶圆2的周缘部由处于晶圆托盘20的周缘的支承部23支承，防止晶圆2的整个表面接触该保持用凹部22的底面部。并且，保持用凹部22的凹面形状设为考虑了因热应力和膜应力等引起的晶圆2的翘曲的尺寸形状，防止晶圆托盘20的除支承部23以外的部分与晶圆2接触。除此之外，保持用凹部22的凹面形状为与晶圆2的翘曲相应的形状，因此，晶圆2的温度不均也较少。
[0067]
此外，晶圆2会因从气体供给部13吹送的反应气体的压力和由加热器12加热的温度而变形。而且，假定晶圆2的表面的温度比晶圆2的背面的温度低5℃，在该情况下，推断中心部相对于周缘部凹陷约0.38mm。另外，假定周缘部比晶圆2的中心部低5℃，在该情况下，推断中心部相对于周缘部凹陷约0.38mm。
[0068]
这样，根据本实施方式，支承晶圆2的周缘部的支承部23的内侧形成为具有预定的曲率半径的凹面形状，该曲率半径被设为，在由支承部23支承晶圆2的周缘部的状态下，在晶圆2的比周缘部靠内侧的、朝向下方弯曲的内侧部分与保持晶圆2的保持用凹部22的底面之间遍及大致整个面地成为相等的间隙g，从而晶圆2的周缘部由支承部23支承，并设定为相等的间隙g，以防止晶圆2的内侧部分与保持用凹部22的底面部接触。因此，能够避免晶圆2产生划痕，能够极力减少晶圆2的研磨加工。
[0069]
因而，在本实施方式中，由于能够极力减少晶圆2的研磨加工，因此，晶圆2不会应变，而且能够防止因晶圆2的研磨加工引起的薄型化，也能够减少研磨加工机的设备投资费。
[0070]
另外，根据本实施方式，支承部23为形成于保持用凹部22的周缘部的倾斜面，由此晶圆2的周缘部与该支承部23线接触，该支承部23相对于晶圆2的接触面积进一步变小，能够避免划痕的产生，并且即使晶圆2的周缘部的直径改变，也能够可靠地支承晶圆2。
[0071]
并且，根据本实施方式，3根升降销25在陶瓷棒的顶端部设有聚酰亚胺树脂部25b，因此，3根升降销25的顶端部具有相对于高温的耐热性，并且也能够减少在晶圆2产生的划痕。除此之外，由于3根升降销25的顶端部形成为球面状，因此，能够进一步减少晶圆2的划痕的产生。
[0072]
根据本实施方式设定为，在由支承部23支承晶圆2的周缘部的状态下，在晶圆2的形成于比周缘部靠内周侧的位置并朝向下方弯曲的内侧部分与保持用凹部22的底面部之间遍及大致整个面地形成有相等的间隙g，将该间隙g设定为在保持用凹部22的底面部中央大约为1.0mm，因此，即使在晶圆2的成膜时产生翘曲，晶圆2也不会与晶圆托盘20相接触，能够避免在晶圆2产生划痕。
[0073]
根据本实施方式的气相沉积装置10，设有多个具有上述的结构的晶圆托盘20，在这些晶圆托盘20分别载置晶圆2并由输送辊11沿水平方向依次输送，从气体供给部13向这
些被输送的晶圆2吹送反应气体而成膜，从而避免晶圆2的划痕的产生，能够极力减少晶圆2的研磨加工。其结果是，能够提高晶圆2的品质，提高生产量，也能够减少成本。
[0074]
另外，根据本实施方式的气相沉积装置10，至少基于由热应力和膜应力引起的晶圆2的翘曲来设定曲率半径，以使晶圆2与保持用凹部22的底面部之间的间隙g成为一定的值，因此，晶圆2的内侧部分不会与保持用凹部22的底面部接触，因此，能够避免在晶圆2产生划痕。其结果是，能够与上述同样地提高晶圆2的品质，提高生产量，也能够减少成本。
[0075]
此外，在本实施方式中，说明了使支承部23的倾斜面相对于晶圆托盘20的下侧面的角度α形成为16
°
的例子，但该角度并不限于上述的角度，而是能够与形成于支承部23的内周侧的凹面形状的曲率半径对应地适当设定。由此，在成膜时，即使在晶圆2产生翘曲，晶圆2也不会与晶圆托盘20接触，能够避免在晶圆2产生划痕。
[0076]
[第2实施方式]
[0077]
