掩模和掩模制造方法与流程

掩模和掩模制造方法
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求在2020年8月26日提交的韩国专利申请第10-2020-0107990号的优先权和权益，其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
3.本公开在本文中涉及一种具有提高的可靠性的掩模以及一种用于制造该掩模的方法。


背景技术：

4.显示面板包括多个像素。像素中的每一个包括诸如晶体管的驱动元件以及诸如有机发光二极管的显示元件。可以通过在基板上堆叠电极和发光图案来形成显示元件。
5.通过使用其中限定有贯穿部分的掩模来对发光图案进行图案化，使得在给定区域中形成发光图案。发光图案可以形成在被贯穿部分暴露的区域中。发光图案的形状可以根据贯穿部分的形状来控制。


技术实现要素：

6.本公开提供一种具有提高的沉积工艺的可靠性的掩模以及一种掩模制造方法。
7.本公开的一些实施例通过在拉伸并焊接掩模片之后激光加工单元开口，来提高单元开口的加工精度，并且减小死区。
8.根据本公开的一些实施例的掩模和掩模制造方法通过在单元开口的激光束加工之前，通过初始加工减小拉伸后的掩模片的张力，来提高单元开口的加工精度。
9.本公开的一些实施例提供了一种掩模制造方法，该方法包括：准备掩模片和框架；拉伸掩模片并且将拉伸后的掩模片固定到框架；以及在固定到框架的掩模片中形成单元开口。
10.形成单元开口可以包括：在固定到框架的掩模片中形成初始单元开口；并且形成分别与初始单元开口相对应的单元开口。
11.初始单元开口中的每一个的尺寸可以是单元开口中的每一个的尺寸的大约25％至大约90％。
12.初始单元开口的形状可以不同于单元开口的形状。
13.准备掩模片可以包括在掩模片中形成初始单元开口，其中，形成单元开口包括形成分别与初始单元开口相对应的单元开口。
14.在形成单元开口期间，初始单元开口中的全部可以被去除。
15.形成单元开口可以包括将激光束发射到固定到框架的掩模片上。
16.掩模片的限定单元开口的内表面可以具有锥形形状。
17.掩模制造方法可以进一步包括：在将掩模片固定到框架与形成单元开口之间，将静电卡盘设置在固定到框架的掩模片上。
18.形成单元开口可以包括：在形成单元开口之前形成初始单元开口，其中，单元开口分别与初始单元开口相对应，并且其中，单元开口中的每一个的尺寸大于初始单元开口中的每一个的尺寸。
19.掩模制造方法可以进一步包括：在形成单元开口之后，从掩模片去除静电卡盘。
20.在本公开的一些实施例中，一种掩模制造方法包括：准备掩模片和框架；拉伸掩模片并且将拉伸后的掩模片固定到框架；在固定到框架的掩模片中形成狭缝开口；以及在固定到框架的掩模片中形成单元开口，单元开口中的每一个位于狭缝开口中的相应狭缝开口之间。
21.狭缝开口的数量可以大于单元开口的数量。
22.狭缝开口中的每一个的尺寸可以小于单元开口中的每一个的尺寸。
23.形成单元开口可以包括：形成初始单元开口，初始单元开口中的每一个设置在狭缝开口中的相应狭缝开口之间；并且形成分别与初始单元开口相对应的单元开口。
24.初始单元开口中的每一个的尺寸可以小于单元开口中的每一个的尺寸，其中，初始单元开口的形状不同于单元开口的形状。
25.掩模制造方法可以进一步包括：在将掩模片固定到框架之后并且在形成狭缝开口之前，将静电卡盘设置在掩模片上。
26.在本公开的一些实施例中，一种掩模包括：框架；以及掩模片，设置在框架上，并且狭缝开口以及分别位于狭缝开口中的对应狭缝开口之间的单元开口被限定在掩模片中，其中，狭缝开口中的每一个的宽度小于单元开口中的每一个的宽度。
27.掩模可以进一步包括分别设置在狭缝开口上以遮挡狭缝开口的遮挡构件。
28.遮挡构件的材料可以与掩模片的材料相同。
附图说明
29.包括附图以提供对本公开的进一步理解，并且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了本公开的实施例，并且与说明书一起用于解释本公开的原理。附图中：
30.图1是示出根据本公开的一些实施例的掩模的透视图；
31.图2是示出根据本公开的一些实施例的掩模制造方法的流程图；
