一种HEMT与嵌入式电极结构LED的单片集成器件的制作方法

技术特征：
1.一种hemt与嵌入式电极结构led的单片集成器件，其特征在于：从下到上依次包括衬底、金属键合层、第一钝化层、组合区域、p
‑
gan层、algan电子阻挡层、ingan/gan多量子阱层、n
‑
gan层和第二钝化层；所述组合区域分为hemt区和led区，hemt区和led区相邻；所述hemt区从下到上依次包括电极层、algan势垒层、gan沟道层、algan背势垒层、i
‑
gan缓冲层；所述电极层包括源电极、栅电极和漏电极；源电极与led区中p电极相连，源电极、栅电极和漏电极被钝化层隔开，该钝化层与第一钝化层组成整体；栅电极位于源电极和漏电极之间；所述led区从下到上依次包括p电极、ag反射层；p电极和ag反射层都与p
‑
gan层接触，ag反射层镶嵌在p电极中；hemt区中电极层设置在第一钝化层上；led区中p电极设置在第一钝化层上；所述器件包括n电极，n电极依次贯穿于第一钝化层、p电极、p
‑
gan层、algan电子阻挡层、ingan/gan多量子阱层，n电极的两端分别延伸至金属键合层和n
‑
gan层的内部；n电极与p电极、p
‑
gan层、algan电子阻挡层、ingan/gan多量子阱层间界面处采用钝化层隔开。2.根据权利要求1所述hemt与嵌入式电极结构led的单片集成器件，其特征在于：所述algan势垒层、gan沟道层、algan背势垒层以及i
‑
gan层都与led区的p电极接触；所述n电极的表面设有钝化层，n电极的两端无钝化层，延伸至金属键合层内部的部分n电极的表面无钝化层。3.根据权利要求1所述hemt与嵌入式电极结构led的单片集成器件，其特征在于：所述hemt区还包括栅引出电极、漏引出电极，栅引出电极与栅电极相连，漏引出电极与漏电极相连；栅引出电极和漏引出电极的上方无algan势垒层、gan沟道层、algan背势垒层、i
‑
gan缓冲层、p
‑
gan层、algan电子阻挡层、ingan/gan多量子阱层、n
‑
gan层和第二钝化层；栅引出电极和漏引出电极间设有钝化层；algan势垒层、gan沟道层、algan背势垒层、i
‑
gan缓冲层、p
‑
gan层、algan电子阻挡层、ingan/gan多量子阱层、n
‑
gan层的侧壁上设有钝化层。4.根据权利要求1所述hemt与嵌入式电极结构led的单片集成器件，其特征在于：所述n
‑
gan层的厚度为2
‑
4μm，ingan/gan多量子阱层的厚度为50
‑
90nm，p
‑
gan层的厚度为200
‑
300nm；i
‑
gan缓冲层的厚度为200
‑
300nm，algan背势垒层的厚度为40
‑
80nm，gan沟道层的厚度为60
‑
120nm，algan势垒层的厚度为20
‑
30nm；所述ingan/gan多量子阱层的周期为5
‑
9层。5.根据权利要求1所述hemt与嵌入式电极结构led的单片集成器件，其特征在于：所述源电极、漏电极独自为ti/al/ni/au多金属层；所述栅电极为ni/au多金属层；所述p电极为ni/ag/cr/pt合金;所述n电极为cr/al/ti/ni/au合金。6.根据权利要求1所述hemt与嵌入式电极结构led的单片集成器件，其特征在于：所述衬底上为1个或多个hemt
‑
led单片集成器件，各器件之间被空隙隔离，即各器件之间有空隙。

技术总结
本实用新型属于半导体的技术领域，公开了一种HEMT与嵌入式电极结构LED的单片集成器件。单片集成器件从下到上依次包括衬底、金属键合层、第一钝化层、组合区域、p


技术研发人员：李国强 姚书南 柴华卿 林志霆 王文樑
受保护的技术使用者：华南理工大学
技术研发日：2020.12.31
技术公布日：2021/11/24