氧化镁粉末、导热性填料、树脂组合物及氧化镁粉末的制造方法与流程

技术特征：
1.一种氧化镁粉末，其包含多个具有结晶相和晶界相的氧化镁一次颗粒的至少一部分通过晶界相相互熔接而成的二次颗粒，且通过激光衍射散射法得到的中值粒径为300μm以下。2.根据权利要求1所述的氧化镁粉末，其中，所述中值粒径相对于通过由扫描型电子显微镜拍摄的图像的解析而得到的所述氧化镁一次颗粒的体积平均当量圆直径的比在1.2以上且6.0以下的范围内。3.根据权利要求2所述的氧化镁粉末，其中，所述中值粒径相对于所述氧化镁一次颗粒的体积平均当量圆直径的比在1.5以上且5.0以下的范围内。4.根据权利要求1～3中任一项所述的氧化镁粉末，其中，所述中值粒径在10μm以上且150μm以下的范围内。5.根据权利要求1～4中任一项所述的氧化镁粉末，其中，bet比表面积为1m2/g以下。6.根据权利要求1～5中任一项所述的氧化镁粉末，其中，氧化镁的含有率为94质量％以上。7.根据权利要求1～6中任一项所述的氧化镁粉末，其中，以各自氧化物换算后的量的合计计，含有0.8质量％以上的钙、硅、硼。8.根据权利要求1～7中任一项所述的氧化镁粉末，其中，在所述二次颗粒的表面附着有偶联剂。9.一种导热性填料，其含有权利要求1～8中任一项所述的氧化镁粉末。10.一种树脂组合物，其包含树脂和分散于树脂中的导热性填料，其中，所述导热性填料为权利要求9所述的导热性填料。11.一种权利要求1～7中任一项所述的氧化镁粉末的制造方法，其包括：准备原料混合物的工序，所述原料混合物包含氢氧化镁颗粒和/或氧化镁颗粒、晶界形成成分和除此以外的杂质，所述氢氧化镁颗粒和/或所述氧化镁颗粒的含有率按氧化镁换算计为94质量％以上，所述晶界形成成分的含有率按氧化物换算计为0.8质量％以上；通过对所述原料混合物进行烧成而得到烧成物的工序；和对所述烧成物进行分级的工序。

技术总结
本发明的目的在于提供容易形成导热路径的氧化镁粉末和其制造方法、导热性填料以及导热率高的树脂组合物。该氧化镁粉末包含多个具有结晶相和晶界相的氧化镁一次颗粒的至少一部分通过晶界相相互熔接而成的二次颗粒，通过激光衍射散射法得到的中值粒径为300μm以下。激光衍射散射法得到的中值粒径为300μm以下。激光衍射散射法得到的中值粒径为300μm以下。


技术研发人员：藤川勇 中川真通 滨冈崇 日元武史 山口诚治 渡边国男
受保护的技术使用者：宇部材料工业株式会社
技术研发日：2021.12.01
技术公布日：2023/1/31