在第三级具有额外去簇的三级大气到真空质谱仪入口的制作方法

在第三级具有额外去簇的三级大气到真空质谱仪入口
1.相关申请
2.本技术要求在2020年3月24日提交的题为“在第三级具有额外去簇的三级大气到真空质谱仪入口”的美国临时申请第62/993,965号的优先权，其通过引用整体并入本文。
技术领域
3.本教导涉及用于质谱分析的系统和方法，其中施加在谱仪的至少两个部件之间的dc偏移电压用于促进离子的去簇或碎裂。


背景技术：

4.质谱分析(ms)是一种用于确定测试物质的元素组成的分析技术，具有定性和定量应用二者。ms对于识别未知化合物、确定分子中元素的同位素组成、通过观察其碎裂来确定特定化合物的结构、以及量化样品中特定化合物的量可以是有用的。质谱仪检测作为离子的化学实体，因此必须在采样过程期间将分析物转换为带电离子。在离子形成过程期间，可以(例如通过溶剂化)形成一些加合物离子。
5.已知在质谱仪的入口孔口和第一真空透镜元件(例如，撇渣器(skimmer)或离子导向器)之间施加的电压可以增加传入的离子和溶剂化簇的内部能量以促进离子的去簇或碎裂。然而，这种去簇和/或碎裂的有效性随着孔口尺寸的增加而降低。例如，对于具有较大孔口尺寸的系统，有效的去簇需要较大的电压偏移。
6.因此，需要改进的用于质谱分析的系统和方法，其允许利用大的孔口尺寸并且同时允许被引入质谱仪的离子的有效去簇和/或碎裂。


技术实现要素：

7.在一个方面，公开了一种质谱仪，该质谱仪包括具有用于接收多个离子的孔口的孔口板、设置在位于所述孔口板下游的第一腔室中的第一多极离子导向器、以及设置在位于所述第一腔室下游的第二腔室中的第二多极离子导向器。第一离子透镜设置在第一多极离子导向器和第二多极离子导向器之间。第三多极离子导向器位于第三腔室中，第三腔室位于第二腔室下游。第二离子透镜位于第二腔室和第三腔室之间。质谱仪还包括可调dc电压源，用于将可调dc偏移电压施加到所述第一多极离子导向器、第二多极离子导向器和第三多极离子导向器中的至少一个和/或所述第一离子透镜和第二离子透镜中的至少一个，以增加所述离子的轴向动能从而引起所述离子中的至少一部分离子的去簇和/或碎裂中的至少一种。
8.在一些实施例中，第一多极离子导向器、第二多极离子导向器和第三多极离子导向器中的每一个包括被布置成允许离子通过其间的多个杆。在一些实施例中，第一多极离子导向器、第二多极离子导向器和第三多极离子导向器中的每一个都包括一系列堆叠的环，离子可以通过这一系列堆叠的环。
9.在一些实施例中，施加可调dc偏移电压以在第二多极离子导向器和第三多极离子
导向器的膨胀区内增加离子的轴向能量。
10.在一些实施例中，dc电压被配置为引起离子流中存在的加合物离子中的至少一些的去簇而不引起其碎裂。举例来说，在一些这样的实施例中，所施加的dc电压可以是例如在约0v至约300v的范围内，例如在约10v至约200v的范围内，例如在约20v至约140v的范围内。在一些实施例中，所施加的dc电压可以增加离子的轴向动能，从而引起所述离子中的至少一部分离子的碎裂。
11.在一些实施例中，孔口的直径为至少约0.6mm，例如在约0.7mm至约3mm的范围内，例如在约1mm至约1.5mm的范围内。
12.在一些实施例中，可调电压源被配置为在0至约300v的范围内、例如在约10v至约200v的范围内、例如在约20v至约140v的范围内改变所施加的dc电压。
13.在一些实施例中，第一腔室保持在约5托至约15托的范围内的压强处。在一些这样的实施例中，第二腔室保持在约1托至约5托的范围内的压强处。此外，在一些实施例中，第三腔室保持在约3毫托至约12毫托的范围内的压强处。
