转移基板和选择性拾取、彩色屏体制备及屏体修复方法与流程

1.本发明实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种转移基板和选择性拾取、彩色屏体制备及屏体修复方法。


背景技术：

2.发光二极管(light emitting diode，led)技术发展了近三十年，从最初的固态照明电源到显示领域的背光源再到led显示屏，为其更广泛的应用提供了坚实的基础。随着芯片制作及封装技术的发展，15微米以下的微型发光二极管(micro light emitting diode，micro led)显示逐渐成为显示面板的一个热点。micro led(也称微发光二极管uled)显示具有低功耗、高色域、高稳定性、高分辨率、超薄、易实现柔性显示等显著优势，有望成为替代有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)显示的更优显示技术。
3.micro led原位修复是指当micro led显示屏出现坏点时，通过特殊工艺去除坏点，利用转移基板在原位置修补上一颗新的led芯片。然而，现有的利用转移基板进行屏体修复时较为复杂。


技术实现要素：

4.本发明实施方式的目的在于提供一种转移基板和选择性拾取、彩色屏体制备以及屏体修复方法，在进行屏体修复时使用方便。
5.为解决上述技术问题，本发明的实施方式提供了一种转移基板，包括：衬底；位于所述衬底上的至少两个分立的转移头；所述转移头用于拾取芯片，且被第一光束照射时，所述转移头在垂直于所述衬底朝向所述转移头的表面的方向上厚度改变。
6.另外，每个所述转移头包括：位于所述衬底上的光致形变层。该方案每个转移头包括位于所述衬底上的光致变形层，结构简单、制备方便。
7.另外，所述光致形变层的材料包括光致形变官能团或光致形变分子；优选地，所述光致形变层的材料包括偶氮苯官能团；优选地，所述光致形变层的材料包括：含有偶氮苯官能团的聚二甲基硅氧烷光刻胶。该方案光致形变层的材料为聚二甲基硅氧烷光刻胶成本低廉，使得转移基板的成本降低。
8.另外，每个所述转移头还包括：位于所述光致形变层远离所述衬底一侧的胶粘层；优选地，所述光致形变层的材料包括：含有偶氮苯官能团的环氧树脂；优选地，所述胶粘层的材料包括：光刻胶。该方案光致形变层的材料使用含有偶氮苯官能团的环氧树脂，有利于光致形变层的厚度恢复。
9.另外，所述转移头还用于被第二光束照射时，被所述第一光束照射后改变的厚度恢复。该方案转移头被第二光束照射时，被第一光束照射后改变的厚度恢复，可实现转移基板的多次使用。
10.另外，相邻两个所述转移头之间的距离与待转移基板上相邻两个芯片之间的距离相同。该方案相邻两个转移头之间的距离与待转移基板上相邻两个芯片之间的距离相同，
有利于转移头实现对芯片的拾取。
11.另外，所述转移头用于被所述第一光束照射时，在垂直于所述衬底朝向所述转移头的表面的方向上厚度减小。
12.本发明的实施方式还提供了一种选择性拾取方法，包括：将上述转移基板与芯片供应基板进行预对位，确定所述转移基板上与待转移芯片对应的转移头；利用第一光束照射所述转移基板，以使所述与待转移芯片对应的转移头的厚度大于除所述与待转移芯片对应的转移头外的其他转移头的厚度；根据预对位的位置将照射后的转移基板与所述芯片供应基板贴合，以使所述与待转移芯片对应的转移头拾取所述待转移芯片。
