一种更高效镀膜的镀膜工艺舱的制作方法

摘要: 本技术属于真空镀膜,具体涉及一种适用于具有多方向镀面异形工件的更高效均匀镀膜的镀膜工艺舱。背景技术:1、某著名品牌的手机中框是不锈钢材质,需要离子镀耐磨、耐划花...
一种更高效镀膜的镀膜工艺舱的制作方法

本技术属于真空镀膜,具体涉及一种适用于具有多方向镀面异形工件的更高效均匀镀膜的镀膜工艺舱。

背景技术:

1、某著名品牌的手机中框是不锈钢材质,需要离子镀耐磨、耐划花的多种颜色装饰膜层。该手机中框属于异形件,呈矩形状,有长、短边,其外侧面是竖立平面,而其上下周边为窄弯边,矩形的四角为圆弧过渡。其所镀的颜色除了传统的仿玫瑰金(ticn)和黑色(非晶碳膜)外,还要求镀天蓝色、翠绿色、紫红色和黑中泛蓝色等,这些丰富和独特的颜色,可以通过两种途径来实现:其一,是先镀坚硬的浅色支撑层,再在其上选用两种较硬的分别具有高、低折射系数的透明或半透明膜,按光学干涉原理,镀多层交叠膜系,让其呈现所需干涉色(如天蓝色、翠绿色、紫红色等);其二,是先镀坚硬的近似所需颜色的支撑层(如黑色),再在其上选用两种较硬的分别具有高、低折射系数的透明或半透明膜,按光学干涉原理,镀多层交叠膜系,让其呈现所需调整用的干涉色(如蓝色),最终在本底色(黑色)上添加上干涉色(蓝色),以达到所需要的更丰富的膜层颜色(如黑中泛蓝色)。无疑上述两种途径是传统的离子镀装饰膜方法和镀光学干涉膜方法的结合,后者要求严格控制各层透明膜的膜厚,才能呈现准确的颜色,但对于异形工件却成为难题,例如上述的手机中框。

2、一般传统离子镀膜机,均采用立式溅射靶,而手机中框水平串叠在立式的公自转的工件架上,以溅射靶面直对手机中框的侧平面的方式镀膜。由于靶面与手机中框各点的靶基距不同,相对靶发射粒子入射角度也不同,手机中框自转时各点面对靶的时间也不同,手机中框上各点相互受遮挡程度不同,导致各处所沉积膜厚不同,使得手机中框呈现不同干涉色,最终手机中框将因颜色不一致成废品。

3、为更好的实现上述异形的手机中框的镀膜,人们采用单片手机中框水平旋转镀膜方式,可彻底解决工件互相遮挡问题。但现有镀膜方式中的柱状靶均采用与水平的手机中框相平行或相垂直布置,这样靶发射的等离子束的入射角度将比较集中,相对水平放置的工件而言,入射方向范围较窄,这对于异形的手机中框的均匀镀膜并不有利,当靶在某个位置发射时,对于某些方向的面沉积量过多,为克服这问题,现有技术只好在沉积一段时间后,再移动一下靶的位置,减少原来沉积量较多的面的沉积,增加原来沉积量较少的面的沉积,以予补偿。这样变换操作,将增加整个工艺复杂性和难度。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是提供一种适用于具有多方向镀面异形工件的更高效均匀镀膜的镀膜工艺舱。

2、本实用新型的目的通过以下的技术方案来实现:

3、一种更高效镀膜的镀膜工艺舱,其特征在于:包括镀膜腔室和位于膜腔室两侧的各一对磁控溅射靶,其中一侧的磁控溅射靶上端相对工件俯向倾斜,另一侧的磁控溅射靶上端相对工件仰向倾斜,两侧的磁控溅射靶倾斜角度相同呈平行状;镀膜时工件水平旋转,俯向倾斜的磁控溅射靶位于水平状态的工件的一侧斜上方,仰向倾斜的磁控溅射靶位于水平状态的工件的另一侧斜下方。