32.图3是示出根据本公开的一些实施例的掩模制造方法的流程图；
33.图4a至图4e是示出根据本公开的一些实施例的掩模制造方法的视图；
34.图5是示出根据本公开的一些实施例的掩模制造方法的流程图；
35.图6a至图6c是示出根据本公开的一些实施例的掩模制造方法的视图；
36.图7是示出根据本公开的一些实施例的掩模制造方法的流程图；并且
37.图8a至图8d是示出根据本公开的一些实施例的掩模制造方法的视图。
具体实施方式
38.通过参考实施例的详细描述和附图，可以更容易地理解本公开的一些实施例及其实现方法的方面。在下文中，将参考附图更详细地描述实施例。然而，所描述的实施例可以以各种不同的形式来体现，并且不应被解释为仅限于本文中示出的实施例。相反，提供这些
实施例作为示例，使得本公开将是全面和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的方面。因此，可不描述对于本领域普通技术人员完全理解本公开的方面来说不必要的工艺、元件和技术。
39.除非另有说明，否则在整个附图和书面描述中，相同的附图标记、字符或其组合表示相同的元件，并且因此，将不重复其描述。此外，可能未示出与实施例的描述无关的部分，以使描述清楚。
40.在附图中，为了清楚起见，可能夸大了元件、层和区域的相对尺寸。另外，在附图中交叉影线和/或阴影的使用通常被提供用以使邻近元件之间的边界清晰。因此，除非有指定，否则无论是交叉影线或阴影的存在还是不存在均不传达或者指示对特定材料、材料性质、尺寸、比例、示出元件之间的共性和/或元件的任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或需求。
41.本文参考作为实施例和/或中间结构的示意图示的截面图描述各种实施例。因此，应预期到由于例如制造技术和/或公差而导致的图示的形状的变化。此外，本文公开的特定结构描述或功能描述仅是说明性的，用于描述根据本公开的构思的实施例。因此，本文公开的实施例不应该被解释为限于特定示出的区域的形状，而是包括由例如制造引起的形状偏差。因此，附图中示出的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出设备的区域的实际形状，并且也不旨在进行限制。另外，如本领域技术人员将认识到的，可以以各种不同方式修改所描述的实施例，而均不脱离本公开的精神或范围。
42.在详细描述中，出于说明的目的，阐述了许多具体细节以提供对各种实施例的全面理解。然而，显而易见的是，可以在没有这些具体细节的情况下或者利用一个或多个等同布置来实践各种实施例。在其他实例中，以框图形式示出了公知的结构和设备，以避免不必要地模糊各种实施例。
43.出于易于说明的目的，在本文中可以使用诸如“下面”、“下方”、“下”、“之下”、“上方”和“上”等的空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件或特征相对于另一(些)元件或特征的关系。应当理解，空间相对术语旨在包含除附图中描绘的方位之外设备在使用中或操作中的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为在其他元件或特征“下方”或“下面”或“之下”的元件将随之被定向在其他元件或特征的“上方”。因此，示例术语“下方”和“之下”可以包含上方和下方两种方位。设备可以以其他方式定向(例如，旋转90度或以其他方位)，并且应当对本文使用的空间相对描述符进行相应的解释。类似地，当第一部件被描述为布置在第二部件“上”时，这表示第一部件布置在第二部件的上侧或下侧，而不限于基于重力方向在第二部件的上侧。
44.进一步，在本说明书中，短语“在平面上”或“平面图”是指从顶部观察目标部分，并且短语“在截面上”是指从侧面观察通过垂直切割目标部分而形成的截面。
45.将理解，当元件、层、区域或部件被称为“形成在”另一元件、层、区域或部件“上”、在另一元件、层、区域或部件“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件、层、区域或部件时，它可以直接形成在另一元件、层、区域或部件上、直接在另一元件、层、区域或部件上、直接连接到或耦接到另一元件、层、区域或部件，或者间接形成在另一元件、层、区域或部件上、间接在另一元件、层、区域或部件上、间接连接到或耦接到另一元件、层、区域或部件，使得可以存在一个或多个居间元件、层、区域或部件。例如，当层、区域或部件被称为“电连接”或“电