13.本发明的实施方式还提供了一种彩色屏体制备方法，包括：利用上述转移基板拾取第一颜色的芯片；将所述转移基板与彩色背板进行预对位，确定与所述彩色背板的第一位置对应的转移头，所述第一位置处需安装所述第一颜色的芯片；选择性照射所述转移基板，以使所述第一位置对应的转移头的厚度大于除所述第一位置对应的转移头外的其他转移头的厚度；根据预对位的位置将照射后的转移基板与所述彩色背板贴合，以使所述第一位置对应的转移头拾取的所述第一颜色的芯片对应所述彩色背板的第一位置；重复执行上述步骤以实现第二颜色的芯片与所述彩色背板的第二位置的贴合、以及第三颜色的芯片与所述彩色背板的第三位置的贴合，得到彩色屏体。
14.本发明的实施方式还提供了一种屏体修复方法，将上述转移基板与待修复屏体进行预对位，确定与所述待修复屏体上待修复位置对应的转移头；利用第一光束照射所述转移基板，以使所述待修复位置对应的转移头的厚度大于除所述待修复位置对应的转移头外的其他转移头的厚度；根据预对位的位置将照射后的转移基板与所述待修复屏体贴合，以使所述待修复位置对应的转移头拾取的芯片对应所述待修复位置。
15.本发明实施方式相对于现有技术而言提供了一种转移基板，包括：衬底；位于衬底上的至少两个分立的转移头；转移头用于拾取芯片，且被第一光束照射时，转移头在垂直于衬底朝向转移头的表面的方向上厚度改变。本实施方式中提供的转移基板，通过选择性照射转移基板上的转移头，便可使得部分转移头在垂直于衬底朝向转移头的表面的方向上厚度改变，转移基板上的转移头整体厚度不一致，便可实现芯片的选择性拾取、彩色屏体制备以及屏体修复，使用方便。
附图说明
16.一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
17.图1是根据本发明第一实施方式的转移基板的一种结构示意图；
18.图2是根据本发明第一实施方式的转移基板被第一光束照射后的状态示意图；
19.图3是根据本发明第一实施方式的转移基板被第一光束照射后的另一状态示意图；
20.图4是根据本发明第一实施方式的偶氮苯官能团的变化示意图；
21.图5是根据本发明第一实施方式的转移基板的另一种结构示意图；
22.图6是根据本发明第二实施方式的选择性拾取方法的流程示意图；
23.图7是根据本发明第二实施方式的一种拾取工艺示意图；
24.图8是根据本发明第二实施方式的另一种拾取工艺示意图；
25.图9是根据本发明第三实施方式的彩色屏体制备方法的流程示意图；
26.图10是根据本发明第三实施方式的一种制备工艺示意图；
27.图11是根据本发明第四实施方式的屏体修复方法的流程示意图；
28.图12是根据本发明第四实施方式的一种修复工艺示意图；
29.图13是根据本发明第四实施方式的另一种修复工艺示意图。
具体实施方式
30.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本发明各实施方式中，为了使读者更好地理解本技术而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本技术所要求保护的技术方案。
31.本发明的第一实施方式涉及一种转移基板1，本实施方式中的转移基板1的结构示意图如图1所示，包括：衬底11、位于衬底11上的至少两个分立的转移头10；转移头10用于拾取芯片，且被第一光束照射时，转移头10在垂直于衬底11朝向转移头10的表面的方向上厚度改变。
32.具体地说，转移基板1的衬底11可以为玻璃板。位于衬底11上的至少两个分立的转移头10可以是聚二甲基硅氧烷(pdms，polydimethylsiloxane)转移头10。本实施方式附图1中转移头10的数目设置为3个，仅是为便于表示，不应以此为限。转移基板1上转移头10的数目可设置更多，可呈阵列或其他方式排布，具体可根据实际需求进行设置。
