基板处理装置、半导体装置的制造方法以及记录介质与流程

本发明涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法以及记录介质。

背景技术：

1、作为半导体装置（半导体器件）的制造工序之一，例如有被退火处理等代表的改质处理，该退火处理是使用加热装置加热处理室内的基板，改变在基板的表面成膜的薄膜中的组成、晶体结构、或者修复成膜的薄膜内的晶体缺陷等。在近年来的半导体器件中，小型化、高集成化变得显著，与此相伴，需要对形成有具有高纵横比的图案的高密度基板进行改质处理。作为这样的对高密度基板的改质处理方法，探讨了使用微波的热处理方法。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2015－070045

技术实现思路

1、发明要解决的课题

2、在以往的使用微波的热处理中，存在由于在热处理中基板变形而不能均匀地加热基板的情况。

3、本发明的目的在于提供一种能够抑制基板的变形或者破损的电磁波热处理技术。

4、用于解决课题的手段

5、根据本发明的一个方式，提供一种具有加热装置、非接触式温度测量装置、控制部的技术，其中，

6、上述加热装置使用电磁波对基板进行加热，

7、上述非接触式温度测量装置测量上述基板的温度，

8、上述控制部获取由上述温度测量装置测量出的温度数据，并进行上述温度数据与预先设定的作为阈值的上限温度和下限温度的比较，在上述温度数据高于上述上限温度的情况下，或者，上述温度数据低于上述下限温度的情况下，控制为降低上述加热装置的输出或者关闭上述加热装置的电源。

9、发明效果

10、根据本发明，能够提供能够抑制基板的变形或者破损的电磁波热处理技术。

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

7.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

9.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

10.一种基板处理方法，其特征在于，具有：

11.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

12.一种计算机可读记录介质，其特征在于，该记录介质记录有通过计算机使基板处理装置执行以下步骤的程序：