耦接”到另一层、区域或部件时，它可以直接电连接或耦接到另一层、区域或部件，或者可以存在居间层、区域或部件。然而，“直接连接/直接耦接”是指一个部件直接连接或耦接至另一部件而没有居间部件。同时，可以类似地解释诸如“在...之间”、“紧接在...之间”或“与...邻近”和“直接与...邻近”的、描述各部件之间的关系的其他表述。此外，还将理解，当元件或层被称为在两个元件或层“之间”时，它可以是这两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或多个居间元件或层。
46.将理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可以在本文用于描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，可以将下面描述的第一元件、部件、区域、层或部分称为第二元件、部件、区域、层或部分，而不脱离本公开的精神和范围。
47.在示例中，x轴、y轴和/或z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以在广义上解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。同样适用于第一、第二和/或第三方向。
48.本文使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，而不是旨在限制本公开。如本文中使用的，单数形式“一”旨在也包括复数形式，除非上下文另有明确指示。将进一步理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”、“具有”和“包含”指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除存在或添加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合。
49.如本文所使用的，术语“基本上”、“大约”、“近似地”和类似术语被用作近似术语而不是程度术语，并且旨在说明本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。考虑到所讨论的测量以及与特定量的测量值相关联的误差(即，测量系统的限制)，本文所用的“大约”或“近似”包括陈述的值，并且意味着在由本领域普通技术人员确定的该特定值的可接受的偏差范围内。例如，“大约”可能意味着在一个或多个标准偏差内，或者在陈述的值的
±
30％、
±
20％、
±
10％、
±
5％内。此外，当描述本公开的实施例时，“可以”的使用是指“本公开的一个或多个实施例”。
50.当一个或多个实施例可以不同地实现时，可以以与所描述的顺序不同的顺序执行特定的工艺。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或以与所描述的顺序相反的顺序执行。
51.而且，本文公开和/或叙述的任意数值范围旨在包括包含在所叙述的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括所叙述的最小值1.0与所叙述的最大值10.0之间(包括两者)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如，例如，2.4至7.6。本文所叙述的任意最大数值限制旨在包括包含在内的所有更小数值限制，并且本说明书中所叙述的任意最小数值限制旨在包括包含在内的所有更大数值限制。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确记载包含在本文明确记载的范围内的任何子范围。所有这些范围都旨在固有地在本说明书中描述，使得修改以明确记载任何这样的子范围将符合中国专利法的要求。