33.图1为转移基板1未被第一光束照射时的状态示意图，转移基板1上所有转移头10的厚度一致。作为一种实现方式，转移头10用于被第一光束照射时，在垂直于衬底11朝向转移头10的表面的方向上厚度减小，如图2为转移基板1上的转移头10被第一光束照射后的状态示意图，转移基板1上中间位置的转移头10在垂直于衬底11朝向转移头10的表面的方向上厚度减小。作为另一种实现方式，转移头10用于被第一光束照射时，在垂直于衬底11朝向转移头10的表面的方向上厚度增加，如图3为转移基板1上的转移头10被第一光束照射后的另一状态示意图，转移基板1上中间位置的转移头10在垂直于衬底11朝向转移头10的表面的方向上厚度增加。转移基板1上的转移头10在被第一光束选择性照射后整体厚度不一致，可实现芯片的选择性拾取、彩色屏体制备以及屏体修复，使用方便。
34.较佳地，转移头10还用于被第二光束照射时，被第一光束照射后改变的厚度恢复。
35.具体地说，目前主流的屏体修复技术包括冗余设计和原位修复。冗余设计是指在一个子像素内设计两个及以上的led芯片或者焊点，从而提升子像素的点亮良率，但冗余设计不利于高ppi显示，同时还会造成led成本的增加。原位修复是指当出现坏点时，通过特殊工艺去除坏点，在原位置修补上一颗新的led芯片。该方法原理简单，能够避免冗余设计造成的局限，但是由于每个屏体的坏点情况不一样，如果每一个屏体设计一个修复转移头会大大增加修复的成本，并给原位修复造成了极大的困难。如此，可利用本技术提供的转移基板1，通过第一光束根据屏体的缺陷位置对转移基板1选择性照射，以实现对屏体的修复，且在完成该屏体的修复后，利用第二光束照射厚度改变的转移头10，使得转移头10被第一光
束照射后改变的厚度恢复，以实现转移基板1的多次使用，本实施方式中的转移基板1可实现对多种缺陷位置不同的屏体的修复，避免因屏体缺陷位置不同而需要制备多种不同的转移头10，极大地减低了屏体修复的成本。
36.转移头10的一种结构如图1所示，每个转移头10包括：位于衬底11上的光致形变层12。本实施方式中在衬底11上形成一层可光刻的光致形变材料，通过曝光、显影使光致形变材料在衬底11形成多个分立的转移头10，结构简单、制备方便。
37.进一步地，光致形变层12的材料包括光致形变官能团或光致形变分子。光致形变官能团或光致形变分子在吸收光能后，在光的作用下会发生某些化学或物理反应，产生一系列结构或形态变化，从而使得包含光致形变官能团或光致形变分子的光致形变层12在光束照射下其厚度发生改变。
38.优选地，光致形变层12的材料包括偶氮苯官能团。偶氮苯官能团是一种具有光能活性的官能团，如图4所示，一般为图4左侧所示的反式偶氮苯结构，在被第一光束照射后变为图4右侧所示的顺式偶氮苯结构，分子的长度从反式时的0.190纳米变成顺式时的0.155纳米，因此侧链或者主链含有偶氮苯的高分子在第一光束下会发生收缩。偶氮苯官能团在第一光束(波长约为360纳米的紫外光)作用下发生收缩；在第二光束(波长为约470纳米的蓝光)作用下被第一光束照射收缩后的厚度恢复。
39.优选地，光致形变层12的材料包括：含有偶氮苯官能团的聚二甲基硅氧烷光刻胶。由于聚二甲基硅氧烷光刻胶具备很好的粘附性，因此光致形变层12的材料使用含有偶氮苯官能团的聚二甲基硅氧烷光刻胶，可利用聚二甲基硅氧烷光刻胶的粘附性实现芯片的拾取；由于转移头10仅包括光致形变层12，使得转移基板1的结构简单、制备方便；且光致形变层12的材料为聚二甲基硅氧烷光刻胶成本低廉，因此，极大地降低转移基板1的制备成本。