14.在一些实施例中，除了上述dc偏移电压之外，还可以将dc浮动电压施加到第一多极离子导向器、第二多极离子导向器和第三多极离子导向器中的任何一个，dc浮动电压例如在约-10v至约10v的范围内(该浮动电压也可以是不同值的范围。例如，在tof上，它可能高达 /-500v)。在一些实施例中，提供另一个电压源以将(一个或多个)dc浮动电压施加到这些离子导向器。
15.在一些实施例中，质谱仪可以包括一个或多个射频(rf)源，用于将(一个或多个)rf电压施加到所述第一多极杆、所述第二多极杆和所述第三多极杆中的至少一个，以聚焦穿过其中的离子。
16.可以采用各种离子源来产生多个离子。例如，在一些实施例中，可以采用大气压离子源。
17.在一个相关方面，公开了一种质谱仪，该质谱仪包括具有用于接收多个离子的孔口的孔口板，其中所述孔口的直径为至少约0.6mm、例如在约0.7mm至约3mm的范围内。第一多极离子导向器设置在位于孔口板下游的第一腔室中。第二多极离子导向器设置在位于第一腔室下游的第二腔室中。第一离子透镜设置在第一多极离子导向器和第二多极离子导向器之间。第三多极离子导向器设置在位于第二腔室下游的第三腔室中。第二离子透镜设置在第二腔室和第三腔室之间，并且提供可调电压源以用于在所述第二多极离子导向器和所述第二离子透镜之间施加可调dc偏移电压偏移。可调电压源可以调整所施加的dc电压以增加离子的轴向动能，从而引起所述离子中的至少一些离子的去簇和碎裂中的至少一种(或两者)。
18.在一些实施例中，第一离子导向器、第二离子导向器和第三离子导向器中的每一个可以包括被布置成允许离子通过其间的多个杆。这些杆可以被布置成各种不同的几何构造，例如四极、六极、十二极等。
19.在一些实施例中，第一腔室保持在约5托至约15托的范围内的压强处，第二腔室保持在约1托至约5托的范围内的压强处，并且第三腔室保持在约3毫托至约12毫托的范围内的压强处。
20.在一些实施例中，可调电压源被配置为在约0至约300v的范围内、例如在约10v至
约140v的范围内改变所施加的电压。
21.在一些实施例中，多极离子导向器中的至少一个(例如，第二离子导向器)被保持在约-200v至约 200v的范围内(例如，在约-100v至约 100v的范围内)的dc浮动电压处。在许多实施例中，位于去簇/碎裂发生地上游的所有元件都一起浮动在相同的电压处。在一些这样的实施例中，提供另一个电压源以用于将可调dc偏移电压施加到多极离子导向器、第二离子透镜或离子导向器和透镜的任何组合。在一些这样的实施例中，可调dc偏移电压可以促进所述离子中的至少一些离子的碎裂。
22.在一些实施例中，质谱仪可以包括一个或多个射频(rf)源，用于将(一个或多个)rf电压施加到第一多极离子导向器、第二多极离子导向器和第三多极离子导向器中的至少一个，以在离子通过离子导向器时径向限制和聚焦离子。
23.多极离子导向器可以以各种不同的配置实施。例如，它们可以以四极、六极、十二极配置或具有任意数量杆的几何构造来实施。离子导向器也可以通过采用环而不是杆来形成。
24.在一些实施例中，至少一个射频(rf)源将(一个或多个)rf电压施加到第一多极离子导向器、第二多极离子导向器和第三多极离子导向器中的至少一个，以用于聚焦穿过其中的离子。
25.在一个相关方面，公开了一种用于使用质谱仪对样品进行质谱分析的方法，其中谱仪包括孔口板和串联设置在所述孔口板下游的三个腔室，其中所述腔室中的每一个中设有离子导向器，并且其中第一离子透镜设置在所述第一腔室和所述第二腔室之间，并且第二离子透镜设置在所述第二腔室和所述第三腔室之间。该方法包括以下步骤：电离样品以形成多个离子，通过所述孔口接收所述多个离子，使离子通过所述三个腔室，以及向所述离子导向器和/或离子透镜中的至少一个施加dc偏移电压，从而引起所述离子中的至少一些离子的去簇或碎裂中的至少一种。在一些实施例中，所述离子中的至少一些离子可以是加合物离子。
