一种多晶硅表面杂质去除抛光设备的制作方法

本技术涉及多晶硅生产，具体涉及一种多晶硅表面杂质去除抛光设备。

背景技术：

1、粒状硅通过前端反应后，其表面附着一定厚度的硅粉，该部分硅粉由反应末期非致密硅产生吸附形成，且反应所得的粒状硅包装和转运至下一工序的过程中，其暴露在空气和环境当中，会吸附换环境中非硅及金属粒子。

2、以上为粒状硅杂质的形成过程，不但会影响粒状硅的质量，而且会导致其在下游使用过程影响单晶硅质量及寿命。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是开发一种对硅料进行抛光，去除硅料表面毛刺和硅粉的多晶硅表面杂质去除抛光设备。

2、本实用新型通过如下的技术方案实现：

3、一种多晶硅表面杂质去除抛光设备，包括：

4、底座；

5、抛光箱，设于底座上方；

6、弹簧，设于底座与抛光箱之间；

7、抛光槽，设于抛光箱内；

8、振动源，与抛光箱连接；

9、其中，所述抛光箱上设有与抛光槽连通的除尘口，所述抛光箱上设有伸入抛光槽内的吹扫管，所述除尘口与吸尘系统连通，所述吹扫管与气源连通。

10、可选的，所述抛光槽呈环形，所述抛光槽底部设有多个倾斜布置的隔板，所述振动源带动抛光箱回转摇摆。

11、可选的，所述抛光槽呈圆筒状，多个所述隔板在抛光槽圆形轨迹上顺次头尾相连布置，所述隔板尾部向头部方向逐渐上升，物料在所述抛光槽内由隔板的尾部向头部运动。

12、可选的，所述抛光箱上设有多个除尘口，多个所述除尘口在抛光槽的圆形轨迹上等间距布置。

13、可选的，所述抛光箱顶部设有盖于抛光槽顶部的顶盖，所述除尘口及吹扫管设于所述顶盖上。

14、可选的，所述抛光箱底部设有基座，所述基座与抛光箱间连接有多个筋板，所述弹簧设于所述基座与底座间，所述振动源包括基座底部安装的振动电机。

15、可选的，所述抛光槽呈长方体状，所述振动源包括安装于抛光槽两端的抛光箱上的振动电机。

16、可选的，所述抛光槽顶部的抛光箱上设有多个除尘口，多个所述除尘口在抛光槽长度方向上等间距布置。

17、可选的，所述除尘口外侧的抛光箱上均匀设有多个吹扫管。

18、可选的，所述抛光槽底部外侧的抛光箱上设有可开关的物料门，所述吹扫管伸入抛光槽底部。

19、本实用新型的有益效果是：

20、本实用新型采用高频振动的形式，使硅料在槽体内产生高频的相互摩擦，将硅料表面的毛刺及硅粉磨掉，实现硅料的抛光，抛光过程中主要依靠硅料的相互摩擦撞击，不会引入新的杂质，并且物料运动随着底部隔板的倾斜而不断被抛洒，与此同时氮气泵入并且对槽体进行吸尘，物料抛洒进一步提升抛光效果，且提高氮气冲走硅粉的效果，硅粉随氮气被抽吸，避免硅粉散入环境中以及再次吸附在硅料上。

1.一种多晶硅表面杂质去除抛光设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的多晶硅表面杂质去除抛光设备，其特征在于，所述抛光槽呈环形，所述抛光槽底部设有多个倾斜布置的隔板，所述振动源带动抛光箱回转摇摆。

3.根据权利要求2所述的多晶硅表面杂质去除抛光设备，其特征在于，所述抛光槽呈圆筒状，多个所述隔板在抛光槽圆形轨迹上顺次头尾相连布置，所述隔板尾部向头部方向逐渐上升，物料在所述抛光槽内由隔板的尾部向头部运动。

4.根据权利要求3所述的多晶硅表面杂质去除抛光设备，其特征在于，所述抛光箱上设有多个除尘口，多个所述除尘口在抛光槽的圆形轨迹上等间距布置。

5.根据权利要求1所述的多晶硅表面杂质去除抛光设备，其特征在于，所述抛光箱顶部设有盖于抛光槽顶部的顶盖，所述除尘口及吹扫管设于所述顶盖上。

6.根据权利要求1所述的多晶硅表面杂质去除抛光设备，其特征在于，所述抛光箱底部设有基座，所述基座与抛光箱间连接有多个筋板，所述弹簧设于所述基座与底座间，所述振动源包括基座底部安装的振动电机。

7.根据权利要求1所述的多晶硅表面杂质去除抛光设备，其特征在于，所述抛光槽呈长方体状，所述振动源包括安装于抛光槽两端的抛光箱上的振动电机。

8.根据权利要求7所述的多晶硅表面杂质去除抛光设备，其特征在于，所述抛光槽顶部的抛光箱上设有多个除尘口，多个所述除尘口在抛光槽长度方向上等间距布置。

9.根据权利要求8所述的多晶硅表面杂质去除抛光设备，其特征在于，所述除尘口外侧的抛光箱上均匀设有多个吹扫管。

10.根据权利要求1~9任意一项所述的多晶硅表面杂质去除抛光设备，其特征在于，所述抛光槽底部外侧的抛光箱上设有可开关的物料门，所述吹扫管伸入抛光槽底部。