半导体元件以及半导体元件的制造方法与流程

1.本发明涉及半导体元件以及半导体元件的制造方法。


背景技术：

2.存在一种半导体元件，其在基板上形成有图案化的半导体层或电极层。在专利文献1中，记载了一种通过丝网印刷法来形成图案化的电极层的技术。丝网印刷法是指通过刮刀的移动将填充于印刷版的图案开孔部的印刷材料转印到被印刷物的方法。在印刷版的图案开孔部，由格子状的丝线形成网眼(网格)。
3.另外，作为半导体层或电极层的图案形成方法，还存在使用图案化的抗蚀剂等掩模的湿式蚀刻法。有时图案化的抗蚀剂等掩模也通过丝网印刷法形成。
4.专利文献1：日本特开2014-57031号公报
5.专利文献2：国际公开第2011/149067号
6.在使用丝网印刷法的掩模形成方法中，有时在与印刷方向(刮刀移动方向)交叉地延伸的抗蚀剂图案形成有空隙(飞白)。由此，在半导体层或电极层的图案形成有空隙(飞白)。


技术实现要素：

7.本发明的目的在于提供一种即使使用利用丝网印刷法而形成的掩模来进行图案形成、也能够减少在图案化的半导体层或电极层形成空隙(飞白)的情况的半导体元件及半导体元件的制造方法。
8.本发明的半导体元件在基板上形成有图案化的半导体层或电极层，其中，上述半导体层或上述电极层呈长条形状，具有沿长度方向延伸的带状的第一图案和与上述长度方向交叉的带状的第二图案，上述第二图案中的90％的部分相对于上述第一图案所成的角度中的锐角侧的角度小于90度。
9.本发明的半导体元件的制造方法是在基板上形成有图案化的半导体层或电极层的半导体元件的制造方法，其中，包括：半导体层材料膜或电极层材料膜形成工序，即在上述基板上形成上述半导体层的材料膜或上述电极层的材料膜；掩模形成工序，即利用丝网印刷法来在上述半导体层的材料膜或上述电极层的材料膜之上形成图案化的掩模；以及半导体层或电极层形成工序，即通过利用使用上述掩模的湿式蚀刻法去除上述半导体层的材料膜或上述电极层的材料膜的一部分，来形成图案化的上述半导体层或上述电极层，在上述掩模形成工序中，印刷方向相对于形成印刷版的图案开孔部中的网眼亦即网格的格子状的丝线所成的角度中的锐角侧的角度为20度以上且40度以下。
10.根据本发明，即使使用利用丝网印刷法而形成的掩模来进行图案形成，也能够减少在图案化的半导体层或电极层形成空隙(飞白)的情况。
附图说明
11.图1是从背面侧观察本实施方式的太阳能电池的图。
12.图2是图1的太阳能电池中的ii-ii线剖视图。
13.图3a是表示本实施方式的太阳能电池的制造方法中的第一半导体层材料膜形成工序的图。
14.图3b是表示本实施方式的太阳能电池的制造方法中的掩模形成工序的图。
15.图3c是表示本实施方式的太阳能电池的制造方法中的第一半导体层形成工序的图。
16.图3d是表示本实施方式的太阳能电池的制造方法中的第一半导体层形成工序的图。
17.图3e是表示本实施方式的太阳能电池的制造方法中的第二半导体层材料膜形成工序的图。
18.图3f是表示本实施方式的太阳能电池的制造方法中的第二半导体层形成工序(省略掩模形成工序)的图。
19.图3g是表示本实施方式的太阳能电池的制造方法中的透明电极层材料膜形成工序的图。
20.图3h是表示本实施方式的太阳能电池的制造方法中的透明电极层形成工序(省略掩模形成工序)的图。
21.图3i是表示本实施方式的太阳能电池的制造方法中的金属电极层形成工序的图。
22.图4是用于说明利用丝网印刷法的掩模形成中的问题的图。
23.图5是用于说明丝网印刷法的图。
24.图6a是用于说明利用丝网印刷法的掩模形成中的问题的图。
25.图6b是用于说明利用丝网印刷法的掩模形成中的问题的图。
26.图7a是用于说明第一实施方式的半导体层或电极层的图案形状的一个例子的图。
