LED显示调节电路的制作方法

led显示调节电路
技术领域
1.本实用新型实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种led显示调节电路。


背景技术：

2.微型发光二极管(micro light
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emitting diode，micro
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led)具有自发光显示特性，其为全固态发光二极管，寿命长、亮度高、功耗低、体积较小、具有超高分辨率，可应用于高温或辐射等极端环境，越来越多的厂家已将其作为新一代显示技术进行规划。
3.micro
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led显示器件通常由驱动芯片驱动micro
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led芯片阵列进行发光，即驱动芯片通电后，向micro
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led芯片阵列发送驱动信号，驱动micro
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led芯片按要求进行发光。然而每个led芯片所需的发光参数不会完全相同，这就导致led芯片阵列发光时，led芯片的发光亮度参差不齐，影响micro
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led显示器件的质量。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本实用新型实施例提供一种led显示调节电路，以实现对led 芯片发光亮度的调节，提高micro
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led显示器件的发光均匀性。
5.本实用新型实施例提供一种led显示调节电路，包括：驱动模块、光电转换模块和数据处理模块；所述驱动模块连接led芯片；所述光电转换模块与所述led芯片连接，且通过所述数据处理模块与所述驱动模块；
6.所述光电转换模块用于将所述led芯片的光信号转换为电信号；
7.所述数据处理模块用于对所述电信号进行处理以生成调节信号；
8.所述驱动模块用于根据所述调节信号调节所述led芯片的发光强度。
9.进一步的，所述驱动模块还用于根据驱动信号驱动所述led芯片发光，所述驱动模块包括信号接收电路、信号保持电路和调节电路，所述信号接收电路与所述信号保持电路连接，所述信号保持电路与所述调节电路连接，所述调节电路连接所述led芯片。
10.进一步的，所述信号接收电路包括第一nmos管和第二nmos管，所述第一nmos管的栅极和所述第二nmos管的栅极连接且用于接收行驱动信号，所述第一nmos管的漏极用于接收第一列驱动信号，所述第二nmos管的漏极用于接收第二列驱动信号。
11.进一步的，所述第一列驱动信号与所述第二列驱动信号互为相反信号。
12.进一步的，所述信号保持电路包括第一pmos管、第二pmos管、第三 nmos管和第四nmos管；
13.所述第一pmos管的栅极、所述第三nmos管的栅极、所述第二pmos 管的漏极和所述第四nmos管的漏极四者相连接；
14.所述第二pmos管的栅极、所述第四nmos管的栅极、所述第一pmos 管的漏极和所述第三nmos管的漏极四者相连接；
15.所述第三nmos管的栅极与所述第一nmos管的源极连接，所述第四 nmos管的栅极与所述第二nmos管的源极连接；
16.所述第一pmos管的漏极与所述第三nmos管的漏极连接，所述第二 pmos管的漏极与所述第四nmos管的漏极连接；
17.所述第一pmos管的源极和第二pmos管的源极均连接工作电源正极；
18.所述第三nmos管的源极和第四nmos管的源极均连接工作电源负极。
19.进一步的，所述调节电路包括第三pmos管和第四pmos管，所述第三 pmos管的栅极用于接收调节信号，所述第三pmos管的源极连接工作电源正极，所述第三pmos管的漏极与所述第四pmos管的源极连接，所述第四pmos 管的栅极与所述第三nmos管的栅极连接，所述第四pmos管的漏极与所述 led芯片连接。
20.进一步的，所述光电转换模块包括控制开关和光敏二极管，所述光敏二极管用于将所述led芯片光信号转换为电信号，所述控制开关用于根据控制信号将所述电信号传输至所述数据处理模块。
21.进一步的，所述控制开关为第五nmos管，所述第五nmos管的栅极用于接收控所述制信号，所述第五nmos管的源极连接所述光敏二极管，所述第五nmos管的漏极连接所述第二nmos管的栅极。
22.进一步的，所述光敏二极管的正极连接所述led芯片的负极，所述光敏二极管的负极连接所述第五nmos管的源极。
23.进一步的，所述数据处理模块为比较器，所述比较器将所述电信号与参考信号进行比较，生成调节信号。