52.根据本文描述的本公开实施例的电子或电气设备和/或任何其他相关设备或部件可以使用任何合适的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件、或者软件、固件和硬件的组合
来实现。例如，这些设备的各种部件可以形成在一个集成电路(ic)芯片上或形成在单独的ic芯片上。此外，这些设备的各种部件可以在柔性印刷电路膜、带载封装(tcp)、印刷电路板(pcb)上实现，或者形成在一个基板上。
53.此外，这些设备的各种部件可以是在一个或多个计算设备中一个或多个处理器上运行的、执行计算机程序指令并与其它系统部件交互以执行本文所述各功能的进程或线程。计算机程序指令被存储在可被实现在利用标准存储器设备的计算设备中的存储器(例如以随机存取存储器(ram)为例)中。计算机程序指令还可以被存储在诸如例如cd-rom、闪存驱动器等的其他非暂时性计算机可读介质中。此外，本领域技术人员应认识到各种计算设备的功能可以被结合或集成到单个计算设备中，或特定计算设备的功能可以分布在一个或多个其它计算设备上，而不脱离本公开的实施例的精神和范围。
54.除非另有限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非在本文中明确如此限定，否则诸如在常用字典中限定的那些术语的术语应被解释为具有与其在相关领域和/或本说明书的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于正式的意义进行解释。
55.图1是示出根据本公开的一些实施例的掩模的透视图。
56.参考图1，可以在用于沉积沉积材料的工艺中使用掩模mk。在本公开的一些实施例中，掩模mk可以包括框架fr和掩模片ms。
57.每个部件的顶表面平行于由第一方向dr1和第二方向dr2限定的平面。每个部件的厚度方向由第三方向dr3表示。每个部件的上侧(或上部)和下侧(或下部)通过第三方向dr3彼此区分。然而，表示为第一至第三方向dr1、dr2和dr3的方向具有相对概念，并且因此可以被改变为其他方向。
58.当在平面图中观察时，框架fr可以具有环形状。即，可以在包括框架fr的中心的区域中提供开口区域。开口区域可以是从框架fr的顶表面贯穿到框架fr的底表面的孔。
59.作为框架fr的形状的示例，图1示出了矩形环形状(也参见图4a)，但是框架fr的形状不限于此。例如，框架fr可以具有各种形状，例如圆环和除矩形环之外的多边形环。图1示意性地示出框架fr设置在掩模片ms下方以支撑掩模片ms，但是本公开的实施例不限于此。框架fr可以设置在掩模片ms下方以支撑掩模片ms，并且可以允许掩模片ms在第一方向dr1和第二方向dr2上延伸。
60.根据一些实施例的掩模片ms可以包括布置在第一方向dr1和第二方向dr2上的多个单元开口ca。在一些实施例中，单元开口ca被示出，使得在第二方向dr2上存在彼此间隔开的两行或两列，每行包括在第一方向dr1上彼此间隔开的五个单元开口ca，但这仅作为示例示出。掩模片ms可以包括更多的单元开口ca。此外，单元开口ca可以仅布置在第一方向dr1和第二方向dr2中的一个方向上，而不限于任何一个实施例。
61.根据一些实施例的掩模片ms可以具有在第一方向dr1和第二方向dr2上延伸的板形状。掩模片ms可以包括在第一方向dr1和第二方向dr2上布置的多个单元开口ca，并且可以具有一体的板形状，使得单元开口ca彼此连接。掩模片ms包括多个单元开口ca以及用于围绕单元开口ca中的每一个的延伸区域，其中单元开口ca通过延伸区域彼此连接。因此，掩模片ms可以具有一体的板形状。根据一些实施例的掩模片ms可以不具有在第一方向dr1和
第二方向dr2中的任一个方向上延伸的棒形状，而是可以具有在第一方向dr1和第二方向dr2两个方向上延伸的板形状。然而，本公开的实施例不限于此，并且根据本公开的其他实施例的掩模片ms可以具有棒形状，其中多个掩模片中的每一个在第一方向dr1和第二方向dr2中的任一个方向上延伸，并且其中掩模片在另一方向上间隔开。
62.在一些实施例中，掩模片ms和框架fr可以包括相同的材料。例如，掩模片ms和框架fr可以包括铁(fe)和镍(ni)的合金。在一些实施例中，掩模片ms和框架fr可以包括镍和铁，并且可以进一步包括钴(co)。在这种情况下，掩模片ms和框架fr中的每一个可以包括约5％的钴(co)。
