一种晶片清洗水和清洗晶片的方法与流程

1.本技术涉及晶片清洗技术领域，尤其涉及用于一种晶片清洗水和清洗晶片的方法。


背景技术：

2.硅晶片是一种高新技术材料，多用于高科技精密产业。硅晶片用途不同时，处理方式也不同，其中有种硅晶片线切割处理，但是在进行硅晶片线切割处理前后，都需要对硅晶片进行清洗，来保证硅晶片的洁净度。
3.如中国专利公开了：cn1177355c，公开号：清洗晶片的清洗水和清洗晶片的清洗方法，该清洗水具有7.5-8.0的ph值，-0.6到-0.45v的氧化-还原电位，和不大于1mω
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cm的电阻率。并且该清洗水是还原水，但是清洗晶片进行使用的时候，其表面容易粘粘颗粒、有机物和金属，影响半导体晶片的正常使用。


技术实现要素：

4.本发明的目的在于提供用于一种晶片清洗水和清洗晶片的方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
5.本技术实施例采用下述技术方案：一种晶片清洗水，包括去有机物和金属的清洗水、去颗粒的有机水和去金属的有机水，去有机物和金属的清洗水具有大于1mω.cm的电阻率，该去有机物和金属的清洗水内含有h2so4和h2o2，且h2oh：h2so4的比例为2~4：1。
6.优选的，所述去颗粒的有机水内含有nh4oh、h2o2和h20，该去颗粒的有机水内金属杂质含量小于等于1ppm、控制粒径小于等于1μm、颗粒数目小于等于25ml，且nh4oh：h2o2：h2o的比例为0.05：1：5，且去颗粒的有机水具有微弱的还原性。
7.优选的，所述去金属的有机水内含有hcl、h2o2和h20，且hcl：h2o2：h2o的比例为1：1：6。
8.本发明要解决的另一技术问题是提供一种清洗晶片的方法，包括以下步骤：第一步：去有机物和金属、清洗、去自然氧化层和清洗；第二步：去颗粒、清洗、去自然氧化层和清洗；第三步：去金属、清洗、去氧化层、清洗和干燥。
9.优选的，向清洗槽内倾倒对半导体晶片进行去有机物和金属的有机水，在将需要进行清洗的半导体晶片放入清洗槽内，在130度高温下进行10~15分钟的浸泡，去有机物和金属的有机水内的h2so4和h2o2的强氧化性和脱水性，在浸泡过程中，去有机物和金属的有机水和附着在半导体晶片上的有机物进行反应，对有机物内的碳氢键进行破坏，h2o2和有机物反应放出氧气和水，h2o2会和金属发生剧烈反应，而h2so4会脱去有机物中的氢氧元素。
10.优选的，将在去有机物和金属的有机水内浸泡完成后的半导体晶片取出，用超纯
水对其进行冲洗，冲洗完成后，将去除有机物的半导体晶片放入hf/h2o溶液内，在室温下进行15~30秒的反应，hf/h2o溶液中hf：nh4f=1：200~400，通过hf/h2o溶液和半导体晶片进行反应，来清除半导体晶片上自然形成的氧化层，清除完成后，在通过超纯水对半导体进行清洗。
11.优选的，将需要进行去除颗粒的的半导体晶片放入装有去颗粒的有机水的清洗槽内，该去颗粒的有机水内含有nh4oh、h2o2和h20，nh4oh的弱碱性活化硅晶圆及微粒子的表面，使晶圆表面与微粒子间产生相互排斥，h2o2对sio2进行微刻蚀，将半导体晶片上的颗粒去除，在将去除完成后的半导体晶片用超纯水清洗，在用hf/h2o去除自然氧化层，之后在用超纯水进行清洗。
12.优选的，将需要进行去除金属的半导体晶片放入装有去金属的有机水的清洗槽内，让清洗槽内的温度保持70度，清洗时长为5~10分钟，在进行清洗的时候，该去金属的有机水内含有hcl、h2o2和h20，利用h2o2氧化被污染的金属，hcl与金属离子生成可溶性氯化物而溶解，在将半导体晶片取出用超纯水清洗，清洗完成后用hf/h2o去除半导体晶片上被h2o2氧化的层，去除完成后，取出用超纯水进行冲洗。
13.优选的，将需要干燥的半导体晶体放入旋转干燥机中进行离心干燥，同时可以向旋转干燥机内添加低沸点的有机溶剂，对半导体晶体置换干燥。
