半导体装置及半导体装置的制造方法与流程

本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。

背景技术：

1、关于半导体装置，已经提出了各种技术。例如，专利文献1提出了一种半导体装置的结构，其中金属引线电极的一部分与半导体元件通过高温焊料接合，金属引线电极的另一部分与布线基板通过低温焊料接合，并且半导体元件通过散热板接合到该布线基板上。

2、在这种半导体装置的制造工艺中，在使低温焊料及高温焊料升温而熔融之后，若对它们进行冷却而降温，则利用低温焊料与高温焊料的熔点差能使高温焊料先于低温焊料的凝固而凝固。由此，能够满足“相比于布线基板与金属引线电极之间的接合的接合性及管理，应优先进行半导体元件与金属引线电极之间的接合的接合性及管理”这一通用规格要求。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本专利特开2001-110957号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的技术问题

2、然而，在专利文献1的结构中，在焊料熔融时，与半导体元件接合的散热板也被升温，由于散热板的大热容量而产生的蓄热会超过散热板的散热。因此，在随后的冷却时，靠近蓄热后的散热板的高温焊料的降温受到阻碍，可能导致低温焊料先于高温焊料的凝固而凝固。

3、在这样的情况下，在高温焊料的温度降至凝固点之前的期间，由于布线基板的翘曲恢复行为，半导体元件与金属引线电极之间的距离增大。其结果是，半导体元件与金属引线电极之间的接合面积不足，存在无法满足上述通用规格要求的问题。

4、因此，本公开是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，提供一种技术，使得相比于绝缘基板与金属引线电极之间的接合的接合性及管理，能够优先进行半导体元件与金属引线电极之间的接合的接合性及管理。

5、解决技术问题的技术方案

6、本公开所涉及的半导体装置包括：绝缘基板，该绝缘基板在绝缘层上设有电路图案；半导体元件，该半导体元件通过第一接合构件接合在所述电路图案上；以及金属引线电极，该金属引线电极包含通过第二接合构件接合在所述电路图案上的第一部分、和通过第三接合构件接合在所述半导体元件上的第二部分，所述第三接合构件的熔点高于所述第二接合构件的熔点。

7、发明效果

8、根据本公开，半导体元件通过第一接合构件接合在电路图案上，第三接合构件的熔点高于第二接合构件的熔点。根据这样的结构，相比于绝缘基板与金属引线电极之间的接合的接合性及管理，能够优先进行半导体元件与金属引线电极之间的接合的接合性及管理。

9、本公开的目的、特征、方面及优点将通过以下的详细说明和附图而变得更加明确。

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

4.一种如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：