40.转移头10的另一种结构如图5所示，每个转移头10包括：位于衬底11上的光致形变层12，还包括：位于光致形变层12远离衬底11一侧的胶粘层13。本实施方式中每个转移头10包括：位于衬底11上的光致形变层12、以及位于光致形变层12远离衬底11一侧的胶粘层13，如此，可直接利用胶粘层13的粘附性实现芯片的拾取，光致形变层12无需实现芯片的拾取。
41.优选地，光致形变层12的材料包括：含有偶氮苯官能团的环氧树脂；优选地，胶粘层13的材料包括：光刻胶。由于光致形变层12无需实现芯片的拾取，因此光致形变层12的材料可使用含有偶氮苯官能团的环氧树脂，此种材料可有利于光致形变层12的厚度恢复。胶粘层13的材料可使用光刻胶，以实现芯片的拾取，具体的胶粘层13可使用含硅的光刻胶材料。
42.与现有技术相比，本发明实施方式提供了一种新的转移基板1，通过选择性照射转移基板1上的转移头10，便可使得部分转移头10在垂直于衬底11朝向转移头10的表面的方向上厚度改变，转移基板1上的转移头10整体厚度不一致，便可实现芯片的选择性拾取、彩色屏体制备以及屏体修复，使用方便。
43.第一实施方式中的转移基板1可用于芯片的批量转移、选择性拾取、彩色屏体的制备以及屏体修复等工艺中，由于对应上述几种工艺的待转移基板、彩色背板或待修复屏体上的芯片间隔距离的不同，因此在制备转移基板1时，转移基板1上相邻两个转移头10之间的间隔距离与待转移基板、彩色背板或待修复屏体上相邻两个芯片之间的距离对应，从而有利于实现芯片的批量转移、选择性拾取、彩色屏体的制备或屏体修复。由于micro-led显
示技术具有高亮度、高响应速度、低功耗、长寿命等优点，成为人们追求的新一代显示技术的研究热点。因此第一实施方式中的转移基板1可用于micro-led显示领域的批量转移、选择性拾取、彩色屏体的制备或屏体修复。
44.本发明的第二实施方式涉及一种利用第一实施方式中转移基板1进行的选择性拾取方法。本实施方式中的选择性拾取方法的流程示意图如图6所示，下面结合图7进行具体说明：
45.步骤201：将第一实施方式中的转移基板1与芯片供应基板3进行预对位，确定转移基板1上与待转移芯片2对应的转移头10。
46.具体的说，将上述的转移基板1与芯片供应基板3进行预对位，在进行预对位时，将转移基板1的转移头10对应芯片供应基板3的芯片2，并确定转移基板1上与待转移芯片2所对应的转移头10。
47.步骤202：利用第一光束照射转移基板1，以使与待转移芯片2对应的转移头10的厚度大于除与待转移芯片2对应的转移头10外的其他转移头10的厚度。
48.步骤203：根据预对位的位置将照射后的转移基板1与所述芯片供应基板贴合，以使与待转移芯片2对应的转移头10拾取待转移芯片2。
49.针对上述步骤202和步骤203，具体地说，转移基板1从芯片供应基板3上拾取芯片2的具体过程如图7所示：
50.将转移基板1与芯片供应基板3(该芯片供应基板3的可以是由石英、蓝宝石等透明材料制成的临时基板，也可以是由本实施方式中的转移基板1形成的临时基板)进行预对位；之后，利用第一光束选择性光照不需要拾取的芯片2区域、或者选择性光照需要拾取的芯片2区域，以使与待转移芯片2对应的转移头10的厚度大于除与待转移芯片2对应的转移头10外的其他转移头10(即不需要拾取的芯片2对应的转移头10)的厚度。然后，根据预对位的位置将照射后的转移基板1与芯片供应基板3对位贴合，此时，厚度较厚的转移头10便可拾取芯片供应基板3上的芯片2，而厚度较薄的转移头10无法拾取芯片供应基板3上的芯片2。最后，将转移基板1与芯片供应基板3分离，从而实现芯片2的选择性拾取。该方法简单易行，且对于转移基板1的转移头10结构无限制，无需制备与待转移的芯片2排布方式对应的转移头10，节省了工艺成本。
