一种存储芯片测试方法及存储芯片测试装置与流程

本申请涉及测试，特别是涉及一种存储芯片测试方法及存储芯片测试装置。

背景技术：

1、随着存储芯片的发展，许多厂商在芯片设计制造中，需要对存储芯片进行功能测试，保证其出厂质量,sdram存储芯片具有容量大、速率高等特点，为市场上最为热门的高性能存储芯片。

2、发明人在存储类电子产品开发领域中研究发现，厂家大部分使用ate机台对sdram芯片进行功能测试，该机台测试成本极高。

技术实现思路

1、本申请主要解决的技术问题是提供一种存储芯片测试方法及存储芯片测试装置，以筛选出合格的存储芯片。

2、本申请提供了一种存储芯片测试方法，其中，所述存储芯片测试方法包括：读取所述存储芯片上的数据电压，并判断所述数据电压是否满足阈值电压；若满足，则确定所述存储芯片合格；若不满足，则确定所述存储芯片失效。

3、其中，所述读取所述存储芯片上的数据电压的步骤具体包括：测试系统向所述存储芯片发送测试信号；所述存储芯片根据所述测试信号向所述测试系统返回所述数据电压。

4、其中，所述测试信号包括指令信号和数据信号；其中，所述指令信号包括初始化、刷新、读写；所述数据信号包括高低电平。

5、其中，所述测试系统向所述存储芯片发送测试信号的步骤，包括：测试系统根据所述存储芯片的型号向所述存储芯片发送相对应的测试信号。

6、其中，所述测试系统包括控制单元和驱动比较单元；所述控制单元向所述驱动比较单元发送测试信号；所述驱动比较单元根据所述测试信号输出相对应的管脚电压至所述存储芯片；所述存储芯片根据所述管脚电压执行相对应的操作；所述驱动比较单元读取所述存储芯片执行所述操作时的数据电压，并判断所述数据电压是否满足阈值电压。

7、其中，所述驱动比较单元还包括输出驱动模块和输入比较模块；所述输出驱动模块根据接收到的所述测试信号选择输出相对应的管脚电压至所述存储芯片；所述输入比较模块读取所述存储芯片上的数据电压，并判断所述数据电压是否满足阈值电压。

8、其中，所述控制单元还向所述驱动比较单元发送方向控制信号，以控制所述驱动比较单元的输入输出方向。

9、本申请还提供一种存储芯片测试装置，其中，所述存储芯片测试装置包括：控制单元，提供测试信号；驱动比较单元，与所述控制单元连接，根据所述测试信号读取所述存储芯片上的数据电压，并判断所述数据电压是否满足阈值，以确定所述存储芯片是否合格。

10、其中，所述测试信号包括指令信号和数据信号；所述驱动比较单元将所述指令信号和数据信号传输至所述存储芯片，并读取所述存储芯片在所述指令信号下的数据电压。

11、其中，所述驱动比较单元包括输出驱动模块和输入比较模块；所述输出驱动模块与所述控制单元的输出端连接，用于接收所述控制单元输出的所述测试信号，并根据所述测试信号调节输出至所述存储芯片上的测试信号；所述输入比较模块与所述控制单元的输入端连接，用于读取所述存储芯片上的数据电压，并判断所述数据电压是否满足阈值电压，以确定所述存储芯片是否合格，并将判断结果发送至所述控制单元。

12、本申请的有益效果是：通过fpga向存储芯片发送测试信号，并读取存储芯片工作时的数据电压，比较数据电压是否满足阈值电压，从而确定存储芯片是否合格。相较于ate测试电路，本申请中的fpga测试电路可以根据存储芯片的型号输出相适应的管脚电压至存储芯片，以实现对不同型号的存储芯片进行性能测试，从而实现测试灵活，易维护，成本低廉等优点。

1.一种存储芯片测试方法，其特征在于，所述存储芯片测试方法包括：

2.根据权利要求1所述的存储芯片测试方法，其特征在于，所述读取所述存储芯片上的数据电压的步骤具体包括：

3.根据权利要求2所述的存储芯片测试方法，其特征在于，所述测试信号包括指令信号和数据信号；其中，所述指令信号包括初始化、刷新、读写；所述数据信号包括高低电平。

4.根据权利要求2所述的存储芯片测试方法，其特征在于，所述测试系统向所述存储芯片发送测试信号的步骤，包括：

5.根据权利要求4所述的存储芯片测试方法，其特征在于，所述测试系统包括控制单元和驱动比较单元；

6.根据权利要求5所述的存储芯片测试方法，其特征在于，所述驱动比较单元还包括输出驱动模块和输入比较模块；

7.根据权利要求5所述存储芯片测试方法，其特征在于，所述控制单元还向所述驱动比较单元发送方向控制信号，以控制所述驱动比较单元的输入输出方向。

8.一种存储芯片测试装置，其特征在于，所述存储芯片测试装置包括：

9.根据权利要求8所述的存储芯片测试装置，其特征在于，所述测试信号包括指令信号和数据信号；

10.根据权利要求8所述的存储芯片测试装置，其特征在于，所述驱动比较单元包括输出驱动模块和输入比较模块；