27.图7b是用于说明第一实施方式的半导体层或电极层的图案形状的一个例子的图。
28.图7c是用于说明第一实施方式的半导体层或电极层的图案形状的一个例子的图。
29.图7d是用于说明第一实施方式的半导体层或电极层的图案形状的一个例子的图。
30.图8是用于说明第二实施方式的丝网印刷法的图。
具体实施方式
31.以下，参照附图来对本发明的实施方式的一个例子进行说明。此外，在各附图中对相同或相当的部分标注相同的附图标记。另外，为了方便，也存在省略阴影、部件附图标记等的情况，但在这种情况下，参照其他附图。
32.(第一实施方式)
33.图1是从背面侧观察本实施方式的太阳能电池的图。图1所示的太阳能电池(半导体元件)1为背面电极型(也称为背接触型、背面接合型)的太阳能电池。太阳能电池1具备具有两个主面的半导体基板11，在半导体基板11的主面上具有第一区域7和第二区域8。
34.第一区域7形成所谓的梳型的形状，具有相当于梳齿的多个指部7f和相当于梳齿的支承部的汇流条部7b。汇流条部7b沿着半导体基板11的一个边部在第一方向(x方向)上
延伸，指部7f从汇流条部7b在与第一方向交叉的第二方向(y方向)上延伸。
35.同样，第二区域8为所谓的梳型的形状，具有相当于梳齿的多个指部8f和相当于梳齿的支承部的汇流条部8b。汇流条部8b沿着与半导体基板11的一个边部对置的另一个边部在第一方向(x方向)上延伸，指部8f从汇流条部8b在第二方向(y方向)上延伸。
36.指部7f和指部8f呈在第二方向(y方向)上延伸的带状，并在第一方向(x方向)上交替设置。此外，第一区域7及第二区域8也可以形成为条纹状。
37.图2是图1的太阳能电池中的ii-ii线剖视图。如图2所示，太阳能电池1具备光学调整层15，该光学调整层15层叠于半导体基板11的主面中的受光侧的主面(一个主面)亦即受光面侧。另外，太阳能电池1具备第一导电型半导体层25及第一电极层27，该第一导电型半导体层25及第一电极层27依次层叠于半导体基板11的主面中的受光面的相反侧的主面(另一个主面)亦即背面侧的一部分(主要为第一区域7)。另外，太阳能电池1具备第二导电型半导体层35及第二电极层37，该第二导电型半导体层35及第二电极层37依次层叠于半导体基板11的背面侧的另一部分(主要为第二区域8)。
38.半导体基板11由单晶硅或多晶硅等晶体硅材料形成。半导体基板11例如是在晶体硅材料中掺杂有n型掺杂剂的n型半导体基板。此外，半导体基板11例如也可以是在晶体硅材料中掺杂有p型掺杂剂的p型半导体基板。作为n型掺杂剂，例如可举出磷(p)。作为p型掺杂剂，例如可举出硼(b)。半导体基板11作为吸收来自受光面侧的入射光来生成光载流子(电子及空穴)的光电转换基板发挥功能。
39.光学调整层15形成在半导体基板11的受光面侧。光学调整层15作为防止入射光的反射的防反射层发挥功能，并且作为保护半导体基板11的受光面侧的保护层发挥功能。光学调整层15例如由氧化硅(sio)、氮化硅(sin)、或氮氧化硅(sion)那样的它们的复合物等绝缘体材料形成。
40.第一导电型半导体层25形成于半导体基板11的背面侧的第一区域7。第一导电型半导体层25例如由非晶硅材料形成。第一导电型半导体层25例如是在非晶硅材料中掺杂有p型掺杂剂(例如上述的硼(b))的p型半导体层。
41.第二导电型半导体层35形成于半导体基板11的背面侧的第二区域8。第二导电型半导体层35例如由非晶硅材料形成。第二导电型半导体层35例如是在非晶硅材料中掺杂有n型掺杂剂(例如上述的磷(p))的n型半导体层。
42.此外，也可以是第一导电型半导体层25为n型半导体层、第二导电型半导体层35为p型半导体层。
