显示设备及其制造方法与流程

显示设备及其制造方法
1.本技术要求于2020年5月18日在韩国知识产权局提交的第10
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2020
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0059330号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含于此。
技术领域
2.一个或更多个示例实施例的方面涉及一种显示设备和制造显示设备的方法。


背景技术：

3.最近，显示设备的各种用途和应用已经变得更加多样化。另外，随着显示设备已经变得更薄和更轻，它们的使用范围已经逐渐地扩大。
4.随着显示设备中被显示区域占据的面积扩大，已经添加了与显示设备组合或相关的各种功能。为了在扩大显示区域的同时添加各种功能，已经对在显示图像的同时包括其中执行各种功能的组件区域的显示设备进行了研究。
5.透射部(也被称为透射区域)可以与显示元件一起布置在组件区域中，透射部可以包括堆叠在显示设备中的绝缘层的开口以确保透光率。例如，显示设备可以包括无机绝缘层和在无机绝缘层上的有机绝缘层。无机绝缘层和有机绝缘层可以分别包括与透射部对应的开口。
6.有机发光显示设备通常包括有机发光二极管作为显示元件，有机发光二极管包括对电极、像素电极和发射层。有机发光二极管可以布置在显示区域和组件区域中，图像显示在显示区域中。在这种情况下，像素电极的边缘可以被像素限定层覆盖。像素限定层可以限定有机发光二极管的发射区域。
7.在该背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对背景的理解，因此在该背景技术部分中讨论的信息不一定构成现有技术。


技术实现要素：

8.一个或更多个实施例的方面包括一种显示设备和制造该显示设备的方法，其中，像素限定层被构造为在确保透射部的透射率的同时限定有机发光二极管的发射区域。
9.附加的方面将在下面的描述中被部分地阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过公开的所呈现的实施例的实践来获知。
10.根据一个或更多个示例实施例，显示设备包括：基底，包括显示区域和组件区域，第一像素组布置在显示区域中，第二像素组和透射部布置在组件区域中；有机绝缘层，布置在基底上且包括与透射部对应的开口；显示元件，布置在有机绝缘层上且包括像素电极和对电极；以及像素限定层，覆盖像素电极的边缘且限定显示元件的发射区域，其中，有机绝缘层包括在组件区域中的平坦化区域和减小区域，减小区域具有在从平坦化区域到开口的方向上减小的厚度，并且像素限定层的一部分布置在减小区域中。
11.根据一些示例实施例，布置在减小区域中的像素限定层的第一厚度可以比布置在平坦化区域中的像素限定层的第二厚度小。
12.根据一些示例实施例，显示设备还可以包括布置在与显示区域对应的像素限定层上的间隔件，其中，从基底的顶表面到间隔件的顶表面的第一距离可以比从基底的顶表面到布置在平坦化区域中的像素限定层的顶表面的第二距离大。
13.根据一些示例实施例，第二距离可以比从基底的顶表面到布置在显示区域中的像素限定层的顶表面的第三距离大。
14.根据一些示例实施例，间隔件和像素限定层可以包括相同的材料。
15.根据一些示例实施例，显示设备还可以包括在基底与有机绝缘层之间的无机绝缘层，其中，无机绝缘层可以包括与透射部对应的绝缘层开口。
16.根据一些示例实施例，有机绝缘层可以包括第一有机绝缘层和第二有机绝缘层，第一有机绝缘层在无机绝缘层上，并且第二有机绝缘层在第一有机绝缘层上，其中，第一有机绝缘层可以包括与透射部对应的第一开口。
17.根据一些示例实施例，第一开口的尺寸可以比绝缘层开口的尺寸小，并且第一有机绝缘层可以覆盖绝缘层开口的内表面。
18.根据一些示例实施例，第一开口的尺寸可以比绝缘层开口的尺寸大，并且第一开口可以暴露无机绝缘层的一部分。
19.根据一些示例实施例，显示元件的数量可以是两个或更多个，透射部可以围绕第二像素组，第二像素组可以包括由显示元件实现的多个辅助子像素，并且多个辅助子像素可以相对于第二像素组的中心对称。
20.根据一些示例实施例，多个辅助子像素中的一个在平面图中可以具有四边形形状，并且多个辅助子像素中的另一个在平面图中可以具有五边形形状。
21.根据一个或更多个示例实施例，一种制造显示设备的方法包括：在包括显示区域和组件区域的基底上形成有机绝缘层，第一像素组布置在显示区域中，并且第二像素组和透射部布置在组件区域中；在有机绝缘层上形成像素电极；以及在显示区域和组件区域中形成覆盖像素电极的边缘的像素限定层，其中，形成有机绝缘层可以包括在组件区域中形成平坦化区域且形成减小区域，减小区域具有在从平坦化区域到透射部的方向上减小的厚度，并且形成像素限定层可以包括在减小区域中形成像素限定层的一部分。
22.根据一些示例实施例，所述方法还可以包括在与显示区域对应的像素限定层上形成间隔件，其中，在显示区域中形成间隔件的同时，可以在组件区域中形成像素限定层。
23.根据一些示例实施例，所述方法还可以包括在平坦化区域中形成像素限定层的一部分，其中，从基底的顶表面到间隔件的顶表面的第一距离可以比从基底的顶表面到布置在平坦化区域中的像素限定层的顶表面的第二距离大，并且第二距离可以比从基底的顶表面到布置在显示区域中的像素限定层的顶表面的第三距离大。
24.根据一些示例实施例，形成间隔件可以包括在显示区域中布置半色调掩模，并且形成像素限定层可以包括在组件区域中布置全色调掩模。
25.根据一些示例实施例，半色调掩模和全色调掩模可以彼此连接。
26.根据一些示例实施例，形成像素限定层可以包括：在显示区域和组件区域中形成初始绝缘层；以及通过去除初始绝缘层的至少一部分来形成像素限定层，其中，初始绝缘层可以包括与透射部对应的凹槽。
27.根据一些示例实施例，所述方法还可以包括在基底之上形成无机绝缘层，其中，无
机绝缘层可以包括与透射部对应的绝缘层开口。
28.根据一些示例实施例，形成有机绝缘层还可以包括：在无机绝缘层上形成第一有机绝缘层；以及在第一有机绝缘层上形成第二有机绝缘层，其中，第一有机绝缘层可以包括与透射部对应的第一开口，并且第二有机绝缘层可以包括与透射部对应的第二开口。
29.根据一些示例实施例，第一有机绝缘层可以覆盖绝缘层开口的内表面。
30.根据一些示例实施例，第一开口可以暴露无机绝缘层的一部分。
附图说明
31.根据以下结合附图的描述，公开的某些示例实施例的以上和其它方面、特征以及特性将更加明显，在附图中：
32.图1a是根据一些示例实施例的显示设备的透视图；
33.图1b是根据一些示例实施例的显示设备的透视图；
34.图2a至图2d是根据一些示例实施例的显示设备的一部分的剖视图；
35.图3是根据一些示例实施例的显示面板的平面图；
36.图4是根据一些示例实施例的显示设备的连接到有机发光二极管的像素电路的等效电路图；
37.图5是图3的区域a的放大图；
38.图6是根据一些示例实施例的基本单元的平面图；
39.图7a和图7b是根据一些示例实施例的基本单元的平面图；
40.图8是根据一些示例实施例的显示面板的一部分的剖视图；
41.图9是根据一些示例实施例的显示面板的一部分的剖视图；
42.图10是根据一些示例实施例的显示面板的一部分的剖视图；
43.图11是示出了根据一些示例实施例的制造显示设备的方法的剖视图；
44.图12a和图12b是示出了根据一些示例实施例的制造显示设备的方法的剖视图；以及
45.图13至图16是示出了根据一些示例实施例的制造显示设备的方法的剖视图。
具体实施方式
46.现在将更详细地参照在附图中示出的一些示例实施例的方面，在附图中，同样的附图标记始终指同样的元件。在这方面，本示例实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于在此所阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图来描述示例实施例，以解释本说明书的方面。如在此所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或者它们的变型。
47.由于本公开允许各种改变和许多实施例，因此一些示例实施例的方面将在附图中示出且在书面描述中更详细地描述。通过以下实施例和附图的描述中，本公开的效果和特征以及实现其的方法将变得明显且更容易理解。然而，本公开不限于以下实施例，并且可以以各种形式实现。
48.在下文中，参照附图更详细地描述一些示例实施例的方面。当参照附图进行描述
时，同样的附图标记被赋予同样或对应的元件，并且可以省略其一些重复描述。
49.将理解的是，虽然在此可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但是这些组件不应受到这些术语的限制。这些组件仅用于将一个组件与另一组件区分开。
50.如在此所使用的，除非上下文另外明确说明，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“该(所述)”也旨在包括复数形式。