14.本发明要解决的另一技术问题是提供一种半导体晶片的清洗槽，包括收集槽，所述收集槽上设置有对晶片进行承接的收集机构，所述收集机构包括篮子，所述篮子设置在收集槽内，所述篮子上固定安装有侧杆，所述侧杆之间固定安装有横杆，所述横杆上固定套设有限位环，所述横杆的下面固定安装有连接支撑板，所述收集槽的上面固定安装有限位横板，所述收集槽的侧壁上固定安装有转盘和卡扣，所述卡扣内活动安装有齿轮带，所述齿轮带和转盘齿轮啮合在一起，所述连接支撑板和齿轮带固定安装在一起，所述收集槽内设置有加热板。
15.本技术实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果：其一，向清洗槽内倾倒对半导体晶片进行去有机物和金属的有机水，在将需要进行清洗的半导体晶片放入清洗槽内，在130度高温下进行10~15分钟的浸泡，去有机物和金属的有机水内的h2so4和h2o2的强氧化性和脱水性，在浸泡过程中，去有机物和金属的有机水和附着在半导体晶片上的有机物进行反应，对有机物内的碳氢键进行破坏，h2o2和有机物反应放出氧气和水，h2o2会和金属发生剧烈反应，而h2so4会脱去有机物中的氢氧元素，实现对半导体晶片上的有机物的去除，提高对半导体上有机物的清洁速度与效率。
16.其二，将在去有机物和金属的有机水内浸泡完成后的半导体晶片取出，用超纯水对其进行冲洗，冲洗完成后，将去除有机物的半导体晶片放入hf/h2o溶液内，在室温下进行15~30秒的反应，hf/h2o溶液中hf：nh4f=1：200~400，通过hf/h2o溶液和半导体晶片进行反应，来清除半导体晶片上自然形成的氧化层，清除完成后，在通过超纯水对半导体进行清洗，通过hf/h2o溶液和超纯水的使用，在对半导体清洗完成后，提高后续清洗的效果。
17.其三，将需要进行去除颗粒的的半导体晶片放入装有去颗粒的有机水的清洗槽内，该去颗粒的有机水内含有nh4oh、h2o2和h20，nh4oh的弱碱性活化硅晶圆及微粒子的表面，使晶圆表面与微粒子间产生相互排斥，h2o2对sio2进行微刻蚀，将半导体晶片上的颗粒去除，在将去除完成后的半导体晶片用超纯水清洗，在用hf/h2o去除自然氧化层，之后在用
超纯水进行清洗，通过对半导体晶片上的颗粒的清除，防止半导体晶片上颗粒的摩擦，大大提高了半导体晶片的清除效果。
18.其四，将需要进行去除金属的半导体晶片放入装有去金属的有机水的清洗槽内，让清洗槽内的温度保持70度，清洗时长为5~10分钟，在进行清洗的时候，该去金属的有机水内含有hcl、h2o2和h20，利用h2o2氧化被污染的金属，hcl与金属离子生成可溶性氯化物而溶解，在将半导体晶片取出用超纯水清洗，清洗完成后用hf/h2o去除半导体晶片上被h2o2氧化的层，去除完成后，取出用超纯水进行冲洗，对半导体晶片上的金属进行清洗，防止金属留存在半导体晶片上，提高半导体晶片的成品效果。
19.其五，将需要干燥的半导体晶体放入旋转干燥机中进行离心干燥，同时可以向旋转干燥机内添加低沸点的有机溶剂，对半导体晶体置换干燥，方便后续的加工。
20.其六，通过转动转盘,转盘的转动带动齿轮带的上下移动，齿轮带的上下移动带动连接支撑板的上下移动，连接支撑板的上下移动带动横杆的上下移动，横杆的上下移动带动侧杆的上下移动，侧杆上设置有限位环，限位环可以对侧杆进行限位，保证侧杆的位置，而限位横板的存在可以对篮子进行限位，侧杆的上下移动带动篮子的位置改变，方便对篮子的位置进行调节，篮子上开设有漏水槽，方便篮子上的晶片和清洗水接触，而收集槽上设置有对收集槽内清洗水进行加热的设备，方便仪器的使用，本装置通过对篮子位置的调节，在进行清洗的时候，取出半导体晶石较为方便，使用较为便捷。
21.附图说明
22.此处所说明的附图用来提供对本技术的进一步理解，构成本技术的一部分，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：图1为本发明拓扑图的结构示意图；图2为本发明收集槽的结构示意图；图3为本发明收集槽的侧面结构示意图；图4为本发明篮子的结构示意图；图5为本发明加热板的结构示意图。
