沉积的方法与流程

技术特征：
1.一种通过等离子体增强化学气相沉积pecvd在衬底上沉积氢化的氮化硅碳(sicn:h)膜的方法，其包括：在腔室中提供所述衬底；将硅烷(sih4)、供碳前体和氮气(n2)引入到所述腔室中；以及在所述腔室中维持等离子体，以便通过pecvd在所述衬底上沉积sicn:h，其中所述衬底维持在低于约250℃的温度下。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述供碳前体是有机硅烷。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述有机硅烷选自甲基硅烷、二甲基硅烷、三甲基硅烷、四甲基硅烷或其组合。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述供碳前体是气态烃，如甲烷(ch4)或乙炔(c2h2)，或其组合。5.根据任一前述权利要求所述的方法，其中将硅烷(sih4)以在100
‑
500sccm、任选地200
‑
400sccm、任选地250
‑
300sccm的范围内或任选地约275sccm的流量引入到所述腔室中。6.根据任一前述权利要求所述的方法，其中将所述供碳前体以在10
‑
90sccm、任选地20
‑
70sccm或任选地25
‑
55sccm范围内的流量引入到所述腔室中。7.根据任一前述权利要求所述的方法，其中将硅烷(sih4)和所述供碳前体以在3:1至30:1、任选地4:1至25:1、任选地5:1至20:1、任选地约7:1至15:1、任选地约10:1至12:1的范围内或任选地约11:1的比率的流量(以sccm计)引入到所述腔室中。8.根据任一前述权利要求所述的方法，其中将氮气(n2)以在1000
‑
10,000sccm、任选地2,500
‑
9,000sccm、任选地4,000
‑
8,000sccm或任选地6,000
‑
7,000sccm的范围内的流量引入到所述腔室中。9.根据任一前述权利要求所述的方法，其中所述衬底维持在低于225℃，任选地低于200℃，或任选地约175℃或更低的温度下。10.根据任一前述权利要求所述的方法，其中当所述等离子体维持在所述腔室中时，所述腔室具有在1
‑
5托、任选地1.4
‑
3托的范围内、任选地约1.6托的压力。11.根据任一前述权利要求所述的方法，其进一步包括进行氢等离子体处理的后续步骤，所述氢等离子体处理包括将所述sicn:h膜暴露于氢等离子体。12.根据权利要求11所述的方法，其中在所述氢等离子体处理期间，将所述衬底维持在低于约200℃、任选地低于约175℃、任选地低于约150℃或任选地约125℃的温度下。13.根据任一前述权利要求所述的方法，其中所述氢化的氮化硅碳膜是非晶氢化的氮化硅碳膜(a
‑
sicn:h)。14.根据任一前述权利要求所述的方法，其中所述衬底是半导体衬底。15.一种衬底，所述衬底具有使用根据任一前述权利要求所述的方法在其上沉积的sicn:h膜。16.根据权利要求15所述的衬底，其中所述sicn:h膜具有大于约2at％，任选地大于约5at％，并且任选地大于约10at％的氢含量。17.一种结合两个衬底的方法，其包括以下步骤：提供根据权利要求15所述的具有sicn:h膜的第一衬底；提供根据权利要求15所述的具有sicn:h膜的第二衬底；以及
在低于约250℃的温度下将所述第一衬底的所述sicn:h膜结合到所述第二衬底的所述sicn:h膜。18.一种装置，其包括使用根据权利要求17所述的方法生产的两个或更多个衬底的堆叠。

技术总结
本申请的实施例涉及一种沉积方法。根据本发明，提供了一种通过等离子体增强的化学气相沉积PECVD在衬底上沉积氢化的氮化硅碳(SiCN:H)膜的方法，其包括：在腔室中提供所述衬底；将硅烷(SiH4)、供碳前体和氮气(N2)引入到所述腔室中；以及在所述腔室中维持等离子体，以便通过PECVD在所述衬底上沉积SiCN:H，其中所述衬底维持在低于约250℃的温度。底维持在低于约250℃的温度。底维持在低于约250℃的温度。


技术研发人员：T
受保护的技术使用者：SPTS科技有限公司
技术研发日：2021.05.19
技术公布日：2021/12/16