51.还将理解的是，在此所使用的术语“包括”和/或其变型说明存在所陈述的特征或组件，但是不排除存在或附加一个或更多个其它特征或组件。
52.将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，所述层、区域或组件可以直接或间接地形成在所述另一层、区域或组件上。即，例如，可以存在中间层、区域或组件。
53.为了便于解释，可以夸大或减小附图中的元件的尺寸。换句话说，因为为了便于解释而任意地示出了附图中的组件的尺寸和厚度，所以以下实施例不限于此。
54.当可以不同地实现某个实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行具体工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
55.将理解的是，当层、区域或组件被称为“连接”到另一层、区域或组件时，所述层、区域或组件可以“直接连接”到所述另一层、区域或组件，并且/或者可以“间接地连接”到所述另一层、区域或组件且另一层、区域或组件插置在其间。例如，将理解的是，当层、区域或组件被称为“电连接”到另一层、区域或组件时，所述层、区域或组件可以“直接电连接”到所述另一层、区域或组件，并且/或者可以“间接地电连接”到所述另一层、区域或组件且另一层、区域或组件插置在其间。
56.显示设备1是显示图像的设备，并且可以包括游戏控制台、多媒体设备和诸如超小型个人计算机(pc)的便携式移动设备。下面描述的显示设备1可以包括液晶显示器、电泳显示器、有机发光显示器、无机发光显示器、场发射显示器、表面传导电子发射显示器、量子点显示器、等离子体显示器和阴极射线管显示器。在下文中，虽然作为示例将有机发光显示设备描述为根据一些示例实施例的显示设备1，但是实施例可以采用上述各种显示设备。
57.图1a是根据一些示例实施例的显示设备1的透视图。图1b是根据一些示例实施例的显示设备1的透视图。
58.参照图1a，显示设备1可以包括显示面板10。显示面板10可以包括显示区域da、组件区域ca和非显示区域nda。
59.显示区域da可以显示图像。第一像素组pg1可以布置在显示区域da中。第一像素组pg1可以包括多个显示元件(例如，多个有机发光二极管)。显示面板10可以通过使用从第一像素组pg1发射的光来显示第一图像。
60.组件可以布置在组件区域ca中，并且图像显示在组件区域ca中。另外，第二像素组pg2和透射部ta可以布置在组件区域ca中。如下面参照图2a所描述的，组件可以包括使用红外线、可见光、声音或其它通信频谱以在组件区域ca中发送和/或接收信号的传感器或相机(或其它信号发射器或接收器)。
61.根据一些示例实施例，组件区域ca可以被显示区域da至少部分地围绕。虽然在图1a中示出了组件区域ca以条型布置在显示区域da的一侧上，但是组件区域ca可以以凹口型
布置在显示区域da的一侧上。根据一些示例实施例，组件区域ca可以不同地布置在显示区域da内。
62.透射部ta可以布置在组件区域ca中，从组件输出到外部或从外部朝向组件行进的光和/或声音穿过透射部ta。像素可以不布置在透射部ta中。在红外线穿过透射部ta的情况下，组件区域ca的红外透射率可以是15％或更大，更优选地，20％或更大、25％或更大、85％或更大或者90％或更大。
63.第二像素组pg2可以布置在组件区域ca中，并且可以通过发射光来显示第二图像。第二像素组pg2可以包括多个显示元件，例如，多个有机发光二极管。在这种情况下，第一图像和第二图像可以包括通过显示设备1或显示面板10显示的一个图像(例如，静态图像或视频图像)的一部分。例如，第二像素组pg2可以显示通过第一像素组pg1和第二像素组pg2共同地显示的图像的一部分，并且第二像素组pg2以不同的分辨率(例如，较低的分辨率)显示图像的对应部分。可选地，第一图像和第二图像可以包括彼此独立的图像。
64.非显示区域nda可以包括其中不显示图像的区域，因此像素组没有布置在非显示区域nda中。非显示区域nda可以完全地围绕显示区域da和组件区域ca。驱动器等可以布置在非显示区域nda中，驱动器等将电信号或电力提供到第一像素组pg1和第二像素组pg2。非显示区域nda可以包括垫(pad，或被称为“焊盘”或“焊垫”)部，垫部是电子元件或印刷电路板等可以电连接到其的区域。
65.图1b中示出了组件区域ca被显示区域da完全地围绕。
66.根据一些示例实施例，组件区域ca可以在平面图中具有圆形形状或椭圆形形状。根据一些示例实施例，组件区域ca可以在平面图中具有诸如四边形形状的多边形形状。根据一些示例实施例，组件区域ca可以包括弯曲部。另外，组件区域ca的位置和组件区域ca的数量可以不同地改变。例如，显示面板10可以包括多个组件区域ca。
67.图2a至图2d是根据一些示例实施例的显示设备1的一部分的剖视图。
68.参照图2a至图2d，显示设备1可以包括显示面板10和与显示面板10叠置的组件comp。显示面板10可以包括组件区域ca和显示区域da，组件区域ca与组件comp叠置，第一图像显示在显示区域da中。
69.显示面板10可以包括基底100、基底100上的显示层disl、触摸屏层tsl和光学功能层ofl以及基底100下面的面板保护构件pb。显示层disl可以包括缓冲层111、像素电路层pcl、显示元件层edl和密封构件encm，像素电路层pcl包括薄膜晶体管tftm和tfta，显示元件层edl包括作为显示元件的有机发光二极管，密封构件encm包括薄膜封装层tfel或密封基底ens。
70.显示区域da和组件区域ca可以限定在基底100中。即，基底100可以包括显示区域da和组件区域ca。基底100可以包括玻璃或者诸如聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯和乙酸丙酸纤维素的聚合物树脂。包括聚合树脂的基底100可以是柔性的、可卷曲的和可弯曲的。基底100可以具有包括基体层和阻挡层的多层结构，基体层和阻挡层均包括聚合树脂。
71.缓冲层111布置在基底100上、可以减少或阻挡外来物质、湿气或外部空气从基底100下方的渗透并且在基底100上提供平坦表面。缓冲层111可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或者有机/无机复合材料，并且包括包含无机材料和有机材料的单层
或多层。根据一些示例实施例，缓冲层111可以包括氧化硅(sio2)或氮化硅(sin
x
)。
72.主薄膜晶体管tftm和连接到主薄膜晶体管tftm的主有机发光二极管oledm可以布置在显示面板10的显示区域da中，以实现主子像素pm。辅助薄膜晶体管tfta和连接到辅助薄膜晶体管tfta的辅助有机发光二极管oleda可以布置在显示面板10的组件区域ca中，以实现辅助子像素pa。主子像素pm可以是图1a的第一像素组pg1的一部分，辅助子像素pa可以是图1a的第二像素组pg2的一部分。
73.透射部ta可以布置在组件区域ca中，显示元件不布置在透射部ta中。透射部ta可以包括从组件comp发射的光/信号或入射到组件comp的光/信号穿过其的区域，组件comp与组件区域ca对应。
74.底部金属层bml可以布置在组件区域ca中。底部金属层bml可以布置为与辅助薄膜晶体管tfta下方对应。底部金属层bml可以阻挡外部光到达辅助薄膜晶体管tfta。根据一些示例实施例，恒定的电压或信号可以施加到底部金属层bml，以防止或减少由于静电放电引起的对像素电路的损坏。底部金属层bml可以布置在组件区域ca中。根据情况，不同的电压可以施加到底部金属层bml。一个底部金属层bml可以布置在组件区域ca中，底部金属层bml包括与透射部ta对应的孔。虽然在图2a中示出了底部金属层bml布置在基底100上，但是根据一些示例实施例，底部金属层bml可以插入到基底100中。
75.显示元件层edl可以被薄膜封装层tfel覆盖或被密封基底ens覆盖。根据一些示例实施例，如图2a中所示，薄膜封装层tfel可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。根据一些示例实施例，薄膜封装层tfel可以包括第一无机封装层131、有机封装层132和第二无机封装层133。
76.根据一些示例实施例，如图2b中所示，密封基底ens可以面对基底100，并且显示元件层edl位于密封基底ens与基底100之间。间隙可以存在于密封基底ens与显示元件层edl之间。密封基底ens可以包括玻璃。密封剂可以布置在基底100与密封基底ens之间，密封剂包括玻璃料。密封剂可以布置在图1a中所示的非显示区域nda中。布置在非显示区域nda中且围绕显示区域da的密封剂可以防止或减少湿气渗透到显示区域da中的情况。根据一些示例实施例，可以同时地采用图2a的薄膜封装层tfel和图2b的密封基底ens。
77.触摸屏层tsl可以感测外部输入(例如，与触摸事件对应的坐标信息)。触摸屏层tsl可以包括触摸电极和触摸布线，触摸布线连接到触摸电极。触摸屏层tsl可以通过使用自电容法或互电容法来检测外部输入。
