SiC外延晶片及SiC外延晶片的制造方法与流程

技术特征：
1.一种sic外延晶片，具备sic基板和层叠于所述sic基板的sic的外延层，所述外延层包含决定导电型的杂质和导电型不同于所述杂质的硼，在所述外延层中，所述硼的浓度在面内的任意位置处都小于1.0
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。2.根据权利要求1所述的sic外延晶片，直径为150mm以上。3.根据权利要求1或2所述的sic外延晶片，直径为200mm以上。4.一种sic外延晶片的制造方法，包括使用在sic基板的载置面的上方具有气体供给口的纵型炉而在sic基板上将sic的外延层成膜的成膜工序，所述成膜工序包括一边按照第1升温速度、第2升温速度、第3升温速度的顺序变更升温速度、一边升温至成膜温度的升温工序，所述第1升温速度比所述第2升温速度快，所述第2升温速度比所述第3升温速度快，所述第1升温速度为100℃/min以上。5.根据权利要求4所述的sic外延晶片的制造方法，在成膜温度下，所述sic基板的所述载置面的中心的高度位置比外周的高度位置高30μm以上。6.根据权利要求4或5所述的sic外延晶片的制造方法，在所述成膜工序中，从所述sic基板的背面供给吹扫气体，所述吹扫气体从比所述sic基板的外周靠内侧20mm以上处供给。7.根据权利要求4～6中任一项所述的sic外延晶片的制造方法，所述升温工序所需的时间为300秒以上且750秒以下。

技术总结
目的在于得到硼的含有量在面内的任意位置处都少且有效面积大的SiC外延晶片及其制造方法。该SiC外延晶片具备SiC基板和层叠于所述SiC基板的SiC的外延层，所述外延层包含决定导电型的杂质和导电型与所述杂质不同的硼，在所述外延层中，所述硼的浓度在面内的任意位置处都小于1.0


技术研发人员：田中健胜 梅田喜一
受保护的技术使用者：昭和电工株式会社
技术研发日：2022.08.01
技术公布日：2023/2/17