图7是表示本发明的第2实施方式的成膜用治具的俯视图。图8是表示在第2实施方式中升降销上升之前的状态的纵剖视图。图9是表示图8中的升降销上升了的状态的纵剖视图。
[0078]
此外，对于与所述第1实施方式相同或对应的部分，标注相同的附图标记，省略重复的说明，对不同的结构和作用进行说明。
[0079]
如图7所示，在晶圆托盘20的上侧面中央形成有用于保持晶圆2的圆形的保持用凹部22，在该保持用凹部22内形成有支承晶圆2的周缘部的支承部23。在该支承部23沿周向隔有一定间隔地设有3个贯通孔31。该3个贯通孔31相对于保持用凹部22的底面的中心以彼此相等的距离相隔120度的角度地配置。
[0080]
在该3个贯通孔31设有能够分别封闭3个贯通孔31的支承构件30。该3个支承构件30与所述第1实施方式同样地由sic成形为块状。3个支承构件30分别在上表面形成有与支承部23的倾斜面同一角度的倾斜面，利用该倾斜面与支承部23的倾斜面一起对晶圆2的周缘部进行支承。
[0081]
3个支承构件30分别在侧面形成有锥形部，另一方面，在3个贯通孔31的内周面分别形成有供支承构件30的上述锥形部嵌入的倾斜部。
[0082]
在3个支承构件30分别以升降销32能够装卸的方式设有该升降销32。具体而言，如图8和图9所示，3根升降销32构成为能够同时上下运动，在上升时，各顶端部嵌入在3个支承构件30的底部形成的嵌合用凹部来安装于支承构件30。并且，当使3根升降销32上升时，使3个支承构件30同时上升。
[0083]
另外，3个支承构件30在下降时嵌入各贯通孔31时，支承构件30的上述锥形部分别嵌入3个贯通孔31的内周面，封闭各贯通孔31。在各支承构件30封闭各贯通孔31时，支承构件30的上表面的倾斜面与支承部23的倾斜面设定为以同一面连续。而且，在3根升降销32进一步下降时，3根升降销32分别从3个支承构件30脱离。
[0084]
在此，在本实施方式中，在支承构件30封闭贯通孔31时，由支承构件30的上表面的倾斜面和支承部23的倾斜面这两者支承晶圆2的周缘部。支承该晶圆2的晶圆托盘20与所述第1实施方式同样地向多个输送辊11依次移载。
[0085]
这样，根据本实施方式，沿支承部23的周向隔有一定间隔地设有3个贯通孔31，并设有能够分别封闭这些贯通孔31的支承构件30，这些支承构件30分别在上表面形成有与支
承部23的倾斜面同一角度的倾斜面，这些支承构件30构成为能够通过升降销32进行上下运动，因此，能够在晶圆2的周缘部与支承构件30接触的状态下上升和下降，因此，不需要如所述第1实施方式那样使用3根升降销25来使晶圆2上升和下降。其结果是，在移载晶圆2时，相对于晶圆2的接触面积进一步变窄，能够避免晶圆2产生划痕。其他的结构和作用与所述第1实施方式相同，因此省略其说明。
[0086]
此外，在本实施方式中，说明了在晶圆2上升时由3个支承构件30支承晶圆2的周缘部的例子，但并不限于此，也可以设置多于3个的支承构件30。然而，从减小相对于晶圆2的接触面积的观点来看，优选的是，在晶圆2上升时由3个支承构件30进行3点支承。
[0087]
[其他实施方式]
[0088]
以上说明了本发明的各实施方式，但这些实施方式是作为例子而提出的，并不意图限定发明的范围。这些实施方式能够以其他各种方式实施，在不脱离发明的主旨的范围内，能够进行各种省略、置换、变更、组合。这些实施方式、其变形例也包含在发明的范围、主旨内，同样地包含在权利要求书所述的发明和与之等同的范围内。
[0089]
例如，在上述的各实施方式中，作为气相沉积装置10，说明了常压气相沉积装置用的成膜用治具，但并不限于此，也能够应用于除此以外的用于半导体制造装置的治具，例如pvd(physical vapor deposition：物理气相沉积)装置用治具、离子镀用治具、外延生长用治具。