78.触摸屏层tsl可以形成在薄膜封装层tfel上。可选地，触摸屏层tsl可以单独地形成在触摸屏上，然后通过诸如光学透明粘合剂的粘合剂层结合到薄膜封装层tfel。根据一些示例实施例，如图2a至图2d中所示，触摸屏层tsl可以直接形成在密封构件encm正上。在这种情况下，粘合剂层可以不布置在触摸屏层tsl与密封构件encm之间。
79.光学功能层ofl可以包括防反射层。防反射层可以减少从外部朝向显示设备1入射的光(外部光)的反射。
80.根据一些示例实施例，光学功能层ofl可以包括偏振膜。光学功能层ofl可以包括与透射部ta对应的开口ofl_op。因此，可以显著地改善透射部ta的透光率。诸如光学透明树脂(ocr)的透明材料可以填充与透射部ta对应的开口ofl_op。
81.根据一些示例实施例，如图2c中所示，光学功能层ofl可以包括包含黑矩阵和滤色
器的过滤板180。过滤板180可以包括基体层181、基体层181上的滤色器182、黑矩阵183和覆层184。
82.可以通过考虑从显示面板10的像素发射的光的颜色来布置滤色器182。例如，根据从有机发光二极管(即，主有机发光二极管oledm和辅助有机发光二极管oleda)发射的光的颜色，滤色器182可以具有红色、绿色或蓝色。在透射部ta中没有滤色器182和黑矩阵183。例如，包括滤色器182和黑矩阵183的层可以包括与透射部ta对应的开口183op。覆层184的一部分可以至少部分地填充开口183op。覆层184可以包括诸如树脂的有机材料，有机材料可以是透明的。
83.根据一些示例实施例，组件comp可以附着在显示面板10的底部上。另外，如图2d中所示，面板保护构件pb可以包括保护层py、阻光层lby、垫层cy和散热层hsy。保护层py可以附着在基底100的底表面上，以保护基底100免受外部的影响。例如，保护层py可以吸收来自外部的物理冲击或阻挡外来物质或湿气等渗透到显示层disl中。保护层py可以以膜形式涂覆或附着在基底100的底表面上。
84.根据一些示例实施例，保护层py可以包括阻挡紫外线(uv)的材料。例如，保护层py可以包括基体树脂、uv吸收剂和无机颗粒。uv吸收剂和无机颗粒可以分散在基体树脂中。基体树脂可以包括丙烯酸酯类树脂，并且包括例如聚氨酯丙烯酸酯。然而，根据本公开的实施例不限于此，光学透明且可以分散uv吸收剂和无机颗粒的基体树脂可以用于保护层而没有限制。
85.例如，uv吸收剂可以包括苯并三唑类化合物、二苯甲酮类化合物、水杨酸类化合物、水杨酸酯类化合物、氰基丙烯酸酯类化合物、肉桂酸酯类化合物、草酰苯胺类化合物、聚苯乙烯类化合物、甲亚胺类化合物和三嗪类化合物中的至少一种。
86.阻光层lby可以布置在保护层py的底表面上，垫层cy可以布置在阻光层lby的底表面上。阻光层lby可以包括布置在保护层py与垫层cy之间的双面粘合剂。另外，阻光层lby可以设置为黑色层以吸收外部光。如上所述，阻光层lby可以包括可以吸收外部光的各种材料。
87.垫层cy可以附着在阻光层lby的底表面上，以从外部保护显示面板10。垫层cy可以包括具有弹性的材料，并且设置为例如海绵或橡胶等。
88.散热层hsy可以布置在垫层cy下面。散热层hsy可以包括第一散热层和第二散热层，第一散热层包括石墨或碳纳米管等，第二散热层阻挡电磁波且包括包含具有优异的导电性的铜、镍、铁素体(ferrite)和/或银的金属薄膜。
89.面板保护构件pb可以包括与组件区域ca对应的开口pb_op，组件comp可以布置在开口pb_op内。
90.组件comp可以安装在封装件compsp中，封装件compsp可以通过使用粘合构件comprs附着在基底100的底表面上。封装件compsp可以包括电连接到组件comp的控制电路。
91.根据一些示例实施例，光学透明树脂ocr可以填充在组件comp与基底100的底表面之间。光学透明树脂ocr可以具有光学透明性以使入射到组件comp的光的损失最小化。
92.粘合构件comprs可以将封装件compsp固定到基底100的底表面。粘合构件comprs可以包括树脂。即，树脂布置为接触封装件compsp和基底100的底表面，然后可以执行通过uv的硬化操作。粘合构件comprs可以包括吸光材料。
93.可选地，根据一些示例实施例，如图2a至图2c中所示，组件comp可以与显示面板10分开。在这种情况下，组件comp可以附着且固定到显示设备1的底盖等。
94.组件comp可以包括使用光或声音的电子元件。例如，电子元件可以包括被构造为测量距离的传感器(诸如接近传感器)、被构造为识别用户的身体的一部分(例如，指纹、虹膜和面部)的传感器、被构造为输出光的小灯以及被构造为捕获图像的图像传感器(例如，相机)。使用光的电子元件可以使用诸如可见光、红外光和紫外光的各种波长带内的光。使用声音的电子元件可以使用超声波中的声音或其它频带内的声音。
95.根据一些示例实施例，组件comp可以包括诸如光发射器和光接收器的子组件。光发射器和光接收器可以设置为一个整体，或者具有物理地分开的结构的一对光发射器和光接收器可以构成一个组件comp。
96.图3是根据一些示例实施例的显示面板10的平面图。
97.显示面板10可以包括布置在基底100之上的像素组。基底100可以包括显示区域da、组件区域ca和非显示区域nda。例如，显示面板10可以包括第一像素组pg1和第二像素组pg2，第一像素组pg1布置在显示区域da中，第二像素组pg2布置在组件区域ca中。
98.根据一些示例实施例，显示区域da的面积可以与组件区域ca的面积不同。例如，显示区域da的面积可以比组件区域ca的面积大。
99.第一像素组pg1可以二维地布置在显示区域da中。第二像素组pg2可以二维地布置在组件区域ca中。另外，透射部ta可以布置在组件区域ca中。
100.非显示区域nda可以完全地围绕显示区域da。扫描驱动器、数据驱动器等可以布置在非显示区域nda中。垫部230可以布置在非显示区域nda中。垫部230可以邻近基底100的一个边缘。垫部230可以通过不被绝缘层覆盖而暴露，并且电连接到柔性印刷电路板fpcb。柔性印刷电路板fpcb可以将控制器电连接到垫部230且供应从控制器传输的信号或电力。根据一些示例实施例，数据驱动器可以布置在柔性印刷电路板fpcb上。为了将信号或电压从柔性印刷电路板fpcb传输到第一像素组pg1和第二像素组pg2，垫部230可以连接到多条布线。
101.第一像素组pg1的主子像素和第二像素组pg2的辅助子像素可以均从有机发光二极管发射具有预设的颜色的光。每个有机发光二极管可以发射例如红光、绿光或蓝光。每个有机发光二极管可以连接到包括薄膜晶体管和存储电容器的像素电路。
102.图4是根据一些示例实施例的显示设备1的连接到有机发光二极管oled的像素电路pc的等效电路图。
103.参照图4，有机发光二极管oled可以电连接到像素电路pc。像素电路pc可以包括驱动薄膜晶体管t1、开关薄膜晶体管t2和存储电容器cst。
104.开关薄膜晶体管t2可以连接到扫描线sl和数据线dl，并且可以基于从扫描线sl输入的开关电压或开关信号sn将数据电压或数据信号dm传输到驱动薄膜晶体管t1，数据电压或数据信号dm从数据线dl输入。存储电容器cst连接到开关薄膜晶体管t2和驱动电压线pl，并且存储与从开关薄膜晶体管t2传输的电压与供应到驱动电压线pl的第一电力电压elvdd之间的差对应的电压。
105.驱动薄膜晶体管t1连接到驱动电压线pl和存储电容器cst，并且可以响应于存储在存储电容器cst中的电压来控制从驱动电压线pl流过有机发光二极管oled的驱动电流。
有机发光二极管oled可以根据驱动电流发射具有一定亮度的光。有机发光二极管oled的对电极(例如，阴极)可以接收第二电力电压elvss。
106.虽然在图4中示出了像素电路pc包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量可以根据像素电路pc的设计进行各种修改。例如，像素电路pc可以包括三个、四个、五个或更多个薄膜晶体管。
107.图5是图3的区域a的放大图。图6是根据一些示例实施例的基本单元u的平面图。
108.参照图5，基底可以包括显示区域da和组件区域ca。第一像素组pg1可以布置在显示区域da中，第二像素组pg2和透射部ta可以布置在组件区域ca中。
109.第一像素组pg1可以被限定为其中基于预设组合多个主子像素pm的子像素聚合体。在本说明书中，子像素表示作为被构造为显示图像的最小单元的发射区域。在有机发光二极管用作显示元件的情况下，发射区域可以由像素限定层的开口限定。这在下面描述。
110.一个第一像素组pg1可以包括以pentile结构布置的8个主子像素pm。例如，一个第一像素组pg1可以包括2个红色子像素pr、4个绿色子像素pg和2个蓝色子像素pb。根据一些示例实施例，红色子像素pr、绿色子像素pg和蓝色子像素pb可以以条纹型布置在第一像素组pg1中。可以进行各种布置。根据一些示例实施例，蓝色子像素pb和红色子像素pr可以比绿色子像素pg大。根据一些示例实施例，第一像素组pg1还可以包括白色子像素。