24.本实用新型实施例提供的led显示调节电路通过驱动模块、光电转换模块和数据处理模块，实现了对led芯片发光亮度的调节，使得led阵列中的每个led芯片的发光亮度相同，提高了micro
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led显示器件的发光均匀性。
附图说明
25.图1为本实用新型实施例一提供的一种led显示调节电路的示意图；
26.图2为本实用新型实施例二提供的一种led显示调节电路的示意图。
具体实施方式
27.下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部结构。
28.在更加详细地讨论示例性实施例之前应当提到的是，一些示例性实施例被描述成作为流程图描绘的处理或。虽然流程图将各步骤描述成顺序的处理，但是其中的许多步骤可以被并行地、并发地或者同时实施。此外，各步骤的顺序可以被重新安排。当其操作完成时处理可以被终止，但是还可以具有未包括在附图中的附加步骤。处理可以对应于、函数、规程、子例程、子程序等等。
29.此外，术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种方向、动作、步骤或元件等，但这些方向、动作、步骤或元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个方向、动作、步骤或元件与另一个方向、动作、步骤或元件区分。术语“第一”、“第二”等而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的
特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”、“批量”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
30.实施例一
31.图1为本实用新型实施例一提供的一种led显示调节电路的示意图，本实施例可适用于micro
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led技术领域。
32.如图1所示，本实用新型实施例一提供的led显示调节电路包括：驱动模块100、光电转换模块200和数据处理模块300，其中，驱动模块100连接数据处理模块300和led芯片400(也即micro
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led芯片)，光电转换模块200连接led芯片400和数据处理模块300。
33.led显示调节电路工作时，驱动模块100首先驱动led芯片400发光。光电转换模块200则将led芯片400的光信号转换为电信号，并将该电信号输入至数据处理模块300。数据处理模块300对接收的电信号进行处理，生成调节信号，该调节信号用于调节led芯片400的发光亮度。数据处理模块300将调节信号传输至驱动模块100，驱动模块100则根据该调节信号调节led芯片400 的发光亮度。
34.进一步的，在对led芯片阵列中的每个led芯片400进行亮度调节时，可以将每个led芯片400的led发光亮度与led芯片阵列的平均发光亮度进行比较。当led芯片400的led发光亮度高于led芯片阵列的平均发光亮度时，生成亮度减弱调节信号。当led芯片400的led发光亮度低于led芯片阵列的平均发光亮度时，生成亮度加强调节信号。
35.进一步的，驱动模块100进一步包括信号接收电路110、信号保持电路120 和调节电路130。信号接收电路110与信号保持电路120连接，信号保持电路 120与调节电路130连接，调节电路130与led芯片400连接。信号接收电路 110用于接收驱动信号，该驱动信号用于驱动led芯片400发光。信号接收电路110接收驱动信号后，将其传输至信号保持电路120。信号保持电路120可以使驱动信号保持一段时间，同时将驱动信号传输调节电路130。调节电路130 将驱动信号传输至led芯片400，从而使led芯片400发光。同时，调节电路 130还用于接收数据处理模块300输出的调节信号，通过该调节信号调节led 芯片400的发光亮度。
36.本实用新型实施例一提供的led显示调节电路通过驱动模块、光电转换模块和数据处理模块，实现了对led芯片发光亮度的调节，使得led阵列中的每个led芯片的发光亮度相同，提高了micro
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led显示器件的发光均匀性。
37.实施例二
38.图2为本实用新型实施例二提供的一种led显示调节电路的示意图，本实施例是对上述实施例的进一步细化。如图2所示，本实用新型实施例二提供的 led显示调节电路包括：驱动模块100、光电转换模块200和数据处理模块300。