23.图中：1、收集槽；2、加热板；11、转盘；12、齿轮带；13、卡扣；14、连接支撑板；21、横杆；22、侧杆；23、限位环；24、限位横板；25、篮子。
具体实施方式
24.为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术具体实施例及相应的附图对本技术技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
25.以下结合附图，详细说明本技术各实施例提供的技术方案。
26.实施例1：请参阅图1，一种晶片清洗水，包括去有机物和金属的清洗水、去颗粒的有机水和去金属的有机水，去有机物和金属的清洗水具有大于1mω.cm的电阻率，该去有机物和金属的清洗水内含有h2so4和h2o2，且h2oh：h2so4的比例为2~4：1。
27.去颗粒的有机水内含有nh4oh、h2o2和h20，该去颗粒的有机水内金属杂质含量小于等于1ppm、控制粒径小于等于1μm、颗粒数目小于等于25ml，且nh4oh：h2o2：h2o的比例为0.05：1：5，且去颗粒的有机水具有微弱的还原性。
28.去金属的有机水内含有hcl、h2o2和h20，且hcl：h2o2：h2o的比例为1：1：6。
29.向清洗槽内倾倒对半导体晶片进行去有机物和金属的有机水，在将需要进行清洗的半导体晶片放入清洗槽内，在130度高温下进行10~15分钟的浸泡，去有机物和金属的有机水内的h2so4和h2o2的强氧化性和脱水性，在浸泡过程中，去有机物和金属的有机水和附着在半导体晶片上的有机物进行反应，对有机物内的碳氢键进行破坏，h2o2和有机物反应放出氧气和水，h2o2会和金属发生剧烈反应，而h2so4会脱去有机物中的氢氧元素，实现对半导体晶片上的有机物的去除，提高对半导体上有机物的清洁速度与效率。
30.将在去有机物和金属的有机水内浸泡完成后的半导体晶片取出，用超纯水对其进行冲洗，冲洗完成后，将去除有机物的半导体晶片放入hf/h2o溶液内，在室温下进行15~30秒的反应，hf/h2o溶液中hf：nh4f=1：200~400，通过hf/h2o溶液和半导体晶片进行反应，来清除半导体晶片上自然形成的氧化层，清除完成后，在通过超纯水对半导体进行清洗，通过hf/h2o溶液和超纯水的使用，在对半导体清洗完成后，提高后续清洗的效果。
31.将需要进行去除颗粒的的半导体晶片放入装有去颗粒的有机水的清洗槽内，该去颗粒的有机水内含有nh4oh、h2o2和h20，nh4oh的弱碱性活化硅晶圆及微粒子的表面，使晶圆表面与微粒子间产生相互排斥，h2o2对sio2进行微刻蚀，将半导体晶片上的颗粒去除，在将去除完成后的半导体晶片用超纯水清洗，在用hf/h2o去除自然氧化层，之后在用超纯水进行清洗，通过对半导体晶片上的颗粒的清除，防止半导体晶片上颗粒的摩擦，大大提高了半导体晶片的清除效果。
32.将需要进行去除金属的半导体晶片放入装有去金属的有机水的清洗槽内，让清洗槽内的温度保持70度，清洗时长为5~10分钟，在进行清洗的时候，该去金属的有机水内含有hcl、h2o2和h20，利用h2o2氧化被污染的金属，hcl与金属离子生成可溶性氯化物而溶解，在将半导体晶片取出用超纯水清洗，清洗完成后用hf/h2o去除半导体晶片上被h2o2氧化的层，去除完成后，取出用超纯水进行冲洗，对半导体晶片上的金属进行清洗，防止金属留存在半导体晶片上，提高半导体晶片的成品效果。
33.将需要干燥的半导体晶体放入旋转干燥机中进行离心干燥，同时可以向旋转干燥机内添加低沸点的有机溶剂，对半导体晶体置换干燥，方便后续的加工。
34.一种清洗晶片的方法，包括以下步骤：第一步：去有机物和金属、清洗、去自然氧化层和清洗；第二步：去颗粒、清洗、去自然氧化层和清洗；第三步：去金属、清洗、去氧化层、清洗和干燥。