51.转移基板1还可以作为临时基板，用来从芯片基底4上拾取芯片2。转移基板1作为临时基板从芯片基底4上拾取芯片2的具体如图8所示：
52.需要说明的是，转移基板1作为临时基板时，转移头10的材料为不具有粘性的光致形变材料，例如：含有偶氮苯官能团的环氧树脂。
53.首先，将转移基板1与芯片基底4进行预对位；之后，激光剥离去除芯片基底4的衬底；然后，利用第一光束选择性光照不需要拾取的芯片2区域、或者选择性光照需要拾取的芯片2区域，以使与待转移芯片2对应的转移头10的厚度大于除与待转移芯片2对应的转移头10外的其他转移头10(即不需要拾取的芯片2对应的转移头10)的厚度。然后，根据预对位的位置将芯片临时基板5(该芯片临时基板5可实现芯片的拾取)与照射后的转移基板1对位贴合，此时，芯片临时基板5便可拾取厚度较厚的转移头10上的芯片2，而无法拾取厚度较薄的转移头10上的芯片2。最后，将转移基板1与芯片临时基板5分离，从而实现芯片2的选择性拾取。
54.通过利用光致形变材料制备具有分立的转移头10的转移基板1，然后选择性光照不需要拾取的芯片2区域或选择性光照需要拾取的芯片2区域，以使与待转移芯片2对应的转移头10的厚度大于不需要拾取的芯片2对应的转移头10的厚度，从而实现芯片2的选择性拾取；该方法简单易行，且对于转移基板1的转移头10结构无限制，无需制备与待转移的芯片2排布方式对应的转移头10，节省了工艺成本。且由于转移头10包括光致形变材料，而光致形变材料不易受到激光剥离的影响，可重复利用。
55.与现有技术相比，本发明实施方式中给出了一种选择性拾取方法，将上述第一实施方式中的转移基板1与芯片供应基板3进行预对位，确定转移基板1上与待转移芯片2对应的转移头10；利用第一光束照射转移基板1，以使与待转移芯片2对应的转移头10的厚度大于除与待转移芯片2对应的转移头10外的其他转移头10的厚度；根据预对位的位置将照射后的转移基板1与所述芯片供应基板3贴合，以使与待转移芯片2对应的转移头10拾取待转移芯片2。该方法简单易行，且对于转移基板1的转移头10结构无限制，无需制备与待转移的芯片2排布方式对应的转移头10，节省了工艺成本。
56.上面各种方法的步骤划分，只是为了描述清楚，实现时可以合并为一个步骤或者对某些步骤进行拆分，分解为多个步骤，只要包括相同的逻辑关系，都在本专利的保护范围内；对算法中或者流程中添加无关紧要的修改或者引入无关紧要的设计，但不改变其算法和流程的核心设计都在该专利的保护范围内。
57.本发明的第三实施方式涉及一种利用第一实施方式中转移基板1进行的彩色屏体制备方法，本实施方式中的彩色屏体制备方法的流程示意图如图9所示，下面结合图10进行具体说明：
58.步骤301：利用第一实施方式中的转移基板1拾取第一颜色的芯片21。
59.具体地说，利用第一实施方式中的转移基板1全部拾取第一颜色的芯片21。第一颜色的芯片21可以是蓝光、绿光或红光led芯片，材质可以是氮化镓、砷化镓等。
60.步骤302：将转移基板1与彩色背板进行预对位，确定与彩色背板的第一位置对应的转移头10，第一位置处需安装第一颜色的芯片21。
61.具体地说，如图10中的结构所示，彩色背板包括：背板6以及位于背板6上的焊点50，其中，背板6可以是薄膜晶体管(thin film transistor，tft)背板6、互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor，cmos)背板6等。焊点50材料可以是铟、锡等单质金属材料，也可以是铟锡等合金焊料；将转移基板1与彩色背板进行预对位，确定与彩色背板的第一位置对应的转移头10，第一位置处需安装第一颜色的芯片21。
