半导体装置及其制造方法与流程

本公开的示例实施例涉及半导体装置及其制造方法。

背景技术：

1、随着电子工业和用户需求的发展，电子装置已经被设计为具有减小的尺寸和高性能。因此，用于电子装置的半导体装置也已需要具有高集成密度。为了制造高度缩小的半导体装置，需要用于创建区域之间的减轻的环境差异的技术。

技术实现思路

1、本公开的示例实施例是为了提供具有改善的可靠性和性能的半导体装置。

2、根据本公开的示例实施例，一种半导体装置包括：衬底，其包括单元阵列区、外围电路区、以及在单元阵列区和外围电路区之间的连接区；装置隔离区，其在衬底上包括单元装置隔离区和连接装置隔离区，单元装置隔离区在单元阵列区上限定单元有源区，连接装置隔离区在连接区上限定有源区；栅极结构，其包括栅电极，栅电极在单元阵列区上与单元有源区交叉并延伸到装置隔离区在连接区上的连接装置隔离区中；位线结构，其在单元阵列区上在与栅极结构相交的第一方向上延伸，并且连接到单元有源区；伪位线结构，其在连接区上在第一方向上延伸，并且具有设置在与位线结构的水平基本相同的水平处的至少一部分；绝缘结构，其在连接区上设置在伪位线结构上；以及伪结构，其设置在连接区上并且穿透绝缘结构的至少一部分，其中，伪结构包括：第一伪结构，其设置在连接装置隔离区上；以及第二伪结构，其在第一方向上与第一伪结构间隔开，与栅极结构竖直重叠，并且具有设置在与位线结构的水平基本相同的水平处的至少一部分。

3、根据本公开的示例实施例，一种半导体装置包括：衬底，其包括具有单元有源区的单元阵列区、外围电路区、以及在单元阵列区和外围电路区之间的连接区；栅极结构，其包括在单元阵列区上在与单元有源区交叉的第一方向上延伸并延伸到连接区中的栅电极，栅极结构在基本垂直于第一方向的第二方向上彼此间隔开；位线结构，其在单元阵列区上在与栅极结构相交的第二方向上延伸，并且连接到单元有源区；伪位线结构，其在连接区上在第二方向上延伸；绝缘结构，其包括绝缘衬垫和绝缘衬垫上的层间绝缘层，绝缘衬垫覆盖伪位线结构的上部和侧部并沿栅极结构的上表面延伸；以及伪图案，其在连接区上，其中，伪图案包括：至少一个第一伪图案，其在栅极结构之间穿透绝缘结构和伪位线结构；以及至少一个第二伪图案，其与栅极结构竖直重叠并且穿透绝缘结构和伪位线结构。

4、根据本公开的示例实施例，一种半导体装置包括：衬底，其具有具备单元有源区的单元阵列区、外围电路区、以及在单元阵列区和外围电路区之间的连接区；栅极结构，其包括在单元阵列区上在与单元有源区交叉的第一方向上延伸并延伸到连接区中的栅电极，栅极结构中的每一个在垂直于第一方向的第二方向上彼此间隔开；位线结构，其在单元阵列区上在第二方向上延伸，并且连接到单元有源区；伪位线结构，其在连接区上在第二方向上延伸；伪结构，其设置在连接区上，并且穿透伪位线结构，其中，伪位线结构沿第二方向具有不同的在第一方向上量取的宽度。

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一伪结构和所述第二伪结构中的每一个的上表面的水平高于所述伪位线结构的上表面的水平。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，

5.根据权利要求4所述的半导体装置，还包括：

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第一伪结构包括：

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述下导电图案的下表面和所述伪导电图案的下表面实质上处于相同的水平。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一伪结构延伸穿过所述绝缘结构并且延伸到所述连接装置隔离区的至少一部分中。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一伪结构和所述第二伪结构延伸穿过所述绝缘结构和所述伪位线结构。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在平面图中，所述伪结构具有多边形形状和圆形形状中的至少一种。

12.一种半导体装置，包括：

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述至少一个第一伪图案和所述至少一个第二伪图案在所述第二方向上对齐。

14.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述至少一个第一伪图案包括：

15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，所述伪导电图案的下表面的水平低于所述第一伪间隔件结构的下表面的水平。

16.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述至少一个第二伪图案包括：

17.根据权利要求12所述的半导体装置，还包括：

18.根据权利要求12所述的半导体装置，

19.一种半导体装置，包括：

20.根据权利要求19所述的半导体装置，其中，所述伪位线结构包括：