半导体装置及其制造方法与流程

本公开涉及半导体装置及其制造方法。

背景技术：

1、有时使用银膏将半导体芯片搭载于封装件（例如专利文献1）。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2009－177197号公报

5、烧结银膏等金属膏具有高的导热性。金属膏可以通过印刷、点胶等进行设置。在封装的工序中，涂布具有流动性的金属膏，使其固化。金属膏的润湿铺展会产生不均。在金属膏少的部分，散热性下降。由于金属膏的表面张力，部件会移动，恐怕会发生位置偏移。此外，金属膏发生热收缩，因此难以进行厚度的管理。因此，目的在于提供散热性高、能减少位置偏移和厚度不均的半导体装置及其制造方法。

技术实现思路

1、本公开的半导体装置的制造方法包括如下工序：在封装件的一个面涂布第一金属膏的工序；对所述第一金属膏进行热处理的工序；在经所述热处理的第一金属膏涂布第二金属膏的工序；将半导体芯片搭载于所述第二金属膏的工序；以及在搭载所述半导体芯片之后、对所述第二金属膏进行热处理的工序。

2、发明效果

3、根据本公开，能提供散热性高、能减少位置偏移和厚度不均的半导体装置及其制造方法。

1.一种半导体装置的制造方法，包括如下工序：

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，

4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，

5.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，

6.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，

8.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，

9.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，

10.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，

11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中，

12.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中，

13.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中，

14.一种半导体装置，具备：

15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，

16.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，

17.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，