62.步骤303：选择性照射转移基板1，以使第一位置对应的转移头10的厚度大于除第一位置对应的转移头10外的其他转移头10的厚度。
63.具体的说，利用第一光束照射第一位置对应的转移头10使其厚度增加，或者利用第一光束照射除第一位置对应的转移头10外的其他转移头10使其厚度减小，以使第一位置对应的转移头10的厚度大于其他转移头10的厚度。
64.步骤304：根据预对位的位置将照射后的转移基板1与彩色背板贴合，以使第一位置对应的转移头10拾取的第一颜色的芯片21对应彩色背板的第一位置。
65.具体地说，根据预对位的位置将照射后的转移基板1与彩色背板对位贴合，厚度较厚的转移头10拾取的第一颜色的芯片21可对应彩色背板的第一位置，将第一颜色的芯片21
与彩色背板上第一位置处的焊点50贴合，实现第一颜色的芯片21的邦定，此时转移基板1上剩余的第一颜色的芯片21可用于下一彩色屏体中第一颜色的芯片21的邦定，从而提升了彩色屏体的制备效率。
66.步骤305：重复执行上述步骤以实现第二颜色的芯片22与所述彩色背板的第二位置的贴合、以及第三颜色的芯片23与所述彩色背板的第三位置的贴合，得到彩色屏体。
67.具体地说，重复执行上述步骤301至步骤304，从而实现第二颜色的芯片22与彩色背板的第二位置的贴合、以及第三颜色的芯片23与彩色背板的第三位置的贴合，得到彩色屏体，进一步提升了彩色屏体的制备效率。
68.与现有技术相比，本发明实施方式提供了一种彩色屏体制备方法，根据预对位的位置将照射后的转移基板1与彩色背板对位贴合，厚度较厚的转移头10拾取的第一颜色的芯片21可对应彩色背板的第一位置，将第一颜色的芯片21与彩色背板上第一位置处的焊点50贴合，实现第一颜色的芯片21的邦定，此时转移基板1上剩余的第一颜色的芯片21可用于下一彩色屏体中第一颜色的芯片21的邦定，从而提升了彩色屏体的制备效率。
69.上面各种方法的步骤划分，只是为了描述清楚，实现时可以合并为一个步骤或者对某些步骤进行拆分，分解为多个步骤，只要包括相同的逻辑关系，都在本专利的保护范围内；对算法中或者流程中添加无关紧要的修改或者引入无关紧要的设计，但不改变其算法和流程的核心设计都在该专利的保护范围内。
70.本发明的第四实施方式涉及一种利用第一实施方式中转移基板1进行的屏体修复方法，本实施方式中的屏体修复方法的流程示意图如图11所示，下面结合图12和图13具体说明：
71.步骤401：将第一实施方式中的转移基板1与待修复屏体进行预对位，确定与待修复屏体上待修复位置对应的转移头10。
72.具体地说，如图12和13所示，待修复屏体的结构包括：背板6、位于背板6上的焊点50以及与焊点50邦定的芯片2，待修复屏体上某些位置处芯片2丢失，仅有焊点50，因此需要将转移基板1拾取的芯片2邦定在丢失芯片2位置处的焊点50上。其中，背板6可以是薄膜晶体管(thin film transistor，tft)背板6、互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor，cmos)背板6等。焊点50材料可以是铟、锡等单质金属材料，也可以是铟锡等合金焊料。将第一实施方式的转移基板1与待修复屏体进行预对位，在进行预对位时，将转移基板1的转移头10对应待修复屏体的芯片2，并确定转移基板1上与待修复屏体上待修复位置对应的转移头10。
73.步骤402：利用第一光束照射转移基板1，以使待修复位置对应的转移头10的厚度大于除待修复位置对应的转移头10外的其他转移头10的厚度。
74.步骤403：根据预对位的位置将照射后的转移基板1与待修复屏体贴合，以使待修复位置对应的转移头10拾取的芯片2对应待修复位置。