111.第二像素组pg2可以被限定为其中基于预设组合多个辅助子像素pa的子像素聚合体。例如，一个第二像素组pg2可以包括以pentile结构布置的8个辅助子像素pa。即，一个第二像素组pg2可以包括2个红色子像素pr、4个绿色子像素pg和2个蓝色子像素pb。根据一些示例实施例，红色子像素pr、绿色子像素pg和蓝色子像素pb可以以条纹型布置在第二像素组pg2中。可以进行各种布置。根据一些示例实施例，第二像素组pg2还可以包括白色子像素。
112.透射部ta可以在组件区域ca中布置为多个。第二像素组pg2和透射部ta在x方向和y方向上交替地布置，例如，以网格构造布置。在这种情况下，多个第二像素组pg2和多个透射部ta可以布置在组件区域ca中。
113.基本单元u可以在x方向和/或y方向上重复地布置在组件区域ca中，预设数量的第二像素组pg2和预设数量的透射部ta组合在基本单元u中。基本单元u可以具有其中两个第二像素组pg2和布置在两个第二像素组pg2周围的两个透射部ta组合为四边形的形状。基本单元u包括被划分的重复形状，并且不意指构造的断开。
114.对应的单元u'可以设定在显示区域da中，对应的单元u'具有与基本单元u的面积相同的面积。在这种情况下，包括在对应的单元u'中的主子像素pm的数量可以比包括在基本单元u中的辅助子像素pa的数量大。即，包括在基本单元u中的辅助子像素pa的数量是16，包括在对应的单元u'中的主子像素pm的数量是32。每相同面积内的辅助子像素pa的数量和主子像素pm的数量(即，针对具有相同面积的两个区域，在具有该面积的一区域内的辅助子像素pa的数量与在具有该面积的另一区域内的主子像素pm的数量)可以以1:2的比例设置。根据一些示例实施例，每相同面积内的辅助子像素pa的数量和主子像素pm的数量可以以1:4或1:16的比例设置。然而，根据本公开的实施例不限于此。
115.图5中所示的辅助子像素pa的布置结构是pentile结构，其中分辨率是显示区域da的分辨率的1/2的组件区域ca的像素布置结构被命名为1/2pentile结构。可以根据组件区
域ca的分辨率来修改包括在第二像素组pg2中的辅助子像素pa的数量或辅助子像素pa的布置。
116.参照图6，组件区域ca的像素布置结构可以包括1/4pentile结构。根据一些示例实施例，虽然8个辅助子像素pa以pentile结构布置在第二像素组pg2中，但是基本单元u可以仅包括一个第二像素组pg2。基本单元u的其余区域可以设置为透射部ta。因此，每相同面积内的辅助子像素pa的数量和主子像素pm的数量可以以1:4的比例设置。在这种情况下，一个第二像素组pg2可以被透射部ta围绕。
117.可以如下表示pentile结构，在pentile结构中：红色子像素pr分别布置在虚拟四边形vs的顶点之中的第一顶点和第三顶点上且绿色子像素pg以四边形的中心为中心，蓝色子像素pb分别布置在作为其余顶点的第二顶点和第四顶点上。在这种情况下，虚拟四边形vs可以被不同地修改为矩形、菱形、正方形等。pentile结构可以由于通过共享相邻的像素应用呈现颜色的渲染来以少量像素实现高分辨率。
118.图7a和图7b是根据一些示例实施例的基本单元u的平面图。在图7a和图7b中，因为与图6的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，所以可以省略其一些重复描述。
119.参照图7a和图7b，透射部ta可以围绕第二像素组pg2。另外，8个辅助子像素pa可以布置在第二像素组pg2中。例如，第二像素组pg2可以包括两个红色子像素pr、四个绿色子像素pg和两个蓝色子像素pb。
120.根据一些示例实施例，八个辅助子像素pa可以相对于第二像素组pg2的中心pgc2对称地布置。例如，红色子像素pr和蓝色子像素pb可以布置在第一列1m上，四个绿色子像素pg可以在第二列2m上彼此分开。另外，蓝色子像素pb和红色子像素pr可以布置在第三列3m上。在这种情况下，第一列1m上的红色子像素pr和第三列3m上的红色子像素pr可以相对于第二像素组pg2的中心pgc2对称。第一列1m上的蓝色子像素pb和第三列3m上的蓝色子像素pb可以相对于第二像素组pg2的中心pgc2对称。第二列2m上的绿色子像素pg可以相对于第二像素组pg2的中心pgc2对称。
121.根据一些示例实施例，蓝色子像素pb在y方向上的长度可以比红色子像素pr在y方向上的长度大。蓝色子像素pb在y方向上的长度可以等于或大于两个绿色子像素pg在y方向上的长度的和。
122.参照图7a，辅助子像素pa可以具有包括长边和短边的四边形形状。例如，蓝色子像素pb和红色子像素pr可以具有具备在x方向上的短边和在y方向上的长边的四边形形状。绿色子像素pg可以具有具备在x方向上的长边和在y方向上的短边的四边形形状。
123.参照图7b，多个辅助子像素pa中的一个在平面图中可以具有四边形形状，另一个在平面图中可以具有五边形形状。例如，在平面图中，绿色子像素pg可以具有具备长边和短边的四边形形状，红色子像素pr和/或蓝色子像素pb可以具有五边形形状。在这种情况下，红色子像素pr和/或蓝色子像素pb可以具有在与x方向或y方向交叉的方向上的边。这样的边可以面对透射部ta。在另一示例中，多个辅助子像素pa中的一些在平面图中可以是n边形(n是6或更大的整数)。在这种情况下，因为可以减小基本单元u的被第二像素组pg2占据的面积且可以增大透射部ta的面积，所以可以改善透光率。
124.图8是根据一些示例实施例的显示面板10的一部分的剖视图。
125.参照图8，显示面板10可以包括显示区域da和组件区域ca。主子像素pm可以布置在
显示区域da中，辅助子像素pa和透射部ta可以布置在组件区域ca中。作为显示元件的主有机发光二极管oledm以及包括主薄膜晶体管tftm和主存储电容器cstm的主像素电路pcm可以布置在显示区域da中，显示元件连接到主像素电路pcm。作为显示元件的辅助有机发光二极管oleda以及包括辅助薄膜晶体管tfta和辅助存储电容器csta的辅助像素电路pca可以布置在组件区域ca中，显示元件连接到辅助像素电路pca。
126.在下文中，描述其中堆叠有包括在显示面板10中的元件的结构。在显示面板10中，可以堆叠基底100、缓冲层111、像素电路层pcl和显示元件层edl。在这种情况下，显示区域da和组件区域ca可以限定在基底100、缓冲层111、像素电路层pcl和显示元件层edl中的每个中。
127.如上所述，基底100可以包括诸如玻璃、石英和聚合物树脂的绝缘材料。基底100可以包括刚性基底或者可弯曲、可折叠和可卷曲的柔性基底。
128.缓冲层111可以布置在基底100上以减少或阻挡外来物质或外部空气从基底100下方的渗透，并且可以在基底100上提供平坦表面。缓冲层111可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或有机/无机复合材料，并且包括包含无机材料和有机材料的单层或多层。阻挡层还可以布置在基底100与缓冲层111之间，阻挡层阻挡外部空气的渗透。根据一些示例实施例，缓冲层111可以包括氧化硅(sio2)或氮化硅(sin
x
)。根据一些示例实施例，缓冲层111可以包括堆叠的第一缓冲层111a和第二缓冲层111b。
129.底部金属层bml可以在组件区域ca中布置在第一缓冲层111a与第二缓冲层111b之间。根据一些示例实施例，底部金属层bml可以布置在基底100与第一缓冲层111a之间。根据一些示例实施例，底部金属层bml可以插入到基底100中。
130.根据一些示例实施例，底部金属层bml也可以布置在显示区域da中。在这种情况下，底部金属层bml可以布置在主薄膜晶体管tftm下方。根据一些示例实施例，底部金属层bml可以不布置在第一半导体层a1下方。在下文中，为了便于描述，主要详细描述底部金属层bml布置在主薄膜晶体管tftm下方的情况。
131.底部金属层bml可以布置在辅助像素电路pca下方，以防止或减少辅助薄膜晶体管tfta的特性因从组件等发射的光而劣化。另外，底部金属层bml可以防止或减少光通过连接到辅助像素电路pca的布线之间的窄间隙衍射，所述光从组件发射或朝向组件行进。在透射部ta中不存在底部金属层bml。即，底部金属层bml可以包括与透射部ta对应的底孔bmlh。
132.底部金属层bml可以通过接触孔连接到布置在不同的层上的布线gcl。底部金属层bml可以从布线gcl接收恒定的电压或信号。例如，底部金属层bml可以接收第一电力电压或扫描信号。因为底部金属层bml接收恒定的电压或信号，所以可以显著地减小静电放电发生的可能性。底部金属层bml可以包括铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)和/或铜(cu)。底部金属层bml可以包括包含以上材料的单层或多层。
133.像素电路层pcl可以布置在缓冲层111上，并且可以包括像素电路pcm和pca、无机绝缘层il和有机绝缘层117。根据一些示例实施例，无机绝缘层il可以包括第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115。根据一些示例实施例，有机绝缘层117可以包括第一有机绝缘层117a和第二有机绝缘层117b。主像素电路pcm可以包括主薄膜晶体管tftm和主存储电容器cstm。辅助像素电路pca可以包括辅助薄膜晶体管tfta和辅助存储电容器
