外延结构及发光器件的制作方法

技术特征：
1.一种外延结构，其特征在于，包括：衬底；以及依次叠设于所述衬底上的复合布拉格反射结构、第一限制层、有源层和第二限制层；其中，所述复合布拉格反射结构包括周期性交替生长的低反射率半导体层和高反射率半导体层，且所述复合布拉格反射结构中最先生长和最后生长的均为所述低反射率半导体层。2.如权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述低反射率半导体层包括砷化铝层，所述高反射率半导体层包括铝镓砷层。3.如权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述复合布拉格反射结构满足以下关系式：d1＝λ/4n1；d2＝λ/4n2；其中，d1为所述低反射率半导体层的厚度，n1为所述低反射率半导体层的折射率，λ为所要反射的光的波长，d2为所述高反射率半导体层的厚度，n2为所述高反射率半导体层的折射率。4.如权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述复合布拉格反射结构按其生长方向包括至少一级布拉格反射单元，其中，每级所述布拉格反射单元包括若干对周期性交叠生长的低反射率半导体层和高反射率半导体层。5.如权利要求4所述的外延结构，其特征在于，所述复合布拉格反射结构按其生长方向包括一初级布拉格反射单元和若干次级布拉格反射单元；其中，所述初级布拉格反射单元中低反射率半导体层和高反射率半导体层的交叠周期数大于各所述次级布拉格反射单元中低反射率半导体层和高反射率半导体层的交叠周期数。6.如权利要求5所述的外延结构，其特征在于，所述初级布拉格反射单元包括至少15对周期性交叠生长的低反射率半导体层和高反射率半导体层。7.如权利要求5所述的外延结构，其特征在于，所述次级布拉格反射单元满足以下条件式：当1＜m≤3时，n2≥8，n3≥7；当4≤m≤6时，n2＝n3＝
…
＝n
m
＝3；其中，m为布拉格反射单元的级数，n2为第2级布拉格反射单元中低反射率半导体层和高反射率半导体层的交叠周期数，n3为第3级布拉格反射单元中低反射率半导体层和高反射率半导体层的交叠周期数，n
m
为第m级布拉格反射单元中低反射率半导体层和高反射率半导体层的交叠周期数。8.如权利要求5所述的外延结构，其特征在于，各级所述布拉格反射单元之间的反射波长逐级递增。9.一种发光器件，其特征在于，包括如权利要求1至8任一项所述的外延结构。

技术总结
一种外延结构及发光器件，包括衬底以及依次叠设于衬底上的复合布拉格反射结构、第一限制层、有源层和第二限制层；其中，复合布拉格反射结构包括周期性交替生长的低反射率半导体层和高反射率半导体层，且复合布拉格反射结构中最先生长和最后生长的半导体层均为低反射率半导体层。通过使复合布拉格反射结构为低反射率层和高反射率层周期性交替生长的复合结构，且最先生长和最后生长的半导体层均为低反射率半导体层，可以增大布拉格反射结构对有源层光线的反射率，减少大倾角入射光线的临界损失，以达到提高外延结构的光提取效率的目的。以达到提高外延结构的光提取效率的目的。以达到提高外延结构的光提取效率的目的。


技术研发人员：张海林 黄国栋 林雅雯 谷鹏军 刘勇兴
受保护的技术使用者：重庆康佳光电技术研究院有限公司
技术研发日：2020.12.31
技术公布日：2021/11/24