技术特征：
1.一种半导体装置，包括：一底介电部件，在一基底上；多个通道构件，在该底介电部件正上方；一栅极结构，包覆环绕所述通道构件；两个第一外延部件，沿着一第一方向将该底介电部件夹在中间；以及两个第二外延部件，沿着该第一方向将所述通道构件夹在中间。
技术总结
根据本发明实施例的半导体装置，包含基底上的底介电部件，在底介电部件正上方的多个通道构件，包覆环绕每个通道构件的栅极结构，沿着第一方向将底介电部件夹在中间的两个第一外延部件，以及沿着第一方向将多个通道构件夹在中间的两个第二外延部件。在中间的两个第二外延部件。在中间的两个第二外延部件。
技术研发人员：张荣宏 张罗衡 林志昌 陈仕承 江国诚 王志豪
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.05.26
技术公布日：2021/10/18
再多了解一些
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