43.第一导电型半导体层25和第二导电型半导体层35呈在第二方向(y方向)上延伸的带状，并在第一方向(x方向)上交替排列。第二导电型半导体层35的一部分可以重叠在邻接的第一导电型半导体层25的一部分之上(省略图示)。
44.在半导体基板11与光学调整层15之间可以形成有钝化层。另外，在半导体基板11与第一导电型半导体层25之间、以及半导体基板11与第二导电型半导体层35之间真性可以形成有钝化层。钝化层例如由本征(i型)非晶硅材料形成。钝化层抑制在半导体基板11生成的载流子的再结合，提高载流子的回收效率。
45.第一电极层27与第一导电型半导体层25对应，具体而言，形成在半导体基板11的背面侧的第一区域7中的第一导电型半导体层25之上。第二电极层37与第二导电型半导体
层35对应，具体而言，形成在半导体基板11的背面侧的第二区域8中的第二导电型半导体层35之上。第一电极层27具有依次层叠在第一导电型半导体层25上的第一透明电极层28和第一金属电极层29。第二电极层37具有依次层叠在第二导电型半导体层35上的第二透明电极层38和第二金属电极层39。
46.第一透明电极层28及第二透明电极层38由透明的导电性材料形成。作为透明导电性材料，可举出ito(indium tin oxide：氧化铟及氧化锡的复合氧化物)等。
47.第一金属电极层29及第二金属电极层39由含有银等金属粉末的导电性膏材料形成。
48.第一电极层27及第二电极层37、即第一透明电极层28、第二透明电极层38、第一金属电极层29及第二金属电极层39呈在第二方向(y方向)上延伸的带状，并在第一方向(x方向)上交替排列。第一透明电极层28和第二透明电极层38相互分离，第一金属电极层29和第二金属电极层39也相互分离。
49.(太阳能电池的制造方法)
50.接下来，参照图3a～图3i，对本实施方式的太阳能电池的制造方法进行说明。图3a是表示本实施方式的太阳能电池的制造方法中的第一半导体层材料膜形成工序的图，图3b是表示本实施方式的太阳能电池的制造方法中的掩模形成工序的图，图3c及图3d是表示本实施方式的太阳能电池的制造方法中的第一半导体层形成工序的图。图3e是表示本实施方式的太阳能电池的制造方法中的第二半导体层材料膜形成工序的图，图3f是表示本实施方式的太阳能电池的制造方法中的第二半导体层形成工序(省略掩模形成工序)的图。图3g是表示本实施方式的太阳能电池的制造方法中的透明电极层材料膜形成工序的图，图3h是表示本实施方式的太阳能电池的制造方法中的透明电极层形成工序(省略掩模形成工序)的图。图3i是表示本实施方式的太阳能电池的制造方法中的金属电极层形成工序的图。在图3a～图3i中，示出半导体基板11的背面侧，省略半导体基板11的表面侧。
51.首先，如图3a所示，例如利用cvd法或pvd法来在半导体基板11的背面侧的整个面层叠(制膜)第一导电型半导体层材料膜25z(第一半导体层材料膜形成工序)。
52.接下来，如图3b～图3d所示，在半导体基板11的背面侧，去除第二区域8中的第一导电型半导体层材料膜25z，由此在第一区域7形成图案化的第一导电型半导体层25。
53.具体而言，如图3b所示，在半导体基板11的背面侧，利用丝网印刷法来在第一区域7中的第一导电型半导体层材料膜25z上形成图案化的掩模90(掩模形成工序)。作为掩模的材料，例如可举出感光性或非感光性的有机抗蚀剂材料等。
54.然后，如图3c所示，使用利用掩模90的湿式蚀刻法，来去除第二区域8中的第一导电型半导体层材料膜25z(即，第一导电型半导体层材料膜25z的一部分)，由此在第一区域7形成图案化的第一导电型半导体层25(第一半导体层形成工序)。作为对于p型半导体膜的蚀刻溶液，例如可举出使臭氧溶解于氢氟酸而成的混合液、或氢氟酸和硝酸的混合液等酸性溶液，作为对于n型半导体膜的蚀刻溶液，例如可举出氢氧化钾水溶液等碱性溶液。
