横向绝缘栅双极型晶体管的制作方法

技术特征：
1.一种横向绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：形成于衬底上的漂移区，位于所述漂移区上的场氧化层，位于所述场氧化层上的栅极，沿第一方向间隔设置的第一阱区和第二阱区；所述第一阱区和所述第二阱区均位于所述漂移区上，且所述第一阱区位于靠近所述栅极所在的一侧，所述第二阱区位于远离所述栅极所在的一侧；在所述第一阱区内设置有具有第一导电类型的衬底欧姆接触区和具有第二导电类型的源极欧姆接触区；所述第二导电类型和所述第一导电类型相反；其中，所述衬底欧姆接触区和所述源极欧姆接触区之间具有接触面，所述接触面包括两个以上子接触面，各所述子接触面不连续和/或不共面；各所述子接触面沿平行于所述衬底所在的平面方向上具有各子延伸长度，各所述子延伸长度之和大于所述衬底欧姆接触区沿第二方向上的延伸长度，并且大于所述源极欧姆接触区沿第二方向上的延伸长度；所述第一方向和所述第二方向均平行于所述衬底所在的平面，且所述第一方向和所述第二方向彼此垂直。2.根据权利要求1所述的横向绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，各所述子接触面至少包括彼此不平行的第一子接触面和第二子接触面。3.根据权利要求2所述的横向绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述第一子接触面平行于所述第一方向，所述第二子接触面平行于所述第二方向。4.根据权利要求1所述的横向绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，各所述子接触面具体为连续但不共面；所述衬底欧姆接触区中形成各所述子接触面的部分和所述源极欧姆接触区中形成各所述子接触面的部分彼此穿插咬合。5.根据权利要求4所述的横向绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述衬底欧姆接触区包括第一主体区和两个以上第一分支区，各所述第一分支区沿所述第二方向排布，所述第一主体区和所述两个以上第一分支区之间沿所述第一方向连接；所述源极欧姆接触区包括第二主体区和两个以上第二分支区，各所述第二分支区沿所述第二方向排布，所述两个以上第二分支区和所述第二主体区之间沿所述第一方向连接；所述两个以上第一分支区作为所述衬底欧姆接触区中形成各所述子接触面的部分，所述两个以上第二分支区作为所述源极欧姆接触区中形成各所述子接触面的部分；所述衬底欧姆接触区中形成各所述子接触面的部分和所述源极欧姆接触区中形成各所述子接触面的部分彼此穿插咬合，具体通过各所述第一分支区分别与各所述第二分支区接触而实现；沿所述第一方向，所述第一主体区和所述第二主体区分别位于所述接触面的两侧，且所述第二主体区位于比所述第一主体区更靠近所述场氧化层的一侧。6.根据权利要求1所述的横向绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，各所述子接触面具体包括不连续的子接触面；所述源极欧姆接触区包括若干分立设置的第一子接触区，各所述第一子接触区呈阵列排布；所述衬底欧姆接触区位于各所述第一子接触区之间。7.根据权利要求6所述的横向绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，各所述第一子接触区的顶表面均呈正方形且各正方形的边长相等；其中，所述顶表面为远离所述衬底的表面；各所述第一子接触区呈阵列排布，具体为各所述第一子接触区呈矩阵排布。
8.根据权利要求1所述的横向绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，各所述子接触面具体包括不连续的子接触面；所述衬底欧姆接触区包括若干分立设置的第二子接触区，各所述第二子接触区呈阵列排布并嵌于所述源极欧姆接触区内。9.根据权利要求8所述的横向绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，各所述第二子接触区的顶表面均呈正方形且各正方形的边长相等；其中，所述顶表面为远离所述衬底的表面；各所述第二子接触区呈阵列排布，具体为各所述第二子接触区呈矩阵排布。10.根据权利要求8所述的横向绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，各所述第二子接触区的朝向所述场氧化层的一侧被所述源极欧姆接触区包覆；所述源极欧姆接触区的朝向所述场氧化层的一侧被所述第一阱区包覆。

技术总结
本申请实施例提供的横向绝缘栅双极型晶体管，包括形成于衬底上的漂移区，位于漂移区上的场氧化层，沿第一方向间隔设置的第一阱区和第二阱区；在第一阱区内设置有具有第一导电类型的衬底欧姆接触区和具有第二导电类型的源极欧姆接触区；第二导电类型和第一导电类型相反；衬底欧姆接触区和源极欧姆接触区之间具有接触面，接触面包括两个以上子接触面，各子接触面不连续和/或不共面；各子接触面沿平行于衬底所在的平面方向上具有各子延伸长度，各子延伸长度之和大于衬底欧姆接触区沿第二方向上的延伸长度，并且大于源极欧姆接触区沿第二方向上的延伸长度；如此，提升了LIGBT的抗冲击特性。击特性。击特性。


技术研发人员：宋华 顾炎 陈思宇 何乃龙
受保护的技术使用者：无锡华润上华科技有限公司
技术研发日：2021.05.28
技术公布日：2022/11/29