csta。
134.主薄膜晶体管tftm和辅助薄膜晶体管tfta可以布置在缓冲层111上。主薄膜晶体管tftm包括第一半导体层a1、第一栅电极g1、第一源电极s1和第一漏电极d1。辅助薄膜晶体管tfta可以包括第二半导体层a2、第二栅电极g2、第二源电极s2和第二漏电极d2。主薄膜晶体管tftm可以连接到主有机发光二极管oledm，以驱动主有机发光二极管oledm。辅助薄膜晶体管tfta可以连接到辅助有机发光二极管oleda，以驱动辅助有机发光二极管oleda。
135.第一半导体层a1和第二半导体层a2可以布置在缓冲层111上，并且可以包括多晶硅。根据一些示例实施例，第一半导体层a1和第二半导体层a2可以包括非晶硅。根据一些示例实施例，第一半导体层a1和第二半导体层a2可以包括铟(in)、镓(ga)、锡(sn)、锆(zr)、钒(v)、铪(hf)、镉(cd)、锗(ge)、铬(cr)、钛(ti)和锌(zn)中的至少一种的氧化物。第一半导体层a1和第二半导体层a2中的每个可以包括沟道区、源区和漏区，源区和漏区掺杂有杂质。
136.第一半导体层a1可以与底部金属层bml叠置，并且第二缓冲层111b位于第一半导体层a1与底部金属层bml之间。根据一些示例实施例，第一半导体层a1的宽度可以比底部金属层bml的宽度小，因此，当在与基底100垂直的方向上投影时，第一半导体层a1可以与底部金属层bml完全地叠置。根据一些示例实施例，底部金属层bml可以布置为与显示区域da的一部分对应。可选地，底部金属层bml可以布置为与整个显示区域da对应。可选地，底部金属层bml可以与组件区域ca的底部金属层bml结合形成为一个整体。恒定的电压或信号可以施加到底部金属层bml，因此，可以防止或减少由于静电放电引起的对主像素电路pcm的损坏。
137.第二半导体层a2可以与底部金属层bml叠置，并且第二缓冲层111b位于第二半导体层a2与底部金属层bml之间。根据一些示例实施例，第二半导体层a2的宽度可以比底部金属层bml的宽度小，因此，当在与基底100垂直的方向上投影时，第二半导体层a2可以与底部金属层bml完全地叠置。
138.第一栅极绝缘层112可以覆盖第一半导体层a1和第二半导体层a2。第一栅极绝缘层112可以包括诸如氧化硅(sio2)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)或氧化锌(zno)的无机绝缘材料。第一栅极绝缘层112可以包括包含以上无机绝缘材料的单层或多层。
139.第一栅电极g1和第二栅电极g2布置在第一栅极绝缘层112上，以分别与第一半导体层a1和第二半导体层a2叠置。第一栅电极g1和第二栅电极g2可以包括钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和钛(ti)中的至少一种，并且可以包括单层或多层结构。例如，第一栅电极g1和第二栅电极g2可以包括单个mo层。
140.第二栅极绝缘层113可以覆盖第一栅电极g1和第二栅电极g2。第二栅极绝缘层113可以包括诸如氧化硅(sio2)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)或氧化锌(zno)的无机绝缘材料。第二栅极绝缘层113可以包括包含以上无机绝缘材料的单层或多层。
141.主存储电容器cstm的第一顶电极ce2和辅助存储电容器csta的第二顶电极ce2'可以布置在第二栅极绝缘层113上。
142.在显示区域da中，第一顶电极ce2可以与其下方的第一栅电极g1叠置。彼此叠置且第二栅极绝缘层113位于其间的第一栅电极g1和第一顶电极ce2可以构成主存储电容器cstm。第一栅电极g1可以用作主存储电容器cstm的第一底电极ce1。
143.在组件区域ca中，第二顶电极ce2'可以与其下方的第二栅电极g2叠置。彼此叠置且第二栅极绝缘层113位于其间的第二栅电极g2和第二顶电极ce2'可以构成辅助存储电容器csta。第二栅电极g2可以用作辅助存储电容器csta的第二底电极ce1'。
144.第一顶电极ce2和第二顶电极ce2'可以包括铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)和/或铜(cu)，并且包括包含以上材料的单层或多层。
145.层间绝缘层115可以覆盖第一顶电极ce2和第二顶电极ce2'。层间绝缘层115可以包括氧化硅(sio2)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)或氧化锌(zno)。层间绝缘层115可以包括包含以上无机绝缘材料的单层或多层。
146.无机绝缘层il可以包括与透射部ta对应的绝缘层开口il_op。绝缘层开口il_op可以暴露缓冲层111的顶表面的一部分或基底100的顶表面100us的一部分。绝缘层开口il_op可以包括彼此叠置且与透射部ta对应的第一栅极绝缘层112的开口、第二栅极绝缘层113的开口和层间绝缘层115的开口。开口可以通过单独的工艺单独地形成，或者通过同一工艺同时地形成。在通过单独的工艺形成开口的情况下，绝缘层开口il_op的内表面可能不平滑且可能具有阶梯状台阶差。与此不同，根据一些示例实施例，无机绝缘层il可以包括凹槽，而不是绝缘层开口il_op。
147.源电极s1和s2以及漏电极d1和d2布置在层间绝缘层115上。源电极s1和s2以及漏电极d1和d2可以包括包含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和/或钛(ti)的导电材料，并且包括包含以上材料的单层或多层。例如，源电极s1和s2以及漏电极d1和d2可以具有ti/al/ti的多层结构。
148.第一有机绝缘层117a可以覆盖源电极s1和s2以及漏电极d1和d2。第一有机绝缘层117a的一部分可以具有平坦的顶表面。另外，第一有机绝缘层117a可以包括与透射部ta对应的第一开口op1。第一开口op1可以暴露缓冲层111的顶表面的一部分或基底100的顶表面100us的一部分。根据一些示例实施例，第一开口op1的尺寸opd1可以比绝缘层开口il_op的尺寸il_opd小。第一开口op1的尺寸opd1可以被限定为第一有机绝缘层117a的彼此面对的表面之间的最短距离。绝缘层开口il_op的尺寸il_opd可以被限定为无机绝缘层il的彼此面对的表面之间的最短距离。因此，第一有机绝缘层117a可以覆盖绝缘层开口il_op的内表面。根据一些示例实施例，可以省略第一有机绝缘层117a。
149.第一有机绝缘层117a可以包括通用聚合物(诸如苯并环丁烯(bcb)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(hmdso)、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps))、具有酚基类基团的聚合物衍生物、丙烯酰类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物或乙烯醇类聚合物。
150.第二有机绝缘层117b可以布置在第一有机绝缘层117a上。第二有机绝缘层117b可以包括与透射部ta对应的第二开口op2。开口op包括第一开口op1和第二开口op2。第二开口op2可以暴露缓冲层111的顶表面的一部分或基底100的顶表面100us的一部分。根据一些示例实施例，第二开口op2的尺寸opd2可以比第一开口op1的尺寸opd1大。第二开口op2的尺寸opd2可以被限定为第二有机绝缘层117b的彼此面对的表面之间的最短距离。因此，第二开口op2可以暴露基底100和无机绝缘层il的一部分、缓冲层111的一部分以及第一有机绝缘
层117a的一部分。
151.根据一些示例实施例，第二有机绝缘层117b可以在显示区域da中具有平坦的顶表面，并且在组件区域ca中包括平坦化区域pa。平坦化区域pa包括第二有机绝缘层117b的平坦的顶表面。另外，在组件区域ca中，第二有机绝缘层117b可以包括具有在从平坦化区域pa到第二开口op2的方向上减小的厚度的减小区域ra。第二有机绝缘层117b的顶表面可以包括在减小区域ra中的弯曲部。可选地，减小区域ra中的第二有机绝缘层117b的顶表面可以是不平坦的。根据一些示例实施例，减小区域ra可以布置在第一有机绝缘层117a的平坦的顶表面上。可选地，减小区域ra可以形成在第一有机绝缘层117a的不平坦的顶表面上。
152.第二有机绝缘层117b可以包括通用聚合物(诸如苯并环丁烯(bcb)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(hmdso)、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps))、具有酚基类基团的聚合物衍生物、丙烯酰类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物或乙烯醇类聚合物。
