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成膜用治具和气相沉积装置的制作方法

2022-03-16 03:22:16 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种成膜用治具,其用于向晶圆吹送反应气体而成膜的气相沉积装置,该成膜用治具载置所述晶圆并由输送单元输送,该成膜用治具的特征在于,在上侧面形成有保持所述晶圆的保持用凹部,在该保持用凹部内形成有支承所述晶圆的周缘部的支承部,该支承部的内侧形成为具有预定的曲率半径的凹面形状,所述曲率半径被设定为,在由所述支承部支承所述晶圆的周缘部的状态下,在所述晶圆的形成于比周缘部靠内侧的位置并朝向下方弯曲的内侧部分与所述保持用凹部的底面之间遍及大致整个面地形成有相等的间隙。2.根据权利要求1所述的成膜用治具,其特征在于,所述支承部为形成于所述保持用凹部的周缘部的倾斜面。3.根据权利要求1或2所述的成膜用治具,其特征在于,沿所述支承部的周向隔有一定间隔地设有3个贯通孔,并设有能够分别封闭这些贯通孔的支承构件,这些支承构件分别在上表面形成有与所述支承部的倾斜面同一角度的倾斜面,这些支承构件构成为能够通过升降销进行上下运动。4.一种气相沉积装置,其特征在于,该气相沉积装置包括:输送装置,在该输送装置设有多个权利要求1~3中任一项所述的成膜用治具,在这些成膜用治具分别载置所述晶圆并沿水平方向依次输送所述晶圆;以及气体头,该气体头向由所述输送装置依次输送的所述晶圆吹送反应气体而成膜。5.根据权利要求4所述的气相沉积装置,其特征在于,至少基于由热应力和膜应力产生的所述晶圆的翘曲来设定所述曲率半径,以使所述晶圆与所述保持用凹部的底面部之间的间隙成为一定的值。6.一种气相沉积装置,其特征在于,该气相沉积装置包括:成膜用治具,该成膜用治具在上侧面形成有保持晶圆的保持用凹部,在该保持用凹部内形成有支承所述晶圆的周缘部的支承部,该支承部的内侧形成为具有预定的曲率半径的凹面形状,所述曲率半径被设定为,在由所述支承部支承所述晶圆的周缘部的状态下,在所述晶圆的形成于比周缘部靠内侧的位置并朝向下方弯曲的内侧部分与所述保持用凹部的底面之间遍及大致整个面地形成有相等的间隙;输送装置,在该输送装置设有多个所述成膜用治具,在这些成膜用治具分别载置所述晶圆并沿水平方向依次输送所述晶圆;气体头,该气体头向由所述输送装置依次输送的所述晶圆吹送反应气体而成膜;以及3根升降销,在所述保持用凹部的底面部形成有3个贯穿孔,该3根升降销分别贯穿这些贯穿孔并支承所述晶圆的下表面以使所述晶圆能够上下运动,所述3根升降销在陶瓷棒的顶端部设有聚酰亚胺树脂。

技术总结
本发明能够提供避免晶圆产生划痕并且能够极力减少晶圆的研磨加工的成膜用治具。成膜用治具(20)在上侧面形成有保持晶圆(2)的保持用凹部(22),在该保持用凹部(22)内形成有支承晶圆(2)的周缘部的支承部(23),该支承部(23)的内侧形成为具有预定的曲率半径的凹面形状,所述曲率半径被设定为,在由支承部(23)支承晶圆(2)的周缘部的状态下,晶圆(2)的形成于比周缘部靠内侧的位置并朝向下方弯曲的内侧部分与保持用凹部(23)的底面部之间遍及大致整个面地形成有相等的间隙(G)。面地形成有相等的间隙(G)。面地形成有相等的间隙(G)。


技术研发人员:关口胜美 利根泽英德 铃木宏之
受保护的技术使用者:株式会社天谷制作所
技术研发日:2021.09.09
技术公布日:2022/3/15
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