一种用于在半导体晶圆清洗过程中的化学机械研磨后的清洗组合物的制作方法

技术特征：
1.一种用于在半导体晶圆清洗过程中的化学机械研磨后的清洗组合物，其特征在于，所述清洗组合物按照以下质量百分比的原料制成：有机碱的质量百分比1～20％，氨基酸络合剂的质量百分比0.05～20％，含氮的杂环化合物的质量百分比0.05～20％，水的质量百分比60～99％。2.根据权利要求1所述的用于在半导体晶圆清洗过程中的化学机械研磨后的清洗组合物，其特征在于：所述有机碱选自季铵碱和胍或其组合；所述有机碱的质量百分比选自1
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20％、1
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10％、5
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15％、5
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10％中的一种；优选5
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15％，更优选5
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10％。3.根据权利要求2所述的用于在半导体晶圆清洗过程中的化学机械研磨后的清洗组合物，其特征在于：所述胍选自胍、1,1,3,3
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四甲基胍、精氨酸、2
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叔丁基
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1,1,3,3
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四甲基胍、2
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(4
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甲苯基)
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1,1,3,3
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四甲基胍、双胍、二甲双胍、苯乙双胍、氯胍、丁二胍、1
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(邻甲苯基)双胍中的一种或多种。4.根据权利要求2所述的用于在半导体晶圆清洗过程中的化学机械研磨后的清洗组合物，其特征在于：所述季铵碱选自四甲基氢氧化铵(tmah)、四乙基氢氧化铵(teah)、四丙基氢氧化铵(tpah)、四丁基氢氧化铵(tbah)的物质、三丁基甲基氢氧化铵(tbmah)、苄基三甲基氢氧化铵(btmah)、氢氧化胆碱、乙基三甲基氢氧化铵、三(2
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羟乙基)甲基氢氧化铵、二乙基二甲基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵(tbph)的一种或多种。5.根据权利要求1所述的用于在半导体晶圆清洗过程中的化学机械研磨后的清洗组合物，其特征在于：所述氨基酸络合剂选自如甘氨酸(glycine)、丙氨酸(alanine)、缬氨酸(valine)、亮氨酸(leucine)、异亮氨酸(isoleucine)、苯丙氨酸(phenylalanine)、色氨酸(tryptophan)、酪氨酸(tyrosine)、天冬氨酸(aspartate)、组胺酸(histidine)、天冬酰胺(asparagine)、谷氨酸(glutamate)、赖氨酸(lysine)、谷氨酰胺(glutamine)、甲硫氨酸(methionine)、精氨酸(arginine)、丝氨酸(serine)、苏氨酸(threonine)、半胱氨酸(cysteine)、脯氨酸(proline的一种或多种；所述氨基酸络合剂的质量百分比选自0.05
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20％、0.05
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10％、0.05
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5％、0.5
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10％中的一种；优选0.05
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10％，更优选0.05
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5％。6.根据权利要求1所述的用于在半导体晶圆清洗过程中的化学机械研磨后的清洗组合物，其特征在于：所述含氮的杂环化合物选自嘌呤，腺嘌呤，鸟嘌呤，次黄嘌呤，黄嘌呤，茶碱，可可碱，咖啡因，尿酸，异鸟嘌呤，腺苷及上述化合物的衍生物的一种或多种；所述含氮的杂环化合物的质量百分比选自0.05
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20％，0.05
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15％、0.05
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10％、0.05
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5％、0.5
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5％中的一种；优选0.05
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10％，更优选0.05
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5％。7.根据权利要求1所述的用于在半导体晶圆清洗过程中的化学机械研磨后的清洗组合物，其特征在于：所述水的质量百分比为60
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99％、60
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90％、70
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95％、80
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95％、80
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90％中的一种；优选70
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95％，更优选80
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95％。8.根据权利要求1所述的用于在半导体晶圆清洗过程中的化学机械研磨后的清洗组合物，其特征在于：所述清洗组合物的ph值大于8；优选ph>11，更优选ph>12。9.根据权利要求1
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8中任一项所述的用于在半导体晶圆清洗过程中的化学机械研磨后的清洗组合物，其特征在于：所述清洗组合物在使用时先与水进行稀释，稀释比在1：1到1：200，优选1：10到1：100，更优选1：20到1：60；所述清洗组合物可用于在含钴半导体金属衬底表面清洗；所述金属衬底的材质可选自铜、钽、氮化钽、钴，钛、氮化钛中的一种或多种。10.根据权利要求1
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8中任一项所述的用于在半导体晶圆清洗过程中的化学机械研磨
后的清洗组合物，其特征在于：所述清洗组合物可用于清洗机中清洗晶片或在抛光结束后在抛光盘上清洗晶片。

技术总结
本发明涉及一种用于在半导体晶圆清洗过程中的化学机械研磨后的清洗组合物，包括所述清洗组合物按照以下质量百分比的原料制成：有机碱的质量百分比1～20％，氨基酸络合剂的质量百分比0.05～20％，含氮的杂环化合物的质量百分比0.05～20％，水的质量百分比60～99％。本发明的清洗组合物，包含氨基酸为络合剂，增加对化学机械研磨后金属表面金属离子的络合，通过金属腐蚀抑制剂的选择与添加，抑制金属钴表面清洗过程中的腐蚀，保护金属钴表面，保证产品精确性，通过清洗组合物清洗抛光后的含金属的晶片，可去除抛光后晶片表面残留的研磨颗粒、金属离子等残留，降低金属表面粗燥度，降低清洗后表面缺陷，防止晶片在等待下一步工序过程中可能产生的金属腐蚀。程中可能产生的金属腐蚀。


技术研发人员：孙秀岩 苏俊 金徽 王倩 郭磊
受保护的技术使用者：张家港安储科技有限公司
技术研发日：2021.07.16
技术公布日：2021/11/16