26.在一些实施例中，第一腔室中的压强可以保持在约5托至约15托的范围内，第二腔室中的压强可以保持在约1托至约5托的范围内，并且第三腔室中的压强可以保持在约3毫托至约12毫托的范围内。
27.可以通过参考以下详细描述结合以下简要描述的相关联附图来获得对本教导的各个方面的进一步理解。
附图说明
28.图1是描绘用于对样品进行质谱分析的方法的实施例中的各个步骤的流程图，
29.图2a、图2b和图2c示意性地描绘了根据本教导的实施例的质谱仪，
30.图3a和图3b分别示出了具有乙腈加合物的质子化可待因-d3离子的质量信号和质子化可待因-d3离子的质量信号，
31.图4a示出了在三重四极ms/ms仪器中测量的米诺地尔母离子的质量信号，
32.图4b、图4c、图4d、图4e和图4f示出了在三重四极ms/ms仪器中具有增加的碰撞能量的5种不同的米诺地尔子离子的质量信号，
33.图4g示出了当用于增加离子的轴向动能的dc电压从0增加到140v时，米诺地尔母
离子的质量信号，
34.图4h、图4i、图4j和图4k示出了与母离子的信号降低同时发生的4种不同的米诺地尔子离子的质量信号的开端，
35.图5a示出了作为离子能量的函数的酮康唑的ms/ms数据，表明酮康唑的碎裂需要40ev或更高的离子能量，
36.图5b示出了2种不同的酮康唑子离子(即m/z 489.3和82.2)的ms/ms数据，
37.图5c示出了在根据本教导的为增加离子的轴向动能而施加的不同dc电压下的酮康唑离子的质量信号，
38.图5d示出了在根据本教导的为增加离子的轴向动能而施加的在约40至140v的范围内的dc电压下的酮康唑的2种子离子的质量信号，
39.图6a示出了在三重四极质谱仪的碰撞池中针对牛磺胆酸获得的ms/ms数据，
40.图6b示出了通过增加根据本教导的为增加离子的轴向动能而施加的dc电压而针对牛磺胆酸获得的碎裂数据，
41.图7a-图7d示出了基于根据本教导所施加的dc电压的水平在不同的去簇水平下牛磺胆酸样品的lc/ms数据，以及
42.图8a-图8c示出了在iq0透镜和质谱仪的其余上游离子导向器(其都浮动到相同的dc电压)之间的不同dc电压偏移下用阿普唑仑样品进行的lc/ms实验中获得的数据。
具体实施方式
43.本公开总体上涉及用于质谱分析的系统和方法，其中使用dc电压(在本文中也称为dc偏移电压)来产生可以增加进入质谱仪的离子的轴向动能的电场以便促进离子中的至少一部分进行去簇或碎裂中的至少一种。
44.图1的流程图示出了用于使用质谱仪对样品进行质谱分析的方法中的各个步骤，该质谱仪包括孔口板和串联设置在孔口板下游的三个腔室，其中每个腔室中设有离子导向器，并且其中第一离子透镜设置在第一腔室和第二腔室之间，并且第二离子透镜设置在第二腔室和第三腔室之间。第一腔室保持在约5托至约15托的范围内的压强处，第二腔室保持在约1托至约5托的范围内的压强处，并且第三腔室保持在约3毫托至约12毫托的范围内的压强处。
45.如流程图中所描绘的，电离样品以形成多个离子。在一些实施例中，所述多个离子可以包括一种或多种加合物离子(例如，溶剂化离子)。通过质谱仪的孔口接收离子。离子传输通过三个腔室。此外，将dc电压(例如可调dc偏移电压)施加到离子导向器中的至少一个和/或离子透镜中的至少一个，从而引起离子中的至少一些在第三腔室内的去簇和碎裂中的至少一种。
46.图2a和图2b示意性地描绘了根据实施例的质谱仪100，其包括用于从感兴趣的样品产生多个离子24的离子源22。在本实施例中，离子源可以是大气压离子源。离子24可以沿着由箭头38指示的大体方向朝着设置有多极离子导向器36的真空腔室26(在本文中也称为djet区域)行进。离子24可以通过真空腔室26的入口28进入真空腔室26。在本实施例中，帘板10和孔口板12位于入口28的前面。帘板10和孔口板12包括孔口10a/12a，离子可以穿过孔口10a/12a到达真空腔室26。