75.针对上述步骤402和步骤403具体地说，本实施方式中有两种修复待修复屏体的可实现方式。
76.一种修复方式的具体过程如下：
77.如图12所示，先利用转移基板1的转移头10全部拾取芯片2之后进行预对位；之后，利用第一光束选择性光照待修复位置对应的转移头10、或者选择性光照除修复位置对应的
转移头10外的其他转移头10，以使待修复位置对应的转移头10的厚度大于其他转移头10的厚度，之后，根据预对位的位置将照射后的转移基板1与待修复屏体对位贴合，此时，厚度较厚的转移头10便将所拾取的芯片2与待修复位置处的焊点50邦定，实现待修复屏体的定点原位修复。值得说明的是，最后可用第二光束照射被第一光束照射后的转移头10使其厚度恢复，转移基板1上其他转移头10拾取的芯片2可用于下一待修复屏体的修复，节约成本。该方法简单易行，且对于转移基板1的转移头10结构无限制，无需单独制备与待修复屏体的待修复位置对应的转移头10，节省了工艺成本。
78.另一种修复方式的具体过程如下：
79.如图13所示，在进行预对位之后，先利用第一光束选择性光照待修复位置对应的转移头10、或者选择性光照除修复位置对应的转移头10外的其他转移头10，以使待修复位置对应的转移头10的厚度大于其他转移头10的厚度。之后，利用转移基板1的转移头10选择性拾取芯片2，此时，待修复位置对应的、厚度较厚的转移头10能够拾取到芯片2，而其他厚度较薄的转移头10无法拾取到芯片2。然后，根据预对位的位置将照射后的转移基板1与待修复屏体对位贴合，此时，厚度较厚的转移头10便将所拾取的芯片2与待修复位置处的焊点50邦定，实现待修复屏体的定点原位修复。值得说明的是，最后可用第二光束照射被第一光束照射后的转移头10使其厚度恢复，从而继续选择性拾取芯片2，实现对下一待修复屏体的修复，节约成本。该方法简单易行，且对于转移基板1的转移头10结构无限制，无需单独制备与待修复屏体的待修复位置对应的转移头10，节省了工艺成本。且在修复过程中转移基板1无需全部拾取芯片2，避免了在修复过程中转移基板1的转移头10拾取的芯片2与待修复屏体上的芯片2的接触风险，实现单点精确修复，提高了修复良率。
80.与现有技术相比，本发明实施方式提供了一种屏体修复方法，将第一实施方式中的转移基板1与待修复屏体进行预对位，确定与待修复屏体上待修复位置对应的转移头10；利用第一光束照射转移基板1，以使待修复位置对应的转移头10的厚度大于除待修复位置对应的转移头10外的其他转移头10的厚度；根据预对位的位置将照射后的转移基板1与待修复屏体贴合，以使待修复位置对应的转移头10拾取的芯片2对应待修复位置。该方法简单易行，且对于转移基板1的转移头10结构无限制，无需单独制备与待修复屏体的待修复位置对应的转移头10，节省了工艺成本。
81.上面各种方法的步骤划分，只是为了描述清楚，实现时可以合并为一个步骤或者对某些步骤进行拆分，分解为多个步骤，只要包括相同的逻辑关系，都在本专利的保护范围内；对算法中或者流程中添加无关紧要的修改或者引入无关紧要的设计，但不改变其算法和流程的核心设计都在该专利的保护范围内。
82.不难发现，第二实施方式、第三实施方式及第四实施方式为利用第一实施例中的转移基板实现的工艺方法，因此，第一实施例中提到的相关技术细节在第二实施方式、第三实施方式及第四实施方式中依然有效，为了减少重复，这里不再赘述。
83.本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本发明的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围。