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一种残膜回收机防缠绕挑膜装置的制作
一种秧草收获机用电力驱动行走机构的
iii
碳酸铈(III)分散体的制备的制作方法
碳酸铈(iii)分散体的制备相关申请的引证2.本技术要求于2020年3月20日提交的美国临时申请号62/992,393的优先权。
标签:
散体
优先权
美国
碳酸
iii
2023-01-15
基于III族氮化物的晶体管器件的制作方法
基于iii族氮化物的晶体管器件
标签:
氮化物
晶体管
器件
iii
2022-11-29
高质量第III族金属氮化物晶种及其制备方法与流程
高质量第iii族金属氮化物晶种及其制备方法
标签:
氮化物
高质量
制备方法
金属
iii
2022-08-21
一种阳离子型铱(Ⅲ)配合物的制备方法与流程
一种阳离子型铱(ⅲ)配合物的制备方法技术领域本发明涉及铱配合物,尤其涉及一种阳离子型铱(iii)配合物的制备方法。
标签:
阳离子
制备方法
iii
2022-08-13
III族氮化物基板的制造方法和III族氮化物基板与流程
iii族氮化物基板的制造方法和iii族氮化物基板技术领域本发明涉及iii族氮化物基板的制造方法和利用该制造方法制造的iii族氮化物基板。
标签:
氮化物
基板
方法
iii
2022-08-13
一种适用于70MPa加气站III型站用储氢气瓶及其加工方法与流程
一种适用于70mpa加气站iii型站用储氢气瓶及其加工方法技术领域本发明涉及储氢气瓶相关技术领域,具体涉及一种适用于70mpa加气站iii型站用储氢气瓶及其加工方法。
标签:
氢气
适用于
加工
方法
iii
2022-08-10
形成单片发光二极管前驱体的方法与流程
本公开涉及发光二极管(light emitting diode,led)。具体地,本公开涉及包含iii族氮化物的led。
标签:
氮化物
emitting
light
diode
iii
2022-07-24
基板接合的制作方法
本公开涉及两个基板的接合。特别地,本公开涉及包含iii族氮化物的基板的接合。
标签:
氮化物
基板
两个
iii
2022-07-14
一种用于回收Au(III)的无溶剂萃取剂的制备方法及应用
一种用于回收au(iii)的无溶剂萃取剂的制备方法及应用技术领域本发明属于固相萃取及贵金属回收技术领域,具体涉及一种用于回收au(iii)的无溶剂萃取剂的制备方法及应用。
标签:
制备方法
无溶剂
贵金属
au
iii
2022-07-13
一种MARKIII液穹波纹反角件的焊接方法与流程
一种mark iii液穹波纹反角件的焊接方法技术领域本发明涉及焊接领域,特别是涉及一种mark iii液穹波纹反角件的焊接方法。
标签:
波纹
方法
特别是
mark
iii
2022-07-02
一种重组人III型胶原蛋白及其制备方法和应用与流程
一种重组人iii型胶原蛋白及其制备方法和应用技术领域本发明属于优化编码基因技术领域,具体地涉及一种重组人iii型胶原蛋白及其制备方法和应用。
标签:
胶原蛋白
制备方法
基因
iii
2022-06-30
一种硅基III-V族半导体材料的制备方法
一种硅基iii-v族半导体材料的制备方法技术领域本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种硅基iii-v族半导体材料的制备方法。
标签:
制备方法
半导体材料
半导体
硅基
iii
2022-06-29
一种基于改进变异策略的NSGA-III方法
一种基于改进变异策略的nsga-iii方法技术领域本发明属于多目标优化技术领域,具体涉及一种基于改进变异策略的nsga-iii算法。
标签:
策略
算法
目标
方法
iii
2022-06-02
发光二极管和形成发光二极管的方法与流程
本公开涉及iii族氮化物半导体。具体而言,本公开涉及包括iii族氮化物半导体的发光二极管(light emitting diodes,led)。
标签:
氮化物
半导体
iii
light
led
2022-04-21
一种III-V族半导体晶圆的减薄方法与流程
一种iii-v族半导体晶圆的减薄方法技术领域本发明涉及一种iii-v族半导体的加工工艺,具体涉及一种iii-v族半导体晶圆的减薄方法。
标签:
半导体
晶圆
方法
加工工艺
iii
2022-03-23
p型第III族氮化物半导体的制造方法与流程
p型第iii族氮化物半导体的制造方法技术领域本发明涉及包含al作为必需构成要素的p型第iii族氮化物半导体的制造方法。
标签:
氮化物
半导体
方法
构成要素
iii
2022-03-01
一种重组III型人源化胶原蛋白、核酸、载体及植入剂的制作方法
一种重组iii型人源化胶原蛋白、核酸、载体及植入剂技术领域本发明涉及基因工程技术领域,具体涉及一种重组iii型人源化胶原蛋白、核酸、载体及植入剂。
标签:
核酸
载体
胶原蛋白
基因工程
iii
2022-02-25
III-V族半导体二极管的制作方法
iii-v族半导体二极管本案为申请日为2013年11月14日、申请号为201711123866.1、发明名称为“iii-v族半导体二极管”的专利申请的分案申请。技术领域2.本发明涉及一种iii-v族半导体二极管。
标签:
半导体
专利申请
日为
iii
二极管
2022-02-21
III-V构造集成在IV族基材上的制作方法
iii‑v构造集成在iv族基材上技术领域本发明涉及iii‑v半导体领域。更具体地,本发明涉及将iii‑v构造一体式集成在iv族基材上的方法。
标签:
基材
体式
半导体
方法
iii
2021-11-25
III族氮化物层叠体的制造方法、检查方法、以及III族氮化物层叠体与流程
iii族氮化物层叠体的制造方法、检查方法、以及iii族氮化物层叠体本技术是申请日为2017年11月9日,申请号为201780080600.5,发明名称为“iii族氮化物层叠体的制造方法、检查方法、以及iii族氮化物层叠体”的申请的分案申请。技术领域2.本发明涉及iii族氮化物层叠体的制造方法、检查方法、以及iii族氮化物层叠体。
标签:
氮化物
方法
体制
日为
iii
2021-11-24
III族氮化物器件以及制备基于III族氮化物的器件的方法与流程
iii族氮化物器件以及制备基于iii族氮化物的器件的方法
标签:
氮化物
器件
制备
方法
iii
2021-10-29
一种金属铱(III)配合物及其制备方法和应用与流程
一种金属铱(iii)配合物及其制备方法和应用技术领域本发明属于医药技术领域,尤其涉及一种金属铱(iii)配合物及其制备方法和应用。
标签:
制备方法
配合
金属
医药
iii
2021-10-19
车灯近光III区形成装置、车灯及车辆的制作方法
车灯近光iii区形成装置、车灯及车辆技术领域本实用新型涉及车灯,具体地,涉及一种车灯近光iii区形成装置。本实用新型还涉及包括该车灯近光iii区形成装置的车灯及车辆。
标签:
车灯
装置
车辆
包括
iii
2021-10-09
最热文献