4、本实用新型进一步的技术方案为:俯向倾斜的磁控溅射靶和仰向倾斜的磁控溅射靶的倾斜角度都为45°。

5、本实用新型进一步的技术方案为:俯向倾斜的磁控溅射靶和仰向倾斜的磁控溅射靶均为一对孪生中频磁控溅射靶。

6、本实用新型进一步的技术方案为:镀膜腔室上设有第一安装斜面和第二安装斜面,仰向倾斜的磁控溅射靶和俯向倾斜的磁控溅射靶分别安装在第一安装斜面和第二安装斜面上。

7、本实用新型进一步的技术方案为:第一安装斜面设在镀膜腔室上端的一侧,在镀膜腔室上面设有向上凸起的靶安装室,第二安装斜面设在靶安装室的一侧,第一安装斜面和第二安装斜面位于同一侧。

8、本实用新型进一步的技术方案为:镀膜腔室的一侧设有分子泵。

9、本实用新型进一步的技术方案为:镀膜腔室的一侧设有观察窗。

10、本实用新型进一步的技术方案为:镀膜腔室内设有真空规。

11、与现有技术相比,本实用新型具有以下有益效果:

12、本实用新型在镀膜腔室内设置俯向倾斜的磁控溅射靶和仰向倾斜的磁控溅射靶,镀膜时俯向倾斜的磁控溅射靶将位于工件的一侧斜上方,仰向倾斜的磁控溅射靶将位于水平工件的另一侧斜下方。本实用新型通过将磁控溅射靶倾斜一定角度,这样镀膜时沿靶长各个方向均能向工件发射粒子,入射角度是全方位的,这对异形的手机中框更有利,只要靶的倾角合适,更容易实现对异形手机中框各方向镀面的均匀沉积,在镀膜过程中无需对工件进行复杂的调整即可容易实现均匀镀膜,提高了镀膜效率。

1.一种更高效镀膜的镀膜工艺舱,其特征在于:包括镀膜腔室和位于膜腔室两侧的各一对磁控溅射靶,其中一侧的所述磁控溅射靶上端相对工件俯向倾斜,另一侧的所述磁控溅射靶上端相对工件仰向倾斜,两侧的所述磁控溅射靶倾斜角度相同呈平行状;镀膜时工件水平旋转,俯向倾斜的磁控溅射靶位于水平状态的工件的一侧斜上方,仰向倾斜的磁控溅射靶位于水平状态的工件的另一侧斜下方。

2.根据权利要求1所述的更高效镀膜的镀膜工艺舱,其特征在于:所述俯向倾斜的磁控溅射靶和仰向倾斜的磁控溅射靶的倾斜角度都为45°。

3.根据权利要求1所述的更高效镀膜的镀膜工艺舱,其特征在于:所述俯向倾斜的磁控溅射靶和仰向倾斜的磁控溅射靶均为一对孪生中频磁控溅射靶。

4.根据权利要求1所述的更高效镀膜的镀膜工艺舱,其特征在于:所述镀膜腔室上设有第一安装斜面和第二安装斜面,所述仰向倾斜的磁控溅射靶和俯向倾斜的磁控溅射靶分别安装在第一安装斜面和第二安装斜面上。

5.根据权利要求4所述的更高效镀膜的镀膜工艺舱,其特征在于:所述第一安装斜面设在所述镀膜腔室上端的一侧,在所述镀膜腔室上面设有向上凸起的靶安装室,所述第二安装斜面设在所述靶安装室的一侧,所述第一安装斜面和第二安装斜面位于同一侧。

6.根据权利要求1所述的更高效镀膜的镀膜工艺舱,其特征在于:所述镀膜腔室的一侧设有分子泵。

7.根据权利要求1所述的更高效镀膜的镀膜工艺舱,其特征在于:所述镀膜腔室的一侧设有观察窗。

8.根据权利要求1所述的更高效镀膜的镀膜工艺舱,其特征在于:所述镀膜腔室内设有真空规。