半导体结构及其形成方法与流程

技术特征：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：形成一介电层于一基底上；形成一接触件于所述介电层中；凹蚀所述介电层，使得所述接触件的一上部突出于所述介电层的上表面；以及刻蚀所述接触件的所述上部，以减少所述接触件的所述上部的尺寸。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述接触件的所述上部的步骤包括等向性刻蚀所述接触件的所述上部。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述接触件的所述上部的步骤包括等向性刻蚀所述接触件的所述上部的侧壁与顶面，以等量地减少所述上部的高度与宽度。4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述接触件的下部的顶宽大于所述接触件的所述上部的底宽。5.一种半导体结构，其特征在于，包括：一基底；一接触件，位于所述基底上，其中所述接触件包括一上部与一下部；一衬层，位于所述接触件的所述下部的侧壁与底部上；以及一介电层，围绕所述接触件，其中所述介电层直接接触所述接触件的所述上部的侧壁。6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述接触件的所述上部的顶宽等于或小于所述接触件的所述下部的顶宽。7.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述接触件的所述下部的顶部部分直接接触所述介电层。8.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述介电层包括：一第一介电层，与所述接触件的所述下部齐平；以及一第二介电层，与所述接触件的所述上部齐平。9.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述上部与所述下部皆朝向所述基底的一方向逐渐变窄。10.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述上部的侧壁与所述下部的侧壁大致上平行。

技术总结
本发明提供一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包含：形成介电层于基底上；形成接触件于介电层中；凹蚀介电层，使得接触件的上部突出于介电层的上表面；以及刻蚀接触件的上部，以减少接触件的上部的尺寸。所述半导体结构包含基底、位于基底上且包括上部与下部的接触件、位于接触件的下部的侧壁与底部上的衬层、以及围绕接触件的介电层。介电层直接接触接触件的上部的侧壁。利用本发明，可以提供较大的工艺宽裕度，进而提升工艺良品率与确保半导体元件的性能。率与确保半导体元件的性能。率与确保半导体元件的性能。


技术研发人员：黄加欣
受保护的技术使用者：华邦电子股份有限公司
技术研发日：2020.05.07
技术公布日：2021/11/8