47.在本实施例中，孔口10a/12a足够大以允许传入的离子进入腔室26。举例来说，孔口10a/12a中的任何一个可以是直径在约0.6mm至约10mm的范围内的基本上圆形的。
48.离子导向器36可以具有各种不同的配置。例如，在一些实施例中，离子导向器36可以是四极杆组的形式，而在其他实施例中，离子导向器36可以是六极杆传或十二极杆组的形式。更一般地，离子导向器36可以包括任何数量的杆。此外，在一些实施例中，可以通过使用一系列堆叠的环来形成离子导向器。
49.真空泵42可以向腔室26施加负压以将腔室中的压强保持在期望的范围内。例如，在一些实施例中，腔室26内的压强可以在约5托至约15托的范围内。
50.电源40(在本文中也称为电压源)将(一个或多个)射频(rf)电压施加到离子导向器36的杆上，用于在离子24通过离子导向器36时径向限制和聚焦它们。
51.设置在位于离子导向器36下游的离子透镜iq00中的孔32允许离子从腔室26进到下游的腔室45(在本文中也称为qjet区域)，在腔室45中设置有另一个多极离子导向器56。真空泵42b可以向腔室45施加负压，使得在一些实施例中，腔室45内的压强保持在例如约1托至约5托的范围内。
52.虽然在本实施例中，多极离子导向器56具有四极配置，但在其他实施例中，它可以具有其他配置，诸如六极配置或十二极配置。在其他实施例中，它可以包括任何数量的杆或可以使用一系列堆叠的环来形成。
53.电压源40或另一电压源可将(一个或多个)rf电压施加到离子导向器56的杆，以在离子24通过离子导向器56时径向限制和聚焦它们。离子透镜iq0将腔室45与腔室46隔开。设置在离子透镜iq0内的孔11允许离子24从腔室45进入腔室46。
54.可以包括真空泵42c以向腔室46施加负压，从而将该腔室内的压强保持在例如约3至约8毫托的范围内。多极离子导向器60位于腔室46内。电压源40或另一电压源可以将(一个或多个)rf电压施加到离子导向器60的杆，以用于在离子24通过离子导向器60时径向限制和聚焦它们。如下文更详细讨论的，将(一个或多个)加速dc电压施加到位于腔室46上游的一个或多个部件可以增加离子24的轴向动能，从而引起离子中的至少一部分在腔室45和/或腔室46(取决于施加电压差的位置)内的去簇或碎裂。
55.质量分析器q1设置在位于腔室46下游的腔室47中。真空泵42d向腔室47施加负压，从而将腔室47保持在小于5e-5托的压强处。在本实施例中，粗短杆62也位于腔室47内。在本实施例中，质量分析器q1包括以四极配置布置的四个杆，而在其他实施例中，质量分析器可以根据其他配置(诸如飞行时间(tof))布置。
56.相关领域的技术人员将理解，在其他实施例中，可以采用不同于本文所公开的那些的抽吸配置。例如，根据一些实施例，可以采用单个泵来将质谱仪的多个级抽真空。此外，在一些实施例中，可以完全排除真空泵中的一个或多个，以消除给定级的抽吸。在一些实施例中，可以通过使用多个泵来在任何级实现抽吸。例如，泵42c和42d可以包括粗抽泵和涡轮分子泵的组合。还将理解，并未示出所有质谱仪部件。例如，在一些实施例中，质量分析器可以包括三重四极系统，该系统具有两个质量分析四极和它们之间的用于使离子碎裂的碰撞池。
57.离子透镜iq1设置在腔室46和腔室47之间以在离子从腔室46进入腔室47时聚焦离子。与本实施例中采用的其他离子透镜相类似，离子透镜iq1可以被形成为金属板，在该金
属板中设置有孔口以允许离子通过其中。在其他实施例中，任何离子透镜可以被形成为堆叠的一组具有孔口的板，这些孔口基本上对齐以允许离子通过其中。