55.然后，如图3d所示，剥离掩模90。
56.接下来，如图3e所示，例如利用cvd法或pvd法来在半导体基板11的背面侧的整个面层叠(制膜)第二导电型半导体层材料膜35z(第二半导体层材料膜形成工序)。
57.接下来，如图3f所示，在半导体基板11的背面侧，去除第一区域7中的第二导电型
半导体层材料膜35z，由此在第二区域8形成图案化的第二导电型半导体层35。
58.例如，与上述同样，在半导体基板11的背面侧，利用丝网印刷法来在第二区域8中的第二导电型半导体层材料膜35z上形成图案化的掩模90(掩模形成工序)。
59.然后，使用利用掩模90的湿式蚀刻法来去除第一区域7中的第二导电型半导体层材料膜35z(即，第二导电型半导体层材料膜35z的一部分)，由此在第二区域8形成图案化的第二导电型半导体层35(第二半导体层形成工序)。
60.然后，剥离掩模90。
61.此外，在上述的第一半导体层材料膜形成工序或第二半导体层材料膜形成工序中，也可以在半导体基板11的受光面侧的整个面形成光学调整层15(省略图示)。
62.接下来，如图3g所示，在第一导电型半导体层25及第二导电型半导体层35上以跨越它们的方式形成透明电极层材料膜28z(透明电极层材料膜形成工序)。作为透明电极层材料膜28z的形成方法，例如利用cvd法或pvd法等。
63.接下来，如图3h所示，在半导体基板11的背面侧，去除第一区域7与第二区域8的边界处的透明电极层材料膜28z，由此在第一区域7形成图案化的第一透明电极层28，在第二区域8形成图案化的第二透明电极层38。
64.例如，与上述同样，在半导体基板11的背面侧，利用丝网印刷法来在第一区域7中的透明电极层材料膜28z上、及第二区域8中的透明电极层材料膜28z上形成图案化的掩模90(掩模形成工序)。
65.然后，使用利用掩模90的湿式蚀刻法来去除第一区域7与第二区域8的边界处的透明电极层材料膜28z(即，透明电极层材料膜28z的一部分)，由此在第一区域7形成图案化的第一透明电极层28，在第二区域8形成图案化的第二透明电极层38(透明电极层形成工序)。作为对于透明电极层材料膜的蚀刻溶液，可举出盐酸(hcl)等酸性溶液。
66.接下来，如图3i所示，在半导体基板11的背面侧，在第一透明电极层28上形成第一金属电极层29，在第二透明电极层38上形成第二金属电极层39(金属电极层形成工序)。作为第一金属电极层29及第二金属电极层39的形成方法，使用印刷法或涂布法等。
67.通过以上的工序，本实施方式的背面电极型的太阳能电池1完成。
68.这里，如图4所示，第一导电型半导体层25及第一透明电极层28是长条形状的图案，有时具有沿长度方向(y方向)延伸的带状的第一图案25a、28a、和沿与长度方向交叉的短边方向(x方向)延伸的带状的第二图案25b、28b。在这种情况下，在利用丝网印刷法的掩模形成工序中，形成长条形状的图案化的掩模90，该掩模90具有在长度方向(y方向)上延伸的带状的第一图案90a和在与长度方向交叉的短边方向(x方向)上延伸的带状的第二图案90b。
69.然而，如图5所示，在丝网印刷法中，通过刮刀83的移动将填充于印刷版的图案开孔部81的印刷材料转印到被印刷物。在印刷版的图案开孔部81通过格子状的丝线形成有网眼(网格)。
70.通常，在丝网印刷法中，如图4所示，使长条形状的掩模90的长度方向、即主要的带状的第一图案90a与印刷方向(刮刀83移动方向)d1平行。另外，如图5所示，优选使印刷方向(刮刀83移动方向)相对于形成印刷版的图案开孔部81中的网眼(网格)的格子状的丝线倾斜约11度。