153.根据一些示例实施例，第二有机绝缘层117b包括与透射部ta对应的第二开口op2。由于包括在第二有机绝缘层117b中的有机材料本身的粘性，可以形成减小区域ra。因此，第二有机绝缘层117b的一部分可以是不平坦的。
154.连接金属cm和cm'可以布置在第一有机绝缘层117a与第二有机绝缘层117b之间。连接金属cm和cm'可以通过第一有机绝缘层117a的接触孔分别连接到薄膜晶体管(即，主薄膜晶体管tftm和辅助薄膜晶体管tfta)。连接金属cm和cm'可以包括包含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和/或钛(ti)的导电材料，并且包括包含以上材料的单层或多层。例如，连接金属cm和cm'可以具有ti/al/ti的多层结构。
155.显示元件层edl可以布置在第二有机绝缘层117b上。显示元件层edl可以包括像素限定层119和有机发光二极管(即，主有机发光二极管oledm和辅助有机发光二极管oleda)。有机发光二极管(即，主有机发光二极管oledm和辅助有机发光二极管oleda)可以包括第一像素电极121和第二像素电极121'。第一像素电极121和第二像素电极121'可以通过布置在第一有机绝缘层117a上的连接金属cm和cm'连接到像素电路(即，主像素电路pcm和辅助像素电路pca)。
156.第一像素电极121和第二像素电极121'可以布置在第二有机绝缘层117b上。第一像素电极121和第二像素电极121'可以包括诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)或氧化铝锌(azo)的导电氧化物。第一像素电极121和第二像素电极121'可以包括包含银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)或它们的化合物的反射层。例如，第一像素电极121和第二像素电极121'可以具有包括在反射层上/下面的包括ito、izo、zno或in2o3的层的结构。在这种情况下，第一像素电极121和第二像素电极121'可以具有堆叠的ito/ag/ito的结构。
157.像素限定层119可以覆盖第二有机绝缘层117b上的第一像素电极121和第二像素电极121'的边缘，并且包括暴露第一像素电极121和第二像素电极121'的中心部分的开口119opm和119opa。有机发光二极管(即，主有机发光二极管oledm和辅助有机发光二极管oleda)的发射区域可以由开口119opm和119opa限定，发射区域对应于主子像素pm和辅助子像素pa的尺寸和形状。
158.根据一些示例实施例，在组件区域ca中，像素限定层119的一部分可以布置在减小
区域ra中，像素限定层119的一部分可以布置在平坦化区域pa中。在这种情况下，布置在减小区域ra中的像素限定层119的第一厚度t1可以比布置在平坦化区域pa中的像素限定层119的第二厚度t2小。在这种情况下，第一厚度t1可以被限定为减小区域ra中的第二有机绝缘层117b的顶表面与减小区域ra中的像素限定层119的顶表面之间的距离的最大值。当像素限定层119形成在减小区域ra中时，像素限定层119可以在减小区域ra中硬化。在这种情况下，当减小区域ra中的像素限定层119硬化时，可以在朝向第二开口op2的方向上发生回流，因此，像素限定层119的厚度可以减小。因此，第一厚度t1可以比第二厚度t2小。
159.另外，与有机绝缘层117类似，像素限定层119可以包括与透射部ta对应的开口。
160.像素限定层119可以包括诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、hmdso和酚醛树脂的有机绝缘材料。
161.根据一些示例实施例，间隔件spc还可以在显示区域da中布置在像素限定层119上。即，间隔件spc可以与显示区域da叠置。间隔件spc可以包括与像素限定层119的材料相同的材料。即，根据一些示例实施例，间隔件spc可以与像素限定层119设置为一个整体。在结合顶部基底的情况下和/或在执行使用掩模的工艺的情况下，间隔件spc可以防止或减少有机发光二极管(即，主有机发光二极管oledm和辅助有机发光二极管oleda)被损坏的情况。
162.根据一些示例实施例，从基底100的顶表面100us到间隔件spc的顶表面的第一距离d1可以比从基底100的顶表面100us到布置在平坦化区域pa中的像素限定层119的顶表面的第二距离d2大。在这种情况下，第一距离d1可以被限定为从基底100的顶表面100us到间隔件spc的顶表面的最大竖直距离，第二距离d2可以被限定为从基底100的顶表面100us到布置在平坦化区域pa中的像素限定层119的顶表面的最大竖直距离。另外，根据一些示例实施例，第二距离d2可以比从基底100的顶表面100us到显示区域da中的像素限定层119的顶表面的第三距离d3大。因此，布置在平坦化区域pa中的像素限定层119可以用作组件区域ca中的间隔件spc。
163.另外，从基底100的顶表面100us到布置在减小区域ra中的像素限定层119的顶表面的距离d可以比从基底100的顶表面100us到布置在平坦化区域pa中的像素限定层119的顶表面的第二距离d2小。在这种情况下，距离d可以被限定为从基底100的顶表面100us到布置在减小区域ra中的像素限定层119的顶表面的最大竖直距离。根据一些示例实施例，从基底100的顶表面100us到布置在减小区域ra中的像素限定层119的顶表面的距离d可以与从基底100的顶表面100us到布置在显示区域da中的像素限定层119的顶表面的第三距离d3相同。
164.像素限定层119可以通过增加第一像素电极121和第二像素电极121'与在第一像素电极121和第二像素电极121'之上的对电极123的边缘之间的距离来防止或减少在像素电极(即，第一像素电极121和第二像素电极121')的边缘处发生电弧等的情况。像素限定层119可以包括诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、hmdso和酚醛树脂的有机绝缘材料，并且通过使用旋涂等形成。
165.根据一些示例实施例，间隔件spc可以与像素限定层119同时地形成。例如，间隔件spc和像素限定层119可以通过使用半色调掩模形成在显示区域da中，像素限定层119可以通过使用全色调掩模形成在组件区域ca中。
166.在间隔件spc和像素限定层119也通过使用半色调掩模形成在组件区域ca中的情况下，像素限定层119可以相对薄地形成在组件区域ca中，因此可能无法清晰地限定辅助有机发光二极管oleda的发射区域。即，透射部ta可以布置在组件区域ca中，无机绝缘层il、第一有机绝缘层117a、第二有机绝缘层117b和像素限定层119可以均包括开口。在这种情况下，由于第二有机绝缘层117b的减小区域ra、无机绝缘层il的绝缘层开口il_op、第一开口op1和第二开口op2，组件区域ca中的像素限定层119的厚度可以比显示区域da中的像素限定层119的厚度小。在这种情况下，当像素限定层119和间隔件spc形成在组件区域ca中时，辅助有机发光二极管oleda的发射区域未被限定，因此，可能发生从辅助有机发光二极管oleda发射的光的模糊。因此，辅助有机发光二极管oleda可能在不期望的区域中发射光。
167.根据一些示例实施例，因为像素限定层119通过使用全色调掩模而不是半色调掩模形成在组件区域ca中，所以可以清晰地限定辅助有机发光二极管oleda的发射区域。因此，可以防止或减少从辅助有机发光二极管oleda发射的光的模糊。
168.另外，因为像素限定层119通过使用全色调掩模形成在组件区域ca中，所以平坦化区域pa中的像素限定层119可以整体上用作组件区域ca的间隔件spc。因此，在执行使用掩模的工艺的情况下，可以防止或减少对辅助有机发光二极管oleda的损坏。即，可以减少辅助有机发光二极管oleda的破碎(chopping)的缺陷。
169.第一发射层122b和第二发射层122b'布置在像素限定层119的开口119opm和119opa内，第一发射层122b和第二发射层122b'分别与第一像素电极121和第二像素电极121'对应。第一发射层122b和第二发射层122b'可以包括聚合物材料或低分子量材料，并且发射红光、绿光、蓝光或白光。
170.有机功能层122e可以布置在第一发射层122b和第二发射层122b'上以及/或者下面。有机功能层122e可以包括第一功能层122a和/或第二功能层122c。可以省略第一功能层122a或第二功能层122c。
171.第一功能层122a可以布置在第一发射层122b和第二发射层122b'下面。第一功能层122a可以包括包含有机材料的单层或多层。第一功能层122a可以包括具有单层结构的空穴传输层(htl)。可选地，第一功能层122a可以包括空穴注入层(hil)和htl。第一功能层122a可以形成为一个整体以与布置在显示区域da和组件区域ca中的有机发光二极管(即，主有机发光二极管oledm和辅助有机发光二极管oleda)对应。
