应用于锗单晶生长的掺杂装置的制作方法

技术特征：
1.一种应用于锗单晶生长的掺杂装置，其特征在于，包括：内部形成容纳腔的装置本体(1)，所述装置本体(1)的顶端开设有连通所述容纳腔的开口，所述装置本体(1)的底端设有入口(5)；盖体(2)，所述盖体(2)可拆卸的盖设在所述装置本体(1)的开口处；阻挡结构(4)，所述阻挡结构(4)可移动的设置在所述容纳腔内，且位于所述入口(5)处。2.根据权利要求1所述的应用于锗单晶生长的掺杂装置，其特征在于，所述装置本体(1)呈中空圆柱体状，所述入口(5)位于所述中空圆柱体底部中心处；所述盖体(2)为拱形盖。3.根据权利要求1或2所述的应用于锗单晶生长的掺杂装置，其特征在于，所述装置本体(1)的侧壁上设有多个排气口(6)。4.根据权利要求3所述的应用于锗单晶生长的掺杂装置，其特征在于，所述排气口(6)设有两个，并且两个所述排气口(6)相对设置在所述装置本体(1)的两侧。5.根据权利要求1所述的应用于锗单晶生长的掺杂装置，其特征在于，所述盖体(2)的底部边缘处设有第一连接件(7)，所述装置本体(1)的开口处侧壁上设有第二连接件(8)，所述第一连接件(7)与所述第二连接件(8)配合。6.根据权利要求5所述的应用于锗单晶生长的掺杂装置，其特征在于，所述第一连接件(7)为所述盖体(2)底部边缘处的侧壁在其厚度一半处设置的第一螺纹，所述第二连接件(8)为所述装置本体(1)开口处的侧壁在其厚度一半处设置的第二螺纹，所述第一螺纹与所述第二螺纹螺接。7.根据权利要求1或2所述的应用于锗单晶生长的掺杂装置，其特征在于，还包括连接结构(3)，所述连接结构(3)设置在所述盖体(2)顶部，用于连接籽晶连接杆。8.根据权利要求7所述的应用于锗单晶生长的掺杂装置，其特征在于，所述连接结构(3)为中空圆柱体，所述连接结构(3)的一端连接所述盖体(2)顶部，所述连接结构(3)的另一端敞口，并用于连接籽晶连接杆。9.根据权利要求7所述的应用于锗单晶生长的掺杂装置，其特征在于，所述连接结构(3)的内侧壁上形成有第三螺纹(9)。10.根据权利要求3所述的应用于锗单晶生长的掺杂装置，其特征在于，所述阻挡结构(4)为中空浮球体；所述入口(5)和所述排气口(6)均为圆形通孔；所述阻挡结构(4)的直径≥所述入口(5)的直径。

技术总结
本实用新型提供了一种应用于锗单晶生长的掺杂装置，该掺杂装置包括内部形成容纳腔的装置本体以及盖体和阻挡结构，所述装置本体的顶端开设有连通所述容纳腔的开口，所述装置本体的底端设有入口；所述盖体可拆卸的盖设在所述装置本体的开口处；所述阻挡结构可移动的设置在所述容纳腔内，且位于所述入口处。该掺杂装置结构简单且操作方便，能够在锗单晶生长过程的中途进行再次添加掺杂剂，从而可以对锗单晶生长过程中的电阻率参数进行调整，以保证所生产的锗单晶满足所需电阻率。生产的锗单晶满足所需电阻率。生产的锗单晶满足所需电阻率。


技术研发人员：刘志远 李燕 王博 雷同光 王宇 曹旭 赵哲 孔腾飞 邢俊 冯德伸 于洪国
受保护的技术使用者：有研光电新材料有限责任公司
技术研发日：2020.11.30
技术公布日：2021/9/9