一种复合薄膜、量子点发光二极管及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：将三异丙氧基氧化钒溶液与pedot：pss溶液混合，得到混合液；将所述混合液沉积成膜，并加热，得到包括pedot：pss与vo
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组成的复合薄膜；其中x的取值为2-2.5。2.根据权利要求1所述的复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述三异丙氧基氧化钒溶液的浓度为0.6-6wt％；和/或所述pedot：pss溶液的浓度为1-2wt％。3.根据权利要求2所述的复合薄膜的制备方法，其特征在于，按照体积比1:20-1:10，将三异丙氧基钒氧化物溶液与pedot：pss溶液进行混合。4.根据权利要求1所述的复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述加热的温度为130-150℃；和/或所述加热的时间为10-30min。5.一种复合薄膜，其特征在于，所述复合薄膜的材料包括pedot：pss与vo
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复合形成的复合材料；其中x的取值为2-2.5。6.根据权利要求5所述的复合薄膜，其特征在于，所述复合薄膜的材料为pedot：pss与vo
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复合形成的复合材料。7.一种量子点发光二极管，包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置在所述阳极和量子点发光层之间的空穴注入层，其特征在于，所述空穴注入层包括权利要求1-4任一项所述的方法制备得到的复合薄膜；和/或所述空穴注入层包括权利要求5-6任一项所述的复合薄膜。8.根据权利要求7所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴注入层为权利要求1-4任一项所述的方法制备得到的复合薄膜；和/或所述空穴注入层为权利要求5-6任一项所述的复合薄膜。9.根据权利要求7所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴注入层的厚度为20-40nm。10.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供阳极；将三异丙氧基氧化钒溶液与pedot：pss溶液混合后，沉积于所述阳极上，加热得到包括pedot：pss与vo
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组成的空穴注入层；其中x的取值为2-2.5；在所述空穴注入层上形成量子点发光层；在所述量子点发光层上形成阴极，得到所述量子点发光二极管；或者，提供阴极；在所述阴极上形成量子点发光层；将三异丙氧基氧化钒溶液与pedot：pss溶液混合后，沉积于所述量子点发光层上，加热得到包括pedot：pss与vo
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组成的空穴注入层；其中x的取值为2-2.5；在所述空穴注入层上形成阳极，得到所述量子点发光二极管。

技术总结
本发明公开一种复合薄膜、量子点发光二极管及其制备方法。所述复合薄膜的制备方法包括步骤：将三异丙氧基氧化钒溶液与PEDOT：PSS溶液混合，得到混合液；将所述混合液沉积成膜，并加热，得到包括PEDOT：PSS与VO


技术研发人员：徐威
受保护的技术使用者：TCL科技集团股份有限公司
技术研发日：2020.07.08
技术公布日：2022/1/10