一种阵列基板及其制备方法、显示面板与流程

1.本技术涉及显示领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。


背景技术：

2.在边缘场开关技术(简称ffs)工艺中，在有源层沉积后，进行金属层沉积并刻蚀的步骤，此步骤会对有源层的沟道造成损伤，导致沟道缺陷增多，对器件的电性造成损伤，同时会带来igzo cd loss(有源层条宽损失)；在金属层刻蚀过程中，因为多层结构，会发生底切或鸟嘴等问题，会造成搭界不良以及膜层断裂的问题，对于酸以及工艺的要求高。


技术实现要素：

3.本技术实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，可以解决现有技术中有源层沟道容易出现不良的技术问题。
4.本技术实施例提供一种阵列基板，包括基板；有源层，设于所述基板的一侧；第一绝缘层，设于所述基板的一侧且覆盖所述有源层，其中，第一绝缘层对应所述有源层处设有第一开孔和第二开孔，所述第一开孔对应所述有源层的边缘处，第二开孔对应所述有源层的中部；第一金属层，设于所述第一开孔内且与所述有源层连接；浮动金属层，设于所述第二开孔内且与所述有源层连接，其中，第一金属层和浮动金属层相互绝缘；第一钝化层，设于所述第一绝缘层远离基板的一侧，且覆盖所述第一金属层和所述浮动金属层。
5.可选的，在本技术的一些实施例中，所述有源层包括导体化区域和沟道，所述导体化区域设于所述沟道的边缘处，所述浮动金属层对应所述沟道。
6.可选的，在本技术的一些实施例中，阵列基板还包括遮光单元，设于所述基板的一侧；缓冲层，设于所述基板的一侧且覆盖所述遮光单元，所述有源层设于所述缓冲层的一侧表面，且对应所述遮光单元。
7.可选的，在本技术的一些实施例中，阵列基板还包括第二绝缘层，设于所述第一钝化层远离所述第一绝缘层的一侧表面；公共电极走线，设于所述第二绝缘层远离所述第一钝化层的一侧表面，第二钝化层，设于所述第二绝缘层远离所述第一钝化层的一侧表面，且覆盖所述公共电极走线；像素电极，设于所述第二钝化层远离第二绝缘层的一侧表面，贯穿所述第二钝化层、所述第二绝缘层以及所述第一钝化层，连接至所述第一金属层。
8.相应的，本技术实施例还提供了一种阵列基板的制备方法，包括以下制备步骤：
9.提供一基板；
10.在所述基板上制备半导体材料，图案化后形成有源层；
11.在所述基板和所述有源层上沉积一层有机绝缘材料，刻蚀所述有机绝缘材料形成第一绝缘层，第一绝缘层对应所述有源层处设有第一开孔和第二开孔，所述第一开孔对应所述有源层的边缘处，第二开孔对应所述有源层的中部；
12.在第一开孔和第二开孔内制备金属材料形成第一金属层和浮动金属层，所述第一金属层对应设于所述第一开孔内，所述浮动金属层对应设于所述第二开孔内；
13.制备第一钝化层于所述第一绝缘层、所述第一金属层和所述浮动金属层上。
14.可选的，在本技术的一些实施例中，采用喷墨打印技术在第一开孔和第二开孔内制备金属材料形成第一金属层和浮动金属层。
15.可选的，在本技术的一些实施例中，所述有机绝缘材料包括氧化硅材料。
16.可选的，在本技术的一些实施例中，所述在所述基板上制备半导体材料的具体步骤如下：
17.在所述基板上制备半导体材料，对半导体材料进行部分导体化后形成所述有源层，所述有源层包括导体化区域和沟道，所述浮动金属层对应所述沟道。
18.可选的，在本技术的一些实施例中，在所述制备第一钝化层的步骤之后，还包括以下制备步骤：
19.制备第二绝缘层于第一钝化层上；
20.制备导电材料于第二绝缘层上，图案化所述导电材料形成公共电极；
21.制备第二钝化层于第二绝缘层上。
22.相应的，本技术实施例还提供了一种显示面板，包括上述阵列基板。
23.本技术实施例的有益效果在于，本技术实施例中的阵列基板及其制备方法、显示面板在有源层上方设置的浮动金属层，有效增强有源层中沟道的等离子浓度，同时可以对沟道进行补充，提升阵列基板的稳定性，通过刻蚀阻挡层结构制备第一绝缘层，在有源层上形成多个开孔，通过喷墨打印工艺形成第一金属层和浮动金属层，避免常规工艺导致的有源层损伤。
附图说明
24.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
