晶圆的减薄方法与流程

技术特征：
1.一种晶圆的减薄方法，其特征在于，所述晶圆包括层叠设置的第一碳化硅层、介质层以及第二碳化硅层；所述晶圆具有相对的第一侧和第二侧，所述第二碳化硅层远离所述第一碳化硅层的一侧为所述晶圆的所述第一侧；所述晶圆的减薄方法，包括：在所述第二侧将临时衬底载片与所述晶圆临时键合；从所述第一侧对所述晶圆进行激光照射，使激光的能量在所述第二碳化硅层与所述介质层的界面处进行聚焦烧蚀，使得所述第二碳化硅层与所述介质层分离。2.根据权利要求1所述的晶圆的减薄方法，其特征在于，所述第二碳化硅层对激光的吸收系数小于本征吸收系数。3.根据权利要求1所述的晶圆的减薄方法，其特征在于，激光在所述第二碳化硅层与所述介质层的界面处发生非线性吸收。4.根据权利要求1所述的晶圆的减薄方法，其特征在于，所述临时键合的键合温度小于或等于300℃。5.根据权利要求1所述的晶圆的减薄方法，其特征在于，所述临时衬底载片的熔点大于所述临时键合的键合温度。6.根据权利要求1所述的晶圆的减薄方法，其特征在于，在所述第二侧将临时衬底载片与所述晶圆临时键合，包括：采用临时键合胶或者石蜡，在所述第二侧将所述临时衬底载片与所述晶圆临时键合。7.根据权利要求1所述的晶圆的减薄方法，其特征在于，从所述第一侧对所述晶圆进行激光照射，包括：采用红外激光，从所述第一侧对所述晶圆进行激光照射。8.根据权利要求1所述的晶圆的减薄方法，其特征在于，所述晶圆的减薄方法还包括：对所述第一碳化硅层远离所述临时衬底载片的表面进行处理，以去除所述介质层的残余。9.根据权利要求8所述的晶圆的减薄方法，其特征在于，对所述第一碳化硅层远离所述临时衬底载片的表面进行处理，包括：通过湿法腐蚀、干法刻蚀或者清洗中的至少一种方式对所述第一碳化硅层远离所述临时衬底载片的表面进行处理。10.根据权利要求1
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9任一项所述的晶圆的减薄方法，其特征在于，所述晶圆的所述第二侧还设置有开关功能组件；在所述第二侧将临时衬底载片与所述晶圆临时键合，包括：将所述临时衬底载片与所述开关功能组件临时键合。

技术总结
本申请实施例提供一种晶圆的减薄方法，涉及半导体技术领域，用于解决SiC功率器件良率低、工艺复杂、制备成本高的问题。晶圆或者理解为复合衬底，包括层叠设置的第一碳化硅层、介质层以及第二碳化硅层。晶圆具有相对的第一侧和第二侧，第二碳化硅层远离第一碳化硅层的一侧为晶圆的第一侧。晶圆的减薄方法，包括：在第二侧将临时衬底载片与晶圆临时键合；从第一侧对晶圆进行激光照射，使激光的能量在第二碳化硅层与介质层的界面处进行聚焦烧蚀，使得第二碳化硅层与介质层分离。碳化硅层与介质层分离。碳化硅层与介质层分离。


技术研发人员：高博 黄伯宁 万玉喜
受保护的技术使用者：华为数字能源技术有限公司
技术研发日：2021.07.06
技术公布日：2021/11/23