58.在本实施例中，dc电压源50(例如，可调dc电压源)在离子透镜iq0和q0离子导向器的杆之间施加dc电压差，以便在离子通过与iq0透镜相关联的孔口进入q0区域时加速它们。离子的加速可以增加它们的轴向动能并因此引起存在于离子流中的加合物离子(如果有的话)中的至少一些的去簇和/或离子中的至少一些在它们通过气体膨胀到随后的较低压强区中时的碎裂。在本实施例中，q0离子导向器保持在约-100v至约 100v的范围内的浮动电压处，例如在本实施例中保持在约-10v的浮动电压处，(例如，通过使用图中未示出的另一个电压源)。因此，dc电压源50提供了高于施加到q0电极的电位(在本实施例中为约-10v)的附加dc偏移电位。
59.例如，dc电压源50可以在离子透镜iq0和q0离子导向器的杆之间施加在约0至约300v的范围内、例如在约10v至约200v的范围内、例如在约20v至约140v的范围内的电压差。可以调整所施加的dc电压以使存在于离子流中的加合物离子(如果有的话)去簇，而不会导致其显著碎裂。可替代地，可以调整所施加的dc电压以使离子中的至少一些碎裂。在一些这样的实施例中，非簇形式的离子和加合物离子中的至少一些可以经历碎裂。在一些实施例中，可采用约0v至约200v的范围内的所施加的dc电压来使加合物离子去簇，并且可采用约0v至约400v的范围内的所施加的dc电压来使离子碎裂。可替代地，包含背景干扰的离子可以在它们进入q0区域时被加速和碎裂，以提高感兴趣的化合物的信噪比。
60.下游q1可以以本领域已知的方式提供碎片离子产物的质量分析。
61.如上所述，可以跨位于q0区域上游的质谱仪的各个部件施加用于增加离子的轴向动能的所施加的dc电压。举例来说，在本教导的另一个实施例中，电压源50在qjet离子导向器(56)的杆和离子透镜iq0之间施加dc电压差，从而在qjet区域中的离子接近iq0透镜时加速它们，以增加它们的轴向动能，并因而促进它们在q0区域或上游qjet区域内去簇和/或碎裂。举例来说，与前述实施例类似，在本实施例中，所施加的dc电压可以在约0至约200v的范围内，例如在约10v至约140v的范围内。
62.提供以下示例以进一步阐明本教导的各个方面，并且以下示例不意图限制本发明的范围。
63.示例
64.示例1-(去簇)
65.图3a和图3b示出了针对在调整至4.5的ph的50:50的乙腈:水 5mm的乙酸铵中制备的可待因-d3样品获得的去簇数据。除了质子化的可待因-d3离子(m/z 303)以外，还观察到具有乙腈加合物的质子化可待因的强峰(m/z 344)。对于示例1-示例5，如图2b所示施加dc偏移电压，其中q0离子导向器保持在-10v的浮动电位，并且在djet离子导向器、iq00、qjet离子导向器和iq0上施加可调整的dc偏移电位。孔口板电位和帘板电位分别得到优化。施加到djet、iq00、qjet和iq0的实际电位为-10v dc偏移电位，以用于在正离子模式中分析化合物。在负离子模式中，浮动电位为 10v，并且施加到djet、iq00、qjet和iq0的电位为10v-dc偏移电位。
66.采用与上述类似的包括第一真空级中的十二极离子导向器、第二真空级中的四极离子导向器和第三真空级中的四极离子导向器的三重四极质谱仪来获得数据。三个真空级
中的压强分别为6托、2托和6毫托。最初，dc偏移电压设置为0v，使得从djet到q0区域的所有透镜元件都保持在相同的电位。在这些条件下，预计界面区域中不会有额外的离子加热，从而导致可待因加合物/质子化离子的比率约为29％。时间＝1分钟，dc偏移电压增加到10v，使得从djet到iq0的所有透镜都保持在0v，而q0杆保持在-10v。在iq0透镜和q0之间施加的这个小偏移电位足以引起去簇的开端，如通过加合物信号(图3a)的减少和对应于质子化可待因-d3的信号(图3b)的增加所证明的那样，使得加合物/质子化离子的新比率为约10.6％。
