一种铝掺杂氧化镓膜及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种铝掺杂氧化镓膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在沉积腔室内的加热基片上采用原子层沉积技术进行复合沉积，所述沉积腔室内的温度为50-400℃，所述沉积腔室内的压强为0.01-0.5torr；所述复合沉积包括交替执行第一沉积过程和第二沉积过程，所述第一沉积过程包括按照第一预设循环次数执行第一循环，所述第二沉积过程包括按照第二预设循环次数执行第二循环；所述第一循环包括：向所述沉积腔室内通入镓源，吹扫，向所述沉积腔室内通入氧源，吹扫，在所述加热基片上生长氧化镓膜；其中，所述镓源的通入时间为0.001-5s，所述氧源的通入时间为1-20s；所述第二循环包括：向所述沉积腔室内通入铝源，吹扫，向所述沉积腔室内通入氧源，吹扫，将铝元素掺杂在所述氧化镓膜中；其中，所述铝源的通入时间为0.001-5s。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一预设循环次数与所述第二预设循环次数的比例为1-10。3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述沉积腔室内的温度为350℃，所述沉积腔室内的压强为0.15torr。4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述镓源的通入时间为0.03s，所述铝源的通入时间为0.015s，所述氧源的通入时间为8s。5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述氧源为臭氧、氧气和水蒸气中的一种或多种。6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述吹扫的通入时间为1-1000s。7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述镓源为三甲基镓、三乙基镓和三异丙醇镓中的一种或多种。8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铝源为三氯化铝、三甲基铝、三乙基铝和氯化二甲基铝中的一种或多种。9.一种铝掺杂氧化镓膜，其特征在于，所述铝掺杂氧化镓膜根据权利要求1-8的任一项所述的制备方法制备获得。10.如权利要求9所述的铝掺杂氧化镓膜，其特征在于，所述铝掺杂氧化镓膜的禁带宽度为4.9-8.8ev。

技术总结
本发明公开了一种铝掺杂氧化镓膜的制备方法，通过在沉积腔室内的加热基片上采用原子层沉积技术进行复合沉积，获得铝掺杂氧化镓膜。首先设定满足对氧化镓掺铝的条件：沉积腔室内的温度为50-400℃，压强为0.01-0.5torr；在此基础上，在加热基片上，按照第一预设循环次数与第二预设循环次数，交替执行第一沉积过程和第二沉积过程，通过原子层单层循环生长时对镓源、铝源和氧源的通入时间的精确控制(镓源的通入时间为0.001-5s，氧源的通入时间为1-20s，铝源的通入时间为0.001-5s)，可实现铝掺杂比例的精确控制，从而获得具有精确禁带宽度的铝掺杂氧化镓膜。的铝掺杂氧化镓膜。的铝掺杂氧化镓膜。


技术研发人员：王蕾 卢维尔 明帅强 夏洋 赵丽莉 李楠 冷兴龙 何萌
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：2020.05.06
技术公布日：2021/11/8