硅前体化合物、包含该硅前体化合物的用于形成含硅膜的组合物以及用于形成含硅膜的方法与流程

技术特征：
1.一种硅前体化合物，由下述化学式1表示：[化学式1]r1r2n-sih
2-n(sir3r4r5)2；在所述化学式1中，r1和r2作为相互连接的取代或者非取代的c
4-c8环型烷基，
–
nr1r2包含环型氨基，所述环型氨基包含一个以上的氮；r3、r4及r5分别相互独立地包含氢、线型或分岔型的c
1-c4烷基、或者线型或分岔型的烯基；其中，将r3、r4及r5均为氢的情形排除在外。2.根据权利要求1所述的硅前体化合物，其中，
–
nr1r2包含吡咯烷基、哌啶基、2,6-二甲基哌啶基、4-甲基哌嗪基、或者莫菲林基。3.根据权利要求1所述的硅前体化合物，其中，-sir3r4r5包含
–
sihme2、-sihmeet、-sihme(
n
pr)、-sihme(
iso
pr)、-sihet2、-sihet(
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pr)、或者-sih(
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pr)2。4.根据权利要求1所述的硅前体化合物，其中，所述硅前体化合物包含下述化合物：合物，其中，所述硅前体化合物包含下述化合物：或者5.一种用于形成含硅膜的前体组合物，包括：根据权利要求1至4中的任一项所述的硅前体化合物。6.根据权利要求5所述的用于形成含硅膜的前体组合物，其中，所述硅前体化合物包括从下述化合物中选择的一种以上的化合物：
以及7.根据权利要求5所述的用于形成含硅膜的前体组合物，其中，所述膜是从含硅氧化膜、含硅氮化膜及含硅碳化膜中选择的一种以上的膜。8.根据权利要求5所述的用于形成含硅膜的前体组合物，其中，还包括：一个以上的氮源，所述氮源从氨气、氮气、肼、以及二甲基肼中选择。9.根据权利要求5所述的用于形成含硅膜的前体组合物，其中，还包括：一个以上的氧源，所述氧源从水蒸气、氧气、以及臭氧中选择。10.一种用于形成含硅膜的方法，利用膜形成用前体组合物而形成含硅膜，所述膜形成用前体组合物包含由下述化学式1表示的硅前体化合物，[化学式1]r1r2n-sih
2-n(sir3r4r5)2；在所述化学式1中，r1和r2作为相互连接的取代或者非取代的c
4-c8环型烷基，
–
nr1r2包含环型氨基，所述环型氨基包含一个以上的氮；r3、r4及r5分别相互独立地包含氢、线型或分岔型的c
1-c4烷基、或者线型或分岔型的烯基；其中，将r3、r4及r5均为氢的情形排除在外。11.根据权利要求10所述的用于形成含硅膜的方法，其中，
–
nr1r2包含吡咯烷基、哌啶基、2,6-二甲基哌啶基、4-甲基哌嗪基、或者莫菲林基。12.根据权利要求10所述的用于形成含硅膜的方法，其中，-sir3r4r5包含
–
sihme2、-sihmeet、-sihme(
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pr)2。13.根据权利要求10所述的用于形成含硅膜的方法，其中，所述用于形成含硅膜的前体组合物所包含的硅前体化合物包括从下述化合物中选择的一种以上的化合物：
以及14.根据权利要求10所述的用于形成含硅膜的方法，其中，所述含硅膜是从含硅氧化膜、含硅氮化膜、以及含硅碳化膜中选择的一种以上的膜。15.一种用于形成含硅膜的方法，利用膜形成用前体组合物而形成含硅膜，其中，所述膜形成用前体组合物包括由下述化学式2表示的硅前体化合物，所述含硅膜是硅氧化膜，[化学式2]r1r2n-sih
2-n(sir3r4r5)2；在所述化学式2中，r1和r2分别相互独立地包含线型或者分岔型的c
1-c4烷基；r3、r4及r5分别相互独立地包含氢、线型或分岔型的c
1-c4烷基、或者线型或分岔型的烯基；其中，将r3、r4及r5均为氢的情形排除在外。16.根据权利要求15所述的用于形成含硅膜的方法，其中，所述用于形成含硅膜的前体组合物所包含的硅前体化合物包括从下述化合物中选择的一种以上的化合物：17.根据权利要求10或15所述的用于形成含硅膜的方法，其中，所述含硅膜通过化学气相沉积法或者原子层沉积法而被沉积。18.根据权利要求10或15所述的用于形成含硅膜的方法，其中，所述含硅膜是在100℃
至300℃的温度范围中形成的膜。19.根据权利要求10或15所述的用于形成含硅膜的方法，其中，所述含硅膜是以1nm至500nm的厚度范围形成的膜。20.根据权利要求10或15所述的用于形成含硅膜的方法，其中，所述含硅膜形成于基材上，所述基材包括：一个以上的凹凸段，所述凹凸段的长宽比为1以上，并且宽度为1μm以下。

技术总结
本发明涉及一种硅前体化合物、所述硅前体化合物的制造方法、包含所述硅前体化合物的用于形成含硅膜的前体组合物、以及利用所述前体组合物的含硅膜的形成方法。组合物的含硅膜的形成方法。组合物的含硅膜的形成方法。


技术研发人员：金镇植 金炳官 崔晙焕 刘多顺
受保护的技术使用者：UP化学株式会社
技术研发日：2021.01.27
技术公布日：2022/8/19