半导体器件的制作方法

技术特征：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；栅极电介质膜，形成在所述半导体衬底上；栅极电极，形成在所述栅极电介质膜之上；场板部，与所述栅极电极一体形成；阶梯电介质膜，与所述场板部接触；以及高电介质常数膜，具有高于硅的电介质常数，所述高电介质常数膜与所述阶梯电介质膜接触。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述高电介质常数膜具有通过转移位于所述阶梯电介质膜下方的所述半导体衬底的表面上的费米能级来在所述半导体衬底的所述表面上形成位垒的功能。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述高电介质常数膜的材料包括hfsio、hfsion、hfalon、y2o3或al2o3中的任何一种。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述高电介质常数薄膜包括：第一部分，夹在所述栅极电介质膜与所述栅极电极之间；以及第二部分，夹在所述阶梯电介质膜与所述栅极电介质膜之间。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述高电介质常数膜由夹在所述阶梯电介质膜与所述栅极电介质膜之间的部分形成。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述高电介质常数膜是覆盖所述栅极电极、所述场板部和所述阶梯电介质膜的膜。7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述阶梯电介质膜包括：与所述场板部接触的接触部分；以及从所述场板部突出的非接触部分，以及其中所述非接触部分包括：薄膜部分，在所述薄膜部分上形成有凹部；以及厚膜部分，具有比所述薄膜部分更大的膜厚度。8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述薄膜部分的膜厚度等于所述栅极电介质膜的膜厚度。9.一种半导体器件，包括：半导体衬底；栅极电介质膜，形成在所述半导体衬底上；栅极电极，形成在所述栅极电介质膜之上；场板部，与所述栅极电极一体形成；阶梯电介质膜，与所述场板部接触；以及
电位控制膜，与所述阶梯电介质膜接触，所述电位控制膜在位于所述阶梯电介质膜下方的所述半导体衬底的表面上形成位垒。10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述电位控制膜是通过转移位于所述阶梯电介质膜下方的所述半导体衬底的所述表面上的费米能级而在所述半导体衬底的所述表面上形成所述位垒的膜。

技术总结
本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括半导体衬底、形成在半导体衬底上的栅极电介质膜、形成在栅极电介质膜上的栅极电极、与栅极电极一体形成的场板部、与场板部接触的阶梯电介质膜、以及高电介质常数膜，该高电介质常数膜与阶梯电介质膜接触并且具有高于硅的电介质常数。介质常数。介质常数。


技术研发人员：小清水亮 中柴康隆
受保护的技术使用者：瑞萨电子株式会社
技术研发日：2022.04.29
技术公布日：2022/11/22