67.在时间＝2分钟时，dc偏移电位进一步增加10v至20v，导致簇离子的数量进一步减少，同时保持质子化可待因的信号水平。簇/质子化离子的最终比率为6.8％。
68.因此，图3a和图3b中呈现的数据显示如本文所公开的离子的轴向动能的增加可破坏非共价簇相互作用以提高信号/簇离子布居的比例。
69.示例2-(具有低m/z的离子的碎裂)
70.如上所述，如本文所公开的偏移dc电压也可用于离子碎裂。米诺地尔是一种小分子，其在ms/ms仪器中相对容易碎裂。图4a-图4f示出了在三重四极质谱仪(与用于收集示例1中呈现的数据的质谱仪相同)的碰撞池中针对米诺地尔获得的ms/ms数据，以及图4c-图4k示出了通过增加iq0透镜和q0杆之间的djet配置中的dc偏移电压以激活进入q0区域的离子而获得的碎裂数据。
71.参考图4a、图4b、图4c、图4d、图4e和图4f，米诺地尔在三重四极质谱仪的q2碰撞池中容易碎裂。图4a示出了在谱仪的q3区域中测量的米诺地尔离子的信号。将碰撞能量从5ev增加到10ev会导致米诺地尔母离子的信号略有增加。当碰撞能量高于10ev时，米诺地尔会发生显著的碎裂，如通过母离子信号降低所证明的，在35ev或更高的离子能量处基本上完全消除任何母离子信号。
72.图4b-图4f示出了随着碰撞能量增加的5种不同的米诺地尔子离子的质量信号。在最高m/z子离子(m/z 193)的情况下，开端离子能量和最佳离子能量分别为10ev和20ev。正如预期的那样，使用较高的离子能量设置生成了较低质量的子离子。相反，图4g示出了随着前端(从iq0透镜到q0离子导向器的dc偏移电压)dc偏移电压从0v增加到140v的米诺地尔母离子。在dc偏移电压约为70v时，米诺地尔碎裂的开端明显，并且子离子的最大信号是在80-110v的dc偏移电压下测量的。图4h、图4i、图4j和图4k示出了与母离子的信号降低同时发生的4种不同的米诺地尔子离子的信号的开端。
73.以上图4a-图4k中呈现的数据示出本教导在引起离子碎裂方面(诸如在ms/ms质谱仪中需要低碰撞能量来解离的那些)是有效的。
74.示例3-(具有中等m/z的离子的碎裂)
75.图5a/图5b示出了通过增加碰撞能量以激活通过q2区域的离子而在三重四极质谱仪的碰撞池中针对酮康唑获取的ms/ms碎裂数据。图5a示出酮康唑的碎裂需要40ev或更高的离子能量。图5b示出了2种不同酮康唑子离子(即m/z为489.3的子离子和m/z为82.2的子离子)的信号。m/z 489.3和m/z 82.2的开端离子能量分别为30ev和40ev。
76.图5c/图5d示出了根据本教导的在iq0透镜和q0之间施加dc偏移电压时酮康唑的碎裂数据。酮康唑碎裂的开端为约40v dc偏移电压，并且当电压值高于90v时，母离子信号基本被消除。母离子信号的消除和与针对该化合物监测的2种子离子相关联的信号的增加
同时发生。在施加大约40-110v的dc偏移电压时观察到最大子离子信号。
77.示例4-(需要高内能来解离的离子的碎裂)
78.图6a和图6b分别示出了在三重四极质谱仪的碰撞池中针对牛磺胆酸获得的ms/ms数据和通过增加iq0透镜和q0离子导向器之间的电位差以激活进入q0区域的离子而获得的碎裂数据。q0区域保持在约7毫托的压强处。
79.参考图6a，牛磺胆酸的碎裂的开端发生在约60ev，如黑色迹线的信号降低所证明的。灰色迹线示出了非常低m/z的子离子(m/z＝80)的信号，其中阈值碰撞能量和最佳碰撞能量分别为60ev和130ev。使用本文公开的方法产生m/z 80的子离子的开端为80v(图6b)，在100v的dc偏移电压下观察到最大子离子信号。当dc偏移电压增加到140v时，观察到牛磺胆酸的母离子信号减少了大约2倍。与ms/ms数据类似，需要大量内能以产生m/z 80的子离子。