63.图2是示出根据本公开的一些实施例的掩模制造方法的流程图。图3是示出根据本公开的一些实施例的掩模制造方法的流程图。图4a至图4e是示出了根据本公开的一些实施例的掩模制造方法的视图，并且示出了根据图2和图3的流程图的掩模制造方法。
64.参考图2，掩模制造方法可以包括准备框架和初始掩模片。初始掩模片可以具有用于形成掩模片的板体形状。初始掩模片表示其中尚未形成单元开口的掩模片。为了便于描述，使用初始掩模片作为与包括单元开口的掩模片区别开的术语。
65.根据本公开的一些实施例的掩模制造方法可以包括拉伸初始掩模片以安装到框架(s100)。初始掩模片可以被拉伸到框架的尺寸，使得初始掩模片被固定到框架。
66.根据本公开的一些实施例的掩模制造方法可以包括将初始掩模片固定到框架(s200)。可以通过焊接工艺将初始掩模片以拉伸状态固定到框架。
67.根据本公开的一些实施例的掩模制造方法可以包括在焊接并且固定到框架的初始掩模片中形成多个单元开口(s300)。可以通过在初始掩模片中形成多个单元开口来提供掩模片。
68.参考图3，形成多个单元开口(s300，参见图2)可以包括在初始掩模片中形成多个初始单元开口(s310)以及形成分别与形成的多个初始单元开口相对应的多个单元开口(s320)。这里，多个初始单元开口可以是在形成单元开口之前预先形成在要形成单元开口的位置处的临时开口。
69.在其他实施例中，可以在准备初始掩模片期间形成初始单元开口。即，可以在拉伸初始掩模片并且将其固定到框架之前，形成初始单元开口。因为不要求精确地制造初始掩模片，因此不需要在拉伸初始掩模片并且将其固定到框架之后形成初始单元开口。
70.参考图4a至图4e，将详细描述根据图2和图3的一些实施例的掩模制造方法。图4a至图4e是顺序地示出本公开的一些实施例的掩模制造方法的视图。
71.图4a示出了准备初始掩模片p-ms和框架fr。在图4a中，准备初始掩模片p-ms和框架fr。初始掩模片p-ms在第一方向dr1和第二方向dr2上的尺寸分别小于框架fr在第一方向dr1和第二方向dr2上的尺寸。是初始掩模片p-ms和框架fr在第三方向dr3上的长度的厚度不限于附图中示出的那些，而是例如，初始掩模片p-ms的厚度可以与框架fr的厚度相同。
72.图4b示出对初始掩模片p-ms进行拉伸。在图4b中，初始掩模片p-ms在第一方向dr1和第二方向dr2两个方向上可以被拉伸至框架fr的尺寸，使得初始掩模片p-ms被固定到框架fr。
73.图4c示出了将初始掩模片p-ms固定到框架fr并且形成初始单元开口。图4d示出形成分别与初始单元开口相对应的单元开口。
74.在图4c和图4d中，拉伸后的初始掩模片p-ms可以被放置在框架fr上并且通过焊接构件ad焊接到框架fr。通过焊接将初始掩模片p-ms固定到框架fr而形成的初始掩模p-mk处于其中尚未形成用于沉积工艺的单元开口ca的状态。在随后的工艺中，在通过在初始掩模片p-ms中形成单元开口ca来制造掩模片ms之后，掩模片ms可以与框架fr一起形成掩模mk。
75.在一些实施例中，可以将激光束ls1发射到初始掩模片p-ms上，以形成初始单元开口p-ca。在形成初始单元开口p-ca之后，可以形成与初始单元开口p-ca相对应的单元开口ca。可以通过发射激光束ls2来形成单元开口ca。实施例仅说明了其中通过发射激光束ls1和ls2来形成初始单元开口p-ca和单元开口ca的情况，但是初始单元开口p-ca和单元开口ca可以通过诸如蚀刻工艺的另一工艺形成。在一些实施例中，可以从在第三方向dr3上相比于初始掩模片p-ms更靠近框架fr的一侧发射激光束ls1和ls2。
76.初始单元开口p-ca中的每一个的尺寸小于单元开口ca中的每一个的尺寸。例如，初始单元开口p-ca中的每一个的尺寸可以是单元开口ca中的每一个的尺寸的大约25％至大约90％。初始单元开口p-ca中的每一个可以具有在不影响单元开口ca的加工的范围内的各种尺寸。初始单元开口p-ca的内径可以比对应单元开口ca的内径小大约100μm至大约1mm。即，初始单元开口p-ca与单元开口ca之间的内径差lt1可以为大约100μm至大约1mm。