25.图1是本技术实施例提供的阵列基板的结构示意图；
26.图2是本技术实施例提供的刻蚀完第一开孔和第二开孔后的结构示意图；
27.图3是本技术实施例提供的制备第一金属层和浮动金属层后的结构示意图；
28.图4是本技术实施例提供的阵列基板的制备方法的流程图。
29.附图标记说明：
30.阵列基板10；
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基板100；
31.有源层200；
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第一绝缘层300；
32.第一金属层400；
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浮动金属层500；
33.第一钝化层600；
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第二绝缘层700；
34.公共电极走线800；
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第二钝化层900；
35.遮光单元110；
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缓冲层120；
36.导体化区域201；
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沟道202；
37.第一开孔310；
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第二开孔320；
38.像素电极910。
具体实施方式
39.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
40.本技术实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板。以下进行详细说明。
41.实施例
42.本实施例主要用以解释本发明的阵列基板10及其制备方法、显示面板，其中，显示面板的主要技术特征和全部技术效果均集中在阵列基板10上，对于显示面板的其他部件，本实施例就不再一一赘述，如图1所示，阵列基板10包括基板100、有源层200、第一绝缘层300、第一金属层400、浮动金属层500、第一钝化层600、第二绝缘层700、公共电极走线800以及第二钝化层900。
43.基板100为硬质玻璃基板，主要用于承接各膜层以及隔绝外界水氧杂质，同时，由于玻璃材质具备透光属性，为了避免光线穿过基板100照射至其上方的金属走线，在基板100上设有若干间隔设置的遮光单元110以及覆盖在遮光单元110上的缓冲层120，缓冲层120一方面起到了平整表面的技术效果，便于后续膜层制备，另一方面能够隔绝遮光单元110与其他金属走线连通，避免信号串扰。
44.有源层200设于缓冲层120远离基板100的一侧，有源层200为半导体材料，本实施例中，采用非晶铟镓锌氧化物(igzo)作为有源层200的材料，非晶铟镓锌氧化物是一种绝佳的半导体材料，其在电场作用下能够展现导体特性，从而传输电信号，其在非电场作用下又呈现绝缘特性。本实施例中，有源层200包括边缘处的导体化区域201和中部的非导体化区域即沟道202，导体化区域用以连通源漏电极即第一金属层400。
45.第一绝缘层300设于缓冲层120以及有源层200的上表面，本实施例中，阵列基板10为刻蚀阻挡层(esl)结构的阵列基板10，第一绝缘层300采用有机绝缘材料，其具备良好的阻隔氢原子以及水分子的能力，能够有效避免后续制备第一钝化层600时，第一钝化层600中的氢原子以及水分子进入有源层200中，影响有源层200的器件稳定性。
46.本实施例中，采用氧化硅作为第一绝缘层300的材料，如图2所示，通过刻蚀法在第一绝缘层300上刻蚀出第一开孔310和第二开孔320，其中，第一开孔310对应有源层200的导体化区域201，第二开孔320对应有源层200的沟道202。