71.在这种情况下，如图4所示，有时在掩模90中的沿短边方向(x方向)延伸的带状的第二图案90b产生空隙v1(印刷飞白)。特别地，空隙v1(印刷飞白)产生在第二图案90b的印刷方向的起始侧。若在掩模90产生空隙(印刷飞白)，则在第一导电型半导体层25的图案形成或第一透明电极层28的图案形成中，在第一导电型半导体层25或第一透明电极层28也产生空隙。如以下那样对利用丝网印刷法的掩模90的空隙(印刷飞白)的产生进行研究。
72.如图6a所示，在掩模90中的沿长度方向(y方向)延伸的带状的第一图案90a中，印刷版的图案开孔部81中的印刷方向的网眼(网格)的数量多，将排出的印刷材料充分平滑化。另一方面，如图6b所示，在掩模90中的沿短边方向(x方向)延伸的带状的第二图案90b中，印刷版的图案开孔部81中的印刷方向的网眼(网格)的数量少，未将排出的印刷材料充分平滑化。
73.印刷版的使用次数越增加，这种现象越显著产生。
74.关于这点，本技术发明人考虑在掩模90中的沿短边方向(x方向)延伸的带状的第二图案90b中增加印刷版的图案开孔部81中的印刷方向的网眼(网格)的数量。具体而言，将掩模90中的与长度方向(y方向)交叉的带状的第二图案90b形成为不与印刷方向(刮刀83移动方向)d1正交。
75.因此，在本实施方式中，对于第一导电型半导体层25的图案及第一透明电极层28的图案而言，
76.·
是长条形状的、具有沿长度方向(y方向)延伸的带状的第一图案25a、28a和与长度方向交叉的带状的第二图案25b、28b的图案，
77.·
第二图案25b、28b相对于第一图案25a、28a成小于90度、优选20度以上且40度以下的角度(锐角侧)。
78.由此，能够将掩模90中的与长度方向(y方向)交叉的带状的第二图案90b形成为不与印刷方向(刮刀83移动方向)正交，能够减少掩模90的空隙(印刷飞白)的产生。因此，即使使用利用丝网印刷法而形成的掩模90来进行图案形成，也能够减少在图案化的第一导电型半导体层25及第一透明电极层28形成空隙(飞白)的情况。
79.例如，如图7a所示，第一导电型半导体层25的图案及第一透明电极层28的图案中的第二图案25b、28b为在长度方向(y方向)上凸起的圆弧形状。在这种情况下，第二图案25b、28b的圆弧的切线相对于直线状的第一图案25a、28a在大于0度且小于90度的范围内逐渐变化。此外，在作为第二图案25b、28b凸起的尖端的一点，第二图案25b、28b相对于第一图案25a、28a成90度。关于这点，只要第二图案25b、28b中的90％的部分、优选95％的部分、进一步优选98％的部分相对于第一图案25a、28a成小于90度的角度(锐角侧)即可。
80.或者，如图7b所示，第一导电型半导体层25的图案及第一透明电极层28的图案中的第二图案25b、28b为在长度方向(y方向)上凸起的尖形状。在这种情况下，第二图案25b、28b相对于第一图案25a、28a成小于90度的角度(锐角侧)。进一步，优选第二图案25b、28b相对于第一图案25a、28a成20度以上且40度以下的角度(锐角侧)。
81.或者，如图7c所示，第一导电型半导体层25的图案及第一透明电极层28的图案中的第二图案25b、28b为在长度方向(y方向)上凹陷的倒尖形状。在这种情况下，第二图案25b、28b相对于第一图案25a、28a成小于90度的角度(锐角侧)。进一步，优选第二图案25b、28b相对于第一图案25a、28a成20度以上且40度以下的角度(锐角侧)。