77.在形成单元开口ca期间，可以去除初始单元开口p-ca中的全部。即，初始单元开口p-ca可以是被临时地提供以在要形成单元开口ca的位置ca-l处形成单元开口ca的临时开口。初始单元开口p-ca可以减小施加到初始掩模片p-ms的张力。即，由于在形成单元开口ca之前形成初始单元开口p-ca，因此在形成单元开口ca期间，减小了施加到初始掩模片p-ms的张力，并且因此可以减小在单元开口ca的加工期间发生的变形的程度。
78.在一些实施例中，初始单元开口p-ca的形状可以不同于单元开口ca的形状。例如，单元开口ca可以具有矩形形状，并且初始单元开口p-ca可以具有圆形形状。此外，可以提供多个初始单元开口p-ca以与一个单元开口ca相对应。例如，可以在分别形成单元开口ca的位置ca-l中的每一个位置处形成两个或更多个初始单元开口p-ca。
79.在图4e中，在形成分别与初始单元开口p-ca相对应的单元开口ca，同时初始掩模片p-ms固定到框架fr之后，提供了掩模片ms并且掩模片ms可以与框架fr一起构成掩模mk。
80.图5是示出根据本公开的一些实施例的掩模制造方法的流程图。图6a至图6c是示出根据本公开的一些实施例的掩模制造方法的视图，并且示出根据图5的流程图的掩模制造方法。
81.参考图5，掩模制造方法可以包括拉伸初始掩模片并且将初始掩模片焊接到框架(s510)。将省略与图2的描述相同的重复描述。
82.根据一些实施例的掩模制造方法可以包括在初始掩模片中形成多个狭缝开口(s520)。多个狭缝开口可以减小施加到初始掩模片的张力。因此，可以减少或防止否则在随后将形成的单元开口的形成期间可能会发生的这些单元开口的变形。
83.根据一些实施例的掩模制造方法可以包括形成分别与多个狭缝开口邻近的多个单元开口(s530)。多个单元开口可以分别与狭缝开口邻近地形成。单元开口分别与狭缝开口邻近地形成，并且因此，在单元开口的形成期间可以减小单元开口的变形程度。
84.图6a至图6c是顺序地示出图5的掩模制造方法的视图。参考图6a至图6c，将详细描述根据与图5相对应的一些实施例的掩模制造方法。
85.图6a示出了在初始掩模片p-ms中形成狭缝开口。图6b示出了在初始掩模片p-ms中形成分别与狭缝开口邻近的单元开口。图6c示出了其中形成包括多个狭缝开口和单元开口的掩模的状态。
86.在图6a至图6c中，彼此分开的多个狭缝开口sa可以布置在第一方向dr1上。在附图中，十个狭缝开口sa被示出，使得在布置在第二方向dr2上的两列中的每一列中，五个狭缝开口sa布置在第一方向dr1上。然而，本公开不限于此，并且可以不同地确定狭缝开口sa的数量。可以通过将激光束ls发射到初始狭缝开口p-sa来形成狭缝开口sa。然而，本公开不限于此，并且它们可以通过诸如蚀刻工艺的各种方法形成。单元开口ca可以形成在狭缝开口sa之间。狭缝开口sa和单元开口ca可以在第一方向dr1上交替形成。可以通过将激光束ls发射到狭缝开口sa之间的要形成单元开口ca的位置ca-l上来形成单元开口ca。可以从在第三方向dr3上相比于初始掩模片p-ms更靠近框架fr的一侧发射激光束ls。
87.附图示出了十个狭缝开口sa和十个单元开口ca，但是本公开不限于此。狭缝开口sa的数量可以大于单元开口ca的数量。狭缝开口sa中的每一个的尺寸可以小于单元开口ca中的每一个的尺寸。例如，狭缝开口sa在第一方向dr1上的宽度wt2可以小于单元开口ca在第一方向dr1上的宽度。狭缝开口sa的数量以及狭缝开口sa的宽度或尺寸可影响单元开口ca在形成时的变形量。
88.通常，当v为单元开口ca的变形量时，变形量可以被表示为v＝(f
×
l)/(e
×
a)。这里，f可以是施加到初始掩模片p-ms的张力，e可以是弹性模量，l可以是初始掩模片p-ms在第一方向dr1上的长度wt1，并且a可以是初始掩模片p-ms在第一方向dr1上的横截面的面积。
89.在本公开的一些实施例中，当“a”为狭缝开口sa中的每一个在第一方向dr1上的宽度wt2，并且“x”为狭缝开口sa的数量时，根据本公开的一些实施例，与狭缝开口sa邻近地形成的单元开口ca的变形量v'可以被表示为v'＝(f
×
(l-xa))/(e
×