172.第二功能层122c可以布置在第一发射层122b和第二发射层122b'上。第二功能层122c可以包括包含有机材料的单层或多层。第二功能层122c可以包括电子传输层(etl)和/或电子注入层(eil)。第二功能层122c可以形成为一个整体以与布置在显示区域da和组件区域ca中的有机发光二极管(即，主有机发光二极管oledm和辅助有机发光二极管oleda)对应。
173.对电极123可以布置在第二功能层122c上。对电极123可以包括具有小逸出功的导电材料。例如，对电极123可以包括包含银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)或它们的合金的(半)透明层。可选地，对电极123可以包括在包括以上材料的(半)透明层上的包括ito、izo、zno或in2o3的层。对电极123可以形成为一个整体以与包括在显示区域da和组件区域ca中的有机发光二极管(即，主有机发光二极管oledm和辅助有机发光二极管oleda)对应。
174.在显示区域da中从第一像素电极121到对电极123的层可以构成主有机发光二极管oledm。在组件区域ca中从第二像素电极121'到对电极123的层可以构成辅助有机发光二极管oleda。
175.根据一些示例实施例，顶层可以形成在对电极123上，顶层包括有机材料。顶层可以包括被构造为保护对电极123且提高光提取效率的层。顶层可以包括具有比对电极123的折射率高的折射率的有机材料。可选地，顶层可以包括堆叠的具有不同的折射率的层。例如，顶层可以包括堆叠的高折射率层/低折射率层/高折射率层。在这种情况下，高折射率层的折射率可以是1.7或更大，低折射率层的折射率可以是1.3或更小。顶层还可以包括氟化锂(lif)。可选地，顶层还可以包括诸如氮化硅(sin
x
)和氧化硅(sio2)的无机绝缘材料。
176.第一功能层122a、第二功能层122c和对电极123可以包括与透射部ta对应的透射孔tah。即，第一功能层122a、第二功能层122c和对电极123中的每个可以包括与透射部ta对应的开口。由于透射孔tah，对电极123的一部分从透射部ta去除。由此，可以显著地增加透射部ta的透光率。
177.另外，显示面板10可以包括布置在不同的层上的第一布线wl1和第二布线wl2。第一布线wl1可以布置在第一栅极绝缘层112上，第一栅极绝缘层112是与第一栅电极g1和第二栅电极g2相同的层。第二布线wl2可以布置在第二栅极绝缘层113上，第二栅极绝缘层113是与顶电极(即，主存储电容器cstm的第一顶电极ce2和和辅助存储电容器csta的第二顶电极ce2')相同的层。另外，根据一些示例实施例，布线也可以布置在层间绝缘层115上。这些布线可以用作扫描线、驱动电压线和数据线中的至少一条。第一布线wl1和第二布线wl2中的至少一条可以包括包含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和/或钛(ti)的导电材料，并且包括包含以上材料的单层或多层。第一布线wl1和第二布线wl2中的至少一条可以包括透明导电材料。
178.图9是根据一些示例实施例的显示面板10的一部分的剖视图。在图9中，因为与图8的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，所以可以省略其一些重复描述。
179.在图9中，基底100可以包括显示区域da和其中布置有透射部ta的组件区域ca。无机绝缘层il和有机绝缘层117可以布置在基底100上。作为显示元件的有机发光二极管(即，主有机发光二极管oledm和辅助有机发光二极管oleda)可以布置在有机绝缘层117上，并且可以包括像素电极(即，第一像素电极121和第二像素电极121')和对电极123。像素限定层119可以覆盖像素电极(即，第一像素电极121和第二像素电极121')的边缘，并且限定有机发光二极管(即，主有机发光二极管oledm和辅助有机发光二极管oleda)的发射区域。
180.无机绝缘层il可以包括与透射部ta对应的绝缘层开口il_op。有机绝缘层117可以包括第一有机绝缘层117a和第二有机绝缘层117b。第一有机绝缘层117a和第二有机绝缘层117b可以分别包括与透射部ta对应的第一开口op1和第二开口op2。
181.在这种情况下，在组件区域ca中，第二有机绝缘层117b可以包括平坦化区域pa和减小区域ra，减小区域ra具有在从平坦化区域pa到第二开口op2的方向上减小的厚度。像素限定层119的一部分可以布置在减小区域ra中。
182.根据一些示例实施例，第一开口op1的尺寸opd1可以比绝缘层开口il_op的尺寸il_opd大。在这种情况下，第一开口op1可以暴露无机绝缘层il的一部分。例如，第一开口op1可以暴露绝缘层开口il_op的内表面。另外，根据一些示例实施例，第一开口op1可以暴
露无机绝缘层il的顶表面的一部分。
183.图10是根据一些示例实施例的显示面板10的一部分的剖视图。在图10中，因为与图8的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，所以可以省略其一些重复描述。
184.参照图10，基底100可以包括显示区域da和其中布置有透射部ta的组件区域ca。无机绝缘层il和有机绝缘层117可以布置在基底100上。作为显示元件的有机发光二极管(即，主有机发光二极管oledm和辅助有机发光二极管oleda)可以布置在有机绝缘层117上，并且可以包括像素电极(即，第一像素电极121和第二像素电极121')和对电极123。像素限定层119可以覆盖像素电极(即，第一像素电极121和第二像素电极121')的边缘，并且限定有机发光二极管(即，主有机发光二极管oledm和辅助有机发光二极管oleda)的发射区域。
185.无机绝缘层il可以包括与透射部ta对应的绝缘层开口il_op。有机绝缘层117可以包括第一有机绝缘层117a和第二有机绝缘层117b。第一有机绝缘层117a和第二有机绝缘层117b可以分别包括与透射部ta对应的第一开口op1和第二开口op2。
186.在这种情况下，在组件区域ca中，第二有机绝缘层117b可以包括平坦化区域pa和减小区域ra，减小区域ra具有在从平坦化区域pa到第二开口op2的方向上减小的厚度。像素限定层119的一部分可以布置在减小区域ra中。
187.根据一些示例实施例，显示面板10的基底100可以包括第一基体层100a、第一无机阻挡层100b、第二基体层100c和第二无机阻挡层100d。第一基体层100a和第二基体层100c可以包括上述聚合树脂。第一无机阻挡层100b和第二无机阻挡层100d中的每个包括构造为防止或减少杂质或污染物从外部的渗透的阻挡层，并且可以包括诸如氧化硅(sio2)、氮化硅(sin
x
)和/或氮氧化硅(sion)的无机材料且具有单层结构或多层结构。在这种情况下，根据一些示例实施例，底部金属层bml可以布置在第二基体层100c与第二无机阻挡层100d之间。
188.在下文中，详细描述制造显示设备1的方法。
189.图11是示出了根据一些示例实施例的制造显示设备的方法的剖视图。图12a和图12b是示出了根据一些示例实施例的制造显示设备的方法的剖视图。图13至图16是示出了根据一些示例实施例的制造显示设备的方法的剖视图。
190.参照图11，可以准备包括显示区域da和组件区域ca的基底100，在显示区域da中布置主子像素pm，在组件区域ca中布置辅助子像素pa和透射部ta。可以在基底100之上形成主像素电路pcm和辅助像素电路pca，主像素电路pcm包括主薄膜晶体管tftm和主存储电容器cstm，辅助像素电路pca包括辅助薄膜晶体管tfta和辅助存储电容器csta。
191.可以在基底100之上形成无机绝缘层il。例如，形成布置在第一缓冲层111a与第二缓冲层111b之间的底部金属层bml，然后可以顺序地形成第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115。
192.可以通过使用化学气相沉积(cvd)、原子层沉积(ald)、等离子体增强化学气相沉积(pecvd)、高密度等离子体
‑
化学气相沉积(hdp
‑
cvd)或真空沉积来形成无机绝缘层il。
193.根据一些示例实施例，可以通过去除无机绝缘层il的一部分来形成绝缘层开口il_op，绝缘层开口il_op与透射部ta对应。因此，无机绝缘层il可以包括与透射部ta对应的绝缘层开口il_op。绝缘层开口il_op可以包括彼此叠置的第一栅极绝缘层112的开口、第二栅极绝缘层113的开口和层间绝缘层115的开口。可以通过单独的工艺单独地形成开口，或
者通过同一工艺同时地形成开口。
194.根据一些示例实施例，无机绝缘层il可以不包括与透射部ta对应的绝缘层开口il_op，并且包括与透射部ta对应的绝缘层凹槽。
195.参照图12a和图12b，可以在无机绝缘层il上形成第一有机绝缘层117a。第一有机绝缘层117a可以在组件区域ca的一部分和显示区域da中包括近似平坦的顶表面。