35.向清洗槽内倾倒对半导体晶片进行去有机物和金属的有机水，在将需要进行清洗的半导体晶片放入清洗槽内，在130度高温下进行10~15分钟的浸泡，去有机物和金属的有机水内的h2so4和h2o2的强氧化性和脱水性，在浸泡过程中，去有机物和金属的有机水和附着在半导体晶片上的有机物进行反应，对有机物内的碳氢键进行破坏，h2o2和有机物反应放出氧气和水，h2o2会和金属发生剧烈反应，而h2so4会脱去有机物中的氢氧元素。
36.将在去有机物和金属的有机水内浸泡完成后的半导体晶片取出，用超纯水对其进
行冲洗，冲洗完成后，将去除有机物的半导体晶片放入hf/h2o溶液内，在室温下进行15~30秒的反应，hf/h2o溶液中hf：nh4f=1：200~400，通过hf/h2o溶液和半导体晶片进行反应，来清除半导体晶片上自然形成的氧化层，清除完成后，在通过超纯水对半导体进行清洗。
37.将需要进行去除颗粒的的半导体晶片放入装有去颗粒的有机水的清洗槽内，该去颗粒的有机水内含有nh4oh、h2o2和h20，nh4oh的弱碱性活化硅晶圆及微粒子的表面，使晶圆表面与微粒子间产生相互排斥，h2o2对sio2进行微刻蚀，将半导体晶片上的颗粒去除，在将去除完成后的半导体晶片用超纯水清洗，在用hf/h2o去除自然氧化层，之后在用超纯水进行清洗。
38.将需要进行去除金属的半导体晶片放入装有去金属的有机水的清洗槽内，让清洗槽内的温度保持70度，清洗时长为5~10分钟，在进行清洗的时候，该去金属的有机水内含有hcl、h2o2和h20，利用h2o2氧化被污染的金属，hcl与金属离子生成可溶性氯化物而溶解，在将半导体晶片取出用超纯水清洗，清洗完成后用hf/h2o去除半导体晶片上被h2o2氧化的层，去除完成后，取出用超纯水进行冲洗。
39.将需要干燥的半导体晶体放入旋转干燥机中进行离心干燥，同时可以向旋转干燥机内添加低沸点的有机溶剂，对半导体晶体置换干燥。
40.一种半导体晶片的清洗槽，包括收集槽1，收集槽1上设置有对晶片进行承接的收集机构，收集机构包括篮子25，篮子25设置在收集槽1内，篮子25上固定安装有侧杆22，侧杆22之间固定安装有横杆21，横杆22上固定套设有限位环23，横杆21的下面固定安装有连接支撑板14，收集槽1的上面固定安装有限位横板24，收集槽1的侧壁上固定安装有转盘11和卡扣13，卡扣13内活动安装有齿轮带12，齿轮带12和转盘11齿轮啮合在一起，连接支撑板14和齿轮带12固定安装在一起，收集槽1内设置有加热板2。
41.通过转动转盘11,转盘11的转动带动齿轮带12的上下移动，齿轮带12的上下移动带动连接支撑板14的上下移动，连接支撑板14的上下移动带动横杆21的上下移动，横杆21的上下移动带动侧杆22的上下移动，侧杆22上设置有限位环23，限位环23可以对侧杆22进行限位，保证侧杆22的位置，而限位横板24的存在可以对篮子25进行限位，侧杆22的上下移动带动篮子25的位置改变，方便对篮子25的位置进行调节，篮子25上开设有漏水槽，方便篮子25上的晶片和清洗水接触，而收集槽1上设置有对收集槽内清洗水进行加热的设备，方便仪器的使用，本装置通过对篮子25位置的调节，在进行清洗的时候，取出半导体晶石较为方便，使用较为便捷。
42.本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、方法、或计算机程序产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质（包括但不限于磁盘存储器、cd-rom、光学存储器等）上实施的计算机程序产品的形式。
43.还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
44.以上所述仅为本技术的实施例而已，并不用于限制本技术。对于本领域技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的权利要求范围之内。