a)。即，随着狭缝开口sa的数量x增加并且狭缝开口sa在第一方向dr1上的宽度a增大，单元开口ca的变形量可以减小。
90.在一些实施例中，形成单元开口ca可以包括在多个狭缝开口sa之间形成初始单元开口。即，在多个狭缝开口sa之间形成初始单元开口，并且然后可以形成分别与初始单元开口相对应的单元开口ca，如在图2至图4e的实施例中。初始单元开口与狭缝开口sa一起可以减小单元开口ca在其形成期间的变形量。与狭缝开口sa不同，初始单元开口可以在单元开口ca形成的同时被去除。
91.此外，掩模制造方法可以进一步包括：在形成狭缝开口sa之前，将静电卡盘设置在固定到框架fr的初始掩模片p-ms上。静电卡盘可以减小单元开口ca的变形量。将参考图8a至图8d对静电卡盘进行详细描述。
92.根据本公开的一些实施例，遮挡构件可以分别设置在掩模mk的狭缝开口sa上。在沉积工艺期间，遮挡构件针对沉积源遮挡狭缝开口sa。遮挡构件可以包括与掩模片ms相同的金属。即，遮挡构件可以包括铁(fe)和镍(ni)的合金。
93.图7是示出根据本公开的一些实施例的掩模制造方法的流程图。图8a至图8d是示出根据本公开的一些实施例的掩模制造方法的视图，并且示出根据图7的流程图的掩模制造方法。
94.在图7中，根据一些实施例的掩模制造方法可以包括拉伸初始掩模片并且将初始掩模片焊接并且固定到框架(s710)。根据一些实施例的掩模制造方法可以包括将静电卡盘设置在初始掩模片上(s720)。静电卡盘可以具有防止处于拉伸状态并且被固定到框架的初始掩模片的张力变化的作用。
95.根据一些实施例的掩模制造方法可以包括在初始掩模片中形成多个初始单元开口(s730)。因此，将省略其重复描述。
96.根据一些实施例的掩模制造方法可以包括形成分别与多个初始单元开口相对应的多个单元开口(s740)。在提供多个单元开口以形成掩模片之后，可以从掩模片去除静电卡盘。
97.图8a至图8d是顺序地示出图7的掩模制造方法的截面图。参考图8a至图8d，将详细描述根据图7的一些实施例的掩模制造方法。
98.图8a示出了其中静电卡盘esc被设置在固定到框架fr的初始掩模片p-ms上的状态。在图8a中，在设置静电卡盘esc的状态下，将激光束ls1发射到初始掩模片p-ms上，并且因此，如图8b中所示，可以形成初始单元开口p-ca。单元开口ca可以被形成为分别与初始单元开口p-ca相对应。可以通过将激光束ls2发射到初始单元开口p-ca的外围来形成单元开口ca。静电卡盘esc可以减小单元开口ca在其形成期间由于张力的变形量。在静电卡盘esc中产生的静电力可以减小施加到初始单元开口p-ca和单元开口ca两者的张力，并且可以减小其变形量。
99.单元开口ca中的每一个在第一方向dr1上的宽度与初始单元开口p-ca中的每一个在第一方向dr1上的宽度之间的差lt1可以是大约100μm或更大。在形成单元开口ca之后，可以去除静电卡盘esc。
100.图8d是沿图1的线i-i'截取的截面图。参考图8a至图8d，在本公开的一些实施例中，掩模片ms的限定单元开口ca的内表面ss可以具有锥形形状。通过发射激光束ls2形成的锥形形状可以帮助沉积材料有效地沉积在基板上。因此，可以减少阴影现象，并且可以减小基板的死区的面积。在其他实施例中，掩模片ms的限定单元开口ca的内表面ss具有锥形形状，并且限定狭缝开口sa(参见图6c)的内表面可以具有与掩模片ms的限定单元开口ca的内表面ss的形状不同的形状。即，在一些实施例中，掩模片ms的限定狭缝开口sa的内表面可以具有或不具有锥形形状。
101.本公开的实施例通过先执行拉伸和焊接工艺并且然后执行加工工艺，可以提高加工精度，并且可以减少阴影。
102.通过根据本公开的一些实施例的掩模制造方法制造的掩模可以提高掩模上单元位置的精度，并且可以减少或防止在沉积工艺期间出现阴影。通过使用根据本公开的一些实施例的掩模形成的显示面板可以具有减小的死区，并且可以防止显示面板有缺陷。
103.已经在附图和说明书中描述了实施例。虽然使用了特定术语，但是它们并不用于限制权利要求中描述的本公开的含义或范围，而仅用于说明本公开的一些实施例。因此，本领域技术人员将理解，各种修改和其他等同实施例也是可能的。因此，本发明的真正保护范围应由所附权利要求书(其功能等同物包括在其中)的技术范围为准。