196.接下来，可以通过去除第一有机绝缘层117a的一部分来形成第一开口op1，第一开口op1与透射部ta对应。因此，第一有机绝缘层117a可以包括与透射部ta对应的第一开口op1。第一有机绝缘层117a可以包括暴露薄膜晶体管(即，主薄膜晶体管tftm和辅助薄膜晶体管tfta)的一部分的接触孔。根据一些示例实施例，在形成第一开口op1时，可以同时地形成接触孔。
197.接下来，可以在第一有机绝缘层117a上形成连接金属cm和cm'。连接金属cm和cm'可以分别连接到薄膜晶体管(即，主薄膜晶体管tftm和辅助薄膜晶体管tfta)。
198.参照图12a，第一开口op1的尺寸opd1可以比绝缘层开口il_op的尺寸il_opd小。在这种情况下，第一有机绝缘层117a可以覆盖绝缘层开口il_op的内表面。
199.参照图12b，第一开口op1的尺寸opd1可以比绝缘层开口il_op的尺寸il_opd大。在这种情况下，第一开口op1可以暴露无机绝缘层il的一部分。另外，第一开口op1可以暴露无机绝缘层il的顶表面的一部分。然而，为了便于描述，主要详细描述第一开口op1的尺寸opd1比绝缘层开口il_op的尺寸il_opd小的情况。
200.根据一些示例实施例，第一有机绝缘层117a可以包括与透射部ta对应的第一开口op1，因此，第一有机绝缘层117a的一部分可以是不平坦的。
201.参照图13，可以在第一有机绝缘层117a上形成第二有机绝缘层117b。第二有机绝缘层117b可以形成为在组件区域ca的一部分和显示区域da中包括近似平坦的顶表面。
202.接下来，可以通过去除第二有机绝缘层117b的一部分来形成第二开口op2，第二开口op2与透射部ta对应。因此，第二有机绝缘层117b可以包括与透射部ta对应的第二开口op2。根据一些示例实施例，第二开口op2的尺寸opd2可以比第一开口op1的尺寸opd1大。因此，第二开口op2可以暴露第一有机绝缘层117a的一部分。
203.另外，第二有机绝缘层117b可以包括暴露连接金属cm和cm'的一部分的接触孔。根据一些示例实施例，可以在形成第二开口op2的同时同时地形成接触孔。
204.根据一些示例实施例，可以在组件区域ca中形成平坦化区域pa。平坦化区域pa包括其中第二有机绝缘层117b的顶表面是平坦的的区域。另外，可以在组件区域ca中形成减小区域ra，减小区域ra具有在从平坦化区域pa到第二开口op2的方向上减小的厚度。在减小区域ra中，第二有机绝缘层117b的顶表面可以是不平坦的。根据一些示例实施例，可以在第一有机绝缘层117a的平坦的顶表面上形成减小区域ra。可选地，可以在第一有机绝缘层117a的不平坦的顶表面上形成减小区域ra。可以由于第二有机绝缘层117b的材料的粘性、无机绝缘层il的绝缘层开口il_op或第一开口op1而形成减小区域ra。
205.参照图14，可以在第二有机绝缘层117b上形成像素电极(即，第一像素电极121和第二像素电极121')。像素电极(即，第一像素电极121和第二像素电极121')可以通过第二有机绝缘层117b的接触孔分别连接到连接金属cm和cm'。可以通过由于沉积工艺形成导电层然后执行图案化工艺来形成像素电极(即，第一像素电极121和第二像素电极121')。
206.参照图15和图16，可以在显示区域da和组件区域ca中形成初始绝缘层pil。初始绝缘层pil可以包括诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、hmdso和/或酚醛树脂的有机绝缘材料。
207.初始绝缘层pil可以在显示区域da中包括近似平坦的顶表面。初始绝缘层pil可以在组件区域ca中包括不平坦的顶表面。例如，初始绝缘层pil可以在组件区域ca中包括凹槽grv。在这种情况下，凹槽grv可以与透射部ta对应。因为在组件区域ca中形成均与透射部ta对应的绝缘层开口il_op、第一开口op1和第二开口op2，所以即使当在组件区域ca中形成初始绝缘层pil时，也不会形成全部平坦的顶表面。
208.接下来，可以布置半色调掩模hm以与显示区域da对应，可以布置全色调掩模fm以与组件区域ca对应。根据一些示例实施例，半色调掩模hm可以与全色调掩模fm不同。根据一些示例实施例，半色调掩模hm可以连接到全色调掩模fm。
209.半色调掩模hm可以包括透光部tp、半透射部htp和阻光部bp。透光部tp可以透射大部分光。半透射部htp可以透射一部分光。因此，可以通过使用半透射部htp来调节曝光量。阻光部bp可以遮蔽大部分光。
210.全色调掩模fm可以包括透光部tp和阻光部bp。透光部tp可以使大部分光通过，阻光部bp可以遮蔽大部分光。
211.接下来，可以使初始绝缘层pil曝光，可以通过显影工艺去除初始绝缘层pil的一部分。因此，可以在显示区域da中形成像素限定层119和间隔件spc，可以在组件区域ca中形成像素限定层119。
212.在这种情况下，可以在显示区域da的与半色调掩模hm的阻光部bp对应的区域中形成间隔件spc。可以在显示区域da的与半色调掩模hm的半透射部htp对应的区域中形成像素限定层119。可以从显示区域da的与半色调掩模hm的透光部tp对应的区域去除初始绝缘层pil，因此，可以形成主开口119opm，主开口119opm暴露第一像素电极121的中心部分。
213.可以在组件区域ca的与全色调掩模fm的阻光部bp对应的区域中形成像素限定层119，去除组件区域ca的与全色调掩模fm的透光部tp对应的区域中的初始绝缘层pil。因此，可以形成辅助开口119opa，辅助开口119opa暴露第二像素电极121'的中心部分。因此，可以与组件区域ca中的像素限定层119同时地形成显示区域da中的间隔件spc。
214.根据一些示例实施例，可以在减小区域ra中形成像素限定层119的位于组件区域ca中的一部分，可以在平坦化区域pa中形成像素限定层119的一部分。在这种情况下，像素限定层119可以覆盖第二像素电极121'的边缘且限定辅助有机发光二极管的发射区域。
215.布置在减小区域ra中的像素限定层119的第一厚度t1可以比布置在平坦化区域pa中的像素限定层119的第二厚度t2小。这是因为，当使减小区域ra中的像素限定层119硬化时，在朝向第二开口op2的方向上发生回流。因此，第一厚度t1可以比第二厚度t2小。
216.根据一些示例实施例，从基底100的顶表面100us到间隔件spc的顶表面的第一距离d1可以比从基底100的顶表面100us到布置在平坦化区域pa中的像素限定层119的顶表面的第二距离d2大。第二距离d2可以比从基底100的顶表面100us到布置在显示区域da中的像素限定层119的顶表面的第三距离d3大。另外，从基底100的顶表面100us到布置在减小区域ra中的像素限定层119的顶表面的距离d可以比从基底100的顶表面100us到布置在平坦化区域pa中的像素限定层119的顶表面的第二距离d2小。根据一些示例实施例，从基底100的
顶表面100us到布置在减小区域ra中的像素限定层119的顶表面的距离d可以与从基底100的顶表面100us到布置在显示区域da中的像素限定层119的顶表面的第三距离d3相同。
217.根据一些示例实施例，即使在组件区域ca中使用全色调掩模fm，第二距离d2也可以比第一距离d1小。这是因为在组件区域ca中布置透射部ta，并且无机绝缘层il、第一有机绝缘层117a、第二有机绝缘层117b和像素限定层119中的每个可以包括与透射部ta对应的开口。
218.在这种情况下，当像素限定层和间隔件也通过使用半色调掩模hm形成在组件区域ca中时，组件区域ca中的像素限定层119可能无法清晰地限定辅助有机发光二极管的发射区域。因此，因为未限定辅助有机发光二极管的发射区域，所以可能发生从辅助有机发光二极管发射的光的模糊。即，辅助有机发光二极管可能在不期望的区域中发射光。
219.根据一些示例实施例，因为可以通过使用全色调掩模fm而不是半色调掩模hm在组件区域ca中形成像素限定层119，所以可以在组件区域ca中形成具有适当的厚度的像素限定层119。因此，可以清晰地限定辅助有机发光二极管的发射区域，因此，可以防止或减少从辅助有机发光二极管发射的光的模糊。
220.另外，因为通过使用全色调掩模fm在组件区域ca中形成像素限定层119，所以平坦化区域pa中的像素限定层119可以用作组件区域ca中的间隔件spc。因此，在执行使用掩模的工艺的情况下，可以防止或减少对辅助有机发光二极管的损坏。
221.如上所述，在实施例中，即使在减小区域中，像素限定层的一部分也可以以适当的厚度布置。因此，像素限定层可以清晰地限定有机发光二极管的发射区域。
222.另外，在实施例中，因为有机绝缘层包括与透射部对应的开口，所以可以在组件区域中确保高透射率。
223.应理解的是，在此所描述的实施例应仅在描述性意义上考虑，而不是为了限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施例中的其它类似的特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求和它们的等同物限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。