一种基于金属银牺牲层的石墨烯转移方法与流程

技术特征：
1.一种基于金属银牺牲层的石墨烯转移方法，其特征在于，包括如下步骤：采用化学气相沉积法在金属基底上生长石墨烯，得到第一样片；将银均匀沉积在所述石墨烯上，得到第二样片；在所述第二样片上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，得到第三样片；用刻蚀液刻蚀掉所述第三样片中的所述金属基底，得到第四样片；将所述第四样片转移到目标基底上，得到第五样片；去除所述第五样片中的所述聚甲基丙烯酸甲酯，并刻蚀所述银。2.如权利要求1所述的基于金属银牺牲层的石墨烯转移方法，其特征在于，采用化学气相沉积法在金属基底上生长石墨烯的步骤中：所述金属基底为铜、镍、铂、钴、铁、钼、钌或铱，所述石墨烯为单层石墨烯、双层石墨烯或多层石墨烯。3.如权利要求1所述的基于金属银牺牲层的石墨烯转移方法，其特征在于，将银均匀沉积在所述石墨烯上，得到第二样片的步骤包括：用热碱清洗第一玻璃培养皿和第二玻璃培养皿；用去离子水冲洗第一玻璃培养皿和第二玻璃培养皿；用氮气枪将第一玻璃培养皿和第二玻璃培养皿吹干；将所述第一样片固定在所述第二玻璃培养皿中，并将二者放入所述第一玻璃培养皿中；将15～30ml质量分数为5％的银氨溶液倒入所述第二玻璃培养皿中；将5～10ml量分数为17％的葡萄糖溶液倒入所述银氨溶液中，均匀混合；所述第一玻璃培养皿放上加热台；在所述第一玻璃培养皿中加入适量的水，并将加热台的温度设定为65～75℃；对所述第一玻璃培养皿水浴加热，得到所述第二样片。4.如权利要求1所述的基于金属银牺牲层的石墨烯转移方法，其特征在于，在所述第二样片上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯的步骤中：旋涂的所述聚甲基丙烯酸甲酯的厚度为1.5～2.7um。5.如权利要求1所述的基于金属银牺牲层的石墨烯转移方法，其特征在于，用刻蚀溶液刻蚀掉所述第三样片中的所述金属基底的步骤中：所述刻蚀液的浓度为0.5～1mol/l，所述刻蚀液为过硫酸铵溶液、硝酸铁溶液或氯化铁溶液。6.如权利要求1所述的基于金属银牺牲层的石墨烯转移方法，其特征在于，将所述第四样片转移到目标基底上的步骤中：所述目标基底为硅片、氧化硅片、蓝宝石、玻璃片或陶瓷。7.如权利要求1所述的基于金属银牺牲层的石墨烯转移方法，其特征在于，去除所述第五样片中的所述聚甲基丙烯酸甲酯，并刻蚀所述银的步骤中：使用丙酮去除所述第五样片中的聚甲基丙烯酸甲酯，使用硝酸刻蚀所述第五样片中的所述银，从而完成所述石墨烯的转移。

技术总结
本发明公开了一种基于金属银牺牲层的石墨烯转移方法，采用化学气相沉积法在金属基底上生长石墨烯，将银均匀沉积在所述石墨烯上，旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，用刻蚀液刻蚀掉金属基底，最后使用丙酮除去聚甲基丙烯酸甲酯，硝酸刻蚀银，完成石墨烯的转移。在石墨烯的表面上均匀地沉积了一层金属银，可以避免石墨烯与聚甲基丙烯酸甲酯直接接触，从而避免了石墨烯处于一个重P掺的状态也避免了石墨烯转移过程中有机物的残留。金属银的均匀覆盖还会使石墨烯完全展开，便于石墨烯转移到目标基底上。通过银氨溶液和葡萄糖反应产生的银均匀沉积在石墨烯表面。墨烯表面。墨烯表面。


技术研发人员：李全福 孙曼莉 陈武良 徐敏华 彭慧玲
受保护的技术使用者：广西师范大学
技术研发日：2021.05.24
技术公布日：2021/9/16