82.或者，如图7d所示，第一导电型半导体层25的图案及第一透明电极层28的图案中的第二图案25b、28b为在长度方向(y方向)上凹凸的波形状。例如在正弦波中，在波峰与波谷之间的拐点处倾斜度最大。由此，第二图案25b、28b的波形状的倾斜度相对于直线状的第一图案25a、28a在大于0度且小于90度的范围内逐渐变化。此外，在图7d中，在作为第二图案25b、28b的波峰及波谷的尖端的一点，第二图案25b、28b相对于第一图案25a、28a成90度。关于这点，只要第二图案25b、28b中的90％的部分、优选95％的部分、进一步优选98％的部分相对于第一图案25a、28a成小于90度的角度(锐角侧)即可。
83.同样，如图4所示，第二导电型半导体层35及第二透明电极层38是长条形状的图案，有时具有沿长度方向(y方向)延伸的带状的第一图案35a、38a和沿与长度方向交叉的短边方向(x方向)延伸的带状的第二图案35b、38b。
84.在这种情况下，也有时在掩模90中的沿短边方向(x方向)延伸的带状的第二图案90b产生空隙v1(印刷飞白)。若在掩模90产生空隙v1(印刷飞白)，则在第二导电型半导体层35的图案形成或第二透明电极层38的图案形成中，在第二导电型半导体层35或第二透明电极层38也产生空隙。
85.关于这点，将掩模90中的与长度方向(y方向)交叉的带状的第二图案90b形成为不与印刷方向(刮刀83移动方向)正交。
86.因此，在本实施方式中，对于第二导电型半导体层35的图案及第二透明电极层38的图案而言，
87.·
是长条形状的、具有沿长度方向(y方向)延伸的带状的第一图案35a、38a和与长度方向交叉的带状的第二图案35b、38b的图案，
88.·
第二图案35b、38b相对于第一图案35a、38a成小于90度、优选20度以上且40度以下的角度(锐角侧)。
89.由此，能够将掩模90中的沿长度方向(y方向)延伸的带状的第二图案90b形成为不与印刷方向(刮刀83移动方向)正交，能够减少掩模90的空隙(印刷飞白)的产生。因此，即使使用利用丝网印刷法而形成的掩模90来进行图案形成，也能够减少在图案化的第二导电型半导体层35及第二透明电极层38形成空隙(飞白)的情况。
90.例如，如图7a所示，第二导电型半导体层35的图案及第二透明电极层38的图案中的第二图案35b、38b为在长度方向(y方向)上凸起的圆弧形状。在这种情况下，第二图案35b、38b的圆弧的切线相对于直线状的第一图案35a、38a在大于0度且小于90度的范围内逐渐变化。此外，在作为第二图案35b、38b凸起的尖端的一点，第二图案35b、38b相对于第一图案35a、38a成90度。关于这点，只要第二图案35b、38b中的90％的部分、优选95％的部分、进一步优选98％的部分相对于第一图案35a、38a成小于90度的角度(锐角侧)即可。
91.或者，如图7b所示，第二导电型半导体层35的图案及第二透明电极层38的图案中的第二图案35b、38b为在长度方向(y方向)上凸起的尖形状。在这种情况下，第二图案35b、38b相对于第一图案35a、38a成小于90度的角度(锐角侧)。进一步，优选第二图案35b、38b相对于第一图案35a、38a成20度以上且40度以下的角度(锐角侧)。
92.或者，如图7c所示，第二导电型半导体层35的图案及第二透明电极层38的图案中的第二图案35b、38b为在长度方向(y方向)上凹陷的倒尖形状。在这种情况下，第二图案35b、38b相对于第一图案35a、38a成小于90度的角度(锐角侧)。进一步，优选第二图案35b、
38b相对于第一图案35a、38a成20度以上且40度以下的角度(锐角侧)。