47.第一金属层400设于第一开孔310内，且填充第一开孔310的空隙，由于有源层200的导体化区域201部分裸露于第一开孔310的底部，故第一金属层400通过第一开孔310与有源层200的导体化区域201连接，第一金属层400即薄膜晶体管单元中的源漏电极。
48.浮动金属层500设于第二开孔320内，且填充第二开孔320的空隙，由于有源层200的沟道202部分裸露于第二开孔320的底部，故浮动金属层500通过第二开孔320与有源层200的沟道202连接，由于沟道202在实际使用时容易出现等离子浓度变低，氧原子不足的技术问题，故采用浮动金属层500与沟道202连接，从而起到增强沟道202的等离子浓度并对沟
道进行补养的技术效果。
49.第一钝化层600设于第一绝缘层300、第一金属层400和浮动金属层500的上表面，第二绝缘层700设于第一钝化层600的上表面，本实施例中，第二绝缘层700的材料为塑料材质，具体为全氟丙基全氟乙烯基醚与聚四氟乙烯的共聚物，具有很好的绝缘效果，公共电极走线800设于第二绝缘层700的上表面，公共电极走线800采用透明导电材质，本实施例中，公共电极走线800采用氧化铟锡材料，在具备导电能力的同时不影响其透光效果。第二钝化层900设于第二绝缘层700的上表面，且覆盖公共电极走线800。
50.像素电极910设于第二钝化层900的上表面，且贯穿第二钝化层900、第二绝缘层700以及第一钝化层600连接至第一金属层400上，像素电极910采用氧化铟锡材料，在具备导电能力的同时不影响其透光效果。
51.为了更好地解释本发明，本实施例还提供了上述阵列基板的制备方法，如图4所示，其具体步骤如下：
52.s1)提供一基板100，在基板100上制备遮光单元110和缓冲层120，其中，缓冲层120覆盖遮光单元110。
53.s2)在缓冲层120上制备一层半导体材料，本实施例中，所述半导体材料为非晶铟镓锌氧化物材料，图案化所述半导体材料，并对图案化后的所述半导体材料进行局部导体化形成有源层200，有源层200根据是否导体化分为导体化区域201和沟道202，其中导体化区域201位于有源层200的边缘处，沟道202位于有源层200的中部。
54.s3)在缓冲层120和有源层200上制备一层有机绝缘材料形成第一绝缘层300，有机绝缘材料具备良好的阻隔氢原子以及水分子的能力，本实施例中，所述有机绝缘材料为氧化硅材料，通过刻蚀所述有机绝缘材料在对应有源层200上形成第一开孔310和第二开孔320，其中，第一开孔310对应导体化区域201，第二开孔320对应沟道202，本实施例中，在缓冲层120上还刻蚀有一开孔，用以使未对应有源层200的遮光单元110部分裸露，第一绝缘层300通过所述开孔连接至该遮光单元110。
55.s4)如图3所示，在第一开孔310和第二开孔320内填充金属材料，本实施例中，采用喷墨打印工艺在第一开孔310和第二开孔320内填充金属材料，并形成第一金属层400于第一开孔310内，形成浮动金属层500于第二开孔320内，成型后的第一金属层400与有源层200的导体化区域201连通，浮动金属层500与有源层200的沟道202连通，本实施例中，采用喷墨打印工艺制备第一金属层400和浮动金属层500，不仅能够精确控制第一金属层400和浮动金属层500的形状，同时也避免了常规工艺(成膜、曝光、刻蚀、剥离)对应有源层200，特别是对有源层200中沟道202的损伤。
56.s5)在第一绝缘层300、第一金属层400和浮动金属层500上制备一层塑料材质形成第二绝缘层700，本实施例中，所述塑料材质为全氟丙基全氟乙烯基醚与聚四氟乙烯的共聚物，具有很好的绝缘效果。
57.s6)在第二绝缘层700上制备一层透明导电材料，图案化后形成公共电极走线800，在第二绝缘层700上制备第二钝化层900。
58.本实施例的有益效果在于，本实施例中的阵列基板及其制备方法、显示面板在有源层上方设置的浮动金属层，有效增强有源层中沟道的等离子浓度，同时可以对沟道进行补充，提升阵列基板的稳定性，通过刻蚀阻挡层结构制备第一绝缘层，在有源层上形成多个
开孔，通过喷墨打印工艺形成第一金属层和浮动金属层，避免常规工艺导致的有源层损伤。
59.以上对本技术实施例所提供的一种阵列基板及其制备方法、显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。