80.示例5
–
(去簇以提高lc/ms的信噪(s/n)比
81.使用1pg/μl牛磺胆酸的样品进行液相色谱-质谱(lc/ms)实验。数据呈现在图7a-图7d中。使用2.1mm的lc柱(c18)以500μl/min的流速进行lc/ms实验。除了调整在0v和140v之间施加的dc偏移电压以提供不同水平的去簇以外，所有参数都对于图7a-图7d中的数据保持不变。dc偏移电压设置为0v(图8a)、50v(图8b)、65v(图8c)和90v(图7d)。
82.当dc偏移电压设置为0v时，去质子化牛磺胆酸的峰高为75000cps，并且背景连续谱相对高，从而导致s/n比为67.5。然后，如图7b中所示，dc偏移电压增加到50v。当dc偏移电压设置为50v时，对去质子化牛磺胆酸的强度没有显著影响(即，峰高在0v dc偏移电压下测量的值的2％以内)。然而，背景连续谱的水平大幅下降，从而导致s/n比为251.1。这些数据表明，改进的去簇可以提供对于此化合物的可检测性的显著提高。如图7c中所示，dc偏移电压进一步增加到65v。在65v的dc偏移电压下，母离子峰的一些碎裂明显。峰强下降了约34％；然而，背景下降幅度更大，从而进一步提高了s/n比。最后，如图7d所示，将所施加的dc偏移电压增加到90v，以诱发去质子化牛磺胆酸离子的更多碎裂。在这些条件下，峰强下降了13倍以上，从而导致41的差s/n比。
83.图7a-图7d中呈现的数据表明，可以通过控制导致离子轴向动能增加的dc偏移电压来实现s/n比的额外改进。如下面的表1中所示，该方法产生了在dc偏移电压设置为0v或65v的情况下进行的重复lc/ms分析的可重现结果。根据本教导的去簇方法的使用导致s/n比平均改善约3.8倍。
84.表1
85.注射次数dc偏移电压＝0vdc偏移电压＝65v173.1286278.2316382.5306489.8309平均81 /-7304 /-13
86.示例6-(碎裂以减少/去除lc/ms的干扰峰)
87.对于示例6中呈现的数据，如图2c中所示施加dc偏移电位，其中iq0和q0离子导向器保持在-10v的浮动电压。将dc偏移电压施加到djet离子导向器、iq00和qjet离子导向器，
并且分别优化了帘板电位和孔口板电位。施加到djet离子导向器、iq00和qjet离子导向器的实际电位为-10v dc偏移电压。液相色谱-质谱(lc/ms)实验是在qjet和iq0透镜之间的不同dc偏移电压下用阿普唑仑样品进行的。在此情况下，dc偏移电压被施加在带有qjet离子导向器的腔室后部，以增加轴向能量。对于该实施例，相对于在iq0和q0之间施加dc偏移电压的先前实施例，可能需要增加dc偏移电压量值。dc偏移电压被施加到djet、iq00和qjet。孔口电位被单独控制并保持在比djet更正的电位以分析离子。数据描绘在图8a-图8c中。色谱图中的阴影峰是阿普唑仑，而带星号的峰是干扰。当qjet和iq0之间没有dc偏移时(图8a)，干扰峰明显大于阿普唑仑；在不同的色谱条件下，它可能与阿普唑仑峰重叠并对其定量限界产生负面影响。图8b和图8c分别示出了在qjet和iq0之间施加45v和50v dc偏移电位的效果。在这些条件下，干扰峰被有效去除，并且不再对阿普唑仑的良好定量构成风险。
88.本教导已经展示了使用qjet和iq0以及iq0和q0之间的电位偏移进行的去簇和碎裂。鉴于本教导，本领域普通技术人员将明白任何增加离子进入q0区域的轴向能量的手段都可以实现如本文所讨论的去簇和碎裂。例如，离子的轴向动能的增加可以通过在系统的各种部件之间使用dc偏移电位来实现。
89.本领域普通技术人员将理解，在不脱离本发明的范围的情况下，可以对上述实施例进行各种改变。