93.或者，如图7d所示，第二导电型半导体层35的图案及第二透明电极层38的图案中的第二图案35b、38b为在长度方向(y方向)上凹凸的波形状。例如在正弦波中，在波峰与波谷之间的拐点处倾斜度最大。由此，第二图案35b、38b的波形状的倾斜相对于直线状的第一图案35a、38a在大于0度且小于90度的范围内逐渐变化。此外，在图7d中，在作为第二图案35b、38b的波峰及波谷的尖端的一点，第二图案35b、38b相对于第一图案35a、38a成90度。关于这点，只要第二图案35b、38b中的90％的部分、优选95％的部分、进一步优选98％的部分相对于第一图案35a、38a形成小于90度的角度(锐角侧)即可。
94.(第二实施方式)
95.在第一实施方式中，为了抑制丝网印刷中的掩模90的空隙(飞白)的产生，变更了掩模90的图案形状、即半导体层及电极层的图案形状。在第二实施方式中，代替于此而变更印刷版的角度。
96.本技术发明人发现即使在如图4所示那样的情况下，即：
97.·
半导体层25、35及透明电极层28、38为长条形状的、具有沿长度方向(y方向)延伸的带状的第一图案25a、35a、28a、38a和沿与长度方向交叉的短边方向(x方向)延伸的带状的第二图案25b、35b、28b、38b的图案，
98.·
形成长条形状的图案化的掩模90，该掩模90具有沿长度方向(y方向)延伸的带状的第一图案90a和沿与长度方向交叉的短边方向(x方向)延伸的带状的第二图案90b，
99.也能够通过如图8所示那样相对于形成印刷版的图案开孔部81中的网眼(网格)的格子状的丝线变更印刷方向d1(刮刀83移动方向)来减少掩模90的空隙(印刷飞白)的产生。
100.因此，在本实施方式中，在利用丝网印刷法的抗蚀剂形成工序中，如图8所示，使印刷方向d1(刮刀83移动方向)相对于形成印刷版的图案开孔部81中的网眼(网格)的格子状的丝线为20度以上且40度以下，优选为22度以上且35度以下，更优选为25度(两个角度中的锐角侧的角度)。
101.由此，能够减少掩模90的空隙(印刷飞白)的产生。因此，即使使用利用丝网印刷法而形成的掩模90来进行图案形成，也能够减少在图案化的半导体层25、35及透明电极层28、38形成空隙(飞白)的情况。
102.以上，虽然对本发明的实施方式进行了说明，但本发明并不限定于上述的实施方式，可进行各种变更及变形。例如，在上述的实施方式中，如图2所示例示了异质结型的太阳能电池及其制造方法，但并不局限于异质结型的太阳能电池，本发明的特征能够应用于同质结型的太阳能电池等各种太阳能电池及其制造方法。
103.另外，在上述的实施方式中，例示了具有晶体硅基板的太阳能电池，但并不限定于此。例如，太阳能电池也可以具有砷化镓(gaas)基板。
104.进一步，在上述的实施方式中，针对太阳能电池及其制造方法进行了例示。但是，并不限定于此，本发明的特征能够应用于具备图案化的半导体层或电极层的各种半导体元件及其制造方法。
105.附图标记说明
[0106]1…
太阳能电池(半导体元件)；7
…
第一区域；7b、8b
…
汇流条部；7f、8f
…
指部；8
…
第二区域；11
…
半导体基板(基板)；15
…
光学调整层；25
…
第一导电型半导体层；25a、28a
…
第一图案；25b、28b
…
第二图案；25z
…
第一导电型半导体层材料膜；27
…
第一电极层；28
…
第一透明电极层(电极层)；28z
…
透明电极层材料膜；29
…
第一金属电极层；35
…
第二导电型半导体层；35a、38a
…
第一图案；35b、38b
…
第二图案；35z
…
第二导电型半导体层材料膜；37
…
第二电极层；38
…
第二透明电极层(电极层)；39
…
第二金属电极层；81
…
印刷版的图案开孔部；83
…
刮刀；90
…
掩模；90a
…
第一图案；90b
…
第二图案；d1
…
印刷方向；v1
…
空隙(印刷飞白)。