39.驱动模块100包括信号接收电路110、信号保持电路120和调节电路130。信号接收电路110包括第一nmos管nmos1和第二nmos管nmos2。第一 nmos管nmos1的栅极和第二nmos管nmos2的栅极连接且用于接收行驱动信号rown，第一nmos管nmos1的漏极用于接收第一列驱动信号datan，第二nmos管nmos2的漏极用于接收第二列驱动信号data_n。本实施例中，行驱动信号rown、第一列驱动信号datan和第二列驱动信号data_n为led芯片400的驱动信号，行驱动信号rown是指led芯片400在led芯片阵列中所处第n行的驱动信号，第一列驱动信号datan是指led芯片400在led芯片阵列中所处第n列的驱动信号，第二列驱动信号data_n为第一列驱动信号 datan的相反信号。
40.信号保持电路120包括第一pmos管pmos1、第二pmos管pmos2、第三nmos管nmos3和第四nmos管nmos4；第一pmos管pmos1的栅极、第三nmos管nmos3的栅极、第二pmos管pmos2的漏极和第四nmos管 nmos4的漏极四者相连接；第二pmos管pmos2的栅极、第四nmos管 nmos4的栅极、第一pmos管pmos1的漏极和第三nmos管nmos3的漏极四者相连接；第三nmos管nmos3的栅极第一nmos管nmos1的源极连接，第四nmos管nmos4的栅极与第二nmos管nmos2的源极连接；第一pmos管pmos1的漏极与第三nmos管nmos3的漏极连接，第二pmos 管pmos2的漏极与第四nmos管nmos4的漏极连接；第一pmos管pmos1 的源极和第二pmos管pmos2的源极均连接工作电源正极vdd；第三nmos 管nmos3的源极和第四nmos管nmos4的源极均连接工作电源负极vss。
41.调节电路130包括第三pmos管pmos3和第四pmos管pmos4，第三 pmos管pmos3的栅极用于接收调节信号iref，第三pmos管pmos3的源极连接工作电源正极，第三pmos管pmos3的漏极与第四pmos管pmos4的源极连接，第四pmos管pmos4的栅极与第三nmos管nmos3的栅极连接，第四pmos管pmos4的漏极与led芯片400连接。
42.光电转换模块200包括控制开关和光敏二极管pd，控制开关为第五nmos 管nmos5。第五nmos管nmos5的栅极接收控制信号row_pd，其漏极连接至驱动模块100的第二pmos管pmos4的栅极，其源极连接光敏二极管pd 的负极。光敏二极管pd的正极连接led芯片400的负极。
43.本实施例中，数据处理模块300为一比较器。行驱动信号rown、第一列驱动信号datan、第二列驱动信号data_n和控制信号row_pd均可由fpga电路产生，其中，第一列驱动信号datan经反相器后得到第二列驱动信号data_n。
44.本实施例的工作原理为：驱动模块100接收fpga电路产生的行驱动信号 rown、第一列驱动信号datan和第二列驱动信号data_n，驱动led芯片400 发光。设于led芯片400负极的光敏二极管pd感应led芯片400的发光亮度，将led芯片400的光信号转换为电信号。同时，fpga电路产生控制信号 row_pd输入至第五nmos管nmos5的栅极，使第五nmos管nmos5的漏极和源极导通，从而使转换得到的电信号输出至数据处理模块300。数据处理模块300为一adc(analog
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to
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digital converter，模数转换)电路，其实质为一比较器，将该电信号与参考信号进行比较，将二者差值作为调节信号iref输出至调节电路130的第三pmos管pmos3的栅极，从而调节led芯片400的发光亮度。本实施例中，参考信号为led芯片阵列的平均发光亮度所对应的电信号。
45.进一步的，在图2所示的led显示调节电路中，当行驱动信号rown＝0时， en信号保持原先的状态，为0或1。当行驱动信号rown＝1时，第一列驱动信号datan、第二列驱动信号data_n传输到信号保持模块120，使得en信号跟随第二列驱动信号data_n。当行驱动信号rown＝1，第一列驱动信号datan＝1，第二列驱动信号data_n＝0时，此时en＝0，第四pmos管pmos4导通，第一列驱动信号datan结合调节信号iref信号共同控制led芯片的状态。调节信号iref 的电压(vdd
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iref)越大，流过led芯片的电流越大，则led芯片的亮度越大，故通过改变调节信号iref可以调节led芯片亮度。
46.本实用新型实施例二提供的led显示调节电路通过驱动模块、光电转换模块和数据处理模块，实现了对led芯片发光亮度的调节，使得led阵列中的每个led芯片的发光亮度相同，提高了micro
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led显示器件的发光均匀性。
47.注意，上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本实用新型不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。